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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注南通华林科纳半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
新闻中心 新闻资讯
半导体材料半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。发展● 1833年,英国的法拉第(Michael Faraday)发现的其中一种半导体材料:硫化银,因为它的电阻随着温度上升而降低。● 1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关,这就是半导体的整流作用。● 1947年12月23日,巴丁与布拉坦(Walter Brattain)进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器,晶体管正式发明。● 1958年9月12日,德州的基尔比(Jack Kilby),细心地切了一块锗作为电阻,再用一块pn接面做为电容,制造出一个震荡器的电路。● 1970年,超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分类以原料分为:● 元素半导体材料:以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。● 复合半导体材料:由两种或两种以上无机物化合成的半导体,种类繁多,已知的二元化合物就有数百种。● 三五半导体:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,比如砷化镓(GaAs);它们都具有闪锌矿结构,在应用方面仅次于Ge、Si。● 二六半导体:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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晶圆晶圆(英语:Wafer)是指制作硅(硅)半导体集成电路所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般晶圆产量多为单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等)。晶圆越大,同一圆片上可生产的集成电路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但对材料技术和生产技术的要求更高,例如均匀度等等的问题。一般认为硅(硅)晶圆的直径越大,代表着这座晶圆厂有更好的技术,在生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。晶圆的制造过程很简单的说,首先由普通硅(硅)砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒,单晶硅棒经过切片、抛光之后,就得到了单晶硅圆片,也即晶圆。1、将二氧化硅矿石(石英砂)与焦炭混合后,经由电弧炉加热还原,即生成粗硅(纯度98%,冶金级)。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ 2、盐酸氯化并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅(半导体级纯度11个9,太阳能级7个9),因在精密电子元件当中,硅晶圆需要有相当的纯度(99.999999999%),不然会产生缺陷。3、晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅(硅)熔解,再于溶液内掺入一小粒的硅(硅)晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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光刻胶光刻胶(英语:photoresist),亦称为光阻或光阻剂,是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,是光刻工艺中的关键材料,主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种-正性光刻胶(positive photoresist)和负性光刻胶(negative photoresist)。● 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液,而未曝光部分不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。● 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液,而未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
发布时间: 2019 - 01 - 10
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光刻光刻(英语:photolithography)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程。首先,通过金属化过程,在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光(一般是紫外线)后可以被特定溶液(显影液)溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上,可以对光刻胶进行选择性照射(曝光)。然后使用前面提到的显影液,溶解掉被照射的区域,这样,光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施,改善剩余部分光刻胶的一些性质。上述步骤完成后,就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程,未被溶解的光刻胶将保护衬底在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后,将进行光刻的最后一步,即将光刻胶去除,以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常,半导体器件制造整个过程中,会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻,而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
发布时间: 2019 - 01 - 10
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封装最早的集成电路使用陶瓷扁平封装,这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装,开始是陶瓷,之后是塑料。1980年代,VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制,最后导致插针网格数组和芯片载体的出现。表面贴着封装在1980年代初期出现,该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距,引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)为例,比相等的DIP面积少30-50%,厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出,引脚间距为0.05英寸。Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)和PLCC封装。1990年代,尽管PGA封装依然经常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package(TSOP)成为高引脚数设备的通常封装。Intel和AMD的高端微处理器现在从PGA(Pine Grid Array)封装转到了平面网格阵列封装(Land Grid Array,LGA)封装。球栅数组封装封装从1970年代开始出现,1990年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中,晶片(die)被上下翻转(flipped)安装,通过与PCB相似的基层而不是线与封装上的焊球连接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列(称...
发布时间: 2019 - 01 - 09
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集成电路集成电路(英语:integrated circuit,缩写作 IC;德语:integrierter Schaltkreis),或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并时常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)[1][注 1]是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路[注 2]。本文是关于单片(monolithic)集成电路,即薄膜集成电路。从1949年到1957年,维尔纳·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·达林顿(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都开发了原型,但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖,但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯,却早于1990年就过世。
发布时间: 2019 - 01 - 09
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刻蚀刻蚀(英语:etching)是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误,将造成难以恢复的硅片报废,因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。[1] 刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻,光刻对材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清洁度。 但是,对于电子束刻蚀,由于电子的波长极短,因此分辨率与光刻相比要好的多。 因为不需要掩模板,因此对平整度的要求不高,但是电子束刻蚀很慢,而且设备昂贵。对于大多数刻蚀步骤,晶圆上层的部分位置都会通过“罩”予以保护,这种罩不能被刻蚀,这样就能对层上的特定部分进行选择性地移除。在有的情况中,罩的材料为光阻性的,这和光刻中利用的原理类似。而在其他情况中,刻蚀罩需要耐受某些化学物质,氮化硅就可以用来制造这样的“罩”。
发布时间: 2019 - 01 - 08
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掺杂 (半导体)掺杂(英语:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为简并半导体。载流子浓度掺杂物浓度对于半导体最直接的影响在于其载流子浓度。在热平衡的状态下,一个未经掺杂的本征半导体,电子与空穴的浓度相等,如下列公式所示:n=p=ni对于非本征半导体在热平衡的状态下,这个关系变为(对轻掺杂而言):n0 · p0=ni2其中n0是半导体内的电子浓度、p0则是半导体的空穴浓度,ni则是本征半导体的载流子浓度。 ni会随着材料或温度的不同而改变。对于室温下的硅而言, ni大约是1.5×1010cm-3 。通常掺杂浓度越高,半导体的导电性就会变得越好,原因是能进入导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性接近金属而被广泛应用在今日的集成电路制程来取代部分金属。高掺杂浓度通常会在n或是p后面附加一上标的“+”号,例如 n+ 代表掺杂浓度非常高的n型半导体,反之例如 p-则代表轻掺杂的p型半导体。需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体退化为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大。以一个有晶格结构的硅本征半导体而...
发布时间: 2019 - 01 - 08
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半导体光刻工艺 ——  光刻工艺步骤↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 25
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半导体清洗工艺 ——  RCA湿法清洗工艺↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 25
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