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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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中国芯片制造工艺取得进展,可望在更先进工艺上与海外企业竞争

时间: 2018-09-03
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自2014年以来中国对芯片产业高度重视,中国的芯片设计企业如雨后春笋般涌现,不过在芯片制造工艺上中国进展缓慢,中国最大的芯片制造企业中芯国际一直努力研发先进的制程工艺,不过其在28nm工艺上遭遇了困难,量产时间被一再延迟,直到去年业内知名的台积电前研发处长加入,中芯国际的28nmHKMG工艺良率快速提升,再到如今的14nmFinFET工艺取得突破,中国在芯片制造工艺上开始缩短与台积电和三星的差距。


中国芯片制造工艺取得进展,可望在更先进工艺上与海外企业竞争


中芯国际研发先进工艺遇到困难


中芯国际的28nm工艺早在2015年就开始投产,并在2016年获得了高通骁龙425芯片的订单,不过当时的28nm为Poly/SiON规格,中芯国际的28nmPoly/SiON成功投产意义重大,代表着它在先进工艺制程上的又一个重大进展,不过中芯国际随后在研发先进工艺上遭遇了困难。


中芯国际的28nmPoly/SiON是相对落后的工艺,要取得更高的能效需要研发更先进的28nmHKMG工艺,然而其在研发该工艺上遭遇了难题,据称直到去年其一直都为提升28nmHKMG的良率而努力。


在研发28nmHKMG面临困难的时候,台积电和三星已先后演进至14nmFinFET、10nm工艺,其中台积电更在中国大陆的南京设立芯片制造厂预计在今年开始投产16nmFinFET,希望就近为中国芯片企业提供服务赢得大陆客户的订单,这给中芯国际带来了巨大的压力。


为此中芯国际决定研发更先进的14nmFinFET工艺,然而此时的它还在为提升28nmHKMG的良率而投入大量资源,研发14nmFinFET工艺的困难更大,中芯国际在先进工艺制程研发上呈现止步不前的局面,14nmFinFET工艺本预计在今年投产,然而业界担心它会不会如28nmHKMG一样一再延迟。


梁孟松加入为中芯国际研发先进工艺提速


2017年10月中芯国际宣布任命赵海军、梁孟松博士为中芯国际联合首席执行官兼执行董事,这为中芯国际研发先进工艺制程送来了东风。


梁孟松是台积电前研发处长,是台积电FinFET工艺的技术负责人,而FinFET工艺是芯片制造工艺从28nm往20nm工艺以下演进的关键,2014年台积电研发出16nm工艺之后因制程能效甚至不如20nm工艺导致仅有华为海思等有限的两个客户采用,直到2015年引入FinFET工艺发展成为16nmFinFET工艺才获得了包括苹果A9处理器等芯片的订单,广受芯片企业的认可,可见FinFET工艺的重要性。


2008年梁孟松因台积电的人事调整离开台积电,据称此后他为三星研发先进工艺制程提供指导,2011年中其正式加入三星,担任研发部总经理,也是三星晶圆代工的执行副总,在他的决策之下跳过了20nm工艺直接研发更先进的14nmFinFET工艺,并在2015年初投产14nmFinFET工艺一举超过台积电,随后三星在10nm工艺再次取得对台积电的领先优势,由此可以证明梁孟松在工艺制程上所拥有的强大技术研发能力。


梁孟松加入中芯国际之后,中芯国际在今年初基本解决了28nmHKMG的良率问题,如今中芯国际宣布14nmFinFET工艺也取得了进展,凸显出梁孟松的加入对于中芯国际研发先进工艺上的重要作用。


中芯国际在先进工艺制程上可望加快追赶海外企业的速度


从梁孟松帮助三星发展14nmFinFET、10nm工艺上可以看出他确实在芯片工艺制程上所拥有的丰富经验和技术研发能力,中芯国际在成功投产14nmFinFET工艺后预计其10nm工艺也将很快取得进展。


当前全球前五大芯片代工厂当中,第二名的格罗德德宣布放弃研发先进的7nm工艺,当前其最先进的工艺为12nm(这是14nmFinFET的改进版);第三大芯片代工厂联电也宣布停止12nm工艺及更先进工艺制程的研发,这两大芯片企业均将提升企业利润作为首要任务。


在这样的情况下,作为第五大芯片代工厂的中芯国际如果能成功研发10nm工艺制程将成为工艺制程技术排名第三的芯片代工厂,其与台积电和三星的芯片工艺制程的差距将大幅度缩短。


研发先进工艺制程对于中国有重要意义,中国是全球最大芯片市场,近几年中国的芯片设计技术正在快速缩短与海外芯片企业的差距,华为海思研发的手机芯片在技术上已接近手机芯片老大高通。唯有芯片制造工艺与海外芯片企业的差距较大,中国台湾的台积电虽然在南京设立了芯片代工厂,不过在台湾当局的要求下它并不会将最先进的工艺引入南京工厂,这拖累了中国芯片企业的发展。


如果中芯国际在芯片制造工艺上缩短与台积电和三星的差距这将有助于加速中国大陆芯片产业的发展,毕竟芯片设计企业将芯片拿去台湾流片然后再进行调整实在太耗费时间和资金。中国繁荣的芯片产业也有助于中芯国际获得更多的收入,支持它研发更先进的制造工艺,最终形成一种良性循环,从这个方面来说中芯国际的先进工艺制程取得突破对中国芯片产业和它自身都有重要的意义。

来源:柏颖


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