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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料  摘要  对几种氮化镓蚀刻技术进行了综述和比较。本实验选用了氮化镓二元蚀刻技术,用Dektak轮廓仪和AFM测量了蚀刻后的氮化镓轮廓。三种类型的氮化镓薄膜,如本征氮化镓、n型氮化镓和p型氮化镓薄膜。关键词:氮化镓,氮化物,二元蚀刻,轮廓仪,原子力显微镜介绍      氮化镓作为一种宽禁带III-V化合物半导体近年来得到了广泛的研究。高性能GaN het和MOSFET都已经被证明。氮化镓处理技术是实现氮化镓基器件良好性能的关键。大多数氮化镓的蚀刻采用等离子体蚀刻,存在易产生离子诱导损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁等缺点。 图1所示  几种蚀刻技术的蚀刻速率  图2  用几种蚀刻技术蚀刻后的氮化镓表面粗糙度 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 14
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扫码添加微信,获取更多湿法相关资料摘要        在许多半导体器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中,各种加工步骤可分为四大类,即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中,晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。  关键词:半导体制造,硅片,硅片清洗,洁净室。介绍        半导体是一种固体物质,其导电性介于绝缘体和导体之间。 半导体材料的定义性质是,它可以掺杂杂质,以可控的方式改变其电子性质。 硅是开发微电子器件最常用的半导体材料。 半导体器件制造是用来制造集成电路的过程,这些集成电路存在于日常的电气和电子设备中。 在半导体器件制造中,各种加工步骤可分为四大类,如沉积、去除、刻划 。硅片清洗程序 RCA清洗          RCA清洗是去除硅片中的有机物、重金属和碱离子的“标准工艺”。 这里用超声波搅拌去除颗粒。 图2讨论了RCA清洗方法。 第一步,硫酸和双氧水的比例为1:1 - 1:4。 晶圆在100...
发布时间: 2021 - 08 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料蚀刻后            冲洗对于湿浸处理中的所有化学步骤,晶片必须在处理后清洗。由于各种原因,热磷酸蚀刻后的冲洗是生产流程中最关键的冲洗过程之一。首先,即使在漂洗中使用热UPW(超纯水),热磷酸和漂洗槽之间的温度也会下降大约100℃。温度的突然变化给晶片带来冲击,潜在地导致晶片破裂加剧(特别是如果晶片之前经历过显著的应力)。其次,水合二氧化硅和酸本身都很难在纯水中从表面去除。在充分冲洗的情况下,会导致颗粒污染和干燥后晶圆上的磷酸盐溢出。磷酸的最有效冲洗是通过多步骤快速倾倒过程实现的,从热超纯水开始(以最小化温度冲击),以一个或两个冷程序结束。将晶片转移到加热UPW( 65℃)的全浴中,15-30秒后将其倾倒。排水后,使用或不使用顶部喷淋冲洗,从底部重新填充水箱,然后溢出60-120秒。这个过程重复3到4次,第一步使用热水,最后一步使用冷水。在漂洗过程的溢流步骤中使用兆声可以大大提高漂洗性能。 硬件注意事项稳定的工艺结果和高生产率在很大程度上依赖于许多与硬件相关的关键特性,这些特性将在此简要总结:中间贮槽热磷酸蚀刻在石英槽中进行,化学品从底部供应,并通过溢流返回到再循环。即使存在一批晶片,通过槽的化学流量也应均匀,以确保在整个晶片表面上工艺介质的相同连续交换。高交换流量是优...
发布时间: 2021 - 08 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料温度和浓度控制基本上有两种方法来控制浸浴中的氮化物蚀刻过程,这两种方法都包括连续加热和补水:1.恒温加热温度控制和H2O尖峰沸点调节。这种方法是最常见的控制方式,它使用强大的加热器,能够将介质加热到沸点及以上。加热功率在该过程中不受控制(即。设定在固定的、大部分是最大的设定点)。通过改变H2O补充量,液体浓度被设定为在确定的工艺温度下精确沸腾。因此,温度极限由实际混合物的沸点控制。这种方法为标准应用程序提供了可接受的性能结果。从投资角度来看,它是最具成本效益的解决方案,可用于自动化和手动(即。简单的过程控制)湿工作台。缺点是在起泡液体中处理晶片,这影响晶片蚀刻的不均匀性,并且经常导致晶片从盒子或保持器中取出,并且产生过量的工艺蒸汽,需要防止其在湿工作台中再次冷凝并且有效通风。此外,整个过程由单个参数控制,这不允许在加载效果和时间上微调变化的蚀刻性能。2.具有可变功率加热的独立功率和浓度控制。通过使用由温度传感器控制的具有可变功率的加热系统,浴溶液可以被加热到期望的处理器,同时H2O补充被设置为实现混合物的恒定浓度,以具有略高于工艺温度的沸点。浴缸本身将保持平静,基本上没有泡沫。通过PID控制,加热能够补偿过程变化,即。由进入槽的冷晶片引起的温度下降,并在整个工艺时间内导致更可再现的蚀刻。此外,在熔池寿命期间的硅负载效应可以根据水脉冲过程通过时间或...
发布时间: 2021 - 08 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍在半导体制造流程中,氮化硅(Si3N4)用于定义有源区。通常称为衬垫氮化物的Si3N4沉积在二氧化硅层(“衬垫氧化物”)上,并通过各向异性等离子体工艺在用于隔离各个器件的那些区域上被部分去除。焊盘氧化物的典型层厚在50-400之间,焊盘氮化物的典型层厚在200-1600之间,具体取决于应用和技术。为了获得全功能器件,有源区必须完全不含氮化硅,而由热氧化物、LOCOS(硅的局部氧化)或STI(浅沟槽隔离)组成的隔离保持完整。同样重要的是底层硅不被攻击。特别是对于具有减小的器件拓扑和基于TEOS的浅沟槽隔离的集成电路产品,氧化物去除的预算非常紧张。这种各向同性的去除过程是用热磷酸(H3PO4)在浸浴中蚀刻来进行的。不能使用干法(等离子体)蚀刻,因为可实现的选择性低得多。尽管加热的氢氟酸可用于去除氮化物(这通常用于晶片或监视器回收),但这不适合产品应用,因为氧化硅的蚀刻速率较高,因此不符合选择性要求。选择性氮化物蚀刻的典型工艺流程包括以下步骤,如图1所示。作为蚀刻掉薄的天然氧化物层的第一处理步骤,经常包括可选的短HF浸渍(包括随后的冲洗),该氧化物层可能是由于热氧化步骤中的部分再氧化而形成的,以形成钝化氧化物或场氧化物。该层起到蚀刻阻挡层的作用,在H3PO4中去除该层需要相当长的时间,因此会影响工艺时间和均匀性。化学反应   &...
发布时间: 2021 - 08 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料 您知道硅晶片在我们的日常生活中扮演着重要的角色吗?这些薄芯片是制造电视、智能手机和太阳能电池板的关键部件。虽然硅晶片制造过程涉及多个步骤,但最重要的步骤之一是蚀刻过程。蚀刻是指微加工方法,可能会因硅晶片的预期用途而异。然而,蚀刻工艺可以以各种方式进行。让我们仔细看看顶级硅晶圆蚀刻工艺。最佳硅晶片蚀刻工艺 缓冲氧化物蚀刻 这是制造需要蚀刻的硅和二氧化硅薄膜的首选方法。只有在氢氟酸和缓冲剂(例如氧化铝)到位的情况下才能实现此过程。而且,缓冲氧化物蚀刻是一个可重复的过程,可以为您提供一致的结果。由于此蚀刻工艺与光刻胶兼容,因此不会底切掩膜氧化物,也不会弄脏硅。食人鱼蚀刻 这种技术需要使用含有过氧化氢和硫酸混合物的食人鱼蚀刻溶液。在半导体制造过程中,这种蚀刻工艺可以去除有机化合物并氧化基板上的大多数金属,从而彻底清洁硅晶片。虽然食人鱼蚀刻是一种高效的工艺,但很少使用,因为强大的腐蚀性氧化剂会使它变得极其危险。为此,必须在整个过程中采取严格的安全措施,并要求进行安全处置。KOH蚀刻 KOH蚀刻,也称为氢氧化钾湿法蚀刻工艺,最适合用于制造硅纳米结构。这种技术可以在确保最佳精度的同时在硅晶片中创建空腔。由于KOH蚀刻可以自动化,越来越多的制造商选择这种方法来降低成本并提高蚀刻效率。必须在微电子设备上开发铜、金和铝蚀刻金属连接。出于这个原因,硅晶片必...
发布时间: 2021 - 08 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料您知道几乎所有类型的电子设备都包含称为半导体的集成电路吗?要生产称为晶片的半导体薄片,必须执行一个耗时且具有挑战性的过程。让我们通过深入探索和探索晶圆制造中涉及的不同工艺来讨论如何制造半导体。半导体是如何磨削制造的?为了生产价格合理且质量上乘的晶圆,晶圆必须经过表面磨削过程。在这个阶段,粗抛光和研磨被部分或全部取代。切片,在硅晶片切片过程中,其纯度水平、机械公差和晶体学完美度都受到密切监控。半导体制造商寻求提高良率,因为该工艺会显着影响晶圆生产成本。倒圆,虽然硅可能是一种坚硬的四价准金属,但它也可能很脆。因此,线锯晶片的边缘容易断裂。为了消除粗糙区域,执行舍入过程。金刚石圆盘用于去除损坏区域,同时使晶片边缘更光滑。这个过程也是必要的,因为它允许制造商达到客户所需的直径。研磨,此机械工艺旨在通过使用垫、双或单一尺寸研磨工具和浆料混合物来平整和抛光晶片。此时,多余的硅材料被去除,实现了暗灰色和半反光效果。抛光,硅晶片做得更薄、更灵活,并且可以进行切割。为此原因,制造用于电子设备的柔性电路需要抛光。清洁,当暴露在空气中时,硅晶片会受到污染。重要的是要注意受污染的晶片不能正常工作。为避免污染,它们会经过一个清洁过程,包括臭氧清洁、RCA 清洁、超音波清洁或预扩散清洁。检查,在完成清洗过程后,晶片将被彻底检查以确保它们没有任何缺陷。这涉及使用特殊的检测工具...
发布时间: 2021 - 08 - 13
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料残留物清除 残留物去除通常发生在蚀刻或注入步骤之后。由于光致抗蚀剂是一种含有长链聚合物的有机材料,当没有其他物质存在时,氧化很容易,聚合物从表面的去除也就完成了。然而,当存在来自先前处理的残留物时,必须在晶片被送至下一步骤之前将其去除。残渣去除的难度取决于之前的处理;抗蚀剂的烘焙通过耗尽溶剂使其硬化,紫外(UV)曝光使抗蚀剂交联(参考),蚀刻耗尽抗蚀剂的溶剂并蚀刻抗蚀剂,同时在表面上沉积聚合物(参考),离子注入使抗蚀剂交联并脱氢,在抗蚀剂的外表面附近产生“外壳”。残余物必须被去除,并且通常与光致抗蚀剂掩模的等离子体剥离相结合。残余物既含有有机(通常含氟)材料,也含有无机(通常含硅)材料。例如,在蚀刻栅极叠层之后,除了保留在蚀刻区域中的不想要的栅极氧化物之外,通常使用一系列SPM和HF来去除蚀刻和剥离残留物。 预氧化清洗由于在器件制造区域发现的大气污染,有机薄膜薄层存在于晶片表面。有机蒸汽会从聚合物部件中释放出来,例如晶片载体和建筑材料。虽然这些污染水平很低,但是晶片接受的处理对这些低水平很敏感,例如,在热处理之前必须清洁表面。在许多制造领域,SPM清洗步骤是RCA预热清洗过程的一部分。 SPM后冲洗和干燥 粘性SPM很难从晶圆表面去除,需要大量冲洗。表面的吸湿硫残留物会吸收水分并产生颗粒缺陷。有效的冲洗对于防...
发布时间: 2021 - 08 - 12
浏览次数:171
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料介绍硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用于各种湿法清洗工艺步骤。下表中显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序: 清洁步骤化学药品典型序列光刻胶剥离抗蚀剂剥离后清洗H2SO4:H2O2H2SO4:H2O2SPMSPM抗蚀剂剥离后清洗残留物清除H2SO4 : H2O2NH4OH:H2O2:H2OSPMSC-1残留物清除高频:H2OH2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2ODHFSPMSC-1残留物清除H2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2OHF:NH4F:H2OSPMSC-1NOE预氧化清洗H2SO4:H2O2高频:H2ONH4OH:H2O2:H2O盐酸:H2O2:H2OSPMDHFSC-1SC-2 抗蚀剂剥离和抗蚀剂剥离后清洁抗蚀剂剥离包括去除应用于晶片的所有光致抗蚀剂,用于光刻描绘步骤。剥离步骤可以在接受反应离子蚀刻(RIE)工艺、湿法蚀刻工艺、离子注入工艺或金属沉积剥离工艺之后进行。正性光致抗蚀剂通常由酚醛清漆或磷(苯基氧基苯乙烯)树脂与光活性化合物组成,溶剂用于制造粘性液体,该液体在晶片表面上旋转,而负性光致抗蚀剂通常由聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯)(参考)组成,具有类似于正光致抗蚀剂的添加剂。这些化合物由碳氢化合物组成,还有其他元素,或者作为树脂或添加剂分子的一部分,或者作为杂质...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料今天,硅晶片有多种用途,尤其是随着我们作为一个技术世界不断发展,但有不同类型的晶片和晶片工艺可以满足特定产品的 特殊需求。例如,双面抛光晶片在尺寸至关重要的情况下非常有用。为什么要抛光晶圆?  晶圆抛光已成为晶圆制造过程中非常重要的一部分,因为近年来对晶圆比以往任何时候都更薄的需求急剧增加。您最初可能会假设使物体更平坦会自动使其更脆,但硅晶片不一定是这种情况。事实上,抛光可以使它们更坚固,更灵活。这是由于去除了可以削弱硅的污染物。 在抛光完成之前 , 由于 复杂的制造工艺,特别是晶片研磨方法,晶片的表面下通常会有一些 损坏 。 幸运的是,这可以通过抛光轻松解决。无论是只关注一侧还是两侧,质量都会大大提高。 与其他晶圆相比有什么 不同?  您会问,这些晶圆与其他晶圆究竟 有何不同?典型地,晶片只用一个抛光侧上形成,但顾名思义,双面抛光的晶片 有 完成在两侧上的过程中, 制作 更薄的晶片,真正需要使用的空间最小量的情况。    抛光晶圆的优势   双面抛光晶片更 明显的优势之一是增加了平...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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