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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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红外截止滤光片是一种允许可见光(400nm-700nm)透过,而截止或反射近红外光(700nm-1100nm)的光学滤光片,广泛应用于数码相机、手机摄像头、电脑摄像头等数码成像领域,在摄像镜头和CCD/CMOS图像传感器之间加上红外截止滤光片,能滤去通过摄相镜头的高频段光波,只让一定范围内的低频光波通过,从而有效地滤除红外光波,消除其对CCD/CMOS成像的干扰,提高成像的分辨率和色彩还原性,使图像清晰且稳定。传统的红外截止滤光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的红外截止膜,利用多层膜的干涉实现截止红外光、透过可见光的功能。但这种红外截止膜只考虑到可见光在垂直入射时的透过效果,而忽视了大角度入射时的透过率,并且在大角度入射时传统红外截止膜的波长偏移会导致红光部分的严重损失,成像质量严重下降。另一种是蓝玻璃红外截止滤光片,通过在蓝玻璃表面镀制红外截止膜来达到截止红外波的效果。这种蓝玻璃红外截止滤光片虽然解决了斜角度入射时光谱偏移的问题,但它从红光处便开始吸收光波一直延伸到红外光,造成部分可见的红光被过滤,红光的损失会造成色彩还原性的降低,从而影响相机的成像质量。而且蓝玻璃本身原材料成本高,目前还不利于在低端产品上大量普及。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述问题,而提供一种色彩还原度高、成像效果好、成本低廉的红外截止滤光片。本实用新型的技术方案是...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶,后者称负性光刻胶),使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上;最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上,它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺:经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺:利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。基本步骤1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙(PEB)6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查准分子光刻技术准分子光刻技...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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典型光电行业用超纯水设备工艺光电行业用超纯水设备采用PLC+触摸屏控制,全套系统自动化程度高,系统稳定性高。大大节省人力成本和维护成本,水利用率高,运行可靠,经济合理。使设备与其它同类产品相比较,具有更高的性价比和设备可靠性。典型光电行业用超纯水设备工艺  1、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→粗混合床→精混合床→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(传统工艺)。  2、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯化水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(最新工艺)。  3、预处理→一级反渗透→加药机(PH调节)→中间水箱→第二级反渗透(正电荷反渗膜)→纯水箱→纯水泵→EDI装置→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥17MΩ.CM)(最新工艺)。  4、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(最新工艺)。  5、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→纯水泵→粗混合床→精混合床→紫外线杀菌器→精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(传统工艺)。 光电行业用超纯水对水质的要求新兴的光电材料生产、加工、清洗:LCD液晶显示屏、PDP等离子显示屏、高品质灯管显像管、微...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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(一)什么是薄膜面板薄膜面板是在PET、PC、PVC等弹性聚酯薄膜材料上,运用丝印技术把图形、文字、标识集于一体并配以不同材质的双面胶制作而成的具有一定功能字用于家用电器、通讯设备、仪器仪表、工业控制等领域。在业界,我们把薄膜面板通称为薄膜开关面板,在不同的行业中,薄膜开关面板有不同的叫法,比较常见的有以下几种:1)薄膜开关2)薄膜轻触键盘3)盘膜4)面膜5)塑贴6)按键开关7)面贴8)触摸开关等。薄膜面板的印刷工艺要分为正面和反面印刷,分别应用于不同材质和类型的薄膜面板上。大致可以分为平面类和压鼓类。平面类薄膜面板是最简单的面板类型,主要是用不同颜色的文字、线条、色块对各个功能部位加以指示或加以区分,用户可以根据自身的需要来选择不同的薄膜材料及双面胶。压鼓类薄膜面板是在平面型薄膜面板的基础上新开发出的一种较为美观而且实用的面板。它的制作流程是,是在普通面板的基础上,通过一种压制模具,将面板经过热压后使按键部位微微凸起形成立体按键。这种立体键不仅能准确地给定键体的范围,提高辨认速度,使操作者的触觉比较敏感,同时还增进了产品外观的装饰效果。(二)制作薄膜面板的要求面板薄膜是将彩色油墨丝印至透明高分子聚合物背面,一旦丝印完成并切割成形,此层就成为彩色面膜层。面膜层为薄膜开关的组成部分,它能清楚地显示开关的功能、显示颜色、面膜类型以及开关的操作位置,它还能起保护作用。作为薄膜开关的面板,...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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薄膜面板各部分组成材质什么叫薄膜面板通称的PVC面板薄膜面板名称常见薄膜开关面板各部分组成材质一、面板层二、垫胶层三、控制电路上层和下层四、夹胶层五、背面胶层什么叫薄膜面板通称的PVC面板薄膜面板名称常见薄膜开关面板各部分组成材质一、面板层二、垫胶层三、控制电路上层和下层四、夹胶层五、背面胶层薄膜面板是在PVC、PC、PET等软性塑胶材料丝印上既定的图形、文字说明等并配以不同材质的双面胶制作而成的用于起标识或保护作用的塑胶制品。薄膜面板采用不同的材料,决定了它的价格与性能,采用丝印工艺制作出来的薄膜面板,最大的特点在于:1,字清晰直观的图形和文字,并能适应不同的平面和弯曲平面。2,不同材料的选择,可使PVC、PC、PET等材料。3,薄膜面板具有:防水、防变形、防污染、防高温、粘性极强等特点。一、面板层面板层一般在低于0.25MM的PET、PC等无色透光片材丝印上精美图案和文字制作而成,因面板层最主要的作用在于起标识和按键作用,所以选用材料必须具有高透明度、高油墨附着力、高弹性、防折性等特点。二、垫胶层垫胶层最主要的作用是将面板层与电路层紧密相连,以达到密封和连接的效果,此层一般要求厚度在0.02---0.05MM之间,具有高强的粘性和防老化性;在生产中,一般选用专用的薄膜开关双面胶,有些薄膜开关要求能防水防高温,因此垫胶层也必须根据需要而使用不同性质的材料。三、控制电路上层和下层此...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。一、晶圆制造在这里,我们以最为复杂的晶圆制造(前道)和传统封装(后道)工艺为例,说明制造过程的所需要的设备和材料。晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀(Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metalization)。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备,满足不同的需要。例如在光刻区,除了光刻机之外,还会有配套的涂胶/显影和测量设备。二、封装传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造(前道)相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。三、半导体工艺解析半导体制造工艺是集成电路实现的手段,也是集成电路设计的基础。自从1948年晶体管发明以来,半导体器件工...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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同刻蚀一样,干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中.并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态,因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化(ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中,等离子体由微波,射频和UV臭氧源共同作用产生。等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作。缺点是对于金属离子的去除没有效果。在等离子体场中没有足够的能量使金属离子挥发。需要对等离子体去胶的另一个考虑是高能等离子体场对电路的辐射损伤。采用将等离子体发生室从去除反应室移开的系统设计来减小这个问题。因而称其为下游去除机(downstream strip,这是因为等离子体在晶的下游产生。MOS晶圆在去胶中对辐射影响更加敏感。工业对干法等离子体工艺取代湿法去除期待已久。然而,氧等离子体不能去除移动离子的佥属污染.并且有一定程度的金属残留和辐射损伤,这使得湿法去除或湿法/于法结合继续保持着光刻胶去除工艺的主流。等离子体去除被用于硬化的光刻般层,然后以湿法来去除未被等离子体去掉的残留物。有专门的湿法去胶机处理这些硬化的光刻胶层。两个有问题的地方是离子注人后光刻胶的去除和等离子体去除之后,离子注人导致强烈的光刻胶聚合并使表层崆化。一般地,用十法工艺来去除或减少光刻胶,然后再加以湿法上艺...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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一、引言在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯和奎斯特报告了砷化镓材料的光发射现象,这引起通用电气研究实验室工程师哈尔的极大兴趣,在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后,哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划,并与其他研究人员一道,经数周奋斗,他们的计划获得成功。从此拉开了研究半导体激光器的序幕。像晶体二极管一样,半导体激光器也以材料的P—n结特性为基础,且外观亦与前者类似,因此,半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。本文对半导体激光器的原理,发展以及应用等作简要介绍。二、半导体激光器原理半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器,一般是由GaAs(砷化镓),lnAs(砷化铟),InSb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。三、半导体激光器的发展2O世纪6O年代初期的半导体激光器是同质结型激光器,它是存一种材料上制作的PN结二极管在正向...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体工艺-----光刻刻蚀一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下二、光刻工艺步骤1.清洗硅片通过化学清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、杂质颗粒,减少针孔和其他缺陷从而提供光刻胶粘附性2.预烘和底膜涂覆使用HMDS作为底胶,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脱水烘焙去除圆片表面的潮气3.光刻胶涂覆硅圆片放置在高速旋转的真空卡盘上,将液态光刻胶滴在圆片中心,光刻胶以离心力向外扩展从而均匀涂覆在圆片表面。4.前烘促进胶膜内溶剂充分挥发,使得胶膜干燥,增加与其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙时间不宜过长,温度不宜过高。5.对准为了成功在硅片上形成图形,必须把硅片上的正确图形与掩膜版上的图形对准,套准精度是测量对准系统把版图套刻到硅片上图形的能力。6. 曝光7.后烘光刻胶分子发生热运动,过曝光和欠曝光的光刻胶分子发生重分布,通过后烘可以平衡驻波效应(入射光与反射光干涉现象),提供分辨率8.显影通过显影、漂洗、干燥达到显影液溶解掉光刻胶中软化的部分的目的9.坚膜温度通常要高于前烘温度100-130℃,时间2分钟。蒸发光刻胶中所有有机溶剂、提高刻蚀和注入的抵抗力、提高光刻胶和表面的粘附性、聚合和使得光刻胶更加稳定、光刻胶流动填充针孔10.图形检测通过SEM、OM检测,若出现问题如;未对准、掩膜旋转、晶圆旋转、X/Y方向错位、临界尺寸、表面不规...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。 光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直 径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning ) 光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking) 方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气保护) 目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。 2、涂底(Prim...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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