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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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国外经典半导体工艺视频:晶圆表面电路的设计(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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华林科纳晶圆电镀设备分两个系列, CPE(半自动)/CPEA(全自动),主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀; 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。 更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 11 - 02
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刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉,即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构,它对集成电路图形结构的形成,如各层薄膜的图形及掺杂区域等,均起着决定性的作用。 光刻的基本流程:前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面,硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性,具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要,所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体(如氮气)的烘箱或者真空烘箱中完成,实际的烘焙温度是可变的,常用的温度是200—250℃。脱水后的硅片马上要用OAP (常用HMDS溶液:六甲基二硅胺烷)成底膜进行表面处理,它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后尽快涂胶,使潮气问题达到最小化。成底膜的方法有:1、滴浸润液和旋涂:温度和用量容易控制,但系统需要排液和排气装置,HMDS溶液消耗量大。2、喷雾分滴和旋转:优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除,缺点是处理时间长和HMDS消耗大。3、气相成底膜和脱水烘焙:最常用,气相成底膜一般200—250℃下约30S完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能,HMDS的消耗量也小。一种方法是先进行脱水烘焙,再将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜,这种方法优点是硅片由里向外烘焙,低缺陷密度,均匀加热和可重复性。另一种方法是以...
发布时间: 2016 - 07 - 25
浏览次数:281
超声清洗的物理机制主要是超声空化,所以要达到良好的清洗效果必须选择适当的声学参数和清洗剂的物理化学性质。  声强。声强愈高,空化愈强烈。但声强达到一定值后,空化趋于饱和。声强过大会产生大量气泡增加散射衰减,同时声强增大会增加非线性衰减,而减弱远离声源地方的清洗效果。  频率。频率越高空化阈愈高,也就是说要产生声空化,频率愈高,所需要的声强愈大。例如在水中要产生空化,在400kHz时所需要的功率要比在10kHz时大10倍。一般采用的频率范围是20—40kHz。低频空化强度高,适用于大清洗件表面及污物与清洗件表面结合强度高的场合,但不易穿透深孔和表面形状复杂的部件,且噪声大;较高频率虽然空化强度较弱,但噪声小,适用于较复杂表面形状、狭缝及污物与清洗件表面结合力弱的清洗。声场分布。稳定的混响场对清洗有利,如果清洗槽中有驻波声场,则因声压分布不均匀,清洗件得不到均匀的清洗。因此,在可能的条件下,槽的几何形状要选择适合于建立混合声场的形状。除此以外,可以采用双频、多频和扫频工作方式以避免清洗“死区”。  清洗液的温度。温度升高液体的表面张力系数和粘滞系数会下降,因而空化阈值下降,使空化易于产生;但由于温升,蒸汽压增大会降低空化强度。水的较佳温度为60摄氏度,不同的清洗剂有不同的最佳温度。  粘滞系数。粘滞系数大的液体难于产生空化,而且传播损失也加大,不利于清洗。  蒸汽压。蒸汽压低,空化阈高...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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稀释酸清洗工艺是在200mm和300mm晶圆的两套不同的FSI ZETA?/SUP喷雾清洗系统上进行的。200mm系统如图1所示。在PFA处理盒里,晶圆必须保持水平。200mm系统可处理4篮晶圆,每篮25片,而300mm系统可处理2篮,每篮25片。篮子放置在旋转速度高达500rpm的PFA转盘上。旋转的晶圆篮放在有密封塞的氮气净化腔内。化学试剂,清洗水和氮气由附在腔盖的中心喷洒柱喷出,液体从边上的喷洒柱喷向净化腔的墙壁。化学试剂使用混合分管进行混合和稀释。混合比例由工艺配方确定,并由精确的流程控制器进行严格控制。 使用IR发热器来控制试剂喷进腔前的温度。试剂流经晶圆表面的温度由安装在腔内的温度计严格监视。这种测量法可使工艺最优化,或者在精密的刻蚀应用中,可用来控制刻蚀时间以取得所需的刻蚀成度。本文中,我们用稀释的H2SO4, H2O2和HF混合物来去除铝线条(M1和M2),氧化层通孔及键合焊盘窗口的残留物。在所有情况下,无需进行主动的温度控制就可以取得良好效果。化学试剂在混合后温度达35℃, 在雾化发送进腔内的过程中降温. 晶圆表面温度经过3分钟的处理,慢慢地从室温升至25℃左右。在M1和M2的清洗中,我们也检测了在处理晶圆前先把混合物冷却至25℃,如下所述。表1列示出用于本操作中的喷雾时间范围,试剂的温度及浓度的范围。M1金属叠层包括一个位于Al-Cu-Si合金下的 T...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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蓝宝石晶片的净化包括清洗方式、清洗剂的配方、清洗设备、清洗环境和清洗工艺。清洗方式主要分为湿式清洗和干式清洗, 目前湿式清洗在蓝宝石晶片表面净化中仍处于主导地位。下面主要就蓝宝石晶片的湿式清洗的清洗剂性质、清洗设备、清洗环境分别阐述。    清洗剂的性质          清洗剂的去污能力, 对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响, 根据蓝宝石晶片清洗目的和要求, 选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水溶剂、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等七大类清洗设备     ●超声波清洗机  超声波清洗机是微电子工业中广泛应用的一种清洗设备, 超声波的清洗原理是: 在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为20-40kHz), 清洗剂内部会产生疏部和密部, 疏部产生近乎真空的空穴, 当空穴消失的瞬间, 其附近便产生强大的局部压力, 使分子内的化学键断裂, 从而使蓝宝石晶片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空穴的振动频率共振时,...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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1 引言       目前,半导体行业中广泛使用的清洗方法仍是RCA(美国无线电公司)清洗法。但在向下一代65nm节点的迈进中,新结构的纳米器件对于清洗设备不断提出了新的挑战,因而对硅片表面各种污染物的控制规定了纳米微粒去除的特殊要求。根据国际半导体技术发展路线图计划,当半导体器件从90nm提升到65nm工艺时,必须将清洗过程中单晶硅和氧化硅的损失量从0.1nm减小到0.05nm[1]。       这就对新一代清洗设备和清洗技术提出了无损伤和抑制腐蚀的新工艺要求,所以研发新颖的、合适的硅片表面的纳米微粒清洗技术势在必行。2 传统的硅片湿法清洗和干法清洗技术2.1 污染物杂质的分类       根据污染物产生的原因,大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。       (1)颗粒:主要是一些聚合物、光致抗蚀剂等。颗粒的存在会造成IC芯片短路或大大降低芯片的测试性能[2]。       (2)有机物杂质:它在硅片上以多种方式存在,如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:       A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。         B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。          C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污。        硅片表面金属杂质沾污有两大类:一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。        硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。      ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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硅片的表面受到比较严重的污染,这时候可以考虑使用如下几种化学清洗方法进行清洁:       a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。       b.用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子,使之溶解于清洗液中。       c.用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:       ⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。       ⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。       ⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)。  &#...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:154
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