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发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
发布时间: 2017 - 12 - 07
金属剥离清洗机-南通华林科纳CSE微机电系统(MEMS)是指用微机械加工技术制作的包括传感器/微致动器/微能源/等微机械基本部分以及高性能的电子集成线路组成的微机电器件与装置。其典型的生产工艺流程为:成膜工艺(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:溅射/电镀/掺杂:扩散 注入 退火)→光刻图形(旋涂/光刻/显影)→干法/湿法/ 刻蚀(湿法刻蚀/硅刻蚀/SiO₂刻蚀/去胶清洗/金属刻蚀/金属剥离/RCA清洗)设备名称南通华林科纳CSE-金属剥离清洗机设备系列CSE-CX13系列设备概况尺寸(参考):机台尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗量:6寸25装花篮2篮;重量:500Kg( 大约);工作环境:室内放置;主体构造特点外 壳:不锈钢304 板组合焊接而成。安全门:无安全门,采用敞开式设计;管路系统:药液管路采用不锈钢管,纯水管路采用CL-PVC管;阀门:药液管路阀门采用不锈钢电磁阀门;排 风:后下抽风,动力抽风法兰位于机台上部;水汽枪:配有水气枪各2把,分置于两侧;隔板:药液槽之间配有隔离板,防止药液交叉污染;照明:机台上方配照明(与工作区隔离);机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且有高低调整及锁定功能。三色警示灯置于机台上方明显处。工作槽参数剥离洗槽槽体:不锈钢316,有效尺寸405×220×260mm;化学药品:剥离洗液;药液供液:人工手动加入;工作温度:60℃并可调;温度可调;加热方式:五面体贴膜加热/投入式加热器加入热;液位控制:采用N2背压数位检测; 计时功能:工艺时间可设定,并可调,到设定时间后声鸣提示,点击按钮后开始倒序计时;批次记忆:药液使用次数可记忆,药液供入时间可记忆,设定次数和设定时间到后更换药液;排液:排液管道材质为不锈钢管,按钮控制;槽盖:配有手动槽盖;IPA槽槽体:不...
发布时间: 2016 - 12 - 05
管道清洗机设备—华林科纳CSE半自动石英管清洗设备适用于卧式或立式石英管清洗优点石英管清洗:卧式—标准/立式—选项 先进的图形化界面 极高的生产效率 最佳的占地 结合最先进工艺技术 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 应用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可编程使得清洗管旋转,清洗更干净 PVDF工艺槽 装有清洗溶剂的储备槽(根据使用化学品的数量)放置在工艺槽的后下方 — 直接注入且内部进行不断循环 特别的喷淋嘴更益于石英管清洗 集成水枪和N2抢 单独排液系统 安全盖子 易于操作和控制 节约用酸系统 全自动的清洗工艺步骤 备件 经济实惠的PP外壳材料—标准更多的石英管道清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
1、设备概况:主要功能:本设备主要采用手动搬运方式,通过对扩散、外延等设备的石英管、碳化硅管腐蚀、漂洗等方式进行处理,从而达到一个用户要求的清洗效果。主体采用德国劳士领 瓷白PP板,骨架采用不锈钢 外包PP 防腐板;设备名称:半自动石英管清洗机设备型号:CSE-SC-N401整机尺寸(参考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗炉管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物设备形式:室内放置型;节拍:约1--12小时(节拍可调根据实际工艺时间而定)      操作形式:半自动2、设备描述:此装置是一个半自动的处理设备。PROFACE 8.0英寸大型触摸屏显示 / 检测 / 操作清洗工作过程由三菱 / 欧姆龙PLC控制。3、设备特点: 腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;结合华林科纳公司全体同仁之力,多年品质保障,使其各部分远远领先同类产品;设备上层电器控制系统及抽风系统,中层工作区,下层为管道安装维修区,主体结构由清洗机主体、酸洗槽、水清洗槽、防漏盘、抽风系统、工件滚动系统、氮气鼓泡系统、支撑及旋转驱动机构、管路部分、电控部分。本设备装有双防漏盘结构,并有防漏检测报警系统,在整台设备的底部装有接液盘。设备配有在槽体下方配有倾斜式防漏层。4、工艺流程:检查水、电、气正常→启动电源→人工上料→注酸→槽体底部氮气鼓泡→石英管转动(7转/min)→进入酸泡程序→自动排酸(到储酸箱)→槽体底部自动注水(同时气动碟阀关闭)→悬浮颗粒物经过溢流坝流出→排水碟阀打开(重颗粒杂质排出)→初级洁净水经过溢流坝溢出→清洗次数重复循环(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽内完成1#,2#可通过循环泵循环使用...
发布时间: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
发布时间: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
发布时间: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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晶种晶种是一小块单晶或多晶(通常是单晶),像种子般用来成长与自身相同材料、相同晶体结构的大晶体。无论把晶种浸入过饱和溶液,或使晶种与熔融材料接触并冷却,或者让材料蒸气在晶种表面沉积,皆能成长出大晶体。晶种效果背后的理论,从化合物与过饱和溶液(或与蒸气)的分子间物理交互作用衍生而来。在溶液中,自由的可溶分子(溶质)在随机流动中自由移动。此随机流动允许两个或更多的化合物分子有机会交互作用。这种交互作用可以强化分离的分子之间的分子间作用力并形成晶格的基础。然而将晶种置入溶液会使随机分子间的碰撞与交互作用减少,促进再结晶过程。 借由引入已有秩序的晶体,分子间不用太仰赖随机流动就可以很容易地进行交互作用。在溶液中这种溶质发展出晶格的相变化被称为成核。简言之,晶种效果就是缩短了再结晶过程中的成核时间。在半导体产业中,常用的柴可拉斯基法与布里奇曼-史托巴格法就是用小晶种长出大人造胚晶或晶锭的运用实例。
发布时间: 2019 - 01 - 14
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半导体半导体(英语:Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。电导率容易受控制的半导体,可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性非常巨大。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的“空穴”,在电场作用下,空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流(一般称为正电流)。材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选...
发布时间: 2019 - 01 - 14
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集成电路的发展最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心,可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子,对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来,集成电路持续向更小的外型尺寸发展,使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量,可以降低成本和增加功能-见摩尔定律,集成电路中的晶体管数量,每1.5年增加一倍。总之,随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。但是,集成纳米级别设备的IC不是没有问题,主要是泄漏电流。因此,对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显,制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步,在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里,使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。集成电路的普及仅在其开发后半个世纪,集成电路变得无处不在,计算机、手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为,现代计算、交流、制造和交通系统,包括互联网,全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学...
发布时间: 2019 - 01 - 12
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集成电路的介绍晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术,作为一个单位印刷,而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。2006年,芯片面积从几平方毫米到350 mm²,每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器,相较于现今科技的尺寸来讲,体积相当庞大。电子显微镜下碳纳米管微计算机芯片体的场效应画面根据一个芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路可以分为以下几类:● 小型集成电路(SSI英文全名为Small Scale Integration)逻辑门10个以下或 晶体管100个以下。● 中型集成电路(MSI英文全名为Medium Scale Integration)逻...
发布时间: 2019 - 01 - 12
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半导体材料半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。发展● 1833年,英国的法拉第(Michael Faraday)发现的其中一种半导体材料:硫化银,因为它的电阻随着温度上升而降低。● 1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关,这就是半导体的整流作用。● 1947年12月23日,巴丁与布拉坦(Walter Brattain)进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器,晶体管正式发明。● 1958年9月12日,德州的基尔比(Jack Kilby),细心地切了一块锗作为电阻,再用一块pn接面做为电容,制造出一个震荡器的电路。● 1970年,超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分类以原料分为:● 元素半导体材料:以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。● 复合半导体材料:由两种或两种以上无机物化合成的半导体,种类繁多,已知的二元化合物就有数百种。● 三五半导体:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,比如砷化镓(GaAs);它们都具有闪锌矿结构,在应用方面仅次于Ge、Si。● 二六半导体:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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晶圆晶圆(英语:Wafer)是指制作硅(硅)半导体集成电路所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般晶圆产量多为单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等)。晶圆越大,同一圆片上可生产的集成电路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但对材料技术和生产技术的要求更高,例如均匀度等等的问题。一般认为硅(硅)晶圆的直径越大,代表着这座晶圆厂有更好的技术,在生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。晶圆的制造过程很简单的说,首先由普通硅(硅)砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒,单晶硅棒经过切片、抛光之后,就得到了单晶硅圆片,也即晶圆。1、将二氧化硅矿石(石英砂)与焦炭混合后,经由电弧炉加热还原,即生成粗硅(纯度98%,冶金级)。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ 2、盐酸氯化并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅(半导体级纯度11个9,太阳能级7个9),因在精密电子元件当中,硅晶圆需要有相当的纯度(99.999999999%),不然会产生缺陷。3、晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅(硅)熔解,再于溶液内掺入一小粒的硅(硅)晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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光刻胶光刻胶(英语:photoresist),亦称为光阻或光阻剂,是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,是光刻工艺中的关键材料,主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种-正性光刻胶(positive photoresist)和负性光刻胶(negative photoresist)。● 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液,而未曝光部分不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。● 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液,而未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
发布时间: 2019 - 01 - 10
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光刻光刻(英语:photolithography)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。首先,通过金属化过程,在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光(一般是紫外线)后可以被特定溶液(显影液)溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上,可以对光刻胶进行选择性照射(曝光)。然后使用前面提到的显影液,溶解掉被照射的区域,这样,光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施,改善剩余部分光刻胶的一些性质。上述步骤完成后,就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程,未被溶解的光刻胶将保护衬底在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后,将进行光刻的最后一步,即将光刻胶去除,以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常,半导体器件制造整个过程中,会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻,而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
发布时间: 2019 - 01 - 10
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封装最早的集成电路使用陶瓷扁平封装,这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装,开始是陶瓷,之后是塑料。1980年代,VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制,最后导致插针网格数组和芯片载体的出现。表面贴着封装在1980年代初期出现,该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距,引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)为例,比相等的DIP面积少30-50%,厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出,引脚间距为0.05英寸。Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)和PLCC封装。1990年代,尽管PGA封装依然经常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package(TSOP)成为高引脚数设备的通常封装。Intel和AMD的高端微处理器现在从PGA(Pine Grid Array)封装转到了平面网格阵列封装(Land Grid Array,LGA)封装。球栅数组封装封装从1970年代开始出现,1990年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中,晶片(die)被上下翻转(flipped)安装,通过与PCB相似的基层而不是线与封装上的焊球连接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列(称...
发布时间: 2019 - 01 - 09
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集成电路集成电路(英语:integrated circuit,缩写作 IC;德语:integrierter Schaltkreis),或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并时常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)[1][注 1]是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路[注 2]。本文是关于单片(monolithic)集成电路,即薄膜集成电路。从1949年到1957年,维尔纳·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·达林顿(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都开发了原型,但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖,但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯,却早于1990年就过世。
发布时间: 2019 - 01 - 09
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