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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料概述氢氧化钾是一种湿法蚀刻,优先在平面侵蚀硅,产生特征性的各向异性垂直蚀刻,侧壁与表面形成54.7°角(与法线成35.3°)。该蚀刻工艺与砷、磷和锑的掺杂浓度无关。对于硼,在高掺杂浓度下蚀刻速率迅速下降。这是一个一级流程,需要基本的INRF安全认证。危险化学品的使用要求用户不得单独执行该过程。所需时间对于40米蚀刻,氢氧化钾工艺通常需要1小时:20分钟的准备时间,然后是40分钟的蚀刻。光刻和反应离子蚀刻需要额外的时间。所需材料o 100个带有热生长氧化物或氮化物层的硅片(~ 2000–3000)o KOH颗粒(可从化学商店获得)o玻璃容器o温度计o热板准备戴上防护性丁腈手套和眼睛保护装置。按照以下方式制备新鲜氢氧化钾溶液。将1份氢氧化钾颗粒(按重量)称量到塑料烧杯中。加入2份去离子水。例如,使用100克氢氧化钾和200毫升水。在温暖的表面混合,直到氢氧化钾溶解。向溶液中加入40毫升异丙醇。异丙醇增加了蚀刻中的各向异性。储存在标有“30%氢氧化钾溶液”的塑料瓶中,然后加上你的名字、日期和靶器官标签。氢氧化钾配方(30%)在温暖的表面上混合70克氢氧化钾颗粒和190毫升去离子水,直到氢氧化钾完全溶解。o加入40毫升异丙醇氢氧化钾蚀刻需要二氧化硅或氮化硅的“硬掩模”(氮化物是优选的,因为氧化物被氢氧化钾缓慢蚀刻)。制作硬掩膜的细节可...
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       缩小特征尺寸的另一种选择是增加集成电路(IC)封装的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已经大大减少。 推动薄模具需求的主要因素包括便携式通信和计算设备、存储卡、智能卡、以及CMOS图像传感器、混合、箔式柔性系统、led、MEMS、太阳能和电源设备。关键词:化学减薄、蚀刻、应力消除、波蚀、线性扫描、超薄晶片、处理、非接触卡盘。介绍       研磨、抛光和稀释技术;以及将晶圆与载体结合以进行处理、细化或加工的许多方法。因此,有一种新的化学稀释技术,它可以将晶片稀释到50µm或更少, 具有更好的均匀性,而且成本比传统的稀释更低。减薄和应力消除      化学稀释是消除亚表面损伤和减轻磨削和抛光留下的应力的必要步骤。化学稀释也是一种替代抛光(磨削后)的方法。  图2。材料去除均匀性(总厚度变化或TTV)典型的波蚀线性扫描减薄过程如上所示。在去掉75µm后,最终的厚度为112µm, TTV的范围从4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍        通过对硅表面的清洗和表面处理制备超净硅。集成电路(IC)在制造条件下发生了相当大的变化,在1993年。 这些变化的驱动力是不断增长的,生产高性能先进硅器件的要求,可靠性和成本。 这些电路的特征尺寸已经被放大了。在100纳米以下,器件结构可以包含多能级 金属化层与铜(铜)和特殊介质材料。表面清洁和调理晶圆片的重要性         在半导体微电子器件的制造过程中,清洁衬底表面的重要性从固体出现之初就得到了认识。20世纪50年代的国家设备技术......因此,超净硅晶片的制备已成为一项重要的技术 。 前端加工表面制备技术要求(1):近期工艺  晶圆清洗和表面处理技术   略  文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       MEMS已被认为是最有前途的技术之一。在21世纪,它具有革命性的工业和结合以硅为基础的微电子产品微加工技术。 它的技术和微系统电子设备有可能极大地影响我们的生活。本文介绍了微机电系统领域的概况,重点介绍其商业应用和器件制造方法。它还描述了MEMS传感器和执行器的范围可被MEMS器件感知或作用的现象 概述了该行业面临的主要挑战。   介绍         本报告涉及微电子机械系统或MEMS的新兴领域。MEMS是一种用于制造微型集成设备或系统的工艺技术机械及电子元件。 它们是用集成电路(IC)批量制造的加工技术,大小从几微米到几毫米不等。 这些设备(或系统)具有在微尺度上感知、控制和驱动的能力。在宏观尺度上产生影响,MEMS的跨学科性质利用了设计、工程和制造具有集成电路等广泛的技术领域的专业知识制造技术、机械工程、材料科学、电气工程、 化学和化学工程,以及流体工程,光学,仪器仪表和包装。 MEMS的复杂性也体现在广泛的市场和集成MEMS设备的应用程序。 MEMS可以在各种系统中找到汽车、医疗、电子、通信和国防应用。 当前MEMS 设备包括用于安全气囊传感器的加速度计...
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料   1.  目的和应用  缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险,建议用户使用在执行工艺之前,请仔细阅读材料安全数据表。   BOE / HF的三个主要用途是:  1)去除硅表面悬浮微结构的牺牲氧化层晶片。  2)去除图案硅片上多余的二氧化硅。  3)去除硅片上的原生寄生二氧化硅 4) 40%的HF用于快速去除氧化物。  5) BOE对氧化物的去除速度较慢,但可以延长光刻胶掩模的寿命。 腐蚀速率通常为30 - 80 nm/min。  6)稀释HF蚀刻——比如5% HF——用于在大约30秒内去除天然氧化物。  BOE过程基于络合反应:  SiO2 + 6 HF à H2SiF6 + 2h2o其中H2SiF6溶于水。该反应是在稀HF溶液中进行的,用NH4F缓冲,以避免耗尽氟离子。 也有报道说,这也减少了光抗蚀剂的攻击氢氟酸。热生长的SiO2和沉积的SiO2都可以在缓冲氢氟酸中蚀刻或直接蚀刻氢氟酸。&...
发布时间: 2021 - 08 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料       光刻是在掩模中转移几何形状图案的过程,是覆盖在表面的一层薄薄的辐射敏感材料(称为抗辐射剂) ,也是一种半导体晶片。 图5.1简要说明了光刻用于集成电路制造的工艺。 如图5.1(b)所示,辐射为通过口罩的透明部分传播,使其暴露光刻胶不溶于显影剂溶液,从而使之直接将掩模图案转移到晶圆上。 在定义模式之后,需要采用蚀刻工艺选择性地去除屏蔽部分基本层。光刻曝光的性能由三个参数决定: 分辨率、注册和吞吐量。 分辨率定义:半导体晶圆上的薄膜。 注册是衡量其准确性的一个指标连续掩模上的模式可以对齐或叠加在同一晶圆片上先前定义的图案。 吞吐量是数量每小时可以暴露在给定掩模水平下的晶圆。 洁净室  集成电路制造设备需要一个洁净室,特别是在光刻领域,沉积在半导体晶圆和光刻掩模上的灰尘颗粒可能造成设备缺陷。 如图5.2所示,空气中的颗粒附着在掩模表面的图案可以是不透明的随后转移到电路模式,从而导致不好的后果。 例如,图5.2中的粒子1可能导致底层有一个针孔 粒子2可能引起的收缩电流在金属流道中流动,而粒子3可能导致短路从而使电路失效。   光学平板刻法    ...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料  摘要 使用具有极强腐蚀性的化学物质去除纳米颗粒表面晶圆,导致衬底损耗。 这间接导致了megasonics的使用,提供声学汽蚀去除小颗粒。 超音波确实会产生气泡空化对晶片结构施加机械力,产生剧烈的空化现象,如过渡空化或微空化喷射会破坏图案结构。 本文提出了一种新的超音波技术该技术稳定地控制了气泡空化现象,且在泡孔处无模式破坏不同的模式。 结果表明,该工艺具有较好的颗粒性能行业标准的双流体喷嘴清洗技术。 这个及时通电的气泡振荡模式提供稳定的空化与宽的动力窗口。 它不同于传统的megasonic当气泡内爆时,会产生过境空化和破坏。 这个新的megasonic该技术可用于清洁28nm及以下的“敏感”结构而不产生任何图案损害。  关键词:无损伤清洗,稳定无剧烈空化,颗粒去除,超音波 技术,单片清洗 介绍  随着特征尺寸的缩小和电路结构的密度的增加,“致命缺陷”的导致芯片在成品率测试中失败的最小缺陷尺寸降低。 这就更难了从较小、密度较大的芯片上去除随机缺陷,特别是当缺陷尺寸小于晶圆表面所谓“边界层”的尺寸和清洗效率降至接近零。 使用超音波清洗可以减少对小颗粒的作用力边界层的厚度。 超音波清洗主要是去除小颗粒...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料  批次SPM清洗不符合当前的清洁规范,以及单晶片清洗替代方案对环境造成严重破坏。 为了解决这个难题,ACM开发了Ultra-C作为植入后、cmp后和蚀刻后清洁的环保选择。 收集的数据演示了Ultra-C Tahoe如何满足28nm的要求,同时节省超过80%的SPM。 摘要  批处理SPM系统不满足当前28nm以下的清洁规范/要求。 单晶圆SPM系统在满足清洗要求的同时,使用大量的化学物质进行排水规格低于28 nm。 本文介绍了间歇式SPM系统的使用情况,并对SPM系统的性能进行了分析单一晶圆在集成系统,结果满足技术规格和使用少于80%的SPM化学成分用于单晶圆系统。数据收集结果表明,该系统符合规范要求。介绍  采用干法和湿法相结合的方法,开发了传统的有机光刻胶带材工艺治疗方法。 然而,以反应性等离子体灰化为基础的干燥处理已经出现问题,如等离子体诱导的损伤,抗爆裂,不完全的抗移除,副产品再次沉积,后续需要湿条/清洁。 为了避免等离子问题,湿剥离基于酸性化学反应的工艺,如硫酸和过氧化氢(SPM在80℃-150℃)在。目前的SPM纯湿法工艺无法达到所需的清洁性能由于晶圆上的高颗粒和缺陷,使得SPM是单一的硅片加工是唯一的解决方案。 ...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍晶圆的表面污染,特别是颗粒污染物,已经被污染半导体行业自诞生以来的主要问题之一。全加工硅片的成品率与缺陷密度成反比晶片。 降低缺陷密度的一种方法是使用有效的清洁技术有效去除颗粒污染物。 小颗粒尤其困难由于晶圆之间的强静电力而从晶圆上除去 粒子和衬底。 因此,必须找到一种有效的方法有效去除晶圆上的颗粒,且不损坏晶圆。现代晶圆制造设施使用严格的污染控制协议,包括使用洁净室套装、乳胶手套和高度净化通风 系统。 结合这些协议,现代制造设施使用清洗晶片的各种方法,通常包括高压水射流擦洗,  旋转硅片洗涤器,湿化学浴和漂洗器,以及类似的系统。 然而,这些过程容易损坏晶圆片。 此外, 化学过程具有与使用化学品相关的固有危险,如硫酸、氢氧化铵和异丙醇超声波清洗涉及多种复杂的机理,包括空化,机械振动等,取决于清洗时是否使用液体过程或不是。 典型的超声源是一个在A处振荡的平面单频,产生纵波。 振动能量传输随后在流体中传播  在本文中,我们提出了一种有效的清洁裸硅片的方法借助低成本换能器产生的超声波能量。 这项工作是基于一项专利(美国专利# 6,766,813),描述了一种清洗晶圆的方法该方法  本品中使用的真空吸盘可以并入一个改良的真空吸盘中声波发射器。...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要虽然听起来可能不像极紫外 (EUV) 光刻那么吸引人,但湿晶圆清洗技术可能比 EUV 更重要,以确保成功的前沿节点、先进的半导体器件制造。这是因为器件可靠性和最终产品良率都与晶圆在经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤时的清洁度直接相关。晶片上的单个颗粒就足以导致致命的缺陷或偏移,最终导致设备故障。当今最先进的节点设备用于关键应用,例如智能汽车、医疗保健和工业应用。因此,设备可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着对设备进行更严格的分类和装箱,这会影响产量。不幸的是,许多传统的晶圆清洁方法不仅不足以满足先进的节点技术,而且还会损坏精细结构,如 finFET 和硅通孔。因此,选择正确的湿式晶圆清洗技术不应作为事后的想法,而应作为稳健制造工艺流程的一部分进行仔细考虑。考虑到这一点,让我们看看湿晶圆清洗技术如何从一门艺术演变为一门科学,以及湿晶圆清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。有多少清洁步骤?45 纳米节点技术需要大约 150-200 个独立的清洁工艺步骤。10nm 节点处理使用了该数字的 3 倍,约 800 个清洁工艺步骤,包括:· 光刻胶条· 蚀刻后条· 种植体条· 一般晶圆清洗· 用于多重图案化和 EUV 的背面清洁缩小技...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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