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湿制程设备制造商


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发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
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碳化硅磨料所具有的特性(硬度高、抗压强度高、耐磨性好),使碳化硅磨具在磨削加工中成为磨削硬脆材料及硬质合金的理想工具,不但效率高、精度高,而且粗糙度好、磨具消耗少、使用寿命长,同时还可改善劳动条件。因此广泛用于普通磨具难于加工的低铁含量的金属及非金属硬脆材料,如硬质合金、高铝瓷、光学玻璃、玛瑙宝石、半导体材料、石材等。   碳化硅的分类:(黑碳化硅、绿碳化硅)含量越高纯度越高、物理性能越好。含量在98%——特级品含量在95%-98%——一级品含量在80%-94%——二级品含量在70%左右——三级品   主要杂质有:游离硅(F.Si)一部分溶解在碳化硅晶体,一部分与其它金属杂质(铁、铝、钙)呈金属状态存在。游离二氧化硅(F.SiO2)通常存在于晶体表面,大都是由于冶炼碳化硅电阻炉冷却过程中,碳化硅氧化而形成。   碳化硅生产工艺:原料破碎配料&混料:采用锤式破碎机对石油焦破碎到工艺要求的粒径。按照规定配方称量配料并混匀,采用混凝土搅拌机对石油焦和石英砂混料作业。电炉准备:把上次用过的炉重新修整、整理,以再次投入使用。作业内容包括洁理炉底料,修整电极,清理炉墙并修补,去装力、1挡, 检查、排除炉的其他缺陷。装炉:按照规定的炉料类别、部位、尺寸往炉内装填反应料、保温料、炉芯材料,并砌筑具有保温和盛料作用的熔炼炉侧墙送电冶...
发布时间: 2016 - 12 - 06
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湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一段时间内其地位将无法被取代。      随着工艺尺寸的不断缩小,器件可靠性变得越来越重要,但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈。集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展,如何持续保持和提高湿法蚀刻的均匀性是集成电路工艺技术研究中的一个热点。      湿法刻蚀的设备目前主要有槽式刻蚀机和单片刻蚀机两种,槽式刻蚀机采用浸没式处理,刻蚀反应时硅片完全浸没在药液槽中,表面较均匀,所以其刻蚀均匀性也较好。      单片刻蚀机采取喷洒式工艺,由于硅片表面的药液层厚度较难控制,所以其刻蚀均匀性相对较差。研究发现,低刻蚀率化学药液的均匀性比高刻蚀率药液好,原因是刻蚀率低的药液反应剧烈程度小,所以容易得到较均匀的表面.在影响湿法刻蚀均匀性的关键因素方面,对于槽式刻蚀机,硅片进出药液槽的时间以及硅片从药液槽到纯水槽的传送速度很关键;对于单片式刻蚀机,硅片的自转转速和喷洒头的运动速度对刻蚀率均匀性影响很大。去离子水清洗方面,加入喷淋和快速排水功能有助于防止二次蚀刻,从而达到提高刻蚀均匀性的目的。&...
发布时间: 2016 - 12 - 02
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刻蚀设备在太阳能晶硅电池刻蚀工艺中的应用——华林科纳CSE在晶体硅太阳能电池的制备过程中,边缘刻蚀作为生产工艺的重要一环,其质量的好坏直接影响着太阳能电池片质量的好坏。当前,电池片的刻蚀主要采用的工艺有:等离子体刻蚀、化学腐蚀刻蚀和利用激光划线刻蚀。1 工艺及设备原理等离子体和激光边缘刻蚀在整个晶体硅太阳能电池片的生产工艺流程中的位置如图 1 所示,等离子体刻蚀一般处于扩散工艺之后,而激光边缘刻蚀处于烧结工艺后面。传统的等离子体刻蚀设备主要是采用 ICP技术,配备 RF 电源组成的反应系统及干式真空泵排气系统等[2],其设备原理如图 2 所示,工作时先将硅片“叠硬币”式装入刻蚀夹具,然后放入反应室中,硅片在全氟化物(PFC)活性等离子混合气体中旋转,氟离子与电池片侧面的硅原子反应,以去除暴露在边缘的材料(pn 结),达到正背面绝缘目的,同时产生氟化硅气体,然后通过废气系统排出。激光精密微细加工技术随着自动化程度的提高和激光器类型的发展应用越来越成熟,激光技术已越来越广泛地使用到太阳能电池的埋栅刻槽、打孔、划片等工艺中。在太阳能硅片电池划片工艺的应用中使用激光器的选型此前已做了很多试验工作,Schoonderbeek [3] 对单晶硅激光划线进行了综合分析,对红外(1 060~1 070 nm)、绿色(532 nm)和紫外(355 nm)激光照射(纳秒脉冲宽度)前后的表面载流子寿命进...
发布时间: 2016 - 12 - 01
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华林科纳砷化镓生产工艺-砷化镓清洗设备砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构, 晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带 宽度1.4电子伏。 砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓 可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上 的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、 红外探测器、γ光子探测器等。 由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在 制作微波器件和高速数字电路方面得到重要 应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、 高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强 等优点。 砷化镓备料——对坩埚及备件的处理:1将石英件和PBN坩埚放入煅烧炉中煅烧 目的是除去坩埚表面的杂质;2将石英件和PBN坩埚送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在坩埚上的金属离子;3将石英件和PBN坩埚用纯水清洗 目的是洗去酸液;4将石英件和PBN坩埚用超声波清洗 目的是除去剩余的小颗粒杂质 将石英件和PBN坩埚烘干。目的是除去水分;5将石英件和PBN坩埚送入装料间备用。砷化镓备料——对籽晶、多晶的处理:1用砂纸对籽晶和多晶进行打磨2将籽晶和多晶送入腐蚀间用王水进行酸洗 目的是除去附着在籽晶和多晶的金属离子3将籽晶和多晶送入清洗间用纯水进行清洗目 的是洗去酸液4用沸水清洗,将籽晶和多晶送入烘干箱内烘干5将籽晶和多晶送入装料间备用将籽晶和多晶送入装料间备用:A...
发布时间: 2016 - 11 - 29
浏览次数:162
湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。以后为华林科纳半导体设备技术的工程师浅谈在半导体湿法腐蚀清洗过程中遇到的清洗注意事项:1、硫酸双氧水去胶         说明:去除光刻胶  配比:H2SO4:H2O2=3:1        温度:140℃          流程:1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干 2、DHF去二氧化硅         说明:HF酸漂去二氧化硅 配比:HF:H2O=1:10         温度:室温          流程:HF酸漂洗(依漂去二氧化硅厚度定时)→溢流5分钟→冲水10次→甩干 3、氮化硅...
发布时间: 2016 - 11 - 23
浏览次数:142
半导体蓝宝石晶片清洗介绍--华林科纳CSE清洗环境  % `- K4 M2 z" c$ |7 [/ k) g整个蓝宝石的加工环境对最终蓝宝石晶片的表面质量有很大的影响,对开盒即用的蓝宝石晶片,通常抛光、清洗需要在100级以下的净化室中进行,最后的净化和封装需要在10级的净化台中进行。同时操作人员需要着防尘服,人员进入净化室要经过风淋处理。清洗工艺  ( b$ Y, O$ M) w, r针对开盒即用蓝宝石晶片的表面质量要求, 根据上述的净化原理, 对切割、磨削、研磨、抛光等不同工序的晶片清洗工艺进行了优化, 由于抛光后的清洗是最复杂的清洗, 也是要求最高的最后一道净化工序, 清洗后就封装, 交用户进行GaN 外延生长。所以这里详细分析抛光后蓝宝石晶片的清洗方法, 抛光后的蓝宝石晶片的具体清洗工艺和清洗剂的配方如下: a 抛光后的蓝宝石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆声波清洗15分钟; b 在20℃-25℃的丙酮中清洗2分钟; c 用去离子水流清洗2分钟;  ) r$ l4 l' A9 ?. c) L; `$ Dd 在80℃-90℃的2号液(该清洗剂各组分的体积比是1:4:20)中,兆声波清洗10分钟;  e 用去离子水流清洗2分钟;  f 擦蓝宝石晶片(可用擦片机);  g 在90℃-95℃的1号液(该清洗剂各...
发布时间: 2016 - 11 - 13
浏览次数:143
硅片清洗原理与方法---苏州华林科纳CSE1 引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后,表面已经受到严重的沾污,清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。2 硅片清洗的常用方法与技术化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,或伴以超声、加热、抽真空等物理措施,使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸),然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。在半导体器件生产中,大约有30%的工序和硅片清洗有关,而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的,这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段,以达到清洗的目的。 化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位,因此本文仅对湿法化学清洗及与之相关的技术进行介绍。3 湿法化学清洗原理常用化学试剂及洗液的去污能力,对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响,根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。4 湿法化学清洗方法4.1 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清洗的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法,它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅...
发布时间: 2016 - 11 - 14
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华林科纳CSE晶圆电镀设备分两个系列, CPE(半自动)/CPEA(全自动),主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀; 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。
发布时间: 2016 - 11 - 01
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—本文来自华林科纳 网络部掺杂的作用是制作N型或P型半导体区域,以构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施,将一定浓度的三价元素(如硼、锑)或五价元素(如磷、砷等)掺入半导体衬底,从而原材料的部分原子被杂质原子代替。掺杂工艺方法分为:热扩散法和离子注入法。热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺,它利用原子在高温下的扩散运动,使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。热扩散通常分两个步骤进行:预淀积(预扩散)和主扩散(也称推进)。预淀积是在高温下利用诸如硼、磷等杂质源对硅片上的掺杂窗口进行扩散,在窗口处形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。主扩散是利用预淀积所形成的表面杂质层做杂质源,在高温下将这层杂质向硅体内扩散的过程。通常推进的时间较长。 现分别列出不同扩散方式的步骤:CSD涂源扩散(硼源)CSD涂源扩散的步骤为:CSD涂源——CSD预淀积——后处理——基区氧化——基区再扩散(或者后两步同时进行即基区氧化再扩散):1、硼源CSD涂覆:利用凃源机在硅片表面进行硼源涂覆,硼源选用硼源B 30,主要成份是B2O3,液态。涂源步骤为:1)清洗:硅片在2号清洗液中清洗,如果硅片较脏,还需要在煮沸的SH清洗液中浸泡清洗;2)涂覆:硅片旋转速度约为2500转/min,涂覆后硅片传送到加热板,温度为(80±1)℃,加热时间为20S;3)测试:硼源涂覆...
发布时间: 2016 - 09 - 20
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一、太阳能电池片工艺流程:  制绒(INTEX)---扩散(DIFF)---后清洗(刻边/去PSG)---镀减反射膜(PECVD)---丝网、烧结(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORTER)---包装(PACKING)  二、我是做清洗的,今天主要跟大家分享一下清洗的工艺电池片制造过程中,有哪些步骤用到清洗呢?1,硅棒硅芯的清洗 ,需要用到硅棒硅芯清洗机 图为华林科纳硅棒清洗机2,制绒刻蚀--碱洗--酸洗     需要用到制绒腐蚀清洗机 图为华林科纳制绒腐蚀设备3,长时间扩散后需要对石英管进行清洗   需要石英管清洗机 图为华林科纳石英管清洗机下面讲一讲具体的步骤  (一)前清洗  1.RENA前清洗工序的目的:  (1) 去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)  (2) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl)  (3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收,在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。  2、前清洗工艺步骤: 制绒→碱洗 →酸洗→吹干  Etch bath:刻蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ,作用:  (1).去除硅片表面的机械损伤层;  (2).形成无规则绒面。Alkaline Rinse:碱洗槽 。 所用溶液为KOH,...
发布时间: 2016 - 09 - 20
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