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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,南通华林科纳半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验效率提供...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
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一、用料铜编织线1050mm1根,950mm1根;铜接线端子200A2个;助焊剂,焊条;二、工具专用焊锡锅1只;专用钳子1把;专用卡具1对;螺丝刀,锥子,锉刀等三、制作方法将铜编织线一端夹在专用卡具里,尽量让铜编织线与夹具持平,或稍高出夹具一些。然后将螺丝穿过卡具盖板,再穿过铜编织线,拧紧螺丝,让铜编织线在夹具里厚度一致。另一端用铜接线端子将铜编织线包住,然后用专用钳子将接线端子夹紧,将铜编织线固定在铜端子里后用手锤将铜端子砸平即可。四、焊锡加温将焊锡条放入焊锡锅,通电加热,当焊锡条溶化后,再加热20-30分钟,表面起氧化反应即可。用一铁片将表面的氧化层刮掉,这时将铜编织线两端分别浸泡在助焊剂中2-3秒,取出后垂直放入锡锅内,放入深度与专用夹具平行即可。另一端与接线端子全部进入锡锅中为止,放置2-4秒后即可。五、电极头制作待铜编织线冷却后,将多余的焊锡及铜线去掉,将专用夹具去掉后将这部分进行加工处理,如图所示:料厚=4mm 六、 将制作好的电极套上18的腊管,用绝缘胶布将两端的腊管头部与端子根部包住,另一端与加工部位的根部包住,即完成。免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 12
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蓝宝石晶体结构图: 蓝宝石切面图晶体结构上视图蓝宝石(Al2O3)特性: 蓝宝石晶体生长过程: 蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成。晶体生长方法: 晶体生长方法: 泡生法示意图  水平传动法示意图 提拉法示意图 热交换法示意图 熔焰法示意图 导模法示意图  导向温梯法示意图 微提拉旋转泡生法示意图1-冷凝水杆;2-加热器;3-籽晶夹;4-热交换器顶部;5-坩锅;6-晶体;7-固/液界面;8-熔体;9-支撑杆;10-热屏蔽系统蓝宝石晶棒加工制作工艺流程: 蓝宝石晶片加工制作工艺流程: 蓝宝石晶棒加工制作工艺流程图片: 免责声明:文章来源于网络,不代表本公司观点,如有侵权请联系本网站删除。
发布时间: 2021 - 04 - 12
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晶圆划片机 晶圆划片机,包括机体、导轨、支撑座、晶圆片、滑轨、主轴、划刀,导轨安装在机体内,支撑座安装在导轨上,晶圆片安装在支撑座上,滑轨安装在机体的内部,主轴安装在滑轨的底部,划刀安装在主轴的端部,所述支撑座上安装有磁环,所述支撑座内安装有位于磁环内圈处的卡套,所述卡套的内部填充有胶板,所述胶板的顶部与晶圆片的底部粘接,所述主轴的外圈处固定连接有磁杆,所述磁杆的端部固定连接有第一磁圈。支撑座的顶部安装有支撑杆,支撑杆的外部滑动套装有滑动套,滑动套的外侧螺纹连接有螺栓,螺栓的端部贯穿并延伸至滑动套的内部,滑动套的侧面固定连接有支撑块,支撑块的端部固定连接有定位环。定位环的内部填充有粘接环,定位环的直径大于晶圆片的直径,粘接环与晶圆片为轴向滑动连接。第一磁圈的外圈处固定连接有磁棒,所述磁棒的端部固定连接有第二磁圈,所述磁杆、第一磁圈、磁棒、第二磁圈的磁极均为相同磁极,所述磁杆、第一磁圈、磁棒、第二磁圈与磁环为同极相斥状态。胶板的材质为工业级橡皮泥材质,所述粘接环的材质为粘性橡胶圈,所述粘接环上开设有若干个通孔,所述粘接环上通孔的形状与晶圆片的形状相适配。1、该晶圆划片机,通过卡套与胶板之间的配合使用,使得晶圆在切割过程中,底部受到重力与磁力相斥的力度直接陷进胶板的内部,通过胶板的柔性设计,使得晶圆在切割时,底部直接被胶板包裹,同时通过胶板将晶圆固定在支撑座上,无需另外采用固...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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化学机械抛光设备及其操作方法 图1 图2A  图2B 图3  图4  图5A 图5B 图6图1是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图2A是根据一些实施例的图1中的CMP设备的垫调节器的示意仰视图。图2B是根据一些实施例的图1中的CMP设备的垫调节器的示意横截面图。图3是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图4是绘示根据一些实施例的CMP设备的示意图。图5A及5B是根据一些实施例的图4中的CMP设备的垫调节器的示意仰视图。图6是绘示根据一些实施例的操作CMP设备的方法的示意流程图。图1是绘示根据一些实施例的CMP设备100的示意图。如图1中所展示,CMP设备100包含压板102、晶片载体104及垫调节器110。抛光垫105安置于压板102上且包含面向晶片载体104及垫调节器110的抛光表面105A。在一些实施例中,压板102可由基座101支撑且可使抛光垫105围绕第一轴线103旋转。晶片载体104包含轴件106及耦合到轴件106的平板107。轴件106经配置以围绕第二轴线113旋转。平板107经配置以固持工件108,例如半导体晶片。在一些实施例中,晶片载体104经配置以向上或向下移动晶片108,使得晶片108可与抛光表面105A接合。在一些实施例中,平板107可通过...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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晶圆减薄机的研发及应用 1硅片自旋转磨削法的特点:(1) 可实现延性域磨削。在加工脆性材料时,当磨削深度小于某一临界值时,可以实现延性域磨削。通过大量试验表明,Si材料的脆性一塑性转换临界值约为0.06m。进给速度厂控制在10m/min,承片台转速取200r/min,则每转切割深度可达到0.05m。对于自旋转磨削,由公式(1)可知,对给定的轴向进给速度,如果工作台的转速足够高,就可以实现极微小磨削深度。(2)可实现高效磨削。由公式(1)可知,通过同时提高硅片转速和砂轮轴向进给速度,可以在保持与普通磨削同样的磨削深度情况下,达到较高的材料去除率,适用于大余量磨削。(3)砂轮与硅片的接触长度、接触面积、切入角不变,磨削力恒定,加工状态稳定,可以避免硅片出现中凸和塌边现象。由r上述优点,现在直径200mm以上的大尺寸硅片背面磨削(backgrinding)大都采用基于硅片白旋转磨削原理的超精密磨削技术。2硅片背面磨削的工艺过程:硅片背面磨削一般分为两步:粗磨和精磨。在粗磨阶段,采用粒度46#~500#的金刚石砂轮,轴向进给速度为100~500mm/min,磨削深度较大,般为0.5~l1TII'fl。目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料(加工余量的90%)。精磨时,加工余量几微米直至十几微米,采用粒度2000#~4000#的金刚石砂轮,轴向进给速度为0.5~10mm...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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硅拋光片全自动湿法清洗设备的研制硅抛光片湿法清洗原理1.1APM(SC-1):NH4OH/H202/HzOSC-1是碱性溶液,能去除颗粒和部分金属杂质。由于h2o2氧化作用在硅片表面生成氧化膜,该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。si〇2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快。Si的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而快。当清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值,一般工艺温度为60〜75°C。SC-1溶液浓度一般控制在稀浓度范围内,这样不但可以有效去除颗粒,而且可以防止表面微粗糙度增加。通常,在SC-1的基础上增加兆声系统,由于兆声微水流的加速度作用,可以增加颗粒去除效果,能够去除小于0.2um颗粒。1.2HPM(SC-2):HCI/H202/H20由于硅表面的氧化和腐蚀作用,硅片表面的金属杂质,将随腐蚀层而进入清洗液中,并随去离子水的冲洗而被排除。SC-2用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下能去除铁和锌。一般工艺温度为65~85。。。1.3HF/HCI稀的HF/HC1溶液可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时去除表面的金属沾污。一般工艺温度为室温。设备的组成及配置2.1设备的组成设备结构外形如图1所示,硅抛光片全自动湿法清洗设备采用全封闭、模块化结构设计。整机按功...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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高真空化学气相外延炉的研制1.1 材料生长工艺简介Ge的晶格常数TGe=5.657A,Si的晶格常数TSi=5.431A。Si1-xGex体合金的晶格常数和Si1-xGex合金与Si之间格失配率可用下式表示TSi1-xGex=TSi-(TSi-TGe)x(1)fm(x)=(TSi1-xGex-TSi)/TSi=0.24x(2)Si1-xGex是一种典型的晶格失配异质结构系统,x值越大则晶格失配率越大。当x=1时,即Si和Ge之间的晶格失配率为4.2%。这一特点使Si1-xGex/Si结构的生长有别于晶格匹配材料异质结构的情况,其中必需考虑“临界厚度”以及控制和充分利用由于应力引起能带变化而出现的新的电学与光学特性。由于工艺方面的原因,70年代以前,无论在硅单晶衬底上或在锗单晶衬底上,均未能生长出高质量的Si1-xGex异质结外延层,多半会发生三维岛状生长并出现大量的穿透位错,堆垛层错和裂文[6]。由于近年来外延工艺技术的发展,80年代中期人们开始应用低温高真空化学气相外延技术生长硅外延片[7]。90年代中期用同样的方法已研制出合格的Si1-xGex外延片[8]。应用低温高真空化学气相外延技术来生长锗硅薄层,解决了高温生长外延材料的许多缺点,保证原子级的清洁的生长表面,防止引入不希望的缺陷,实现二维共度生长,防止应变弛豫和三维岛状生长以提高晶格完整性,实现原位掺杂,防止界面互扩散以获...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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高速电镀设备及工艺流程1上料系统这台设备的上料系统采用了半自动上料方式,首先把产品平放到上料台,由台上的推针把其送入上料夹,夹住产品后翻转至与不锈钢传送带同一平面,后与不锈钢传送带一起运动,当上料夹速度与不锈钢传送带速度一致时,把产品送人不锈钢传送带,翻转至初始位置,完成一次上料过程。2工艺工位每个工位都有一个储液罐,经抽液泵把液体打到工艺槽,形成环状循环(工艺槽在储液罐上面,有一定的距离)。这样的设计不但加快了药水浓度的补充,也把工作液中产生的气体及时排走,避免气泡停留在框架表面。从而提高电镀产品质量,保证镀品成品率。2.1工艺檀有液位传感器,在槽内有几段工位具备产品跟踪系统,有了这套跟踪系统能检测哪段工位有无产品掉落。主要工作原理为:产品进入第一个工艺槽时,该处的记数器开始工作,并记录下产品数量;若下一记数器的数据与上一记数器记录的数据不相同,会立到报警(由电脑上读取)。跟踪系统的存在减少了废品率,提高了成品率,还节约了材料和降低成本。2.2储液罐电镀设备每个工艺槽都配一个储液槽,除装药水外,还保证工艺槽内药水液面,保证镀品质量;若液位不够,工艺槽内会出现时有溶液上来,时而无液体,你想,这样的工作液面能生产产品吗,要让储液罐为工艺槽提供稳定的液拉,就必须由储液槽内的高低位传感器进行控制。若液位低于低位传感器,会报警,此时必须添加溶液至规定刻度;若液位高于高位传感器,也会报警,此...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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双真空室结构磁控溅射台的研制1设计原理:本文设计的磁控溅射台使用阴极溅射的方法淀积薄膜,将电压的负极应用于靶材,正极接于基架地,基片装在基片架上,从而在靶材和基片之间形成一个负的电场。在电场中通人工艺气体,在一定的真空条件下,工艺气体原子就会电离出带正电荷的离子和带负电荷的电子,如果工艺气体是氩气,则有:Ar→Ar++e-。电场的存在使氩离子加速向阴极移动,自由电子则移向正极。这个过程中,加速电子跟更多的氩原子发生碰撞,电子的动能使得受到碰撞的氩原子发生电离。上述过程持续重复,就能产生巨大数量的氩离子和电子,在靶材和基片之间形成等离子区。等离子区中大量带正电的氩离子飞向靶材,因氩离子具有较大的质量,能量较大,碰撞靶材后引起靶材原子逸出并沉积在基片上。图1显示了本设备的溅射成膜原理。  如果在阴极靶材背面合理地安装一块永久磁铁。磁铁的磁场强迫自由电子作额外的螺旋运动,就可以延长电子的移动路径,产生更高等级的分裂,并使得等离子区具有更好的同质性,能够更好的利用靶材,减少由溅射粒子引起的靶材再沉积的数量,避免弧光放电现象。如果阴极是由非导体材料组成,则轰击靶材的工艺气体离子就不能被传导电子中和,溅射过程就会熄火,所以绝缘靶材或电介质靶材不能使用直流源溅射,而需要采用射频溅射。射频溅射使用射频电源(典型13.65MHz)来点燃等离子区。在射频溅射的情况下,靶材交替地被带...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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步进扫描光刻机整机集成工艺方案设计分系统集成工艺方案设计:分系统集成工艺方案设计包含布局与接口分析、集成与检测方案规划、集成工具工装需求规划、集成步骤规划等。布局与接口分析:主要是分析分系统在整机中的布局、接口的形式、定位方式等;集成与检测方案规划:主要是分析集成指标,结合布局与接口形式规划集成方案及检测方法,如指标无法直接实现,还需要进行装配尺寸链分解;集成工具工装需求规划:根据集成和检测方案,选择适用的工具/检具,如需要设计专用工装辅助集成或检测的,则需给出工装设计方案及其指标需求;集成步骤规划:制定分系统集成到整机上的集成步骤。步进扫描光刻机集成工艺方案非常复杂,下文将通过几个分系统案例,阐述集成工艺方案的设计过程。调焦调平分系统调焦调平分系统安装在主基板下方,物镜安装在主基板上方,结构布局如图1所示。根据整机测校流程,调焦调平分系统在物镜曝光过程中实时调平调焦,因此,要求调焦调平焦面与像面的垂向集成误差不能超过调焦调平的焦深范围。步进扫描光刻机所选用的调焦调平分系统焦深范围非常小,是微米级别的。由此,调焦调平集成方案规划需解决以下几方面的问题:1、调焦调平焦面和像面都是光学面,相互为基准集成,集成阶段如何去确定这两个光学面的位置; 图1调焦调平分系统机构布局2、指标是微米级别的,常规的测量方法达不到这个级别的测量精度,该选用什么样的测量仪器;3、在线集成空间小,选...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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