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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称华林科纳(江苏)CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注华林科纳(江苏)半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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目前半导体业发展的市场越来越巨大,而半导体工艺设备则为半导体大规模制造提供制造基础,今天华林科纳半导体CSE的小编为大整理了一套最全的半导体材料工艺设备汇总。1、单晶炉 设备名称:单晶炉。设备功能:熔融半导体材料,拉单晶,为后续半导体器件制造,提供单晶体的半导体晶坯。主要企业(品牌):国际:德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。国内:西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、沈阳科仪公司。2、气相外延炉设备名称:气相外延炉。设备功能:为气相外延生长提供特定的工艺环境,实现在单晶上,生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体,为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺,其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续,而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业(品牌): 国际:美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科(Kurt J.Lesker)公司、美国Applied Materials公司。国内:中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。3、分子...
发布时间: 2017 - 04 - 05
浏览次数:657
由全球半导体协会中国委员会主办的全球规模最大、规格最高的半导体展SEMICON/FPD China 2017 国际半导体展3月14-16日在上海举办。这是全球半导体业界连续六年规格最高、规模最大的“嘉年华”,近900家展商在展会现场与逾6万名专业观众互动。华林科纳半导体CSE在此次展会参展的产品吸引了很多客户前来观展。
发布时间: 2017 - 03 - 17
浏览次数:284
3月14日,由国际半导体产业协会(SEMI)中国委员会主办的SEMICON China 2017国际半导体展在上海新国际博览中心开幕。苏州华林科纳半导体设备技术有限公司此次参展给大家带来了半导体湿法清洗解决方案,与众多专业观众以及行业伙伴进行了现场交流,深入交流了半导体湿法清洗的相关技术要求以及工艺,其中 单片清洗机、黑硅制绒设备、晶圆电镀设备、湿法刻蚀机设备、甩干机以及兆声清洗机受到很多客户详询,现场人气也是爆满。更多半导体湿法腐蚀清洗相关的新闻请关注www.hlkncse.com
发布时间: 2017 - 03 - 14
浏览次数:324
CSE华林科纳——诚邀各位业内朋友莅临参观我司在SEMICON China 2017的展位,欢迎大家一起交流与探讨,以便于更深的合作;我们的技术团队会在T1馆T113展位恭候大家的光临,希望我们的技术和经验能够帮助大家解决半导体、光伏、MEMS等行业在湿法腐蚀清洗中遇到的问题和挑战。如何能找到我们我们的展位在 TI 馆 T113 展位。公司的介绍苏州华林科纳半导体设备技术有限公司(简称CSE)成立于2008年3月,总投资4500万元;  目前已形成湿法清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品;广泛应用于大规模集成电路电力电子器件、光电子器件、MEMS和太阳能电池等领域。 公司注重持续创新和技术改进,目前已拥有发明专利技术18项,并多次获得国家高新技术产品认定证书,肯定了企业的整体实力。 10多年以来始终为半导体和太阳能行业提供创新的专用的湿法工艺解决方案; 以技术创新为支撑,以精细管理做保证,以优质的产品和优良的服务赢得了各界用户的赞许和信赖。你可能会感兴趣的设备此外,我们也给大家准备了丰富礼品,期待大家的参与;重要的事再重复一遍哦CSE华林科纳将参加2017年慕尼黑上海半导体展SEMICON CHINA诚邀各位业内朋友莅临参观、洽谈!展位号:T113时间:2017年3月14日—16日上海新国际博览中心 T馆地址:上海市浦东新区龙阳...
发布时间: 2017 - 03 - 11
浏览次数:412
LED 芯片是一种将直接电能转化为光能的半导体器件,是现代信息产业的核心器件。随着我国科学技术的不断进步与微电子设备研制的发展,国内从事芯片设计制造企业也逐渐增长到几百家,但是他们普遍自主知识产权及自主创新设计制造水平不高。LED 芯片制造及高端  封装技术是技术密集型产业,其发展水平离不开高端工艺与硬件设备。近年来国内微电子设备产业急速扩张,而支撑其技术引领的高端设备却严重缺乏,发展瓶颈逐渐成形。目前产业高端设备依然依赖国外进口,亟需开发研制自己的高端设备。LED 封装就是在保证其芯片无损以及高光取出效率的前提下将外部引线与内部芯片电极相互连接。在整个LED 产业链当中,封装技术是产业与市场的连接纽带,而在 LED 芯片制造和高端封装过程当中去胶这一工艺过程起着非常重要的作用。1 当前面向 LED 芯片制造和封装去胶设备现状  随着科学技术水平的不断发展,集成电路技术现已主要通过凸点封装模式来大幅提升封装密度与效率。凸点封装技术包括了膜沉积、光照、去胶等多项半导体芯片制备技术。现代高端封装工艺一般面向 300 mm 晶圆、65 nm 及以下极大规模集成电路封装需求,开发凸点个数3000 以上、间距 20...
发布时间: 2017 - 02 - 09
浏览次数:523
蓝宝石晶片表面净化技术研究  随着光电子领域对氮化镓 (GaN)基发光二极管(LED)的发光性能要求不断提高 , 从而对金属有机化学气相沉积法 (MOCVD)生长 G aN 的蓝宝石 (α-A l2O3 )衬底晶片的表面质量要求越来越严, 这主要是因为蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响 LED的质量和成品率 ,对于开盒即用 (是经清洗封装后的晶片, 从片盒里取出后即可以投入到MOCVD生长炉中直接使用而不需要额外的清洗)的 2英寸蓝宝石衬底晶片,影响 G aN 生长的临界颗粒尺寸为 0. 3μm,抛光片表面大于 0. 2 μm 的颗粒数应小于 20个 /片。在目前的 LED生产中, 仍有 50%以上的废品是由于表面污染引起的, 由于在衬底晶片生产中 , 几乎每道工序都有清洗问题, 所以蓝宝石晶片清洗的好坏对 LED 的发光性能有严重的影响 , 处理不当, 可能使全部蓝宝石晶片报废, 做不出 LED 管子来, 或者制造出来的 LED性能低劣、稳定性和可靠性很差。因此弄清楚蓝宝石晶片清洗的方法和原理 ,不管是对从事蓝宝石晶片加工还是 LED 生产的人来说都具有十分重要的工程意义。  以下主要针对蓝宝石晶片的净化原理 、净化工艺、净化效果等方面技术问题进行了研究 , 提出了能够满足 G aN 生长要求的蓝宝石晶片的净化工艺和清洗液的配方 。...
发布时间: 2017 - 01 - 19
浏览次数:471
光刻版清洗设备工艺  光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础,他决定了集成电路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年,国家将 LED照明列入为重点发展产业,LED 行业迅猛发展。LED 制造过程中,具有光刻版的使用量多,使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本,主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度,但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚,在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶,导致光刻胶粘附到光刻版表面(图 1)。对于 IC 行业,因为线条更细,精度要求更高,所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言,其颗粒移除率(PRE)不需要达到 100%,但对于光刻版而言却并非如此,其原因是对于产品良率而言,光刻版表面颗粒的影响更大,单晶圆缺陷只影响一个缺陷,而一个光刻版却影响到每一个芯片[2,3]。由于零成像缺陷是可以实现的,工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。1 光刻版清洗工艺1.1 光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除...
发布时间: 2017 - 01 - 11
浏览次数:633
从半导体原材料到转化为各式各样的集成电路或者分立器件,其转化过程利用了几百种复杂程度不同的化学反应。毫无疑问,在半导体的制造工业中,需要大量的特殊材料和化学品。芯片制造首要是一种化学工艺,或者更准确地说,是一系列的化学 物理工艺过程,高达20%工艺步骤是wafer清洗和表面的处理。  近年来光电与光伏半导体工业发展迅速,相关的制程越来越复杂,线宽越来越窄(已将进入纳米级),工艺要求也越来越高,生产过程需要使用大量的化学药品,而这些化学品都具有一定危险性和腐蚀性,稍有疏忽,就会造成人员伤亡和设备的损失,所以如何将这些化学品在保证品质的前提下安全输送到制程设备并安全使用是至关重要的,同时如何将这些使用过的化学品合理地回收处理,也将是半导体产业工厂生产安全的重要问题,这些都对工厂各系统的持续无故障运行能力以及所提供的制程相关原料品质提出了更高的要求。在半导体产业化的生产中,化学液供应系统主要以中央供应系统为主,用量较少之化学液则采取人工供应方式。   中央化学液供应系统缩写为CDS(Chemical Dispense Systerm)或者简写为BCD(Bulk Chemical Distribution),它是为生产线24h不间断供应化学液的系统。一般使用CDS系统的化学液都有需求量大、危险性高的特点。 CDS系统上主要供应给以下的工艺步...
发布时间: 2017 - 01 - 10
浏览次数:1094
半导体湿法清洗专家华林科纳介绍硅片清洗机的相关工艺1、硅片清洗机概述   硅片清洗机广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。  目前多采用传统的RCA清洗方法,不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等,还可以去除小颗粒等污染物。2、清洗工艺  RCA清洗法  RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后,由此得名。  RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成,  SPM具有很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属,当沾污特别严重时,难以去除干净。  DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属,也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时,硅片...
发布时间: 2017 - 01 - 06
浏览次数:393
半导体加工中的刻蚀技术包括湿法化学刻蚀 (Wet Chemical Etching),等离子刻蚀(Plasma Etching),反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)和离子研 磨(Ion Milling)。与其它刻蚀技术相比,湿法化学刻蚀工艺的主 要优点是成本低,对硅片上器件几乎无损害,高选 择比。缺点是各向异性差,工艺控制性(对温度敏 感)差,微颗粒控制差,化学品处理费用高,由于气 泡等因素很难使用于小的图形。 半导体工业中的湿法刻蚀工艺,主要使用酸 液去除金属、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等离子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽内批处理时硅片之间的互相污 染,洁净度好,且单片处理速度更快,对刻蚀图形的 精度控制也好于后者。 湿法刻蚀供酸管路系统的主体为主循环回 路,并有其它辅助的管路用于化学液补充或废液子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽...
发布时间: 2017 - 01 - 04
浏览次数:470
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