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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子,只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦的表面也应该是原子清洁的,因为氧化物和污染会引响原子尺度的粗糙度。原子平坦和清洁的表面也需要许多在微和光电子的应用。 实验      实验是在砷化镓外延层上进行的,以避免结构缺陷的可能影响,这些缺陷存在于由机械和化学机械抛光制备的商业基底的表面附近。我们使用液相外延(LPE)在传统GaAs(100)基质和图形GaAs(100)基质上生长的砷化镓层,不同大小的方形中台面面积在0.2到2mm2不等。       HCl-iPA溶液的制备包括盐酸蒸汽对iPA的等光饱和,制备方法如下:将含有100ml高纯双蒸馏iPA的玻璃放入装满300ml高纯浓缩37%盐酸的3-l干燥器中。为了确定溶液中盐酸浓度CHCl的时间依赖性,从玻璃中提取1mlHCl-ipa探针。用水稀释的探针的比例计算浓度CHCl。这些测量值的精度约为5%,并通过滴定法进行了验证。CHCl的时间依赖性如图所示:1.由闭上的圆圈表示。结果表明,在t50h时,浓度线性增加到CHCl10%,并在CHCl20%时饱和...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶体硅光伏效率和场退化领域的技术差距/需求已经被确定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。极少量的污染会导致光伏效率低下,并且在现场安装后暴露在阳光下时容易进一步降低效率。在最近的试验中,我们进行了同类最佳的清洗,将隐含的开路电压提高了3%。在批量和在线湿法清洗工具的分批生产试验中,纹理化后蚀刻导致多晶硅晶片上的单元效率绝对提高0.3%。 实验      光伏晶体应用清洁化学的目标是消除晶体衬底材料加工过程中产生的或无意中添加到制造环境中的表面污染物。清洁剂所针对的污染物是释放到湿法处理槽中的金属阳离子。在处理晶片的正常过程中,两个处理步骤对于损坏太阳能电池表面是最关键的。下面讨论这两个步骤。首先是在纹理化蚀刻后去除污染物。纹理化蚀刻通过提供光学粗糙的表面来改变硅表面。纹理蚀刻从晶片上去除大块材料。被去除的硅衬底中存在的任何污染物被释放到纹理化浴中。在纹理化蚀刻之后,移除晶片并通过加入酸浴来中和。这种浴通常是氟化氢的稀溶液,有时也是氯化氢。晶片表面上存在的任何金属污染物都转移到该槽中。第二个处理步骤:略。 结果和讨论      单晶硅后纹理和后清洁:根据测量的载流子寿命和载流子注入,计算出隐含的开路电压。在图1中,后...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数,可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域,例如与航空航天、汽车和石油工业相关的领域,需要能够在高功率水平、高温、高频和恶劣环境下工作的电子设备。硅(Si)不能满足这些要求;碳化硅可以。此外,由于其典型的化学和机械性能,碳化硅与硅结合,在传感器和微机电系统(微机电系统)中得到更广泛的应用。      对于阳极蚀刻,避免形成钝化的表面氧化物二氧化硅至关重要,二氧化硅可以形成二氧化硅,并且在HF水溶液中是可溶的。已知二氧化硅也可溶于碱性溶液;硅微机电系统技术的许多方面都利用了这一特性。令人惊讶的是,在高酸碱度下对碳化硅的电化学腐蚀很少受到关注。本文表明这种方法既可用于碳化硅的均匀刻蚀,也可用于碳化硅的钝化。还使用了带有反电极但没有电压的n型碳化硅的光阳极蚀刻。我们考虑与该方法的两种可能用途相关的结果:缺陷揭示和层选择性蚀刻。 实验      n型晶片轴向取向,掺氮,电阻率在0.01和0.07厘米之间变化。p型晶片取向为8°离轴,掺铝,电阻率为3.86厘米。本研究中使用的所有样品都具有硅极面。对于电化学实验,使用Si3N4掩模在样...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中,电池的两面都被纹理化,导致表面相当粗糙,这对背面是不利的。因此,在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。随后,使用双面扩散工艺来构造发射器。为了避免太阳能电池的前侧和后侧之间的短路,后侧上的发射器在进一步的湿化学工艺步骤中被移除。所以总共有两个单面湿化学过程,一个在扩散过程之前,一个在扩散过程之后。在降低成本方面,我们打算将这两个过程合并为一个步骤。(图1) 图1标准工艺(左)和组合湿化学工艺(右)的PERC太阳能电池概念的工艺方案      在本文中,我们研究了影响晶片前后表面的因素以及新开发的在线湿化学处理概念的关键特征。一个新的运输系统将减少由于反应性气体造成的磨损、阴影和前侧发射器损坏。该系统是为成熟的湿化学工艺设计的。 影响晶片表面的因素      影响单侧蚀刻晶片前后表面的因素有所不同(图3)。所以必须保护正面免受发射器损坏的两个主要来源。一种是包裹在前端的流体,破坏了局部发射体和表面纹理。另一个问题是废气与整个正面反应造成的发射器损坏。环绕气体和活性气体可以通过修改蚀刻混合物和从背面去除的材料量来控制。在后侧,必须获得均匀的表面。有两种机制会影响这一...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量,随着退火温度的增加,材料的湿蚀刻率降低。在1100°C退火后,在80°C蚀刻温度下,蚀刻速率降低了约一个数量级。用金属有机分子束外延生长的In019A1081N在硅上的蚀刻速率大约是在砷化镓上的三倍。这与在砷化镓上生长的材料的优越的晶体质量相对应。我们还比较了掺杂浓度对蚀刻速率的影响。蚀刻两个晶体质量相似的主要样品,一个用nc1016cm3(2.6%In)完全耗尽,另一个用n5。这些蚀刻的活化能非常低,溅射的A1N为2.0 0.5 千卡摩尔。主要的活化能依赖于成分,在2-6千卡摩尔。在80时,GaN和InN层在氢氧化钾温度下没有显示任何蚀刻°C。 实验      在IntevacGenII系统中,使用半绝缘、(100)砷化镓基质或p型(1 11 cm)硅基质的金属加纳分子束外延(MOMBE)基质上生长。III组源分别为三乙基镓、三甲胺亚烷和三甲基钠,原子氮来自于在200W正向功率下运行的ECR脉波源。各...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      光增强电化学(PEC)湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点,但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道,在蓝宝石基质上生长的氮化镓的均方粒根粗糙度在16nm之间,在尖晶石基质上生长的氮化镓的均方根粒度在11和0.3nm之间。      虽然已经发现基于氢氧化钾的溶液可以蚀刻氮化铝和氮化铟锡,但之前还没有发现能够蚀刻高质量氮化镓的酸或碱溶液.在这篇文章中,我们使用乙二醇代替水作为氢氧化钾和氢氧化钠的溶剂,因此我们能够使用90℃至180℃的温度。通过这样做,我们开发了一种两步工艺,将晶体表面蚀刻成ⅲ族氮化物。我们的样品是用金属有机化学气相沉积法在c面蓝宝石上生长的2mm厚的n型GaN外延层。      晶体蚀刻工艺中的两个蚀刻步骤中的第一个用于建立蚀刻深度,并且可以通过几种常见的处理方法来执行。在第一步中,我们使用了几种不同的处理方法,包括氯基等离子体中的反应离子蚀刻、氢氧化钾溶液中的PEC蚀刻。第二步是通过浸入能够晶体蚀刻氮化镓的化学物质来完成的。该蚀刻步骤可以产生光滑的结晶表面,并且可以通过改变第一步骤的取向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。表一总结了本工作中使用的所有化学品的蚀刻速...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术,因为其减薄率很高。新的微电子产品要求硅晶片厚度减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产生残留缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。      在本工作中,我们研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中,不同硝酸浓度对硅片总厚度和重量损失、刻蚀速率、形貌和结构特性的影响。结果表明,随着硝酸浓度和刻蚀时间的增加,总厚度和失重增加。较高的硝酸浓度导致较高的蚀刻速率,并且蚀刻速率随着蚀刻时间的延长而降低。随着刻蚀时间和硝酸浓度的增加,光学显微镜观察到更平滑、更清晰的均匀硅表面图像。XRD分析表明,腐蚀后硅片的强度比纯硅片高,这可能表明腐蚀后表面形成更光滑。本文的研究结果对生产一种可靠的、理想的、在集成电路制造中至关重要的硅晶片具有参考价值。 材料和方法      使用的化学品是硝酸,高频,乙醇,丙酮和蒸馏水。所有仪器在干燥前都用蒸馏水冲洗,以确保所有使用的仪器没有任何污染物。在蚀刻之前,硅晶片经历溶剂清洗过程,目的是去除其表面的油和有机残留物。首...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言对基于III-V半导体纳米异质结构的多结太阳能电池(MJSC)的关注是由于它们太阳能到电能的高效转化。MJSC参数的进一步改善通常与通过增加更多的光活性p-n连接和通过稀释底物来减少单个SCs的重量来提高效率有关。反过来,MJSC中光活性p-n连接数量的增加导致光流总值的自然下降,从而导致光活性p-n结的空间电荷区(SCR)电流的“重组”和“隧道陷阱”(过量)机制对SC效率的影响更大。这对MJSC的效率产生了负面影响。在这项工作中,我们提出了一种生长后制造工艺,其中在单阶段湿化学蚀刻工艺中将InGaP/Ga(In)As/Ge外延晶片分离成单个元件,这产生了平滑的蚀刻轮廓。为了评估制造的多结太阳能电池的质量,在电流密度为(110-12-10A/cm2)和电压为(0 - 3)伏的情况下,直接在外延晶片上测量J-V特性。我们已经证明,具有InGaP/Ga(In)As/Ge外延晶片的单阶段分离蚀刻的生长后工艺允许制造具有非常相似的J-V特性。 实验为了制造三结太阳能电池芯片的实验,InGaP/Ga(In)As/Ge纳米异方差通过MOCVD外延生长在掺杂到1·1018cm-3水平的锗p基板上。基底厚度为120-150µm,结构总厚度约为6微米。生长后,在顶部n层(Au(Ge)/Ni/Au)和p基底(Ag(Mn)/Ni/Au...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通过简单的氧化方法在硅表面制备,其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏应用占主导地位,全球近90%的太阳能电池生产是基于多晶和单晶基质。发展具有经济吸引力的太阳能电池的先决条件是减少材料消耗、简化技术工艺和进一步提高能源转换效率。本文报道了利用传统和新开发的湿化学方法获得的硅基底与纹理表面的形态、光学和电子界面性质的联合监测。通过结合无损、表面敏感技术、UV-NIR反射率测量、光谱椭圆偏距(SE)、表面光致发光(SPV)和PL)测量,在原位和湿化学制备步骤中重复进行。 实验      使用n型和P型硅(100)晶片,首先处理具有(a)切割和(B)抛光表面的两种类型的衬底,以去除锯伤和/或获得光捕获纹理,随后进行湿化学氧化和蚀刻处理,以降低单层范围内制备引起的微观表面粗糙度。通过(1)在80℃的碱性氢氧化钾/异丙醇(KOH/IPA)溶液中的各向异性蚀刻,(2)使用从晶片减薄技术转移的各向同性纹理蚀刻(TE)获得不同的表面纹理。      为了研究制备诱导的表面微粗糙度和天然氧化物对成质太阳能电池基质的影响,应用了三种湿化学表面制备:(i...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题。本工作采用电化学分析方法研究了射频磁控溅射氧化锌薄膜在各种湿溶液如磷酸和硝酸溶液中的湿腐蚀行为。还考察了沉积参数如射频功率和氧分压对腐蚀速率的影响。 实验      利用射频磁控溅射系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜。沉积后立即测量沉积薄膜的厚度。用轮廓仪测量厚度。残余应力测量通过记录沉积前后硅衬底的曲率来进行。薄膜的应力由斯通尼公式得到。电阻率是通过探针站使用传输线方法在氧化锌薄膜上沉积金属薄膜后获得的。      在包括硝酸(0.1M)、磷酸(0.1M)、盐酸(0.1M)和乙酸(0.1M)的酸溶液中浸泡5秒钟后,用T轮廓仪从厚度梯度经时间测量膜的溶解速率。 结果和讨论      氧化锌薄膜是通过溅射法制备的,这种方法可以很好地控制薄膜的厚度、均匀性和成分。溅射沉积薄膜的结构和性能受到溅射参数的强烈影响,如气体、压力、功率、衬底温度、偏压和离子加速能量。已知...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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