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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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硅、氮化硅和氧化硅的单一背面清洗

时间: 2022-01-17
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硅、氮化硅和氧化硅的单一背面清洗

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关于氮化硅和二氧化硅层上的金属去除,先前的研究表明,通过蚀刻几埃的受污染材料可以实现非常有效的清洗通过为多晶硅蚀刻和晶圆变薄而开发的湿蚀刻化学方法,可以获得最高的硅蚀刻速率(每分钟几微米)这些化学物质通常是HF/HNO3混合物、FNPS(HF/HNO3/H3po4/h2so4)或商业解决方案,如默克纺丝机®系列,然而,由于蚀刻的硅的厚度和均匀性难以控制,这些化学方法不适合重复清洗步骤。

此外,二氧化硅和氮化硅的蚀刻速率降低了10到100倍,所以无论基质如何,都不能使用相同的配方,研究发现,直高频清洗对二氧化硅和氮化硅的铜去污非常有效,在工业环境中,通过仅蚀刻7A的氮化硅,铜污染可从1012at/cm²降低到1010at/cm²,虽然这种清洗方案目前用于集成电路制造厂,但它不能解决硅表面的金属去污,特别是过渡金属,因为它不蚀刻硅或具有较低的氧化还原电位值,如果可以通过调整稀释度和化学比来控制Si和二氧化硅上的蚀刻速率,则不会蚀刻氮化硅。

在这项研究中,我们研究了一种解决方案,使我们能够通过改变混合物成分和温度来“调整”和控制硅、氮化硅和氧化硅的蚀刻速率,我们选择了一种h2o:h2o2:h2so4:HF(dHF-SPM)混合物,因为它可以独立地控制3种感兴趣材料的蚀刻速率,而不会粗糙硅表面,dHF-SPM混合物的硅蚀刻是基于h2o2:h2so4混合物同时氧化硅和随后的dHF氧化硅蚀刻,在给定的温度下,通过结合使用酸性新鲜化学和单晶圆工具,可以实现较高的清洁效率,因为金属种类既可以溶解在酸性介质中,也可以被化学流提升和清除。

根据SEZ的经验,设置了化学流量、晶圆自旋速度、化学分配器臂“吊臂摆动”、冲洗和干燥条件等参数,以实现良好的均匀性和较短的工艺时间,所有试验均使用新鲜(非再循环)化学物质,我们根据LETI的内部规范考虑了关键的背面金属水平,即生产批次的5E11at/cm²,监测晶片的1.5E11at/cm²。

由于之前的研究表明,几埃的蚀刻就足以显著降低铜的污染,我们的目标是获得约10a/分钟的蚀刻率,对硅和氮化硅,且小于50a/分钟,在热氧化物上,对于dHF-SPM混合物中的硅蚀刻,硅表面氧化作为速率限制步骤;因此,HF浓度不应影响硅蚀刻速率,对于二氧化硅和氮化硅底物,蚀刻速率主要取决于高频浓度和温度。

 硅、氮化硅和氧化硅的单一背面清洗

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通过改变混合物中的过氧化氢和硫酸比值来关注硅的蚀刻率,温度设置为60°C,以激活Si表面氧化反应,高频浓度为0.5%,随着过氧化氢含量的增加,硅蚀刻从5.8A增加到13.5A/min(图1),但体积比为5:5:1的混合物似乎达到了一个平台期,选择这种组合物进行最后的清洁测试,在第二步中,我们调整了高频浓度,以达到在氮化硅和氧化硅上所需的蚀刻速率,60°C下,HF浓度为0.1%~0.5%,氮化硅的蚀刻速率为5~25A/min二氧化硅值从10到140A/分钟,对于硅蚀刻速率最低的混合物(比率8:2:1,图2),充分验证了硅蚀刻速率与高频浓度的独立性。

硅、氮化硅和氧化硅的单一背面清洗 

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我们注意到,在过氧化氢含量较高的化学混合物中(比值为5:5:1)时,蚀刻速率略有下降正如我们预计硅氧化速率会随着氧化剂浓度和非常低的高频浓度的增加而增加,限制步骤可能是氧化硅蚀刻速率。最后,选择0.2%的HF浓度,以避免限制硅蚀刻,因为在氮化硅和热二氧化硅(60°C)上分别获得了合适的蚀刻速率,分别为10A/min和35A/min经过5次清洗后,AFM对硅片的粗糙度没有显著增加。

我们开发的清洁溶液对过渡金属和其他类型的污染表现出良好的性能通过在硅晶片上的故意污染,初始金属水平接近1E13at/cm²是通过故意污染获得的然后,通过在退火晶片上用5:5:1/0.2混合物(60°C60秒)蚀刻10A硅,达到1E10at/cm²下的残留污染水平。

然后,我们重点研究了四个可能会增加一些外来污染的新兴过程:HfOSix和Y2O3高k材料的沉积;ITO的沉积,可作为上述IC元件中的透明电极;以及用于MRAM应用的铁磁层的沉积。我们观察到初始污染水平(未在同一运行中沉积)的晶圆间的显著变化,从E10到E13at/cm²。清洗后,最终达到5E10at/cm²以下的污染水平。

在一个封闭的腔室中,来自被污染气体流动的颗粒(在晶片表面均匀分布),从而获得了非常高的初始污染水平1min可接受70~95%清洁然而,从工具操作和卡盘接触中去除颗粒要困难得多在这个测试中,初始粒子数要低得多PRE几乎可以忽略不计(0到20%)。虽然来自野鸭的颗粒污染很高,并且在每个积分步骤中都有增加的趋势,但与焦点的相关性没有得到证明结果表明,聚焦点与处理系统造成的非常大的背面缺陷,或卡在光刻工具卡盘上的大粒子更好地相关,而不是晶圆背面粒子数

由于单晶片序列的工艺时间短,金属去除仍然具有挑战性SEZ自旋处理器上研究了背面清洗,该处理器具有一种易于使用的化学方法,专门用来通过使用相同的配方去除硅、氧化硅或氮化硅背面涂层上的金属污染我们重点研究了过渡金属和“外来”污染物,并表明无论使用何种衬底,都可以获得良好的金属去除效率。

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