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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后,仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应,代替脱蜡器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合,以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°,这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合,进一步提高了颗粒去除效率。通过在脱蜡过程中引入DIO3清洗,缩短了处理时间。 介绍      通过几种抛光和清洗工艺,已经生产出通过直拉法生长的用于器件芯片制造的硅晶片。随着用于器件大规模生产的晶片尺寸的增加,半导体制造需要硅晶片的改善的均匀性和接近零的缺陷。通常,真空吸盘或薄膜类型的薄膜用于将晶片附着在抛光头上进行抛光处理。然而,有机蜡也被用于将晶片附着在头上,用于最终的批量型抛光工艺,特别是为了实现晶片的高均匀性。在抛光过程之后,应该从晶片背面去除有机蜡及其残留物。商业和专有的脱蜡器用于去除厚的有机蜡,但是在常规的晶片背面清洗工艺中,为了去除残留物和颗粒,遵循了SC-1清洗的几个步骤。它需要较长的处理时间、高温、大量的化...
发布时间: 2021 - 10 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类,根据其接触类型(非接触,完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而,许多研究人员指责全接触擦洗导致了晶片表面的划痕,并建议应避免全接触。非接触式去除力较弱,但不会产生划痕。如果在非接触模式下,去除力可以通过流体动力阻力的最大化来克服与清洗液的附着力,那么非接触模式擦洗将是最佳的清洗方法。为了通过刷子和晶片之间的小间隙使流体动力阻力最大化,压电传感器安装在晶片上以检测由接触产生的信号。为了研究磨料颗粒对铜和聚硅酸乙酯的粘附性,测量了胶体二氧化硅磨料、铜和聚硅酸乙酯之间的相对zeta电位。本文研究了聚乙烯醇刷非接触擦洗对化学机械抛光后清洗的影响。 实验      利用zeta电位分析仪研究了铜和PETEOS表面的磨料粘附性,以测量胶体硅、PETEOS和Cu表面之间的相对zeta电位。实验中使用的CMP浆料为商业浆料,含胶体硅磨料(平均直径约为60nm,4.75wt%)。为了研究PVA电刷在非接触模式下旋转引起的水动力阻力的影响,实验中使用了可控制到60~240rpm旋转的研发清洁剂(GnPCleaner428,GnP技术)。清洁器可以调整电刷子和晶片之间的间隙。...
发布时间: 2021 - 10 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      热磷酸被发现有助于蚀刻和表征生长在(0001)蓝宝石基质上的外延氮化镓晶体。得到的蚀刻速率为0.2-1.0um/min,在50℃~200℃镓离子的温度区域的活化能约为4.4千卡/摩尔被认为是蚀刻作用的速率决定步骤。x射线衍射和红外光谱研究表明,正交离子和元磷离子在蚀刻过程中在攻击离子中起着重要的作用。这种磷酸蚀刻显示了未掺杂(n)、掺杂锌(i)和in结构的氮化镓外延晶体的晶体缺陷。圆锥形的六角形金字塔形凹坑和截断的六角形凹坑在未掺杂的层中形成,它们倾向于沿着滑移方向排列,并归因于一定的位错。这些六角形的凹坑在外延层和基底的界面附近密集产生。凹坑的密度随着晶体的增长而呈指数级减小。当载流子浓度较高(1019-1020cm3)时,凹坑的密度和尺寸容易增大。圆形的蚀刻图在zn掺杂晶体中形成,有时在高载流子浓度(1019cm-3)的未掺杂晶体中形成。蚀刻现象还表明,即使锌掺杂层连续沉积在未掺杂层上,锌掺杂晶体和未掺杂晶体的生长模式也存在显著差异。这意味着这些晶体之间的晶体生长机制有所不同。 介绍      氮化镓是一种非常有前途的化合物半导体,因为它具有宽带隙[3.5eV(1)]。由于Maruska和Tietjen通过气相沉积技术(2)在蓝宝石基质上生长了氮化镓的外延单...
发布时间: 2021 - 10 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      宽带隙半导体具有许多特性,使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻,包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸,在非酸性乙酰丙酮中,第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻,通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化镓和碳化硅的各种蚀刻剂,包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓和碳化硅,在室温下电化学刻蚀在某些情况下是成功的。此外,光辅助湿法蚀刻产生类似的速率,与晶体极性无关。 介绍      宽带隙半导体氮化镓、碳化硅和氧化锌对许多新兴应用具有吸引力。例如,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(MMICs)的发展预示着高频工作。此外,氮化镓还用于紫外波长光电子器件。它具有高击穿电场,大于硅或GaAs的50倍,这使得它可以用于高功率电子应用。氮化镓的宽带隙使其可以用于蓝色/紫外线发光二极管和激光二极管,并且由于其固有载流子浓度低,可以在非常高的温度下工作。 氧化锌是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙材料,可用于气体传感器、透...
发布时间: 2021 - 10 - 14
浏览次数:73
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      随着集成电路变得越来越复杂。每个芯片的输入/输出连接数在增长传统的引线键台、引线框架、安装技术已经跟不上了。当芯片封装在一个拥有数百条引线的巨大器件中时;缩小芯片尺寸所节省的空间就会丢失。解决办法是颠簸金、导电胶,但最重要的是焊料凸点。实际上,世界上每—家半导体制造商都在使用或计划使用凸点技术来制造更大、更复杂的产品设备。      用于制造凸起晶片的几种晶片凸起工艺。一些更流行的技术是蒸发、模板或丝网印刷、电镀、化学镀镣、焊料喷射、柱形凸块、贴花转印、冲孔和冲模、焊料注入或挤出、粘性点处理和球放置。 ,      本文将讨论使用这些技术来撞击晶片的工艺步骤。关键清洁是这些过程的要求。需要去除的主要污染物是光刻胶和焊剂残留物。去除这些污染物需 要湿法工艺,而湿法工艺不会      侵蚀、晶片金属化或钝化。研究的重点是满足这一关键清洁要求的强化清洁解决方案。本文将介 绍定义从凸起晶片溶剂化和去除残留物所需的时间、温度、溶解能力和冲击能量的工艺参数。 介绍      随着技术的发展,将会有许多需要创新的挑战,一个关键的挑战将是关键的清洁。 为了更好地理解临界清洗,本文将比较精密...
发布时间: 2021 - 10 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      通过x射线光电子能谱、原子力显微镜、反射高能电子衍射、电流电压和电子束诱导电流表征,研究了氢氧化钾处理对n型氮化镓表面性质和相关Au/n-GaN接触点的影响。比较了分子束外延和金属有机化学气相沉积生长的气体极性表面。氢氧化钾处理后,Au/n-GaN接触的非辐射重组特性增加,与表面Ga空位增加、表面N-H2含量增加和表面C污染减少有关。对于分子束外延生长的氮化镓,Ga3d峰位置的0.3eV转移和位错对比的减少,这表明表面Ga空位和线程位错在定义合成的金属/GaN接触特性方面只发挥了有限的作用。因此,在评价n-GaN表面的电学性质和相关的金属接触点的性能时,应考虑到氢氧化钾处理后的表面原子含量和由此产生的表面状态。 介绍      基于砷化镓的器件的性能受到用于连接到电源或其他器件的金属触点的质量的显著影响。金属/n-GaN接触点的电学性能取决于各种各样的处理参数,如氮化镓表面的清洗和蚀刻,金属接触层的组成和厚度,以及用于激活接触点的退火温度和大气。由于增强的扩散偶联金属化层和退火条件已经被确定以提高接触性能,因此也越来越注意金属化前氮化镓表面的制备。 需要详细的研究来评估所采用的化学处理、氮化镓表面由此产生的化学/结构修饰与接触点的电学性能之间的密切关系。...
发布时间: 2021 - 10 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文报道了用磷酸或氢氧化钾溶液对镓面和氮面氮化镓进行化学腐蚀的特性。由{10-1-1}面组成的六边形金字塔在氢氧化钾(2M,100℃)蚀刻后出现在N面上。相比之下,使用H3PO4 (85WT%,100℃)溶液中,GaN的氮表面呈现十二边形金字塔。当分别使用H3PO4或氢氧化钾溶液时,十二边形和六边形金字塔重复出现在蚀刻表面上。低浓度的H3PO4 (H3PO4:去离子水= 1:32,1:64)产生了十二边形和六边形金字塔共存的粗糙表面。与未蚀刻表面相比,由于多次散射事件,蚀刻表面的光致发光强度显著增加。因此,本研究中开发的蚀刻技术被证明可以提高发光二极管的光提取效率,避免等离子体蚀刻方法对氮化镓的破坏。 介绍      由于根据Snell定律GaN (n = 2.5)和空气(n = 1)之间的折射率差异,GaN LEDs具有非常小的临界角(~23.6 ℃) 当GaN和空气之间的界面非常平坦和宽时,据报道只有4%的产生的光子能够逸出表面已经开发了许多方法来解决这个问题, 包括使用光子晶体结构、渐变折射率层和图案化蓝宝石衬底。在这些方法中,湿化学蚀刻通常用于第三族氮化物材料系统的表面纹理化,因为它具有设备设置简单、没有晶格损伤、可扩展性和良好的选择性等特点.光增强化学...
发布时间: 2021 - 10 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文研究了一种用碳酸钠和碳酸氢钠溶液进行单晶硅太阳能电池织构化的新技术。通过一系列不同参数的对比实验,如Na2CO3和碳酸氢钠的浓度、溶液温度和刻蚀时间,来说明半球表面反射率的相关性。经过四组实验,我们在不同的硅表面获得了均匀可靠的金字塔形织构化。此外,我们发现通过添加碳酸氢钠可以获得更好的金字塔结构.已经发现在85℃下30分钟由20 wt%碳酸钠和4 wt%碳酸氢钠组成的混合溶液在硅表面上产生均匀的金字塔结构。纹理化的硅表面在太阳光谱的主要范围(400纳米-800纳米)中表现出较低的平均反射率(约12.84%)。因为这种组织化方法经济、无害、污染小。我们觉得它适合大规模生产。 介绍      对于小型电源来说,光伏技术是一种可靠且经济的技术,其中最重要的因素之一是光电转换效率。为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率,采用织构化降低硅片表面反射率,增强光吸收。在单晶硅的情况下,报道了许多关于氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)溶液与异丙醇(IPA)的混合物的研究,因为碱性溶液各向异性地蚀刻硅并在硅表面上产生小金字塔。      许多解决方案可用于通过改善硅晶片结构光捕获来提高硅太阳能电池的效率,但是其中,碳酸盐/碳酸氢盐溶液可被...
发布时间: 2021 - 10 - 12
浏览次数:138
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文利用n型氮化镓在碱性过氧二硫酸盐S2O2−8溶液中的电化学研究,解释了开路条件下半导体的光刻机理。观察到的铂直接接触半导体或电接触的光蚀刻速率的增强主要是光光效应。阐明了决定蚀刻动力学和表面形态的因素。 介绍      单晶氮化镓和三元第三族氮化物引起了科学界的极大兴趣,它们优越的化学和物理性能在高性能光电和电子器件中得到了应用。蚀刻是器件制造中必不可少的步骤。可以使用干蚀刻技术;这些包括反应离子刻蚀RIE、电子回旋RIE、电感耦合等离子体RIE、磁控管RIE和化学辅助离子束刻蚀。然而,这些技术涉及复杂和昂贵的设备。此外,干法蚀刻可能导致损坏的表面和体电子状态,这对光电子器件的性能有害。湿化学蚀刻提供了一种简单而有吸引力的替代方法, 避免了表面损坏的问题。      本文用S2O2-8碱性溶液中n型氮化镓的电化学研究结果作为考虑半导体光刻的基础。使用了三种方法:I)光阳极蚀刻,其中半导体的电位由电压源稳压器固定,ii)光电流蚀刻,其中半导体在没有电压源的情况下短路到反电极,以及iii)无反电极的无电光刻。在另一篇论文中,我们描述了显示缺陷和图案蚀刻或抛光的最佳S2O 2-8/KOH比率的结果。还考虑了S2O2...
发布时间: 2021 - 10 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本研究研究了各种去除氮化镓中污染物的表面清洗技术。螺旋电子谱(AES)分析用于监测表面污染物的存在,原子力显微镜(AFM)用于监测表面粗糙度。AES分析表明,氢氧化钾能有效去除碳(C)。比较盐酸、氢氧化钾和(NH4)2S在水溶液中清洗的氮化镓表面的地形;研究发现,在(NH4)2S中清洗的表面清洁最好,C和O、RMS粗糙度和Ga/N比均最低。通过在真空中加热样品,几乎完全去除C和O。 介绍       湿蚀和干蚀刻方法广泛用于去除表面污染物的表面制备。此外,金属化前衬底表面的形貌对用于制造用于紫外线检测的肖特基势垒二极管的超薄金属的连续性有影响。在金属化之前,氮化镓已经使用化学品对基质进行湿和干洗。干洗方法会损坏表面,通常使材料电不适合。各种表面分析技术,如螺旋电子谱(AES)、x射线光电子谱(XPS)、低能电子衍射(LEED)和二次离子质谱(SIMS)已被用于鉴定表面污染物、氧化物、金属颗粒和重建。原子力显微镜(AFM)已被用于监测表面清洁度作为地形的函数。       在这项工作中,我们研究了氮化镓表面的化学清洗,并用原子力显微镜和原子发射光谱法对结果进行了评估。研究了各种去除氧和碳的湿化学方法。我们特别报道了氯化氢、氢...
发布时间: 2021 - 10 - 12
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