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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此,碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关,从而提供了简化和可靠的系统布局。            随着新行业和产品采用电子和半导体,设计师和制造商正在寻找改进和更智能的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时,它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而,它也有好处。以下是碳化硅供电半导体的两大优势:  1.碳化硅可以在更高的温度下运行全球对电子产品日益增长的需求推动了对不同类型设备在不断变化或恶劣的条件(如更高的温度)下运行的需求。碳化硅半导体可以在200“℃或更高的温度下工作,因为其导热性比标准硅好三倍。但应该理解的是,大多数商业级半导体的推荐温度额定值为 175C。更高的额定温度可最大限度地降低系统设计的复杂性,增强可靠性,并降低制造商的成本。系统设计人员可以在Sic半导体的帮助下使用越来越少的电容器和存储电感器,从而降低电气系统的总体成本。 2.碳化硅可以承受更高的电压与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料当今半导体制造中最热门的趋势之一是晶圆级封装 (WLP)。根据Allied Market Research 的数据,到 2022 年,全球 WLP 市场规模预计将达到 78 亿美元,2016 年至 2022 年的复合年增长率 (CAGR) 为 21.5%。广义上讲,WLP 包含不同的集成方法,例如扇入和扇出,以及从 2D 和 2.5D 到 3D IC 甚至纳米 WLP 的一系列封装类型。它还包括互连工艺,如凸块、硅通孔 (TSV) 和混合键合。WLP 是异构集成 (HI) 的基石,这是半导体制造的另一个主要趋势。许多人认为 HI 是在功率、性能、面积和成本 (PPAC) 方面扩展摩尔定律的途径。HI 包括晶圆级系统级封装 (SiP) 架构、2.5 内插器、3D 集成电路 (IC) 堆栈,以及最近的小芯片架构。是什么推动了半导体制造领域的 WLP 趋势?       正如大流行向我们展示的那样,世界比以往任何时候都更加依赖数字技术。不仅如此,我们还希望能够通过手掌来管理我们的生活。我们使用移动设备进行通信、开展业务、购物、监控我们的健康和我们的家庭等等。异构集成 WLP 使将 5G、人工智能 (AI)、内存、电源、传感器等打包到这些工具中成为可能。        这推动了...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料有许多晶片清洁技术或步骤用于确保半导体晶片在经历晶片制造过程时始终没有污染物和异物。不同的污染物具有不同的特性,因此对从晶片上去除的要求也不同。以下是晶圆清洗常用方法的一些示例。    光刻胶剥离,或简称“光刻胶剥离”,是从晶片上去除不需要的光刻胶层。其目的是尽快从晶片上去除光刻胶材料,而不会让光刻胶下的任何表面材料受到所用化学品的侵蚀。抗蚀剂剥离可分为:1)有机剥离;2)无机剥离;3) 干法剥离。    有机剥离 使用有机剥离剂,有机剥离剂是破坏抗蚀剂层结构的化学品。最广泛使用的市售有机汽提剂曾经是苯酚基有机汽提剂,但它们的适用期短和苯酚处理困难,使得低酚或无酚有机汽提剂成为当今更受欢迎的选择。  湿式无机剥离剂,也称为氧化型剥离剂,用于 无机剥离,通常用于去除非金属化晶圆上的光刻胶,以及后烘烤和其他难以去除的抗蚀剂。无机汽提剂是硫酸和氧化剂(如过硫酸铵)的溶液,加热至约 125 摄氏度。干法剥离 涉及使用等离子蚀刻设备通过干法蚀刻去除光刻胶。与使用有机或无机剥离剂进行湿法蚀刻相比,它的优势包括更好的安全性、无金属离子污染、减少污染问题以及更不易附着在下面的基板层。  化学去除薄膜污染物,污染材料的...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料EUV光刻技术为半导体制造商提供一个前所未有的速度开发最强大芯片的机会。现在半导体行业已经经历了大规模的改造,这可以归因于技术的演进和热情,以满足不断增加的市场预期。传统上,芯片制造商依赖于在每个芯片的表面添加更多的晶体管。在当今时代,实现这种发展变得越来越具有挑战性。制造商正在关注称为极紫外(EUV) 光刻的先进制造技术。EUV光刻可用于制造比以前更小规模的芯片。该技术可以导致微处理器的发展,其速度比目前最强大的芯片快十倍。EUV光刻的本质也可以归因于当前芯片印刷技术的物理限制。EUV光刻技术可以使制造商打印宽度为01微米的电路,相当于人类头发宽度的1/1000。EUV光刻利用波长非常短的光来更快、更准确地生成精细图案。该技术可以生产更小尺寸的晶体管,使处理器和其他电子设备更强大、更便宜、更节能。EUV光刻的两个关键市场包括用于智能手机和服务器的处理器,其中尺寸、功率和效率是必不可少的因素。尽管 EUV光刻技术前景广阔,但这项技术的普及仍有一些障碍。其中之一是需要大功率光源,这是照亮光刻胶所必需的。然而,世界领先的公司正在投资这项技术。许多公司正在投资研发,以实现 EUV技术的更大进步。此类投资肯定会在未来提高半导体和电子产品的运营效率。 注意:此处包含的信息、建议和意见仅供参考,仅供您考虑,查询和验证,不以任何方式 保证任何材料在特定...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要半导体晶片在从裸硅晶片转变为装有数百万个晶体管电路的晶片之前,要经过多种工艺。此类工艺包括物理或化学气相沉积(PVD、CVD)、化学机械平面化 (CMP)、等离子蚀刻、快速热处理 (RTP) 和光刻。随着特征尺寸不断缩小,过程控制在这些过程中的每一个中都扮演着越来越重要的角色。基于模型的控制方法是为先进半导体设备设计商业控制器的有效手段。我们将概述先进控制在半导体行业中的应用。根据我们的经验,控制设计的最佳模型大量借鉴了过程的物理学。这些模型用于特定控制应用的方式取决于性能目标。在某些情况下,例如 RTP 和光刻,闭环控制完全取决于系统具有非常好的物理模型。对于 CMP 等其他过程,物理模型必须与经验模型结合或完全是经验模型。所得的多变量控制器可以是原位前馈反馈或逐次运行控制器,或其组合。本文中介绍的三个案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先进控制在半导体行业的前沿应用。对于 CMP 等其他过程,物理模型必须与经验模型结合或完全是经验模型。所得的多变量控制器可以是原位前馈反馈或逐次运行控制器,或其组合。本文中介绍的三个案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先进控制在半导体行业的前沿应用。对于 CMP 等其他过程,物理模型必须与经验模型结合或完全是经验模型。所得的多变量控制器可以是原位前馈反馈或逐次运行控制器,或其组合。本文中介绍的三个案例...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料        硅基电子元件的开发与生产要求材料在所有阶段的化学表征,从原材料,最后是成品。分析工作包括测定两者的体积浓度和空间分布杂质和搀杂剂的厚度和成分的测定沉积在硅等上的薄膜。现代要求的高可靠性半导体产品需要广泛的控制程序。经常必须测定极低浓度的杂质。因此低检测限和污染自由度是该标准的关键要求分析工作。需要和使用许多不同的分析技术。在这几种核分析技术是很重要的。中子(NAA),带电粒子活化分析(CPA)、核反应分析(NRA)、瞬变伽马活化分析(PGAA)和卢瑟福后向散射光谱学(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析问题是困难的和质量要求高。常是非核的定量校准技术是很困难的。很少,如果有的话,参考资料是公正的分析方法的准确性存在控制。该局与国家标准局合作召开了会议这次顾问会议的目的如下。1. 概述分析化学的要求电子工业和所使用的分析技术。2. 探讨核分析技术在这一领域的作用。3.讨论国际组织质量控制的必要性所用的分析方法。该报告包含三个报告讨论分析的必要性硅电子化学,分析技术的应用和分析标准,并对质量需求的讨论进行总结报告控制。对分析化学的需求硅电子科技。摘要        对原材料质量控制的分析和缺陷特性的广泛需求讨论了硅器件制造的材料、工艺和环...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要在这项研究中,干膜光刻胶使用 UV 光刻进行图案化,并优化侧壁轮廓以实现垂直侧壁。干膜的侧壁垂直度对于更好的图案转移非常重要。部分因子设计 (FFD) 方法用于确定侧壁优化的重要变量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善侧壁垂直度方面不显着。侧壁角度范围从 64 ± 5° 到 86 ± 5°。发现侧壁斜率随着曝光能量的降低而增加。光刻图案化干膜的反应离子蚀刻(RIE)在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等离子体和 CF4-O2 等离子体进行具有优化侧壁的干膜 RIE。全因子实验设计用于确定影响过程的关键因素。氧气流速和射频功率是使用 CF4-O2 等离子体的干膜 RIE 的重要变量。蚀刻速率范围从 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蚀刻速率随着射频功率和氧气流速的增加而增加。发现 RF 功率和时间对 Ar 等离子体很重要。制造的具有几乎垂直侧壁的干膜模具用于电镀铜和 Ti 剥离应用。使用部分因子设计优化电镀工艺。正如预期的那样,发现电流密度和电镀时间很重要。与较高的电流密度相比,较低的电流密度导致更光滑、细粒度的沉积物。然而,镀液pH值对干膜的影响还有待研究。具有增加侧壁斜率的干膜模具在电镀铜和 Ti 剥离方面表现出更好的图案转移。 介绍光刻胶光刻胶是一种用于微电子行业的...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料介绍晶圆表面污染,尤其是颗粒污染物,自半导体行业诞生以来一直是主要问题之一。完全加工的硅晶片的良率与晶片的缺陷密度成反比。降低缺陷密度的一种方法是使用有效的清洁技术来有效去除颗粒污染物。由于颗粒和基板之间的强静电力,小颗粒特别难以从晶片上去除。因此,迫切需要找到一种有效的方法来有效地去除晶片上的颗粒,并且不会损坏晶片。现代晶圆制造设施使用严格的污染控制协议,包括使用洁净室防护服、乳胶手套和高度净化的通风系统。结合这些协议,现代制造设施使用各种清洁晶片的方法,通常涉及加压水喷射擦洗、旋转晶片洗涤器、湿化学浴和冲洗以及类似系统。然而,这些工艺容易损坏晶片。此外,化学过程具有与使用化学品相关的固有危险,例如硫酸、氢氧化铵和异丙醇。......结论      已经提出了一种使用超声波频率范围内的声能清洁硅晶片的新颖而有效的技术。这种新方法已经证明,可以使用超声波能量从裸硅晶片表面有效去除各种尺寸的颗粒。   略 本文简述了半导体晶圆,污染物颗粒,造型等问题 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 11
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一、主要生产设备 二、工艺流程简述 晶体、合成莫桑宝石生产工艺流程1、粉料研磨:本项目外购的硅粉有的时候粒径较大,为了后续合成,需利用粉料研磨机将其进行研磨。整个研磨过程全部在密闭仓内进行。由于需要研磨的硅粉一般粒径均较大,因此研磨投料过程中无粉尘产生。研磨好后的细硅粉由密闭输送管道送至塑料包装袋内储存备用,在物料输送至塑料包装袋的过程中可能会有少量硅粉散逸。全部为无组织排放。2、粉料合成:将研磨好的粉料装入 SIC 粉料合成炉配套的石墨堆塌内(每次可投加物料约1公斤),盖好盖,然后将炉内抽真空至0.5*10-3pa,同时为了进一步防止粉料合成过程中碳粉被氧化,还需通入氧气进行保护。SIC粉料合成炉加热温度约为2000℃,采用电加热,加热时间约20个小时。经粉料合成后的碳粉和硅粉就基本已经成为碳化硅小晶体了,只是晶体粒径较小,完全不能满足客户的需求,还需将小的晶体进一步生长使其成为一块大的碳化硅晶体。该工序污染物主要为粉状物料在使用过程中散逸的少量粉尘。3、晶体生长:品体生长的方法是在高温和真空条件下,在石墨堆塌中心放入一颗很小的籽晶作为种子,然后在籽晶周围放入粉料合成炉合成的小的碳化硅品体。在这种环境下,小的碳化硅晶体会不断生长变大,从而形成成块的碳化硅品体,尺寸约为2英寸、三英寸,厚20mm左右的圆柱体。品体生长所需温度约为2200度,加热采用电加热,真空度...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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一、主要生产设备 二、工艺流程简述: PVD真空镀膜生产工艺流程图1.五金配件:项目中的五金配件均为客户提供的已检验合格的产品,在厂区内进行表面镀膜后加工,不产生生产废料。2.人工擦拭:项目的人工擦拭工序为用于擦拭五金配件中的污溃,污渍可直接用手套擦拭,此环节产生的污染物主要为废手套。3.烘烤:项目的烘烤工序所使用的烤箱,工作温度约为200℃,以电为能源,管状的五金配件中空心的地方由于工人操作失误,沾染废机油后,进入烤箱烘烤将废机油烤干,干净的五金配件无需进行烘烤,为防止烘箱的温度太高,需对其进行冷却,项目采用水冷,冷却水循环使用,不外排。5.真空镀膜:项目的真空镀膜工序是指在真空环境中利用粒子轰击靶材(钛块)产生的溅射效应,使得靶材原子或分子从固体表面射出,在基片上沉积形成薄膜的过程。在真空设备中(立式真空炉)通入惰性气体(氯气、氮气),在两极加上一定电压使其电离产生等离子体,靶材表面加上一定的负偏压,使得等离子体中的正离子飞速向靶材表面运动,撞击靶材表面使其产生溅射效应产生靶原子,靶材原子在真空室中自由运动,于工件表面沉积,从而形成薄膜。镀膜过程在密闭真空设备内进行,镀膜过程中无气体排放,在下次镀膜之前对溅射腔内沉积靶材进行清理,清理的靶材回收利用。镀膜结束后,用对设备进行降温,此时电源关闭,靶材不再被蒸发产生金属原子。在下次镀膜之前对溅射腔内沉积靶材进行清...
发布时间: 2021 - 04 - 13
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