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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用于半导体湿法工艺的功能性化学品

时间: 2021-12-13
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用于半导体湿法工艺的功能性化学品

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本文介绍了防止金属和微粒子粘附到晶圆表面的表面活性剂添加药液、螯合剂添加药液、以及能够比以往的BHF更精确地蚀刻各种氧化膜的氟化物添加的低介电常数溶剂。

半导体器件是在硅基板上全面形成金属和绝缘膜的薄膜,只蚀刻除去必要的部分,从而形成图案而制作的,要形成高质量的薄膜,基板的高清净化是非常重要的要点,另外,为了实现高集成化,薄膜的正确蚀刻除去是非常重要的要点。图1所示的接触孔底部的自然氧化膜通过湿法工艺去除的情况下,掺杂氧化膜和非掺杂氧化膜同时与蚀刻液混合就会暴露。 因此,正确控制各种氧化膜的蚀刻速率变得非常重要,通过使用相对介电常数低的溶剂代替一般作为BHF溶剂使用的水来抑制HF和HF2-的解离,其结果,介绍了只能够选择性地蚀刻掺杂氧化物膜的结果和能够使非掺杂氧化物膜和掺杂氧化物膜的蚀刻速率达到等速的结果。

 用于半导体湿法工艺的功能性化学品

1 接触孔底部自然氧化膜的去除

2显示的是BHF中的NH、F浓度与BSG膜、热氧化膜(THOX)的蚀刻速率、以及被预测为蚀刻种类的HF、HF2浓度之间的关系。 虽然详细的蚀刻机理尚不清楚,但可以预测,掺杂了三价杂质B的BSG膜的蚀刻种类以HF为主体,仅有Si-o键的热氧化膜的蚀刻种类以HF2一为主体。 已知溶解离子性固体的液体的能力高度依赖于液体的相对介电常数,1价阳离子和阴离子间的吸力与相对介电常数成反比上述缓冲氢氟酸的溶剂是水,水在25℃下的相对介电常数约为78,是容易引起相对介电常数高的离子解离的溶剂。

 可以认为,在添加了HF的低介电常数溶剂中,选择比高的理由是,与水相比,HF的解离几乎不发生,其结果是实现了几乎不存在HF2的仅有HF的体系。 在添加了NH、HF的IPA以及乙醇中,得到了基本满足该条件的结果。这些选择性蚀刻剂、匀速蚀刻剂将被引入到将来的微细化、高集成化的半导体制造工艺中。

表面活性剂由分子内不容易与水相适应的疏水基和容易与水相适应的亲水基组成,具有定向于气体/液体、液体/液体、液体/固体等两相界面,降低其表面张力或界面张力的功能。

3中,HF浓度为6mass%,NH、F浓度为30,对于mass%的代表性缓冲氢氟酸,显示了表面活性剂添加浓度与润湿性指标表面张力、与光刻胶的接触角之间的关系,如该图所示,随着表面活性剂添加浓度,缓冲氢氟酸的润湿性不断提高。 由于缓冲氢氟酸是抗蚀剂难以浸湿的液体,因此在进行以抗蚀剂为掩膜的氧化膜图案蚀刻时,需要进行抗蚀剂的亲水化处理。

 用于半导体湿法工艺的功能性化学品

3 表面活性剂添加浓度与润湿性的关系

4显示的是在HF浓度为L6mass%、NH4F浓度为39mass%的i:30BHF中浸泡CZ―N(100)硅晶圆10分钟时的AFM图像照片。 在图4中,BHFi30U、BHF130U1显示含有表面活性剂,这些含有表面活性剂的缓冲氢氟酸没有增加硅表面粗糙度。 可以预想,在硅基板出现的湿法蚀刻处理(阱的开口蚀刻等)中,通过使用加入表面活性剂的缓冲氢氟酸,可以改善上部形成的氧化膜的电特性。

 用于半导体湿法工艺的功能性化学品

4 硅表面的AFM图像照片

通过添加阴离子体系可以抑制晶片背面污染粒子向相邻晶片表面转移的例子中, 实验使用2片硅晶圆,已知向药液中加入表面活性剂,特别是阴离子类的加入,对于防止药液中的颗粒污染晶圆表面和晶圆背面颗粒的转移是有效的。

为了解决氨-过氧化氢水清洗在去除晶片上的颗粒污染和有机物污染方面发挥优异效果的问题,由于金属污染去除能力差,如果液体中存在痕量的Fe、Ai等金属,则会大量附着在晶片上在氨-过氧化氢溶液洗涤后,为了去除从洗涤液中附着的金属污染,使用盐酸-过氧化氢溶液洗涤,但有报告称,通过向氨-过氧化氢溶液中加入螯合剂,可以省略以前使用的盐酸-过氧化氢溶液洗涤,以防止Fe、Ai等金属污染。

可以认为,湿法工艺在去除粒子污染、金属污染、有机物污染、自然氧化膜方面是有效的,另外,从湿法工艺特征的简便性批量生产性这一点来看,今后也将在半导体制造工艺中广泛使用。 在湿法工艺中使用的药液,为了在清洗蚀刻时不污染晶圆表面,需要尽量减少金属和微粒子的高纯度的药液,强烈希望开发出除了高纯度之外,不将金属微粒子附着在晶圆表面的药液和高精度地蚀刻薄膜的高性能药液。

在此,介绍了作为高性能药液,防止金属和微粒子附着于晶圆表面的表面活性剂添加药液、螯合剂添加药液的最新开发状况。 另外,介绍了在添加氟化物的低介电常数溶剂体系中,可以比以前的氧化膜蚀刻中使用的缓冲多丁酸更高精度地蚀刻除去各种氧化膜。关于用于湿法工艺的药液,可以认为今后将进一步开发出具有功能性的高纯度药液。


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