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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      集成电路制造过程中通常使用的清洗化学物质已经使用了很多年。尽管已知各种清洁化学物质对于当前一代集成电路设计规则是有效的,但是对这些化学物质的清洁机制和性能限制仍知之甚少。通过仔细的过程优化和对清洁机制的理解,这些化学物质通常可以被修改以保持或提高清洁效率,同时减少化学物质的使用。最常见的清洗化学物质包括用于去除重有机污染物、过渡金属污染物和颗粒污染物的氧化水溶液。硫酸和强氧化剂如过氧化氢的混合物通常用于去除高分子量有机物(如灰化光刻胶)。      近年来,大量的努力集中在优化SC-1和SC-2化学品的工艺性能上。已经表明,这些化学物质可以被充分稀释,同时仍然保持高清洁效率。本文将讨论SC-1清洁剂的优化,以最大限度地减少颗粒和有机污染、环境影响和拥有成本。只要施加足够的兆频超声波能量,稀释SC1清洗就能有效去除颗粒。这通过最大限度地减少化学品使用、漂洗水使用和废物处理,降低了拥有成本和环境影响。 实验      颗粒去除研究:实验面临的污染挑战是氮化硅颗粒,它是从气溶胶中沉积出来的,粒径范围从0.11 pm(计量检测下限)到0.30 Atm。用于这些实验的晶片是150毫米的Si,在稀释的(1∶10∶130)SC-1化学中预先清洗,...
发布时间: 2021 - 11 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化镓发光二极管是异质外延生长在不同的衬底上,如蓝宝石和碳化硅,因为生长块状氮化镓有困难。蓝宝石是最常用的衬底,因为它的成本相对较低。然而,由于外延氮化镓薄膜和蓝宝石衬底之间晶格常数和热膨胀系数的巨大失配,在平面蓝宝石衬底上生长的氮化镓导致高密度的位错缺陷(10±10厘米)。我们研究了氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)对性能增强的反应机制,其生长在化学湿蚀刻图案蓝宝石衬底(CWE-PSS)上,该二极管在顶部表面具有v形坑特征。根据温度依赖的光致发光(PL)测量和测量的外部量子效率,该结构可以同时提高内部量子效率和光提取效率。 实验      蓝宝石衬底上的蚀刻图案是排列的六方孔阵列。在这里,我们使用硫酸和磷酸的混合溶液(HSO:HPO)在300℃的工作温度下蚀刻蓝宝石基底。CWE-PSS的制造细节可以在其他地方找到。图1(a)中显示了CWE-PSS的俯视图扫描电镜图像。单个孔的直径为3m,晶格常数为7m。蚀刻孔深度为0.5m,中心为三角形平面,被三个平面面包围。然后在低压金属-有机化学气相沉积CWE-PSS上培养LED结构。三甲基镓(TMGa)、三甲基钠(TMIn)和氨(NH)分别作为Ga、In、N前体,双环戊二烯镁(CpMg)和硅烷(SiH)作为...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:27
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在SOG旋转/烘烤/固化步骤之间应至少间隔一段时间。大多数SOG用户“指定”在SOG沉积、烘烤和最终固化后不超过两个小时。与大多数晶圆厂加工一样,建议将晶圆储存在干燥的环境中(湿度沉积的SOG薄膜缓慢地进入和离开高温固化炉是至关重要的。这防止了当彼此接触的具有不同热膨胀系数的材料发生快速热变化时可能发生的破裂。建议从300℃开始逐渐固化。SOG以比推荐值低得多的转速旋转,或者一个SOG的多个涂层可以产生超过推荐厚度的薄膜,并且在固化过程中容易破裂。这种趋势随着晶片表面形貌变得更加严重而增加。通常,当需要更厚的膜时,可以找到替代的SOG来满足需要。在最热的烘烤之后,冷却晶片可以被放置在冷却板上,该冷却板不工作或者被设置在室温。设定为“冷”的真正冷却板会过快冷却晶圆,导致应力和开裂。 当需要更厚的膜时(通常通过扫描电镜检查确定),可以采取两种方法:1)沉积多层(通常是双层)SOG,或(2)使用同一产品系列的较厚SOG。较低的第一烘烤板温度(推荐温度为80℃)允许溶剂更缓慢地离开SOG,允许SOG更大的流动,并因此提供更好的平面化。较长的扩散周期会导致仍然含有溶剂的SOG向边缘移动,降低平面度,并产生边缘珠。更短的传播周期(2-6或甚至低至1秒)。在3000转/分钟时,随后停止(即10秒钟)导致一些形貌上更好的平面化。虽然SOG被设计成在30...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:227
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      彻底消除半导体加工环境中所有可能的杂质对于实现亚微米至更低亚微米特征尺寸的ULSI器件非常重要。很明显,晶片表面上的残留污染物应该随着图案密度的增加而显著减少。湿法化学工艺在超大规模集成电路制造技术中占有非常重要的地位。随着超大规模集成电路器件图案密度的增加,越来越需要无污染的清洗和干燥系统。对于通过化学溶液处理从硅r中去除颗粒污染物,已经发现NH OH-HCO溶液是极好的,并且溶液中NH OH的比率可以减少到标准比率的1/10,同时保持高的去除效率。通过降低NH,OH含量,将减少在NH       通过比较各种清洗方法的清洗效率,研究了颗粒物污染对李思-康表面清洗的影响。并且,为了实现无颗粒干燥系统,开发了IPA蒸汽干燥设备,在该设备中,在干燥区域完全消除了颗粒的产生,并且研究了影响晶片表面清洁度的因素。 实验      清洁实验:在人工污染的晶片上进行晶片清洗实验。直径为0.43 pm的聚苯乙烯乳胶球和直径为0.5 pm的二氧化硅乳胶球分别用作有机和无机人工颗粒污染物。用于测试的硅片直径为3英寸,取向为(1,0,0)p型(6-8ii-cm)或n型(3-5II-厘米)。将含有7×10-7×10’0颗粒/毫升的胶...
发布时间: 2021 - 11 - 10
浏览次数:52
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了确保高器件产量,在半导体制造过程中,必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗涤器是用于实现这种控制的工具之一,尤其是在化学机械平面化工艺之后。尽管自20世纪90年代初以来,刷子刷洗就已在生产中使用,但刷洗过程中的颗粒去除机制仍处于激烈的讨论之中。这项研究主要集中在分析擦洗过程中作用在颗粒上的力。这项方法着重于分析作用在颗粒上的力和力矩,以揭示擦洗过程中颗粒的去除机理。首次研究了刷洗过程中刷状粗糙体/基底的接触几何形状。然后用理论和实验相结合的方法确定不同润滑方式下的力和力矩。最后,通过对力和力矩的分析,解释了实验结果,并找出了颗粒去除的机理。 实验测试晶片是200毫米p型硅,150纳米氮化物层沉积在15纳米衬垫氧化物上。使用前,使用O3-last Imec-clean清洗晶片。颗粒为胶体二氧化硅颗粒,直径分别为20、34、78和126纳米。晶片的受控污染是通过浸入pH ≈ 0(盐酸)的颗粒污染浴中,然后过流冲洗和马兰戈尼干燥来实现的。基于雾度法,最终粒子表面浓度(σpsc)是通过使用光散射装置测量晶片的雾度来确定的。 结果和讨论润滑制度:根据润滑状态,颗粒受到不同类型的机械力和力矩:边界润滑状态下的接触力(或力矩),流体动力润滑状态下的流体动力(力矩)。因此,我们首先确定不同刷/晶片相对速度和压力下的流体膜厚度...
发布时间: 2021 - 11 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体制造过程中流入硅片表面的污染与器件的可靠性下降、晶体缺陷一起带来良品率的减压,因此控制这种污染的技术非常重要。因此,在半导体制造技术方面,污染控制技术,如设计技术和工艺技术等具有重要意义,一直在发展。作为污染控制技术的一部分,清洁技术在制造工艺上实际上一直被用作连接到晶片上的直接污染控制手段,半导体工艺约占清洁工艺的20%。事实上,为了稳定地形成高质量的超细薄膜,确保高选择性的VLSI/ULSI制造技术,基于邀请晶技术的SI基板清洗变得非常重要。例如,晶片必须在热氧化杂质扩散硅薄膜的外延生长、化学气相沉积和其他热工艺等工艺之前清洗干净。目前,湿式清洁被广泛使用,原因是它对从硅酮表面清除嘴、金属污染物和自然氧化膜有效。但是,湿式清洁不仅需要大量的化学试剂和DI Water,而且因为化学试剂的废弃成本高、有害,所以越来越接近其有用性的极限。      本方法通过SEM和XPS分析了在去除金属污染源的清洗方法中,利用UV/O3代替等离子体、UV/Cl2、Vapor phase对硅片进行精密清洗的方法,在臭氧和紫外线各自的清洗方法中,根据清洗时间,Vapor表面残留物质。 实验      图1显示了通过本实验使用的臭氧发生器、原料气体...
发布时间: 2021 - 11 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,微米级低温固体微粒的热流体机械高功能性在应用于高热发射器件的超高热通量冷却技术领域受到关注。为了在先进的纳米技术领域有效利用这种低温固体颗粒的高性能,我们实验室开发了一种新的物理半导体清洗方法,该方法采用低温喷雾。      在本方法中,为了阐明微观(SN2)颗粒行为的详细机理,进行了综合计算流体动力学分析,以阐明传统测量难以获得的微观低温单固体颗粒传热机理。对于控制方程的表述,单个微SN2颗粒相变的热流体动力学行为由纳维尔-斯托克斯方程、连续性方程和能量方程控制。这种现象的决定性特征是发生在SN2粒子和周围气相界面的强烈蒸发(以及后来的冷凝)。除了这些热流体动力学分析之外,还研究了微SN2喷雾在半导体晶片清洗技术中的应用。从实验和数值两个方面阐明了SN2粒子撞击硅片抗热机械去除清洗特性。特别研究了超高热通量冷却对有机材料热收缩抗蚀剂去除性能的影响。此外,新发现了超声雾化微固态氮对晶片超净性能的影响。 实验      对于在本方法中使用的晶片样品,检查了正KrF光致抗蚀剂涂覆的多晶硅/栅极氧化硅/硅衬底的剥离性能。这些晶圆是按如下方式制造的。首先,热氧化8英寸p型硅衬底,并在衬底上沉积6纳米厚的栅极氧化硅层。使用LPCVD(...
发布时间: 2021 - 11 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      应用兆频超声波能量去除颗粒已被证明是一种非常有效的非接触式清洁方法。对晶片表面的清洁同样重要的是干燥过程。一种非常常见的方法是高速旋转干燥,但从减少颗粒和防止水痕的角度来看,这都是无效的。一种高性能的替代品是基于旋转力和马兰戈尼力的“旋转戈尼”干燥器。这两种技术的结合为清洗和干燥晶片提供了有效的平台。      这两种技术的结合为清洁和干燥晶圆提供了一个有效的平台。氧化后CMP清洁的结果表明,相当于标准清洁,减少COO和工具足迹。铜-cmp后巨气清洗使用专有的清洗化学,然后“拮抗”干也是非常有效的颗粒去除。此外,有图案的铜表面无腐蚀。      晶片表面的有效清洁是任何半导体工艺的重要部分。清洁中经常被忽视的一个方面是清洁后的干燥。忽略干燥过程,清洁带来的许多好处可能会丧失。因此,有效的清洁是干燥程序中必不可少的。 实验      所有兆频超声波清洗和干燥数据都是在维泰克金手指200毫米单晶片平台上收集的。典型的转子式干燥条件为300至500转/分钟,去UPW流速为200毫升/分钟,N2流速为2毫升/分钟,干燥时间小于25秒。以1800转/分的速度旋转干燥需要25秒。所有加工都在室温去离子(19℃)下进...
发布时间: 2021 - 11 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在半导体器件的制造过程中,兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中,平面硅片被浸入水基溶液中,并受到频率在600千赫-1兆赫范围内的声能束的作用。声波通常沿着平行于晶片/流体界面的方向传播。兆频超声波清洗领域的大部分工作都是针对寻找兆频超声波功率和磁场持续时间等条件来优化粒子去除。已知或相信在兆电子领域中有几个过程是有效的,即微空化、声流和压力诱导的化学效应。兆声波可以想象为以音速传播到流体中的压力变化。当声波通过固体颗粒时,该波中的压力梯度会对该颗粒施加作用力。本文的主要目的是从理论上研究与二阶声场相关的现象,如声波流动,特别是兆频超声波清洗过程中颗粒去除的施里希廷流动。该理论研究由两部分组成,即计算固体/粘性流体界面处的时间相关(一阶)声位移场,然后计算时间无关(二阶)压力场。在典型的兆频超声波清洗槽中,一次清洗几个晶片。晶片在盒子中彼此平行排列。兆声波传播通过的介质是不均匀的,因此可以简单地表示为由水基流体层分开的交替硅板组成的层状复合材料。因为晶片直径明显大于兆声波的波长,所以层状复合材料在这里被视为在平行于晶片/流体界面的方向上是无限的。此外,为了简化模型,我们将固体介质视为各向同性的。在本文中,我们考虑两种多层几何形状。首先,我们研究了入射声波和由硅和水组成的两个半无限同质介质之间的单个界面之间的相互作用。这个系统将...
发布时间: 2021 - 11 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在镶嵌集成方案中,铜被用作互连材料。在镶嵌集成方案中,通过等离子体工艺的蚀刻处理导致形成聚合物残留物、在电介质侧壁上溅射的铜、通孔底部的铜氧化以及硬掩模表面的铜沉淀。为了去除这些杂质,必须进行通孔后蚀刻清洗。      我们测试了几种由稀释的氟化氢和有机酸组成的含水清洗溶液。稀释的氟化氢主要用于去除聚合物残留物和有机酸,以清洁铜表面。这些混合物已经被研究过,并且与几种多孔和致密的ULK材料相容。本文研究了稀氢氟酸溶液中有机酸和气泡对铜和氧化铜溶解速率的影响。首先,通过X射线反射仪表征确定的铜溶解动力学获得氧化铜和铜蚀刻速率和粗糙度。其次,进行形态计算以解释作为溶液和气体鼓泡的函数的铜蚀刻速率差异。 实验      通过在硅衬底上100-150的TiN层上沉积500的铜(PVD)层来制备200 mm样品。将铜晶片暴露在洁净室气氛中,以获得几埃(35至40埃)的氧化铜膜。测试了几种含有3.5重量%有机酸或稀释的0.05重量%氟化氢加3.5重量%有机酸的溶液(水基化学)(表1)。通过O2或N2气体鼓泡来调节溶液中的气体含量。 表1 测试的清洗溶液      对于动力学研究,将相同的铜样品在25℃的溶...
发布时间: 2021 - 11 - 09
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