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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 10
浏览次数:69
半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的(中)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 10
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半导体制造工艺 —— 光刻是如何进行的(上)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(中)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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半导体制造工艺 —— 晶圆表面电路的设计(上)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜,其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。↑  掩膜通常在光罩上形成图形的基本步骤和硅片相似,一般来说光罩的制作分为数据处理部分和工艺制造部分。↑  光掩膜制作流程1、数据转换:将如GDSII版图格式分层,运算,格式转换为光刻设备所知的数据形式;2、图形产生:通过电子束或激光进行图形曝光;3、光阻显影:曝光多余图形, 以便进行蚀刻;4、铬层刻蚀对铬层进行刻蚀, 保留图形;5、去除光阻去除多余光刻胶;6、尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位;7、初始清洗清洗并检测作为准备;8、缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形;9、缺陷补偿对缺陷进行修补;10、再次清洗清洗为加保护膜版作准备;11、加保护膜保护膜加在主体之上, 这防止灰尘的吸附及伤害;12、最后检查对光掩膜作最后检测工作, 以确保光罩的正确。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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半导体制造工艺 —— 硅片的生产过程↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途单晶硅片制备阶段,需要将硅单晶棒加工成具有高面型精度和表面质量的原始硅片或光片,为IC前半制程中的光刻等工序准备平坦化超光滑无损伤的衬底表面。对直径Φ≤ 200mm的硅片,传统的硅片加工工艺流程为:单晶生长→切断→外径滚磨→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。↑  硅片加工工艺流程延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 26
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华林科纳生产的清洗机中,QDR 快排冲洗槽是不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留化学药液,使晶圆表面洁净。QDR 是晶圆湿法清洗中最重要的一个清洗工艺模块,主要由喷淋槽、溢流槽、匀流板、快排汽缸体、喷嘴喷管、管路和管件等组成。↑ QDR 示意图槽体由进口 NPP 板材焊接加工而成,由安装在槽体底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及顶部左右两侧的 DI 水喷嘴实现槽体的快速注入与排放,有氮气鼓泡功能。在溢流排放口安装有 DIW 电阻率检测仪,可对冲洗溢流的水质适时检控。一、喷淋管路上喷淋管路共有两路, 形成相互交叉喷淋,但去离子水不宜直接喷淋冲洗晶圆表面,因晶圆在水蚀作用下直接喷淋晶圆表面,易产生微粒污泥而污染晶圆表面,因此,在去离子水的喷淋过程中,需要对冲洗水压、水量、方向和角度作出调整测试,以达到微粒污染少的最佳效果。 良好的喷嘴所喷淋范围涵盖全部晶圆及片盒; 而不良的喷淋冲洗形状,没有涵盖全部晶圆及片盒, 未被喷淋冲洗的死角地带,微粒、杂质及化学药液残留含量仍然很高,而达不到良好的清洗效果。二、氮气鼓泡上喷淋同时, 下喷淋管路由底部两侧不断进水,而后由内槽上沿四周溢出,这样,每个晶圆片缝、各处边角的去离子水都能连续得到更新。 同时,纯净氮气由下喷淋管路进入槽体。 氮气鼓泡有以下几个作用:(1)增加了去离子水的冲刷力,对槽体本身有很好的自清洗作用;(2)晶圆在水...
发布时间: 2018 - 11 - 20
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湿法腐蚀是半导体行业生产加工中不可或缺的工艺,是利用化学反应腐蚀特定区域的硅进行刻蚀,其中,SiO2的腐蚀是用HF来实现的,药液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蚀速度快,因而均使用 NH4F(氟化铵)作为缓冲剂来减慢腐蚀速度。普通叫做缓冲腐蚀。此种工艺在常温下进行,而根据我国南北方生产的需要为了维持常温,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加热器,以防止反应结晶;而在南方则需加入冷却盘管,以适当控制温度。一般工艺槽体材质选用 PVDF 材质。除此之外,管路中还需接入泵来提供药液的循环动力。由于隔膜泵在连续不间断工作时膜片使用寿命较短,更换膜片频繁,目前这种应用方式逐渐被风囊泵所取代。因此药液的循环过滤:由风囊泵、过滤器、循环溢流槽、阀门、管件等组成药液的循环系统。实现药液的循环过滤,保证工艺槽药液温度和浓度的均匀性。↑ 二氧化硅腐蚀的循环管路示意图近几年来,伴随着硅片的大直径化,器件结构的超微小化、高集成化,华林科纳适应着时代的发展,在不断的竞争中,有广泛的市场前景和发展空间。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 19
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华林科纳研发的单片清洗设备已升级为单腔多层的机台类型,可以支持多种溶液在一个反应腔里相继进行腐蚀清洗工作。该设备里配有承接晶片的承片台,它载着硅片变换不同的高度。在不同高度处,会有不同的溶液喷到正在旋转的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收区域,酸液即可被循环使用。↑ 单腔多层腔体结构示意图延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 15
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