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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注南通华林科纳半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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目录设备规范1.设备概述2.清洗槽构成3.设备构成4.设备动力条件5.附加材料6.其它承诺7.工艺及安全8.设备可靠性保障措施9.设备出厂须经客户检验合格10.安装说明11.设备主要配置清单12.类似设备照片1.概述1.1设备概要设备类型:手动清洗槽:清洗槽两个(水洗与酸洗共用)+配酸槽一个1.2设备特点:·清洗能力强,性能稳定,安全可靠;·设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;·技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作;·清洗形式:①酸洗时:浸泡+工件自旋转②水洗时:浸泡+溢流+工件自旋转。·上下料由人工完成·清洗能力:炉管:2个/次;晶舟:1个/次1.3本体:面向设备,靠近操作侧外侧为炉管清洗槽,内侧为配酸槽,左侧为晶舟清洗槽。本体尺寸约为:3400X1800X2100mm长x宽x高),如附图所示药液、废水分别独立排放本体为碳钢骨架外包耐腐蚀 PP材料(德国进口聚丙烯)焊接而成,耐强酸碱本体操作侧有透明 PVC门,形式为上下升降式本体设有手动调节风门,手动调节可锁定本体内操作侧附近设有水枪与氮气枪各2套本体台面高度约950mm本体配备防酸日光灯,万向脚轮与调整地脚2. 清洗槽构成  注:当清洗槽注满水时,整个炉管被水完全浸没。2.1清洗槽(1#):·内槽尺寸:2300*700...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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镀膜后清洗机一、入料→切液1→溶剂滚刷洗→切液2→DI水喷淋洗→DI水超声波清洗→DI水滚刷洗→切液3→BJ清洗→DI水喷淋洗→DI水冲洗→风刀干燥→下片含除静电装置循环使用并溢流水方向:DI水冲洗(可控制入水量1015L/Min范围)→DI水喷淋洗B(水箱)→BJ清洗(水箱)→DI水滚刷洗(水箱)→DI水喷淋洗A(水箱)→排水管二、清洗工件规格及描述基板尺寸:250mm×250mm(最小);650mm×650mm(最大)基板厚度:0.41.1mmITO玻璃特征:玻璃表面已双面镀了ITO,经本设备清洗后到需方的设备进行喷油(墨)等表面处理.三、设备的能力输送高度930±30mm百级间高度工作宽度700mm(有效最大:650mm)传动方式伞齿轮传动(外传动)输送速度1~3m/min(变频无级可调)(客户正常使用:2.5~3m/min)输送方向左进右出设备尺寸9615(长)1580(宽)1300(高)(mm)(不含电控柜,风柜)四、耗用资源总耗电量182KW总耗气量20003000NL/Min由客户提供0.4MPa以上的洁净压缩空气纯水耗量1015L/Min由客户提供15兆以上纯水总抽气量80M3/Min压力≥750Pa由客户提供抽风系统五、其它选项(一)用电安全1.设备采用三相380V,50HZ,并且...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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目   录 一、 FSI清洗机介绍: 二、 FSI组成及结构功能: 三、 软件操作介绍: 四、 程序以及输出功能: 五、 流量控制: 六、 Chemical Auto fill功能介绍: 七、 常见故障以及维修方法:一、 FSI清洗机介绍 FSI用途:FSI用于圆片的表面清洗系统,可以去除颗粒、金属离     子以及剥离部分氧化膜;  FSI设备全称: MERCURY MP Surface Condition Division System, FSI公司早期的Spray System Product; FSI工作原理:在密封的Chamber中,圆片对称放在Turntable 上,在Turntable的旋转的同时利用N2把Chemical形成高雾化或者低雾化喷洒在圆片表面,有两个喷嘴:Spray post 和 Side-bowl spray post,...
发布时间: 2021 - 03 - 03
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窄带滤光片是用于密集波分复用光纤通信系统,是其关键器件之一,它通常是全介质滤光片,也就是间隔层与反射层都是由镀制介质薄膜形成,其特点是镀制难度高,成品率低,成本高等。窄带滤光片的原理  1、光波中的电磁波理论  从理论上讲,窄带滤光片的光学特性研究,就是电磁波通过多层介质薄膜间传播的研究。因此,麦克斯韦方程组是处理光学薄膜系统问题的Z基本的方法。  2、在介质界面上光波的反射与折射  有若干介质界面存在于光学膜系中,各介质界面上的反射和折射规律关系到膜系的光学性质与光波。须考虑光波从复折射率的介质入射到该介质时,与另一介质的复折射率界面的反射和折射过程。  3、光学薄膜的特征矩阵  对于无吸收的介质光学薄膜,其特征矩阵的显著特点从三方面考虑:行列式值为1,即单位模矩阵;对角元素或者是实数,或者是纯虚数;Z重要的是主对角线上的元素相等。在有效的光学厚度为四分之一波长的整数倍时,特征矩阵变得非常简单。窄带滤光片的发展现状  为了适应我国光通信业高速发展的实际需求,通过对窄带滤光片的优化结构、设计、分析和修正技术进行深入研究,在滤光片的主膜系镀制工艺技术方面有所突破;实现了改造进口设备性能,完成了镀膜材料的部分国产化;了解了高致密性、低损耗膜层的制备技术,还有高精度实时监控技术;生成提高了镀制后的减薄、抛光和划片工艺;建立完善了检测系统。  同时还形成了一套较为完整的光通信,用于窄带滤光...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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窄带滤光片是用于密集波分复用光纤通信系统,是其关键器件之一,它通常是全介质滤光片,也就是间隔层与反射层都是由镀制介质薄膜形成,其特点是镀制难度高,成品率低,成本高等。所以首先由电磁场传播的麦克斯韦方程出发,理论分析了薄膜的光学特性系统。然后考虑了间隔层厚度、反射层的反射率对滤光片光谱特性的影响。结合给定的技术指标,按照法布里-珀罗多层介质薄膜滤波器的原理,设计出一种可用于光通信密集波分复用系统的窄带滤光片,并利用离子束溅射镀膜机在玻璃基片上完成滤光片的镀制,并且所镀制出的滤光片符合设计指标的要求。一、窄带滤光片的研究现状为了适应我国光通信业高速发展的实际需求,通过对窄带干涉滤光片的优化结构、设计、分析和修正技术进行深入研究,在滤光片的主膜系镀制工艺技术方面有所突破;实现了改造进口设备性能,完成了镀膜材料的部分国产化;了解了高致密性、低损耗膜层的制备技术,还有高精度实时监控技术;生成提高了镀制后的减薄、抛光和划片工艺;建立完善了检测系统。同时还形成了一套较为完整的光通信,用于窄带干涉滤光片产业化生产技术。并实现了100GHz和200GHz产品批量化生产,经检测产品质量稳定,通过国内外用户试用,窄带干涉滤光片产品的总体性能及生产技术均已达到国际先进水平。二、窄带滤光片在WDM系统中的应用作为波分复用系统的核心器件,复用/解复用器是将不同波长的光信号汇集到一根光纤输出的器件,称为复用器,...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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背景技术随着经济的发展,电力负荷不断增长,对电网的输送能力提出了更高的要求。尤其是对电力系统潮流控制、电压控制及短路电流控制的需求越来越多,因此柔性交流输电(Flexible AC Transmission Systems,FACTS)装置在电力系统中的应用越来越多。FACTS根据与电网连接的方式可以分为串联装置、并联装置及串并联装置。目前应用的串联型柔性交流输电装置包括:串联补偿装置和串联谐振型故障电流限制装置,其示意图如图1所示。图中,31为输电线路一侧的母线;36为输电线路另一侧的母线,32为输电线路一侧的线路开关;35为输电线路另一侧的线路开关,33为输电线路,34为所安装的串联型装置。由于装置串联在线路中,故其对地的绝缘要求与线路对地的绝缘要求一致,为降低工程造价,将串联装置安装在钢结构的绝缘平台上,绝缘平台再由支柱绝缘子、斜拉绝缘子固定。故串联装置与地面便不存在电气联系,绝缘要求由支柱绝缘子和斜拉绝缘子来满足,而装置仅需考虑对绝缘平台的绝缘要求,大大降低了串联装置本身的绝缘水平。考虑到串联型柔性交流输电装置串联在线路中,为确保主设备正常运行,需要配置过电压保护设备,针对这些一次主设备还需配置相应的二次保护,进而需要采集绝缘平台上对应的电气量,并将这些电气量传递给地面的保护装置,作为保护装置进行逻辑判断的依据。对于串联补偿装置,其配套的二次保...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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1.1宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外,其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍,因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC,它的热导率和击穿电场都不高,因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始,化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。1.2主要的宽禁带半导体材料近年来,发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN,其中SiC的发展更早一些,碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示:如上图所示,SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs,相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓,宽禁带半导体的最高工作温度要...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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湿法刻蚀是化学清洗方法中的一种,是化学清洗在半导体制造行业中的应用,是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。其基本目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形,有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀,这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。从半导体制造业一开始,湿法刻蚀就与硅片制造联系在一起。虽然湿法刻蚀已经逐步开始被干法刻蚀所取代,但它在漂去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀应用等方面仍然起着重要的作用。与干法刻蚀相比,湿法刻蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设备简单。1 湿法刻蚀及其应用1.1湿法刻蚀湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解,然后转成可溶的化合物达到去除的目的。湿法刻蚀是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀,等离子刻蚀等。湿法刻蚀这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应,因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。1.2 湿法刻蚀的过程(1)反应物扩散到欲被刻蚀材料的表面;(2)反应物与被刻蚀材料反应;(3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中,随溶液被排出。在上述三步反应中,进行速度最慢的就是控制刻蚀速率的步骤,也就是说,该步骤的进行速率就是反应速率...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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背景技术滤光片可以用来选取所需要辐射的波段,从而广泛应用于相机等光学仪器。滤光片在组装时,需要使用UV胶将滤光片粘在镜座上。操作时,先在滤光片表面点胶,胶水固化后即可将滤光片固定至镜座。然而,由于胶水在镜片的表面扩散较快,胶水在固化前会溢出到滤光片的有效区域,从而影响成像质量。基于此,有必要提供一种可防止滤光片溢胶的滤光片表面处理方法。一种滤光片表面处理方法,包括以下步骤:将滤光片放入含有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡;使用甩干机甩干所述滤光片,其中,所述增稠剂选自OES液体增稠剂、瓜胶、阿拉伯胶及聚丙烯酸钠中的至少一种,所述无机盐选自氯化钠、氯化钾、氯化镁及氯化钙中的至少一种。在其中一个实施例中,所述清洗液中所述增稠剂的质量浓度为30mg/L~500mg/L,所述无机盐的质量浓度为10mg/L~100mg/L。在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有表面活性剂。在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。在其中一个实施例中,所述阴离子表面活性剂为烷基磺酸钠或脂肪醇硫硫酸纳。在其中一个实施例中,所述清洗液由含有增稠剂和无机盐的洗洁精与水混合形成,其中,所述水与所述洗洁精的体积比为1000:1.5~1000:1。在其中一个实施例中,所述甩干机的转速为35转/秒~50转/秒。在其中一个实施例中,所述滤光片表面处理方法还包括步骤:在将滤光片放入有增稠剂和无机盐的...
发布时间: 2021 - 03 - 02
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随着集成电路器件的纳米化、高密度化、高集成度及多层金属互连的进步,半导体技术节点越来越先进,对实际制造的多个关键环节也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。据2019年1月28日报道,台积电南科14厂发生一起不合格原料污染事故,预估损失上万片晶圆,受到影响的主要是16/12nm工艺。NVIDIA的GPU芯片、海思、联发科的手机芯片以及一些ARM服务器处理器都使用了这一工艺,这也是台积电的主要营收来源之一。台积电发生的污染源已被确认,分别为前段刻蚀的铁离子污染和光刻胶原材料污染。前段晶体管受到污染可能会导致器件发生不正常的漏电,进而影响产品的良率、电学性能和可靠性。2019年2月15日,台积电坦承,受到南科14厂污染事件影响,本季营收将减少约5.5亿美元。受到影响的客户包括辉达、联发科、海思和赛灵思等重量级客户,其中辉达的投片量超过上万片。考虑到此次事故涉及的是相对先进的16/12nm工艺,加上受到影响的股价大跌,台积电的实际损失有可能超过了40亿美元。如果再算上事故造成的停机以及产能和交付上的损失,则后果将更加惨重。 这一事件非常强烈地传递了这样一个信号,随着集成电路特征尺寸越来越小,半导体器件对生产工艺过程中的颗粒、有机残留物、杂质等污染物及湿法清洗的去除能力、缺陷控制、关键尺寸调控等的...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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