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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用于半导体的RCA清洁技术

时间: 2021-11-23
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用于半导体的RCA清洁技术

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RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术,由于其高可靠性,30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先,用过氧化氢氧化硅晶片的表面,用作为碱的氨蚀刻氧化硅,并通过剥离去除各种颗粒。此外,如图1所示,在pH 10.5附近的SC-1清洗液中,硅衬底和各种颗粒的表面电势(ζ电势)都为负,因此,通过静电排斥力去除各种颗粒,并防止再粘附。另一方面,在SC-2清洗中,许多金属溶解在pH为0-2的酸性溶液中,如SC-2清洗液,并作为离子稳定存在,因此晶片上的金属杂质也被溶解和去除。

到目前为止,为了改进RCA洗涤技术,已经开发了以下新的洗涤液和洗涤装置。我们开发了使用臭氧水和电解离子水等功能水的洗涤技术,并在一部分的洗涤工艺中被采用。另外,使用超临界流体的洗涤工艺的研究也在进行中,被导入到MEMS等的洗涤工艺中。这些以水和二氧化碳为主要成分,其特征是洗涤后的废液处理容易且对环境友好。但是,为了制造功能水和超临界流体,需要导入新的设备。

通过引入300毫米的晶片,加速了从所谓的分批式清洗装置引入片状清洗装置的速度,所述分批式清洗装置用于在一个槽中共同浸泡和清洗数十个晶片,所述片状清洗装置用于在旋转每一个晶片的同时仔细清洗晶片。 在这种单晶片型清洁装置中,由于吞吐量的提高是不可避免的,因此传统的RCA清洁变得难以应对。 另外,通过改进洗涤装置来提高去污力的研究也在进行中。 此外,已经开发了利用超声波空化的超声波清洁装置和兆声波清洁装置,以及用于通过将高速液滴喷射到待清洁物体的表面来去除异物的双流体喷射清洁装置。

在最近的洗涤技术中,正在开发尽可能减少化学品使用的稀洗涤液和使用后可以简单地使其无害的洗涤液。

在这种情况下,我们介绍了Frontier Cleaner系列,该系列是一种新的RCA清洁技术,在不引入新设备的情况下,改进了传统RCA清洁技术的问题,即使对精细结构也不会造成损坏,并且可以应用于分批式清洁装置和单片式清洁装置。在新的RCA清洁技术中,在SC-1和SC-2清洁的两个步骤中进行的颗粒和金属杂质的去除在一个步骤中进行。 作为该方法的方法,开发了2种清洗液。 一种是Frontier Cleaner-B(碱类型:碱类型),其基于SC-1洗涤并具有去除金属杂质的功能,并且不使用盐酸,另一种是Frontier Cleaner-A(酸类型:酸类型),其具有去除颗粒的功能,而不使用与常规SC-1洗涤不同的蚀刻机制。

Frontier Cleaner-B基于SC-1清洗液的颗粒和金属杂质,为了除去这两种物质,必须加入在pH 10.5附近容易与各种金属形成螯合键的螯合剂。一般情况下,如图2的普尔贝线图所示,金属在碱性区域容易形成氢氧化物,稳定存在于SC-1清洗液中,与SiOH发生脱水缩合反应,沉淀在硅片上等。 然后,加入螯合剂以与各种金属形成螯合键,从而防止金属氢氧化物的形成并防止沉积。 但在这种情况下,主要有两个要点。一个是,作为容易与各种金属形成螯合键的螯合剂的代表而被人熟知的乙二胺四乙酸(EDTA),在SC-1清洗液制备初期阶段确实与各种金属形成螯合键,但不到30分钟,与金属的螯合键就变得不稳定,另一个是EDTA型配体在pH10.5附近几乎不与Al等两性金属形成螯合键。

用于半导体的RCA清洁技术 

2 金属H2O体系(25℃)pH电位图(普尔贝图)

5是在1~10ppb范围内强制向清洗液中添加各种金属杂质时,对硅晶圆表面的再附着进行研究的结果。在Frontier Cleaner―B中几乎没有观察到Al,Fe,Cu,Ni和Zn金属杂质的再粘附。此外,由于Frontier Cleaner-B是基于SC-1洗涤液的,因此可以以与SC-1洗涤液相同的方式去除强制污染的聚苯乙烯胶乳和氧化铝颗粒。

Frontier Cleaner-A:只要使用SC-1清洗液作为基底,就不可避免地会因氨而增加硅片表面的微粗糙度。为了应对包括极薄化的栅极氧化硅膜在内的清洁,开发不增加微粗糙度的清洁技术是必不可少的。由于Frontier Cleaner-A不使用蚀刻机制来去除颗粒,因此微粗糙度不会增加。在酸型Frontier Cleaner-A中,金属杂质的可去除性相对容易改善,但是由于各种颗粒和硅晶片表面在酸性区域中具有不同的符号,因此改善颗粒的可去除性成为高障碍。因此,对各种表面活性剂进行了研究,添加了对聚苯乙烯胶乳和氧化铝粒子具有高去除能力的表面活性剂。

 

开发的Frontier Cleaner―A的清洗过程如图6所示。 该工艺与Frontier Cleaner-B的工艺几乎相同,但Frontier Cleaner-A的特征在于在室温下处理,并且可以在稀释10-30倍后使用。 如图7所示,Frontier CleanerA显示出优异的聚苯乙烯胶乳和氧化铝颗粒的可去除性,而不使用蚀刻机制。 此外,如图8所示,Cu、Fe和Al的各种金属也可以被洗涤至1010原子/cm2水平。 此外,在Frontier Cleaner-A清洗处理前后,用原子力显微镜测量硅晶片表面的微粗糙度,没有观察到微粗糙度的增加,实现了最初的目标。

 用于半导体的RCA清洁技术

8 Frontier Cleaner―A清洗后的金属杂质清洗结果

总结

本文介绍了作为洗涤液方面的措施的新RCA洗涤技术。 RCA清洗技术是30多年来用于半导体晶圆和FPD清洗的可靠性高的技术。然而,随着采用片状清洗装置,通过引入300mm晶片,以及栅极氧化硅膜的减薄,确实是重新审视RCA清洗技术的绝佳时机。 目前,在清洗设备制造商的合作下,不仅半导体制造商和FPD制造商,晶片制造商也在积极推进Frontier Cleaner的清洗评估。


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