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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 流程概览        硅半导体器件加工的描述,可以是分立器件(仅包含一个有源器件的半导体,例如晶体管)或 IC(能够执行至少一个电子电路功能的单个半导体衬底内的有源和无源元件的互连阵列) ,涉及许多高度技术性和特定的操作。本说明的目的是提供基本框架和解释,用于制造硅半导体器件的主要组件步骤以及相关的环境、健康和安全 (EHS) 问题。       IC 的制造涉及一系列过程,在电路完成之前,这些过程可能会重复多次。最流行的 IC 使用 6 个或更多掩膜来完成图案化工艺,典型的是 10 到 24 个掩膜。微电路的制造始于直径 4 至 12 英寸的超高纯度硅晶片。完全纯净的硅几乎是一种绝缘体,但某些杂质(称为掺杂剂)以百万分之 10 到 100 的量添加,使硅导电。      集成电路可以由数百万个由掺杂硅制成的晶体管(还有二极管、电阻器和电容器)组成,所有晶体管都通过适当的导体模式连接,以创建计算机逻辑、存储器或其他类型的电路。在一块晶圆上可以制作数百个微电路。      六个主要的制造工艺步骤适用于所有硅半导体器件:氧化、光刻、蚀刻、掺杂、化学气相沉积和金属化。接下来是组装、测试、标记、包装和运...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 随着我们进入由物联网 (IoT)、大数据和人工智能 (AI) 驱动的新计算时代,对更节能芯片的需求不断增长。在这种情况下,我们通常会想到摩尔定律和减小晶体管的尺寸。 然而,功率半导体的进步不受节点尺寸缩小的影响。MOSFET 和 IGBT 等硅功率开关设计用于处理 12V 至 +3.3kV 的电压和数百安培的电流。通过这些开关的功率很大!但它们的能力是有限的,这推动了碳化硅 (SiC) 等具有卓越性能的新材料的开发。 碳化硅是一种化合物半导体材料,它结合了硅和碳,创造了硅的超级英雄表亲。要让电子开始在材料内自由移动,需要多出三倍的能量。这种更宽的带隙使材料具有有趣的特性,例如更快的开关和更高的功率密度。我将重点介绍 SiC 器件可以带来显着优势的两个用例。  汽车中的碳化硅第一个例子是汽车。据研究公司 Yole Developpement 称,道路上有超过 10 亿辆汽车。截至 2017 年,190 万辆汽车或约 0.2% 是电动汽车。预计到 2040 年,这一比例将增长到 50%,因此提高能效的影响可能相当大。  电动汽车通常具有为车轮提供动力的主电机。部署了六个功率晶体管和二极管来转动电机。每个晶体管都需要能够阻止 700V 和开关几百安培。大多数电源开关使用脉宽调制 (PWM) ...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 介绍使用氢氧化钾、氢氧化四甲基铵或焦链烯对晶体进行碱性蚀刻,以在微机电系统(微电子机械结构、太阳能电池和集成电路制造)中创建各种特征定义。KOH将在本节中讨论。碱性化学物质具有优先沿着晶体取向蚀刻硅的能力。这使得用其他微加工技术(例如V形槽)制造难以制造的几何形状成为可能。蚀刻速率取决于硅晶面的取向,由于原子在这些取向上的排列,和的取向蚀刻不同于的取向。硅沿晶面各向异性蚀刻,与面成54.74°角。硅被掩蔽蚀刻。加工工艺学氢氧化钾溶液是通过将氢氧化钾小球溶解在去离子超纯晶片(去离子H2O)中制备的。提出了各种浓度的蚀刻溶液,有时使用添加剂来降低表面粗糙度;硅的蚀刻速率取决于氢氧化钾溶液的浓度。氢氧化钾蚀刻速率也取决于温度。分批浸没槽控制温度,并能向氢氧化钾溶液中加入水,是首选的处理方法。添加剂通常是有机的,如异丙醇(IPA),在蚀刻过程中添加以平滑表面。必须避免溶液中的气泡,因为这些气泡会掩盖蚀刻。掩模材料通常是氮化硅(Si3N4)或二氧化硅.金或其他金属也可以用作掩蔽材料。晶片上不应有任何有机材料(如光刻胶),因为这会污染氢氧化钾溶液,因为光刻胶会腐蚀。硅对氮化硅的选择性非常高,为了生产,可以假设氮化硅根本不蚀刻。然而,观察到二氧化硅的氢氧化钾蚀刻;蚀刻速率比硅的蚀刻速率慢得多(1-2个数量级),但在进行深度蚀刻时应予以考虑...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      半导体制造设备(SME)中使用的可能是最复杂的和世界先进的制造工艺,生产半导体器件半导体,如微处理器和存储设备,被广泛应用包括个人电脑、电讯设备和许多普通的消费电子产品。含有芯片的产品激增在过去的十年中,几乎一直是提高生产力的主要贡献者美国经济的每个部门SME是该技术的关键贡献者革命。SME是指用于生产半导体器件的所有设备。使用的技术由于消费者对这一设备的需求不断提高执行半导体。芯片技术的快速发展可以使现有的芯片而中小企业曾经在短短几年时间里就把它们淘汰了,并进行了积极的研究。      发展(R&D)计划是维持中小企业竞争力的关键行业。美国中小企业行业是美国为数不多的持续保持稳定的行业之一因为美国公司在研发和贸易方面具有很强的竞争力生产各类设备最多。大多数中小企业都是用于制造的半导体器件;其他的最终用途很少存在中小企业产业面向全球,对外投资高度密集国内外中小企业生产者之间的相互关系。     工业与半导体工业紧密相连并追随其全球财富。这个总结涵盖2001至2005年期间的中小企业。它描述了中小企业的生产介绍美国和外国的工业和市场,并提供美国的贸易和行业关税信息。行业覆盖   略中小企业的重要性  ...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料当今半导体制造中最热门的趋势之一是晶圆级封装 (WLP),到 2022 年,全球 WLP 市场规模预计将达到 78 亿美元,2016 年至 2022 年的复合年增长率 (CAGR) 为 21.5%。广义上讲,WLP 包含不同的集成方法,例如扇入和扇出,以及从 2D 和 2.5D 到 3D IC 甚至纳米 WLP 的一系列封装类型。它还包括互连工艺,如凸块、硅通孔 (TSV) 和混合键合。WLP 是异构集成 (HI) 的基石,这是半导体制造的另一个主要趋势。许多人认为 HI 是在功率、性能、面积和成本 (PPAC) 方面扩展摩尔定律的途径。HI 包括晶圆级系统级封装 (SiP) 架构、2.5 内插器、3D 集成电路 (IC) 堆栈,以及最近的小芯片架构。是什么推动了半导体制造领域的 WLP 趋势?正如大流行向我们展示的那样,世界比以往任何时候都更加依赖数字技术。不仅如此,我们还希望能够通过手掌来管理我们的生活。我们使用移动设备进行通信、开展业务、购物、监控我们的健康和我们的家庭等等。异构集成 WLP 使将 5G、人工智能 (AI)、内存、电源、传感器等打包到这些工具中成为可能。这推动了对 WLP 的需求将继续增加。与此同时,另一个行业趋势是关注可持续制造以与联合国的可持续发展目标保持一致。因此,我们不仅需要支持大批量制造 (HVM) 的解决方案,这...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 发明背景       本发明面向集成Semi的电路及其加工导体设备。更具体地说,本发明提供了一种清洁掩膜的方法和结构所使用的结构用于设计半导体集成电路。但它会被承认的发明有一个更广泛的适用性的范围。集成电路是从少数几个在硅片上制造的互连设备几百万台设备。传统的集成电路提供远超以往的性能和复杂性最初的想象。以达到改善复杂性和电路密度(即设备的数量)能够被包装在一个给定的芯片区域),大小最小的设备功能,也被称为设备“geom etry,随着每一代的集成变得更小电路。0006增加电路密度不仅改善了性能但集成电路的复杂性和性能也为消费者提供了成本更低的零部件。一个集成电路或芯片制造设备的成本是数亿甚至数十亿美元。每一个制造设备将有一定的晶圆产量,每个晶片上都有一定数量的集成电路。因此,通过制造不同的装置可以制造更小、更多的器件在每个晶圆上,从而增加了制造的输出设施。使设备更小是非常具有挑战性的,每一个集成制造中使用的工艺有一定的局限性。那就是比如说,一个给定的过程通常只在某个特定的范围内工作然后,要么进程,要么设备布局需要改变。此外,作为设备要求更快和更快的设计,过程存在一定的局限性传统工艺和材料。这种过程的一个例子是制造十字线掩模通常用于半导体集成光刻用光刻胶图案的结构电路。尽管已经有了显著的改善这种...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料目的该在线实验室的目的是演示和概述进行接触光刻所必需的程序。这些视频将详细介绍每一步光刻过程。背景光刻是在材料上定义图案的关键奈米制造。光刻技术的进步最终导致了我们今天看到的是电子设备的微型化。光刻是一种半导体制造业的核心要素;现代设备可以做到在完成之前,要经过几十次光刻过程。在光刻过程中,一种能量敏感的化学物质,称为光刻胶涂在样品表面的。然后把这种光刻胶暴露在特定的能量下在材料内部产生图案的来源。当这个过程涉及到光的时候能源,它叫光刻。在光刻中涉及的小特征尺寸要求极其干净处理环境;这个实验室的视频显示了光刻的过程在一流的10级洁净室进行。为了进行光刻工艺,需要各种各样的设备。湿工作台、热板、旋转铸造台和曝光工具都是必要的。的本实验室使用的曝光工具是Karl Suss MA6BA6。这个系统理论上是可打印特性小至~0.5µm。接触的关键概念光刻技术可分为电子束光刻技术和步进光刻技术。可实现的最小特征尺寸最终由类型决定采用光刻技术。               实验:在这个练习中,特征将被画在晶圆上光刻过程。阅读下面的步骤并观看剪辑每个阶段的光刻过程,以回答天使的实验室问题。......本文还讲了实验的过程,细节以及结论...
发布时间: 2021 - 08 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      一种使用稀硫酸的水溶液-稀酸是用超干净的去离子水制成的。需要清洁的半导体表面浸在和解出后立即解出形成的。 发明背景       (一)发明领域             本发明涉及用于清除半导体晶圆表面的方法有表面污染和提高质量以及注意半导体器件制造中的性能和电路。    (二)现有技术             半导体表面是其中一个重要的方面,在高质量和高成品率的半晶体中制造导体设备。 半导体的表面状况在表演中起着至关重要的作用。最终的设备,无论设备的处理需要一个步骤还是多个步骤都 在使用MOS技术的器件中,半导体的特性尤为重要。 发明摘要            本发明简单,成本低但提供清洁和无污染半瓶装水的方法 这项发明消除了许多现在所需要的复杂而繁琐的程序 半导体晶圆的最后清洗。 本发明利用一种新制备的稀释剂 ,水溶液硫酸在适当的混合溶液中的溶液 这样才能有效地利用稀释的热量,通常洗液...
发布时间: 2021 - 08 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料背景      本发明大体上属于制造半导体器件的工艺,特别是用于清洁激光刻制半导体模具表面的工艺。       半导体器件制造的一个基本操作是将在半导体晶圆上批量制造的semi - 导体单元分离成通常称为芯片或芯片的独立单元的过程。 传统上,这种分离是通过在半导体晶圆的表面划上一个矩形角网格来实现的,这样每个矩形就描绘了一个特定半导体单元的外围。 在晶圆表面施加机械压力,使其沿刻线发生断裂,从而完成分离成单个半导体单元或晶圆。 这种类型的“刻划与断裂”操作中固有的一个问题是,半导体或晶圆沿着其晶体结构的自然解理面断裂的趋势 。发明摘要        发明的目的是提供一种改进的清洁半导体模具的工艺。        本发明的另一个目标是提供一种改进的方法,用于从激光刻制半导体模具的表面去除熔渣和碎片。详细说明        本发明的方法包括一种带有玻璃珠半导体模具的滚转工艺,该工艺已被证明可以有效地从各种不同尺寸的不同类型的模具中去除激光熔渣和碎片。文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文测试了三种方法对超薄氧化层硅片表面的清洁和调节的适用性:两种UV/O3源(汞蒸气灯和高效准分子模块)以及在HNO3中湿式化学氧化。研究表明,通过UV/O3(汞蒸气灯)照射可以去除碱性变形过程中硅化和掩蔽表面所产生的有机残留物。此外,使用UV/O3(准分子)和HNO3氧化物与Al2O3/SiNx AlN/SiNx钝化组合,可以改善钝化质量和发射极饱和电流。对于70:/sq的n型硅晶圆。介绍      随着高效硅太阳能电池概念引入到工业生产中,在钝化之前的表面清洗和调节变得越来越重要。硅衬底与钝化层之间的界面质量对各种污染、缺陷、表面终止和充电非常敏感,具有重要的作用。实验步骤和结果 图1所示  汞蒸气灯原理图及反应机理(左),准分子体系原理图及反应机理(右)去除有机残留物 图2所示 污染样品的示意图(a),清洁的纹理参考样品的平板扫描无污染(B)和污染和UV/O3清洁样品的参数变化(C-F) Pre-passivation调节  图3 样品制备示意图(左);有/没有超薄siox层作为预钝化条件的样品的发射极饱和电流密度(j0e)(右) 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 14
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