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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2"-12";可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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第五课:详解刻蚀清洗机的结构和工作原理

时间: 2018-09-13
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上一期给大家讲解了湿法刻蚀与清洗的基本药液,那湿法刻蚀清洗机的结构和工作原理是什么?今天就带大家瞧一瞧。

1、刻蚀清洗设备分类

湿法刻蚀清洗机按清洗的结构方式可以分为槽式批量清洗和单片清洗机两种类型。而槽式清洗又可分为半自动清洗和全自动清洗两种机台。

2、 清洗设备结构组成

清洗设备主要由耐腐蚀机架、 酸槽、 水槽、 干燥槽、 控制单元、 排风单元以及气体和液体管路单元等几大部分构成。其中酸槽和管路单元是清洗设备的主要组成部分。 按照材料的差异, 槽体可分为用不锈钢材质的生产的槽、 用NPP 材质生产的抗腐蚀的槽、 用PVDF材质生产的槽、 用PTFE材质生产的槽、 用石英材质生产的槽等, 按照功能的差异槽体又可分为酸碱刻蚀槽、 溢流清洗槽、 快速排水槽和使晶圆快速干燥的干燥槽等, 根据清洗工艺要求的不同, 还可以增加腐蚀液的超声及兆声清洗、 腐蚀液加热或制冷、搅拌、 循环及去离子水加热等清洗功能。

第五课:详解刻蚀清洗机的结构和工作原理

湿法刻蚀清洗机的组成部分

在材料选择上, 不锈钢槽主要用于有机溶液或碱性溶液; 而石英加热槽主要用于酸性溶液, 而且该槽耐高温, 一般为二百摄氏度, 最高可以达到四百摄氏度;高纯度聚丙烯槽主要用于温度小于八十摄氏度的酸碱溶液;聚氟乙烯槽常常用来承装 BOE 以及氢氟酸, 要求温度最高不能高于一百二十摄氏度。 聚四氟乙烯槽可用于几乎所有的酸碱以及有机溶液,其耐温小于150摄氏度。

在功能选择上, QDR槽即快速排水清洗槽常常使用在酸碱刻蚀后对去离子水的冲洗工艺上。 其工作原理是先从该槽体上部喷淋以及底部注入去离子水, 等到一定量后在把去离子水快速排空。 通过把去离子水快速排走带走杂质离子。 这一过程一般要反复 进行 3-4 个循环。其工作原理如图1所示。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图1 QDR槽清洗原理图

超声槽是指利用槽体底部或侧面超声发出振板产生超声波,超声波,超声波在水中或溶液中生成大量的气泡, 气泡破裂释放强大的动能。 超声波的频率通常为28kHz 或 48kHz。频率越高,清洗的颗粒越小。工艺腐蚀槽是指利用各类酸碱刻蚀液以及有机溶液,实现某些刻蚀过程或清洗的效果。

溢流槽的工作原理为底部持续注入去离子水,从上部四周外溢,从而通过水流带走污染物。其工作原理如图2所示。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图2 溢流槽工作原理图




3、清洗设备干燥方式

通过去离子水清洗后, 需要在最短的时间里把晶圆表面的水分去除, 而且去除后晶圆的外表不要有任何水痕, 否则会降低晶圆的良率。 半导体生产上常采用以下几种干燥方式:旋转甩干、热氮气烘干、异丙醇慢提拉干燥及 Marangoni。

a.旋转甩干:目前对晶圆的清洗以及脱水处理方式主要有旋转冲洗、离心甩干和氮气烘干三种工艺,该工艺主要用于在洁净度上要求很高的晶圆的冲洗干燥, 这种工艺虽然简单, 但清洗甩干效果好, 所以从发明带现在的几十年里一直被广泛使用。这种工艺的最重要的地方有以下几点:一边使晶圆转动一边清洗,然后快速旋转而甩干, 同时加入热的氮气促使晶圆烘干流程, 该甩干工艺原理见图3。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图3 旋转冲洗甩干机工作原理图

b. 热氮气烘干方式:热氮气烘干槽采用了桶状的加热槽结构,氮气通过在线加热器加热后从槽体顶部周边喷淋下来,在槽体底部安装有可以调节的排水以及排气的结构。其工作原理见图4。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图4 热N2 烘干槽工作原理图

c. IPA 慢提拉干燥方式:其利用了水易于溶于IPA 溶液的特点,先要把晶圆放在异丙醇中使晶圆进行预脱水,预脱水后再将其放入装有 IPA溶液的槽体底部, 该槽体底部带有一个加热装置, 而且该加热装置是可控制的, 它可将液体的异丙醇加热成热的异丙醇蒸汽。 在槽体的上部安装有冷凝管, 它可使挥发的异丙醇气体冷却成液体的异丙醇, 从而实现对异丙醇的循环利用; 并且在此槽体里装有缓慢上升的机械装置,可将硅片缓慢提升到热的IPA 蒸汽里并使硅片干燥。其工作原理如图5所示。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图5 IPA慢提拉干燥原理图

d. Marangoni dryers干燥:该干燥方式利用了硅片表面张力的梯度变化原理, 达到使晶圆干燥的目的。 先用流动的去离子水在晶圆外表面产生很薄的一层水膜,之后再通入大量的异丙醇气体把晶圆上的水层去掉,从而使硅片干燥。这种工艺重中之重是要控制去离子水层和异丙醇气体层在硅片表面移动的快慢。工作原理如图6所示。 目前半导体工厂里常用的移动速度是 1--1.5mm/s,现在还有一种好的方法是增加去离子水兆省喷头并且控制移动速度在0.3--2.5mm/s.这种方式一般用于高端的单片腐蚀清洗上。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图6 Marangoni dryers干燥原理图

目前, 由于清洗效率、 清洗工艺和操作工安全健康等因素的考虑, 半导体工厂里越来越多的使用全自动清洗设备。这种系统将以上所提及的清洗技术有机的集成在一个封闭的机台里,利用自动机器手臂在各酸槽以及水槽和干燥槽之间进行晶舟的传递并协助清洗以及干燥等过程。 最近几年来, 由于集成电路关键尺寸的不断缩小和对硅片背面保护的需要,业界研发了一种用不同酸液一边喷淋清洗旋转着的硅片的单片清洗技术。因为清洗硅片往往需要多种酸碱刻蚀液以及清洗液共同作用, 如果只使用单腔单层的清洗方式和清洗工艺, 那么各种溶液就会相互融合而不能回收再使用, 从而增加了半导体生产工厂的使用成本, 后来的单片清洗机台已升级为单腔多层的机台类型。该腔体结构示意图如图7所示。

第四课:湿法刻蚀与清洗所需的物质

▲ 图7 单腔多层腔体结构示意图

有多种溶液在一个反应腔里相继进行腐蚀清洗工作。该设备里配有承接晶片的承片台, 它载着硅片变换不同的高度。 在不同高度处, 会有不同的溶液喷到正在旋转的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收区域,酸液即可被循环使用。



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