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标准的半导体制造工艺可以大致分为两种工艺。一种是在衬底（晶圆）表面形成电路的工艺，称为“前端工艺”。另一种是将形成电路的基板切割成小管芯并将它们放入封装的过程，称为“后端工艺”或封装工艺。在半导体制造的传统封装工艺中，衬底（晶圆）被研磨到指定的厚度，然后进行芯片分离（划片、切割工艺）。

工艺流程1：各设备加工（单机）

（每一步均由独立设备执行）

保护胶带（背面研磨用BG胶带）层压在晶圆表面的电路上，晶圆背面研磨至指定厚度，然后从晶圆表面去除保护胶带。接下来，将切割胶带（用于切割）安装到晶圆背面，并将晶圆从表面切割成芯片。切割胶带可防止芯片在切割后飞散。

工艺流程 2：部分使用在线设备进行加工

                                                                                  （部分使用内联系统处理）

       在硅半导体制造中，Φ300 mm 晶圆正日益成为提高生产力的主流。此外，晶圆被减薄到大约 100 μm，用于高规格封装。由于减薄的大直径晶圆有很高的晶圆级破损风险，因此在加工过程中需要采取各种预防措施。
      例如，如果在晶圆减薄后需要进行抛光工艺以去除磨削损伤，则能够使用砂轮进行磨削和干抛光的多重加工设备降低了晶圆转移过程中晶圆级破损的风险。通过颠倒BG胶带去除和切割胶带安装的顺序，也可以有效降低总是用胶带支撑晶片的风险。将研磨功能和胶带安装/移除功能集成到一个在线系统中，降低了晶圆转移的频率并降低了晶圆级破损的风险。在这些加工方法中，切割是在研磨（抛光）之后进行的（与工艺流程 1 相同）。

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