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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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半导体行业最新新闻资讯

时间: 2016-12-28
点击次数: 130

 半导体行业最新新闻资讯

 

2017年我国将调整集成电路等进出口关税

据财政部发布消息,经国务院关税税则委员会审议通过,并报经国务院批准,自2017年1月1日起,我国将调整部分商品的进出口关税。

据介绍,明年关税调整将秉承创新驱动发展的理念,继续鼓励国内亟需的先进设备、关键零部件和能源原材料进口,以进口暂定税率方式降低集成电路测试分选设备、飞机用液压作动器、热裂解炉等商品的进口关税。

为丰富国内消费者的购物选择,还将降低金枪鱼、北极虾、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消费品的进口关税。为回应国民对医疗和健康的关注,降低生产抗癌药所需的红豆杉皮和枝叶、治疗糖尿病药所需阿卡波糖水合物的进口关税。

为充分发挥关税对国内产业的保护作用,明年对此前实行暂定税率的丙烯酸钠聚合物、具有变流功能的半导体拈等商品的进口关税税率进行相应调整。明年还将取消氮肥、磷肥和天然石墨等商品的出口关税,适当降低三元复合肥、钢坯等商品的出口关税。

为扩大双边、多边经贸合作,加快实施自由贸易区战略,明年我国将继续对原产于25个国家或地区的部分进口商品实施协定税率,其中需进一步降税的有中国与韩国、澳大利亚、新西兰、秘鲁、哥斯达黎加、瑞士、冰岛、巴基斯坦的自贸协定;商品范围和税率水平均维持不变的有中国与新加坡、东盟、智利的自贸协定,以及亚太贸易协定;同时,内地分别与港澳的更紧密经贸安排(CEPA)将适当增加实施零关税的商品范围,海峡两岸经济合作框架协议(ECFA)的商品范围和税率维持不变。

2016年9月,我国实施了部分信息技术产品的最惠国税率首次降税,这一优惠将在明年上半年继续实施,并于明年7月1日起启动第二次降税。2017年,我国还将继续以进口暂定税率方式执行APEC环境产品降税承诺,并继续给予有关最不发达国家零关税待遇。

此外,2017年我国还将对进出口税则税目进行调整,调整后的税目总数将增加至8547个,税目结构将更加符合国际贸易发展的实际需要。出自:新华网

 


硅晶圆明年调涨价格10%

暌违8年,半导体矽晶圆(silicon wafer)终于再度“涨”声响起!矽晶圆厂上周与台湾半导体厂敲定明年第一季12寸矽晶圆合约价,是近8年首度涨价,平均涨幅约10%,20奈米以下先进制程矽晶圆更是一口气大涨10美元,环球晶、台胜科成为最大受惠者。

由于近几年矽晶圆厂均无扩产计划,现有产能无法足额供货,且预期大陆晶圆厂庞大需求将在明年下半年浮现,而新建矽晶棒铸造炉至少要一年以上时间。在此一供需环境,业界对第明年二季合约价续涨已有共识,下半年价格涨幅恐将再扩大,部份半导体厂更决定直接签下一年长约。

包括环球晶、台胜科等台湾矽晶圆厂,崇越等矽晶圆代理商,及国外矽晶圆厂如SUMCO、信越等,上周陆续与台湾半导体厂完成明年矽晶圆议价及签订新合约。业者表示,第一季虽然半导体市场淡季,但包括台积电、联电、力晶、南亚科等,均接受矽晶圆厂调涨价格。

据了解,12寸抛光矽晶圆(polished)原本合约均价为每片50~60美元,外延矽晶圆(epitaxial)为每片80美元,第一季均调涨10%幅度。20奈米以下高阶矽晶圆原本合约均价约120美元,第一季已调涨10美元至130美元左右。

在这波矽晶圆涨价潮中,环球晶的表现最受法人青睐,因为环球晶看准市场即将供不应求,抢在涨价前完成并购案,如今已是全球第三大矽晶圆厂。

法人指出,环球晶2012年收购日商Covalent Silicon不到1年就亏转盈,去年中决定并购SunEdison(SEMI)时曾一度被市场看衰,但现在却将环球晶推上全球第三大矽晶圆厂,更迎接此波8年来首度涨价潮。出自:工商时报

 


北方微电子单片退火系统进入14纳米工艺验证阶段

近日,七星电子全资子公司北方微电子推出的Booster A630 plus 单片退火系统,成功进入中芯国际上海先进工艺生产线验证。据悉,这是北方微电子继NMC 612D硅刻蚀机之后,第二台进入14纳米工艺验证阶段的机台。

目前,世界范围内集成电路产业发展突飞猛进,工艺制程向更加精细化的方向发展,这对14纳米工艺设备提出了更严苛的挑战。随着北方微电子28纳米工艺设备陆续实现商用化,14纳米工艺设备开发也取得了突破性进展。本次推出的Booster A630 plus 单片退火系统,在28纳米技术基础上,通过设计优化,大幅提高了系统洁净度,提升了机台的可靠性。Booster A630 plus 单片退火系统具备双模加热、升温速率高、温度均匀性好及产能大等特点,工艺指标达到国际先进水平。

七星电子方面认为,公司作为中国集成电路高端装备的先行者,将深耕发展,开拓创新,加快先进工艺设备的开发速度,为我国集成电路产业健康发展作好装备配套支撑。出自:证券时报

 


海力士72 层3D NAND 内存,传2017年领先全球量产

SK 海力士最先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。

若按计划进行,海力士将成为全球第一个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温,海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。

随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破,但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存,至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

据市调机构 DRAMeXchange 统计,三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元,市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居第二,Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。出自:MoneyDJ新闻

 


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