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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一段时间内其地位将无法被取代。      随着工艺尺寸的不断缩小,器件可靠性变得越来越重要,但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈。集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展,如何持续保持和提高湿法蚀刻的均匀性是集成电路工艺技术研究中的一个热点。      湿法刻蚀的设备目前主要有槽式刻蚀机和单片刻蚀机两种,槽式刻蚀机采用浸没式处理,刻蚀反应时硅片完全浸没在药液槽中,表面较均匀,所以其刻蚀均匀性也较好。      单片刻蚀机采取喷洒式工艺,由于硅片表面的药液层厚度较难控制,所以其刻蚀均匀性相对较差。研究发现,低刻蚀率化学药液的均匀性比高刻蚀率药液好,原因是刻蚀率低的药液反应剧烈程度小,所以容易得到较均匀的表面.在影响湿法刻蚀均匀性的关键因素方面,对于槽式刻蚀机,硅片进出药液槽的时间以及硅片从药液槽到纯水槽的传送速度很关键;对于单片式刻蚀机,硅片的自转转速和喷洒头的运动速度对刻蚀率均匀性影响很大。去离子水清洗方面,加入喷淋和快速排水功能有助于防止二次蚀刻,从而达到提高刻蚀均匀性的目的。&...
发布时间: 2016 - 12 - 02
浏览次数:342
刻蚀设备在太阳能晶硅电池刻蚀工艺中的应用——华林科纳CSE在晶体硅太阳能电池的制备过程中,边缘刻蚀作为生产工艺的重要一环,其质量的好坏直接影响着太阳能电池片质量的好坏。当前,电池片的刻蚀主要采用的工艺有:等离子体刻蚀、化学腐蚀刻蚀和利用激光划线刻蚀。1 工艺及设备原理等离子体和激光边缘刻蚀在整个晶体硅太阳能电池片的生产工艺流程中的位置如图 1 所示,等离子体刻蚀一般处于扩散工艺之后,而激光边缘刻蚀处于烧结工艺后面。传统的等离子体刻蚀设备主要是采用 ICP技术,配备 RF 电源组成的反应系统及干式真空泵排气系统等[2],其设备原理如图 2 所示,工作时先将硅片“叠硬币”式装入刻蚀夹具,然后放入反应室中,硅片在全氟化物(PFC)活性等离子混合气体中旋转,氟离子与电池片侧面的硅原子反应,以去除暴露在边缘的材料(pn 结),达到正背面绝缘目的,同时产生氟化硅气体,然后通过废气系统排出。激光精密微细加工技术随着自动化程度的提高和激光器类型的发展应用越来越成熟,激光技术已越来越广泛地使用到太阳能电池的埋栅刻槽、打孔、划片等工艺中。在太阳能硅片电池划片工艺的应用中使用激光器的选型此前已做了很多试验工作,Schoonderbeek [3] 对单晶硅激光划线进行了综合分析,对红外(1 060~1 070 nm)、绿色(532 nm)和紫外(355 nm)激光照射(纳秒脉冲宽度)前后的表面载流子寿命进...
发布时间: 2016 - 12 - 01
浏览次数:346
华林科纳砷化镓生产工艺-砷化镓清洗设备砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构, 晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带 宽度1.4电子伏。 砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓 可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上 的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、 红外探测器、γ光子探测器等。 由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在 制作微波器件和高速数字电路方面得到重要 应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、 高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强 等优点。 砷化镓备料——对坩埚及备件的处理:1将石英件和PBN坩埚放入煅烧炉中煅烧 目的是除去坩埚表面的杂质;2将石英件和PBN坩埚送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在坩埚上的金属离子;3将石英件和PBN坩埚用纯水清洗 目的是洗去酸液;4将石英件和PBN坩埚用超声波清洗 目的是除去剩余的小颗粒杂质 将石英件和PBN坩埚烘干。目的是除去水分;5将石英件和PBN坩埚送入装料间备用。砷化镓备料——对籽晶、多晶的处理:1用砂纸对籽晶和多晶进行打磨2将籽晶和多晶送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在籽晶和多晶的金属离子3将籽晶和多晶送入清洗间用纯水进行清洗目 的是洗去酸液4用沸水清洗,将籽晶和多晶送入烘干箱内烘干5将籽晶和多晶送入装料间备用将籽晶和多晶送入装料间备用:A...
发布时间: 2016 - 11 - 29
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湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。以后为华林科纳半导体设备技术的工程师浅谈在半导体湿法腐蚀清洗过程中遇到的清洗注意事项:1、硫酸双氧水去胶         说明:去除光刻胶  配比:H2SO4:H2O2=3:1        温度:140℃          流程:1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干 2、DHF去二氧化硅         说明:HF酸漂去二氧化硅 配比:HF:H2O=1:10         温度:室温          流程:HF酸漂洗(依漂去二氧化硅厚度定时)→溢流5分钟→冲水10次→甩干 3、氮化硅...
发布时间: 2016 - 11 - 23
浏览次数:260
半导体蓝宝石晶片清洗介绍--华林科纳CSE清洗环境  % `- K4 M2 z" c$ |7 [/ k) g整个蓝宝石的加工环境对最终蓝宝石晶片的表面质量有很大的影响,对开盒即用的蓝宝石晶片,通常抛光、清洗需要在100级以下的净化室中进行,最后的净化和封装需要在10级的净化台中进行。同时操作人员需要着防尘服,人员进入净化室要经过风淋处理。清洗工艺  ( b$ Y, O$ M) w, r针对开盒即用蓝宝石晶片的表面质量要求, 根据上述的净化原理, 对切割、磨削、研磨、抛光等不同工序的晶片清洗工艺进行了优化, 由于抛光后的清洗是最复杂的清洗, 也是要求最高的最后一道净化工序, 清洗后就封装, 交用户进行GaN 外延生长。所以这里详细分析抛光后蓝宝石晶片的清洗方法, 抛光后的蓝宝石晶片的具体清洗工艺和清洗剂的配方如下: a 抛光后的蓝宝石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆声波清洗15分钟; b 在20℃-25℃的丙酮中清洗2分钟; c 用去离子水流清洗2分钟;  ) r$ l4 l' A9 ?. c) L; `$ Dd 在80℃-90℃的2号液(该清洗剂各组分的体积比是1:4:20)中,兆声波清洗10分钟;  e 用去离子水流清洗2分钟;  f 擦蓝宝石晶片(可用擦片机);  g 在90℃-95℃的1号液(该...
发布时间: 2016 - 11 - 13
浏览次数:227
硅片清洗原理与方法---苏州华林科纳CSE1 引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后,表面已经受到严重的沾污,清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。2 硅片清洗的常用方法与技术化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸),然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。在半导体器件生产中,大约有30%的工序和硅片清洗有关,而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的,这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段,以达到清洗的目的。 化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位,因此本文仅对湿法化学清洗及与之相关的技术进行介绍。3 湿法化学清洗原理常用化学试剂及洗液的去污能力,对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响,根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。4 湿法化学清洗方法4.1 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清洗的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法,它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅...
发布时间: 2016 - 11 - 14
浏览次数:259
华林科纳CSE晶圆电镀设备分两个系列, CPE(半自动)/CPEA(全自动),主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀; 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。
发布时间: 2016 - 11 - 01
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—本文来自华林科纳 网络部掺杂的作用是制作N型或P型半导体区域,以构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施,将一定浓度的三价元素(如硼、锑)或五价元素(如磷、砷等)掺入半导体衬底,从而原材料的部分原子被杂质原子代替。掺杂工艺方法分为:热扩散法和离子注入法。热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺,它利用原子在高温下的扩散运动,使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。热扩散通常分两个步骤进行:预淀积(预扩散)和主扩散(也称推进)。预淀积是在高温下利用诸如硼、磷等杂质源对硅片上的掺杂窗口进行扩散,在窗口处形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。主扩散是利用预淀积所形成的表面杂质层做杂质源,在高温下将这层杂质向硅体内扩散的过程。通常推进的时间较长。 现分别列出不同扩散方式的步骤:CSD涂源扩散(硼源)CSD涂源扩散的步骤为:CSD涂源——CSD预淀积——后处理——基区氧化——基区再扩散(或者后两步同时进行即基区氧化再扩散):1、硼源CSD涂覆:利用凃源机在硅片表面进行硼源涂覆,硼源选用硼源B 30,主要成份是B2O3,液态。涂源步骤为:1)清洗:硅片在2号清洗液中清洗,如果硅片较脏,还需要在煮沸的SH清洗液中浸泡清洗;2)涂覆:硅片旋转速度约为2500转/min,涂覆后硅片传送到加热板,温度为(80±1)℃,加热时间为20S;3)测试:硼源涂覆...
发布时间: 2016 - 09 - 20
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一、太阳能电池片工艺流程:  制绒(INTEX)---扩散(DIFF)---后清洗(刻边/去PSG)---镀减反射膜(PECVD)---丝网、烧结(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORTER)---包装(PACKING)  二、我是做清洗的,今天主要跟大家分享一下清洗的工艺电池片制造过程中,有哪些步骤用到清洗呢?1,硅棒硅芯的清洗 ,需要用到硅棒硅芯清洗机 图为华林科纳硅棒清洗机2,制绒刻蚀--碱洗--酸洗     需要用到制绒腐蚀清洗机 图为华林科纳制绒腐蚀设备3,长时间扩散后需要对石英管进行清洗   需要石英管清洗机 图为华林科纳石英管清洗机下面讲一讲具体的步骤  (一)前清洗  1.RENA前清洗工序的目的:  (1) 去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)  (2) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl)  (3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收,在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。  2、前清洗工艺步骤: 制绒→碱洗 →酸洗→吹干  Etch bath:刻蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ,作用:  (1).去除硅片表面的机械损伤层;  (2).形成无规则绒面。Alkaline Rinse:碱洗槽 。 所用溶液为KOH,...
发布时间: 2016 - 09 - 20
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太阳能因其可再生与清洁环保等特性被广泛关注,太阳能电池片生产厂家也越来越多。太阳能电池工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:硅基太阳能电池和薄膜电池,但由于其光能转换效率的参差不齐,很多电池片厂家都在积极寻找新的高效电池材料及制作工艺,今天华林科纳CSE的技术工程师也给大家讲讲硅基太阳能电池。一、硅太阳能电池1.硅太阳能电池工作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。    同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。 P型半导体中含有较多的空穴,而N型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是...
发布时间: 2016 - 12 - 27
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