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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注南通华林科纳半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
新闻中心 新闻资讯
石英二元衍射光学元件制作工艺1.石英二元光学元件的制作二元光学元件的设计遵循光的衍射理论。衍射效率的高低是评价元件的重要指标。在表1中可见,理论上台阶级数越多衍射效率越高,但制作难度也加大,随之的制作误差也变大,它又将导致元件的衍射效率降低。根据我们现有的工艺手段和设备制作8个台阶的元件是比较合理的。 8个台阶的元件要经过一次曝光,两次套刻曝光,三次刻蚀才能完成,其整个过程如图1所示。 1.1基片预处理预处理主要是用各种方法洗净基片表面粘附的脏物,增加光刻胶与基片的粘附能力,避免脱胶现象发生。处理后基片表面要镀一层厚度为100~200nm的铬层。它既可以增强光刻胶的粘附能力,又可以作为对准标记,以便在套刻时有良好的观察对比度。1.2甩胶及前烘处理好的基片要涂上一层光刻胶,用它来传递掩模版上的图形,然后经过反应离子刻蚀(RIE)把图形传递到基片上,这里胶的厚度W是一个主要参数,它主要由刻蚀深度h和刻蚀选择比C决定W=Ch实验时决定胶厚的因素有甩胶机的转速、甩胶时间、胶的类型以及稀释程度等。对这些因素作适当的配合就可以得到理想的胶厚。甩好的基片要及时放到恒温箱中烘烤。1.3曝光及处理工艺衍射元件设计好后可以由计算机处理成图形数据。量化级数L与曝光次数N的关系为L=2N例如,制作8个相台阶的菲涅尔透镜就要曝光3次,对应3组图形数据。如果用激光直写制作DOE,就可由计算...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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化学气相沉积装置有机金属化学气相沉积装置达成上述目的,其特征在于包括:腔室,提供对基板进行处理的处理空间;气体供给部,向腔室的内部供给处理气体;以及基板支撑部,配置于腔室的内部,具备安装基板的收容槽,对基板进行加热;且在收容槽的内侧形成有安装基板的安装部,在安装部的边缘与收容槽之间形成有中间槽。在基板安装到安装部的情况下,中间槽的宽度可被所述基板遮挡60%至95%。中间槽可形成为内部的边角具有棱角的形态。在此情况下,中间槽的宽度可为1mm至3mm。从安装部的上表面测定的中间槽的深度可相对于从基板支撑部的上表面测定的中间槽的深度而为40%至80%。进而,基板可沿圆形的圆周面而在至少一部分具备平面,收容槽具备从边缘向内侧突出形成而防止基板旋转的突出部。此时,基板的平面可与突出部接触。在此情况下,基板的圆周面与平面接触的角隅区域不与突出部接触。突出部相对于安装部的中心的圆周角度可相对小于基板的平面相对于安装部的中心的圆周角度。进而,能够以可装卸的方式配置突出部。基板支撑部可包括安装基板并加热的加热器区块,从加热器区块的底部向上部形成插入槽,在插入槽的内侧具备测定加热器区块的温度的热电偶。从加热器区块的底部测定的插入槽的高度可相对于加热器区块的高度而为60%至90%。发明效果根据具有上述构成的,在基板支撑部的收容槽安装基板的安装部与收容槽的内表面之间形成中间槽,由此引导如颗粒等的异物形成到...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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MOCVD工艺1反应室流体力学模拟系统:反应室流体力学模拟子系统包括3个部分:(1)有限差分网格的自动剖分;(2)气流传输方程的求解;(3)模拟结果的可视化处理,各部分的关系及功能如图1所示,剖分模块可对任何结构的反应室按用户要求进行自动有限差分网格剖分,并产生剖分文件供模拟模块使用,模拟模块对传输方程在现有网格上进行快速求解,并存储数据文件供显示模块使用,显示模块可以=维填充或等值线方式显示速度分布、压力分布和温度分布,并可打印输出,亦可保存成图像文件。 生长高质量半导体薄膜的前提条件是反应室内的气流应为层流,最佳反应室结构是指能够产生层流分布的结构,最佳结构是相对的,与生长条件密切相关这就要求设计人员必须根据生长的材料系统及生长条件来设计反应室结构,2化学反应热力学模拟系统:对于MOCVD系统,在一定条件下,当反应物的消耗速率及生成物的产生速率近似相等时,就可以认为达到一种动平衡,这时热力学分析的相平衡理论就可以运用于系统,通常进行热力学分析有两种方法,一种是求解质量作用方程组,可得到系统中各物种于平衡态时的浓度;另一种是以系统相平衡时自由能最小为判据,同样可得到反应后组分,后者更适于处理复杂的多元复相系统,在开发热力学模拟系统时我们采用了后者,将自由能最小原理推广到多元复相系统,并将各种工艺参数对系统引起的物种分配变化,集成于一个模拟系统处理,采用目前比较先进的VC...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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滤波器结构:所设计的并联电感耦合波导滤波器采用了三谐振器电感膜片耦合的结构如图1所示。图1滤波器结构示意图滤波器是四面封闭、两端开口的腔体结构腔体内部全部金属化立体结构如图2所示。滤波器的设计尺寸为240mm×50mm×25mm频率140GHz带宽10GHz。图2滤波器立体结构示意图滤波器工艺路线:研制波导滤波器的工艺步骤如下(图3)备片硅片厚800m。刻蚀掩模制备由于刻蚀深度达800m,刻蚀掩模需要使用厚度大于3m的氧化层或0.5m厚的铝或铬层。光刻:光刻腐蚀氧化层形成深槽刻蚀掩模。刻蚀:ICP刻蚀硅刻蚀深度800m将硅片刻蚀穿通。键合硅片去除刻蚀掩模后采用阳极键合技术封闭滤波器的底面。金属化溅射Au使硅结构表面金属化电镀加厚金属厚度3~8m。键合采用Au-Si共晶键合技术封闭滤波器的顶面,完成滤波器的芯片加工。划片通过划片工艺获得设计外形尺寸的THz滤波器样品。关键工艺技术:THz滤波器要求刻蚀深度深、四面封闭、内部金属化等。相较一般的体微加工工艺有其特殊性和难度主要的关键工艺技术有硅深槽刻蚀、腔体内部金属化和三层键合工艺。硅深槽刻蚀技术:采用等离子刻蚀机研究硅深槽刻蚀的两个关键问题掩模的选择和横向腐蚀的控制。试验表明厚度大于3m的热氧化硅或0.5m的金属铝或铬膜可以满足刻蚀硅通孔的要求同时深槽刻蚀需要提高刻蚀速率以满足刻蚀800m硅通孔的要求。最终的工艺加...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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LED湿法清洗设备主要由供液机柜、供液源、输送单元、输送管路、电气控制、排风装置、漏液检测等部分组成。供液机柜:供液机柜通常由耐腐蚀的PP(聚丙烯)材料焊接而成,机柜上设有进风口及排风装置。排风装置除将酸、碱腐蚀气体及时排出供液机柜外,还可以降低机柜内挥发出的有机溶剂浓度,避免发生燃烧和爆炸。同时排风口装有风压检测传感器,当厂务端排风出现故障时,发出警报,以利维护人员及时处理。在供液机柜内一般设计有滚轮机构,方便更换供液桶。机柜内设有水枪,用于腐蚀液的冲洗。腐蚀区与供液泵、控制系统之间物理隔离,以避免电子元器件及金属零件等被腐蚀。供液源:LED工艺线上供液源采用容积为20L的供液桶,供液桶为标准尺寸的耐腐蚀塑料桶,通常一种化学液配备两只供液桶,两只供液桶一用一备,交替进行工作,实现不间断供液。输送系统:化学液输送方式分泵浦输送和惰性气体输送。泵浦输送是利用泵的压力做动力来输送化学液,其特点是:化学液可进行过滤处理,输送产生脉动较大,适用于长距离输送。惰性气体输送是利用气体的压力做动力来输送化学液。惰性气体一般采用高纯氮气。该方式的特点是:不易和化学液反应,输出流量小,需要压力操作容器,结构复杂,易产生故障。CDS较多采用泵浦输送方式。输送系统包括供液泵、过滤器、流量计等。由于气动隔膜泵或气动风囊泵采用压缩空气为动力源,它的剪切力低、流量大、杨程高、工作中不产生火花、不产生热量。因此...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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GaN芯片制造流程1. GaNITO芯片前道流程:1.1GaN芯片前道流程演示图:2. GaNITO芯片后道流程:2.1. GaN芯片后道流程演示图:免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系作者删除。
发布时间: 2021 - 04 - 08
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HB法制备GaAs的工艺流程:①装料:As量要比化学计算的量要稍多一些②加热除去氧化膜Ga:高真空下,700℃,2hAs:高真空下,280℃,2h③用液氮或干冰将Ga凝固,撞破石英隔窗,将反应管放入炉中④升温:低温炉617℃,高温炉1250℃⑤移动熔区合成好熔体⑥生长单晶,⑦降温:先将高温区降至610℃,再同时降温至室温HB法优缺点:优点:设备简单,生长系统中温度梯度小,可生长低位错密度单晶缺点:①粘舟,产生缺陷生长截面D形,加工成圆片材料损失②难以生长非掺杂半绝缘GaAs单晶③难以生长大直径75mm液态密封法LEC、LEP:是对CZ技术的一项重大改进基本原理:用一种惰性液体覆盖着被拉制材料的熔体,生长室内充入惰性气体,使其压力大于熔体的离解压力,以抑制熔体中挥发性组元的蒸发损失,这样就可按通常CZ技术拉制单晶液态密封法中所用覆盖剂应满足条件:1.密度小于拉制材料2.对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的,而且熔体中溶解度小3.熔点低于被拉制材料熔点,且蒸汽压低,易去掉4.有较高纯度,熔融状态下透明B2O3满足上述要求LEC法生长GaSb熔点低,用1:1KCl+NaCl作覆盖剂LEC法工艺流程:1.装料:一石英杯装Ga,一石英安瓶装As,石英坩埚中装B2O32.抽真空下,B2O3加热脱水900-1000℃,Ga杯,As瓶烘烤除去氧化膜3.降温至600-700℃,将Ga倒入坩埚内沉没在B...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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高功率模块具备半导体功率器件的特性测试功能,主要通过PCI总线与主控机进行通信,实现对半导体功率器件的电激励功能和电测量功能。相关参数和指标下:最大驱动电压:±200V最大驱动电流:±1A最小驱动电压:±2V最小驱动电流:±1nA电压测量分辨率:2uV电流测量分辨率:10fA最大功率:20W由于高功率模块对测试电压和测试电流的分辨率要求很高,经过理论计算最低需要18位AD。经过了大量的理论研究和分析,并综合考虑系统噪声、AD的低端数据丢失等因素的影响,最终选择了待测件的I-V曲线,用户可以根据I-V曲线了解待测件的相关电气特性。在进行半导体功率器件参数测试过程中,必须保证程控恒压源、恒流源的高度稳定性。为此,高功率模块采用了双控制环路的方法,使用FPGA[3]控制,实现恒压源或恒流源的稳定输出。当采用恒压源作为半导体功率器件激励源时,恒流负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒压负反馈控制环路实现恒压控制;相反,当采用恒流源作为半导体功率器件激励源时,恒压负反馈控制环路处于关闭状态,利用恒流负反馈控制环路实现恒流控制。其具体原理框图如图2所示。 全范围大动态控制调整及斜坡补偿技术:高功率模块开关电源根据输出电压和负载变化,通过反馈闭环回路[4]调整开关管的工作占空比实现稳压输出,反馈闭环回路是否稳定决定了高压电源输出电压的稳定度和工作的可...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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多量子阱层和电子阻挡层;在电子阻挡层上生长高温P型层,高温P型层由多个周期的超晶格结构组成,每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力;在高温P型层上生长P型接触层。InGaN层的生长温度为800~1000℃。BGaN层的生长温度为900~1100℃。InGaN层的生长压力为400~600torr。BGaN层的生长压力为100~200torr。InGaN层和BGaN层的厚度相等。高温P型层的厚度为50~300nm。高温P型层包括n个周期的InGaN/BGaN超晶格结构,2≤n≤20。InGaN层为In x Ga 1-x N层,0BGaN层为B y Ga 1-y N层, 0 . 05        图1图2图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图;图2是例提供的另一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图。图1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图,如图1所示,该制造方法包括:衬底可以为蓝宝石衬底。步骤102、在衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和电子阻挡层。 低温缓冲层可以为GaN缓冲层,厚度为20~50nm。三维成核层可以为GaN层,厚度为400~60...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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单面抛光机制作工艺PG-510型单面抛光机的主要结构特点:PG-510型单面抛光机的结构组成主要由抛光盘组件、抛光头组件、抛光液流量控制系统、晶片纯水冲洗系统、电气控制系统、操作系统等组成。抛光盘组件的结构及特点:抛光盘组件主要包括抛光盘部件、主轴系统、抛光盘驱动系统、抛光盘温度控制系统组成。PG-510型单面抛光机抛光盘组件的整体结构如图2所示:抛光盘组件是抛光机的核心部件,他的主要功能是抛光过程中带动粘贴在抛光盘表面的抛光垫作平稳旋转,从而实现CMP工艺过程中磨料对材料表面化学反应物的磨削去除作用。抛光过程中,不同的阶段对抛光盘的转速要求也不尽相同,在抛光的初始阶段,由于材料表面粗糙度较低,极易造成抛光垫的快速磨损和损伤,一般要求抛光盘要慢启动低转速,而在抛光的中间过程,为了提高抛光效率达到较高的去除率,要求抛光盘的转速相对较高,在抛光结束时为了防止纳米级的抛光表面被划伤,则要求抛光盘能够实现低转速慢停止,整个抛光过程中抛光盘的速度曲线为梯形,如图3所示。PG-510型单面抛光机的抛光盘驱动采用变频器与三相异步电机来完成,可实现平稳启动和停止的工艺要求,控制采用PLC模拟量加数字量控制,模拟量控制转速,数字量控制方向,整个抛光过程中抛光盘的速度最多可分为十个阶段,不同阶段可设定不同转速,整个过程中速度的变换由程序自动控制完成。PG-510型单面抛光机抛光盘的速度控制范围为:0~...
发布时间: 2021 - 04 - 08
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