金属刻蚀机 - 刻蚀腐蚀设备 - 晶圆电镀设备 - 华林科纳（江苏）半导体设备有限公司

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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳（江苏）CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳（江苏）CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注华林科纳（江苏）半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化...

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酸/碱刻蚀机

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

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金属剥离清洗机-CSE

金属剥离清洗机-华林科纳（江苏）CSE微机电系统（MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为：成膜工艺（氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂：扩散注入退火）→光刻图形（旋涂/光刻/显影）→干法/湿法/ 刻蚀（湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗）设备名称华林科纳（江苏）CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考)：机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH（具体尺寸根据实际图纸确定）清洗量：6寸25装花篮2篮；重量：500Kg( 大约)；工作环境：室内放置；主体构造特点外壳：不锈钢304 板组合焊接而成。安全门：无安全门，采用敞开式设计；管路系统：药液管路采用不锈钢管，纯水管路采用CL-PVC管；阀门：药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门；排风：后下抽风，动力抽风法兰位于机台上部；水汽枪：配有水气枪各2把，分置于两侧；隔板：药液槽之间配有隔离板，防止药液交叉污染；照明：机台上方配照明（与工作区隔离）；机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体：不锈钢316，有效尺寸405×220×260mm；化学药品：剥离洗液；药液供液：人工手动加入；工作温度：60℃并可调；温度可调；加热方式：五面体贴膜加热/投入式加热器加入热；液位控制：采用N2背压数位检测；计时功能：工艺时间可设定，并可调，到设定时间后声鸣提示，点击按钮后开始倒序计时；批次记忆：药液使用次数可记忆，药液供入时间可记忆，设定次数和设定时间到后更换药液；排液：排液管道材质为不锈钢管，按钮控制；槽盖：配有手动槽盖；IPA槽...

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石英管道清洗机设备-CSE

管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗：卧式—标准/立式—选项先进的图形化界面极高的生产效率最佳的占地结合最先进工艺技术优越的可靠性独特的模块化结构极其便于维修应用清洗不同尺寸的石英管一般特征可编程使得清洗管旋转，清洗更干净 PVDF工艺槽装有清洗溶剂的储备槽（根据使用化学品的数量）放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环特别的喷淋嘴更益于石英管清洗集成水枪和N2抢单独排液系统安全盖子易于操作和控制节约用酸系统全自动的清洗工艺步骤备件经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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零部件清洗机CSE

零部件清洗机_华林科纳CSECleanStep的零部件被设计用于PECVD刻蚀清洗设备，以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等扩散舟的刻蚀和清洗设备。优点通过关闭的工艺腔室的安全操作，加载和仅一次工艺腔室冲洗之后卸载，完成整个工艺过程。安全门自锁装置工艺腔室保护防止水溢流排风监控部件用于门自锁的电导传感器（仅适用于石英舟清洗设备）简便、安全操作的高品质触摸屏很少的化学品消耗产生最小的生产费用，与浸泡式工艺相比至少节约2-3倍减少了操作次数化学品的消耗，与浸泡式工艺相比要少于大约10倍稳定的清洗工艺，水的消耗，与浸泡式工艺相比少于2倍设备高利用率和低维修率，得益于它独特的模块化设计和长寿命零部件的应用最佳的占地应用CleanStep的零部件被设计用于PECVD刻蚀清洗设备，以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等扩散舟的刻蚀和清洗设备。标准化设计的设备是用于2个石墨舟或4个石英舟的清洗。同时也强有力的证明了用喷淋工艺代替浸泡工艺不仅节约了工艺时间，同时也节约了化学品的消耗量。选项废液槽起重装置系统外壳结构[FM认可材质] HF有毒气体检测装置 Centrotherm 一套石墨舟花篮可装载19片到21片晶圆«可拆卸石墨舟« Centrotherm 一套石墨舟可装载23片«可拆卸石墨舟« 石英部件清洗的石英舟夹具漏液盘连接阀电阻率监测装置手动加载花篮干燥的烘干箱 30升的HNO3 / HF/ DI-H2O的预备槽独立的设备化学品供应用于回收用过的HF 氮氧化物有毒气体检测装置晶圆背面腐蚀的ACL片盒夹 N2 净化更多的半导体零部件清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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半自动石英管清洗机

1、设备概况：主要功能：本设备主要采用手动搬运方式，通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理，从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领瓷白PP板，骨架采用不锈钢外包PP 防腐板；设备名称：半自动石英管清洗机设备型号：CSE-SC-N401整机尺寸(参考)：4500mm*1500mm*2100mm；被清洗炉管尺寸（Max）：也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍：约1--12小时（节拍可调根据实际工艺时间而定）操作形式：半自动2、设备描述：此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点：腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统，中层工作区，下层为管道安装维修区，主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构，并有防漏检测报警系统，在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程：检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动（7转/min）→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水（同时气动碟阀关闭）→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开（重颗粒杂质排出）→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环（人工控制）→下料。酸洗和水洗在同一槽内完成1#，2#可通过循环泵循环使用...

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显影清洗机-CSE

显影清洗机CSE-华林科纳（江苏）微机电系统（MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为：成膜工艺（氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂：扩散注入退火）→光刻图形（旋涂/光刻/显影）→干法/湿法/ 刻蚀（湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗）设备概述设备名称：显影清洗机整机尺寸：约1000mm(L) ×1260mm(W) ×1900mm(H)（具体尺寸根据实际图纸确定）主体构造特点设备包括设备主体、电气控制部分、显影清洗槽等；并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等主体设备主体使用德国劳士林10mm瓷白PP骨架SUS304+PP德国劳士领板组合而成安全门设备安装高透明PVC上下推拉安全门，分隔与保护人员安全；边缘处设备密封条台面高度约900mm，适合高于1.5米人群操作工艺槽模组化设计，放置在同一个承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成，杜绝机台的渗漏危险。管路系统位于设备下部，所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明；药液管路采用劳士林PP管，纯水管路采用积水CL-PVC管，废液可通过专用管道排放电气保护电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区，电气元件有充分的防护以免腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠。工作照明上方防酸型照明220V 40W 可更换水气枪机台前部配备有PP纯水枪和PP CDA枪各一只置左右两侧，水枪滴漏活水设计，方便操作员手工清洗槽体或工件机台支脚有滑轮装置及固定装置并加防腐座，并且有高低调整及锁定功能安全保障完善的报警和保护设计，排风压力、液位、排液均有硬件或软件互锁，直观的操作界面，清晰的信息提示，保障了生产、工艺控制和安全性三色...

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无机清洗机-CSE

无机清洗机设备名称：无机清洗机设备型号：CSE-JR11-WJ04整机尺寸(参考)：约2000mmL×1400mmW×2000mmH；硅片尺寸：2寸～6寸工作环境：室内放置；操作形式：手动重量：650Kg( 大约)；苏州华林科纳半导体设备技术有限公司由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所合资成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体设备、太阳能光伏设备、液晶湿制程设备、真空设备的研发、技术推广和生产销售。

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