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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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GaN材料介绍1.1GaN的晶体结构一般地说,GaN具有三类晶体结构,分别为:纤锌矿,闲锌矿和岩盐矿。闪锌矿和岩盐矿是比较少见的。它们的晶体结构示意图有下图1.1所示。人们所制各的GaN的结构,一般来说都是纤锌矿结构,因此着重介绍一下Gab]的纤锌矿结构。GaN晶体是可以看作山两套六角密堆积的晶格相互嵌套的纤锌矿结构。这就是说.这种结构相当于两套格子沿着C轴(0001)方向错了3/8的晶格常数位簧,而两套格子中任何一个格子都由一类原子(N原子或者Ga原子)构成,如1.1图所示。在纤锌矿结构的GaN中沿C轴(0001)方向的原子排序:Ga^N^OaeNBC3a^N^GaBNB等等依次延续。H.P.Marusaka和J.J.Tietjen[26】等人给出了被广泛的接受GaN的晶格常数,分别为a=0.3l89nm,c--0.5185nm。1.2GaN的化学性质GaN的化学性质十分稳定,在室温下,几乎不与酸和碱的溶液反应1271。到现阶段为止,只有熔融的KOH能比较有效的与GaN反应【2引.而这个方法被人们用来检测(3aN外延膜的缺陷【29】。另外,还有电化学湿法刻蚀,本文会在后面讲到。由于GaN的化学性质稳定,难以通过常用的化学反应手段进行腐蚀。因此,在GaN器件的制作过程中常用干法刻蚀。主要是感应耦台等离子刻蚀和反应离子刻蚀的两类刻蚀方法。这两类的干法刻蚀所用的刻蚀气体一般是氯元素的化...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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摘要:化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关捷要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。关键词:化学机械抛光;原子级精度表面;清洗技术0引言目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中si片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性,导致微结构缺陷,引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题⋯1。计算机硬盘技术中,随着硬盘存储密度的快速上升,磁头的飞行高度已降低到10姗以下L2J。原子级表面粗糙度(原子直径小于0.3nm)、无微观缺陷、洁净的高精表面已成为高技术电子产品制造中的共同要求,也是关系其性能的关键因素。目前一般采用CMP技术进行片子表面的高精度全局平坦化。由于抛光后新鲜表面活性高,以及CMP抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米Si02、纳米AIO粒子)、多种化学品等因素,工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物,导致CMP后清洗极其困难。集成电路技术中,对0.35pm及以下的CMOS工艺,要求后清洗提供的片子上0...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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在半导体湿制程、生物制药、冶金化工等诸多行业,制程工艺往往需要药液的高精确控温,若采用传统的加热与外水冷却的方式来实现控温,药液温度精度误差大、控温速率低、防腐性能低等等。而华林科纳半导体型电子冷热器正好弥补以上缺陷。  传热的三种基本方式是:热传导、对流和辐射。华林科纳半导体型电子冷热器的传热方式是属于热传导,热量从物体内温度较高的部分传递到温度较低的部分或者传递到与之接触的温度较低的另一物体的过程称为热传导。通过冷热交替从而实现热液-冷液间温度的传递,最终达到用户需要的温度(冷热都可以实现)。  然而,在上述提及的行业中,很多控温的药液往往带有腐蚀性,制程工艺要达到100℃以上高温,这就需要冷热交换器用不同的材质来适应不同的材质。作为湿制程设备专业制造商,经过多年研发及更新换代,华林科纳公司研发的新型CSE-CHEC-VI电子冷热器能够实现各行业95%以上的不同湿制程要求下的精确控温。  冷热交换取热器,包括冷热交换单元与控制系统两个部分。冷热交换单元根据药液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不锈钢等不同材质制造。冷热交换单元内置半导体冷热交换片、超温保护单元、漏液保护单元、药液防腐隔离单元等等。工艺槽的药液经过防腐泵、过滤器后、半导体冷热控制单元形成一个闭环控制。根据槽体内的温度传感器采集,PID数字闭环调节,重新注入处理槽内。由此,经过不断循环交换冷热,将药液温度实时控...
发布时间: 2019 - 07 - 01
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在半导体技术的发展过程中,器件的特征尺寸越来越小,光刻工艺也变得越发复杂,而这也导致了下一代光刻技术的成本不断增加。追求特征尺寸的缩小,就需要减小曝光波长。在比DUV和EUV更先进的下一代光刻技术中,电子束光刻已被证明有非常高的分辨率,但其生产效率太低;X 线光刻虽然可以具备高产率,但X 线光刻的设备相当昂贵。光学光刻成本和复杂的趋势以及下一代光刻技术难以在短期内实现产业化激发人们去研发一种非光学的、廉价的且工艺简便的纳米技术,即纳米压印技术(Nanoimprint  Lithography,NIL)。1995年,华裔科学家周郁(Stephen Chou)提出了纳米压印技术(Nanoimprint Lithography,NIL)的思想。有别于传统的光刻技术,纳米压印将模具上的图形直接转移到衬底上,从而达到量产化的目的。NIL的基本思想是通过模版,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。相对于传统的光刻技术,纳米压印具有加工原理简单,分辨率高,生产效率高,成本低等优点。纳米压印光刻胶与传统光刻胶的对比纳米压印技术不受最短曝光波长限制,只与模板的精密度有关。因此,对光刻胶性能的要求相对降低了,但是随着工艺的改变,同样会引出新的问题,...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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在材料加工科学的不断推动下,半导体器件和集成电路制作工艺取得了长足进步,发生了巨大变化,但是其中的湿法清洗工艺作为最为有效的半导体晶片洗净技术,一直未能被取代。随着晶片表面洁净要求的不断提高,清洗工艺的焦点已逐步由清洗液、兆声波等转移到晶片干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤,最终决定了晶片的表面质量,是清洗工艺的核心所在。  在各种晶片的干燥中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,它不仅要求表面达到脱水效果,还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。为达到这种要求,以设备为依托的各类干燥技术发展迅速。  1.1离心甩干技术  离心甩干是通过外力使晶片短时间内达到高速旋转的状态,晶片表面的水受到离心力作用而从表面消失的干燥技术。这种干燥方式由于简单可靠,在晶片清洗领域得到了广泛应用。根据晶片运动方式的不同,离心甩干又分为立式离心甩干和水平式离心甩干(见图 1 和图 2),虽然二者的脱水原理相似,但是由于运动方式的不同,在工艺上有很大的差异。为保证晶片的洁净,一般在干燥步骤之前,会增加一步药液、去离子水旋转喷淋过程,对表面进行二次洁净。为保证干燥效果,甩干过程中将引入热氮气,对晶片进行吹拂。  影响甩干效果的因素有很多,如转速的设置, 氮气的流量,排气通路的设计、腔体的密闭性和旋转产生的共振等。  离心甩干的优点是技术成熟稳定,干燥后的表面均一性好,不易产生水印;缺点是仅适合半导体前道的裸片...
发布时间: 2019 - 06 - 28
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目前在半导体工业生产中,普遍采用RCA清洗技术清洗抛光硅片,今天我们介绍一种溶浸式湿法化学清洗,串联的SC1和兆声去除颗粒,含O3的去离子水工艺形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面张力和易挥发的特性,取代硅片表面的具有较高表面张力的水分,然后用热N2吹干,达到彻底干燥硅片水膜的目的。此种干燥工艺比传统的离心式甩干法、真空干燥法、单纯热N2干燥法在降低金属和颗粒站务的引入及干燥速度方面有较大的有事。但此工艺在有片盒干燥的过程中易产生边缘目检缺陷的缺点。针对这点,我们在生产中总结了一下经验,并通过控制将此缺陷降到可控范围内。1、硅片进入IPA干燥腔后,通过片盒支架的特殊设计,使抛光面自动与片盒脱离接触。这样IPA蒸气可充分分布到抛光面表面,有利于均匀的干燥。2、PFA片盒作为硅片的载体,由于材料微观多孔的特性,经过反复烘干,孔被放大,加上长时间的化学溶浸,少量化学物质吸附在PFA的孔内,烘干后易在硅片上行程边缘缺陷,因此定期处理PFA片盒是很必要的。作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对IPA干燥系统有丰富的生产经验和产线使用验证,为硅片的清洗、干燥提供有效的保障。 更多清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,18913575037
发布时间: 2019 - 06 - 26
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在光学冷加工中,超声波清洗是如何实现洗净目的的呢?一般来说,清洗工艺主要以干燥的方式命名,如 IPA 工艺,是指利用 IPA(异丙醇)蒸汽进行脱水干燥的清洗工艺,纯水工艺是指利用热纯水慢提拉或冷纯水甩干的方式进行干燥的清洗工艺。当然,还有其他的命名方式。经过不断的变化、发展,光学冷加工中的清洗工艺主要以 IPA 工艺和纯水工艺为主。  IPA干燥  IPA 工艺包括四个流程:洗涤、漂洗、脱水、干燥。    因为洗涤过程分溶剂清洗和水基清洗,所以有不同的工艺:有先进行溶剂清洗、溶剂蒸汽干燥再进行水基清洗;也有先进行溶剂清洗,再用乳化剂溶解溶剂,再进行水基清洗的。显然,后者在流程上更流畅、紧凑,对设备要求也简单。经过洗涤后的镜片表面不会有结合牢固的污垢,仅可能有一些清洗剂和松散污垢的混合物。    我们知道,无机光学玻璃是一种过冷的熔融态物质,没有固定的分子结构,它的结构式可描述为二氧化硅和某些金属氧化物形成的网状结构。其骨架结构为键能很大的硅氧共价键,外围是键能小、易断裂的氧与金属离子形成的离子键。在洗涤时,由于超声场和化学洗剂的共同作用,某些硅氧键含量少或者外围键能特别小的的材料易于在清洗过程中发生变化而导致洗涤效果不良。所以,选择性能温和的洗剂、合适的洗剂浓度、温度、超声功率、洗涤时间对保证镜片的清洗质量十分重要。    利用流水将洗涤后镜片表面的洗剂和污物溶解、排除的过程称为漂...
发布时间: 2019 - 06 - 11
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近年来衍射光栅技术、全息术、傅里叶光学和计算全息等技术推动了衍射光学理论的发展,特别是在衍射光学器件方面的研究已经达到了实用化的水平。衍射光学器件的特点DOE的特点则是具有高衍射效率、独特的色散性能、更多的设计自由度、宽广的材料可选性,并具有特殊的光学性能,因此DOE成为实现离轴照明的理想元件。一般用于光刻系统离轴照明的DOE,其子单元个数需衍射的概念光沿着直线传播,当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时,沿小孔边缘产生了干涉图形,结果得到了一个模糊的图像,而不是希望出现在光和阴影之间的清晰边缘,光看上去沿狭缝边缘弯曲了。这种现象被称做衍射。衍射光学器件的主要应用1.光束整形(1)平顶光束整形“ Top-Hat ”或“ Flat-Top ”光束整形是衍射光学器件(DOE),用于将近高斯入射激光束转换为圆形,矩形,正方形,线形或均匀强度(平坦)点或在特定工作平面中具有锋利边缘的其他形状。顶帽(平顶)光束整形器的典型应用包括:激光烧蚀,激光焊接,激光穿孔,激光划线,医疗和美学激光应用。(2)光束扩散器/光束匀质器英文名为BeamHomogenizer / Optical Diffuser,使用匀化镜能把单模或多模的准直输入光束,转换为能量分布高度均匀的光斑。光斑的波长和形状轮廓都可自定义,形状一般为圆形、正方形、直线、长方形、六边形、椭圆形等任意形状。光束均化镜在许多需要明确定义光...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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根据研究数据显示,在大规模量产方面,首屈一指的当然是日本三洋,现有产能1GW,量产效率达23%。除此之外,具有较成熟HIT技术的还有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晋能、新奥、汉能等企业。  图表:国内外HIT太阳能电池产业化情况(单位:%,MW) 目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面:   (1)高质量硅片:相较常规N型产品,HIT电池对硅片质量有更高的要求,需要谨慎选择硅片供应商。   (2)制绒后硅片表面洁净度的控制:HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高,需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。   (3)各工序Q-time控制:HIT电池在完成非晶硅镀膜之前,对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛,需要注意各工序Q-time的控制。   (4)生产连续性对于TCO镀膜设备的影响:TCO镀膜必须保证连续投料,否则良率和设备状况都会受到影响,尤其在产线刚投产时,保持生产连续性是一大挑战。   (5)高粘度浆料的连续印刷稳定性:在HIT电池制备过程中,浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多,需要数倍于常规产线的关注。   (6)焊带拉力的稳定性:拉力稳定的窗口窄,双玻双面发电的组件结构进...
发布时间: 2019 - 05 - 05
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一、无源晶振与有源晶振的对比1. 无源晶振是有2个引脚的无极性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,无源晶振需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法。无源晶振没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的晶振可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。2. 有源晶振有4只引脚,是一个完整的振荡器,里面除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,但现在许多有源晶振是表贴的,体积和晶体相当,有的甚至比许多晶体还要小。二、无源晶振与有源晶振的优缺点无源晶振相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。使用时建议采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体。相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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