欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言碱性溶液中硅的各向异性刻蚀广泛用于微机电系统(MEMS)中的体微加工。单晶硅的各向异性湿法刻蚀依赖于其晶面的不同刻蚀速率,已被用于制造各种微机电系统器件。在所有的各向异性蚀刻剂中,无机氢氧化钾(氢氧化钾)是最常用的,因为它易于制备且毒性较小。在硅与KOH溶液发生化学反应的过程中,刻蚀过程中产生的氢气泡在被刻蚀表面堆积,形成“伪掩膜”现象,会阻碍刻蚀剂与表面硅原子的化学反应,降低刻蚀速率,同时增加表面粗糙度,甚至形成小丘。在半导体工业中,磁力搅拌是单晶硅湿法刻蚀过程中降低硅器件表面粗糙度的常用方法。但这种方法的局限性在于溶液会分层,温度分布不均匀,难以实现微结构尺寸的精确控制和粗糙度的均匀分布。最近的研究表明,超声波搅拌可以提高蚀刻速率。 实验我们实验中使用的硅片是高纯度浮子区硅棒,直径达76.2mm,厚度达1mm,电阻率约为2000Ωcm。不同工艺后,硅片表面会受到有机杂质和金属离子污染的影响。在此基础上,分别使用SC-1液体(H2O:H2O2:氢氧化铵=5:1:1)和SC-2液体(H2O:H2O2:HCl=6:1:1)清洗有机杂质和金属离子。利用热生长技术在硅片上去除厚度为70nm的二氧化硅层。在制作掩模之前,根据甲苯、丙酮、酒精和水的顺序清洗晶片。光刻胶的涂覆方法为旋转涂布,旋转速度、涂覆时间和光刻胶厚度分别为3000rpm、3...
发布时间: 2021 - 11 - 02
浏览次数:8
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      湿法化学工艺广泛用于晶体硅太阳能电池生产,主要用于表面纹理和清洁目的。尽管过去的研究主要集中在过程开发上,但是在过程控制技术方面几乎没有进展。本文讨论了当前最先进的湿化学生产工艺,并提出了工艺控制和质量保证程序(晶片的化学、光学和电学特性)。先进表征技术的目的是提高工艺质量和高质量产品产量。此外,未来的工业高效电池处理需要成本有效、高质量的清洁工艺,尤其是在任何表面钝化步骤之前。      在制造硅太阳能电池的工业生产链中,湿化学应用的质量保证和过程控制变得越来越重要。为了克服基于操作员经验的工艺操作以及延长普通蚀刻槽的总操作时间,在线表征和控制的新发展将是强制性的。这种质量控制具有显著降低成本的潜力,因为更换浴混合物或缩短加工时间之间的持续时间得到了优化。对于工艺开发,从实验室规模向工业生产设备转移高效电池工艺出现了新的要求。尤其是在电池工艺的不同阶段需要更高的晶片和表面清洁标准;尽管如此,生产成本和工艺复杂性必须保持尽可能低。 实验      对于不同的晶体取向,用氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)进行的碱性蚀刻具有不同的蚀刻速率,因此对于(100)取向的单晶硅晶片,这种各向异性导致具有随机分布在晶片表面上的正方形基底的小...
发布时间: 2021 - 11 - 02
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效,但去除机制仍不清楚。对于去,除重有机污染物,piranha清洗是一个有效的过程;然而,piranha后残留物顽强地粘附在晶片表面,导致颗粒生长现象。已经进行了一系列实验来帮助理解这些过程与硅的相互作用。 实验      为了评估piranha清洗后晶片上残留的硫量,将150毫米n型裸硅和热氧化晶片在95 °C下通过5:1或10:1(氢、硫、氢、氧)piranha处理10分钟。对冲洗过程进行各种修改后,飞行时间二次离子质谱(TOF- SIMS)和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)用于测量残留硫。清洗和干燥晶片后,还测量了作为时间函数的光点缺陷。当piranha被处理后晶片已经显示出颗粒生长现象。这些分析技术的数据用于评估各种冲洗技术的功效。 结果和讨论      在对SC-1化学物质的研究中,当稀释时,清洁效率与测量的开路电位或雾度增量之间没有明显的相关性。使用了SC-1化学物质。图1显示了基于去除硅钠颗粒的钳去除效率。 这些实验是在已知影响硅蚀...
发布时间: 2021 - 11 - 02
浏览次数:6
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c:晶体硅作为起始材料,微加工作为使技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中,我们回顾了硅微加工,并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案的各向异性湿式化学蚀刻。      本文主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂,用于微加工柱、分裂器和其他几何图案的变体,可用作构建更复杂的微加工结构的构建块,并可能用于化学分析应用。我们根据微加工,介绍各向异性湿式化学蚀刻的实验要求,并将详细讨论蚀刻上述图案类型后获得的形状。      有几个因素会影响蚀刻剂的选择,其中包括蚀刻成分、时间和温度、搅拌速率、光照条件、晶片质量、晶体取向和掺杂等。在本工作中,仅使用表1中列出的蚀刻成分和蚀刻温度测试了n掺杂晶片,并简要研究了搅拌的影响。此外,只有和晶片被测试,因为晶片通常蚀刻得太慢,没有任何用途。 表一 所选择的各向异性蚀刻剂的特征      硅晶片:本文中使用的硅晶片为n型掺杂(磷),标称厚度为376±25µm,电阻率为2-5Q.cm。在晶片上表面以1000-1200°C氧化生长一层二氧化硅(约1µm)。  ...
发布时间: 2021 - 11 - 02
浏览次数:17
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言       本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在(111)择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1%和1%硝酸(HNO)溶液,ZnO在不同时间被蚀刻,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)光谱进行表征,以允许对它们的结构和光学性质进行检查。XRD结果表明,当薄膜在不同的氢氮浓度下刻蚀不同的时间时,ZnO的强度降低。上述观察归因于氧化锌的溶解。扫描电镜图像显示,氧化锌薄膜的厚度随着刻蚀时间的延长而减小,这是氢氮溶液各向同性刻蚀的结果。光致发光发射强度最初随着蚀刻时间的增加而增加。然而,随着样品的进一步蚀刻,由于表面-体积比的降低,光致发光光谱显示出强度降低的趋势。结果表明,1.0%HNO有显著改变氧化锌表面形貌的能力。 实验刻蚀前将沉积的氧化锌样品切成1厘米× 1厘米的片。在目前的研究中,使用了浓度为0.1%和1%的HNO。如表1所示,样品以不同的蚀刻时间浸入蚀刻剂中。蚀刻过程后,用蒸馏水冲洗样品,并在氮气流下干燥,以去除样品表面上的任何化学残留物。用XRD、SEM和PL光谱对制备的多孔氧化锌样品进行了表征,以分别考察其结构性能、表面形貌和截面结构以及光学性能。XRD测量在2θ-ω扫描模式下进行,也称为相位...
发布时间: 2021 - 11 - 01
浏览次数:6
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体行业需要具有超成品表面和无损伤地下的硅晶片。因此,了解单晶硅在表面处理过程中的变形机制一直是研究重点。分子动力学分析表明,在两体接触滑动过程中发生了无晶形层的形成,但在三体抛光中可以避免。同时,实验研究表明,硅的相变是复杂的,并且与许多因素,如应力状态的静力和偏差特性以及表面过程中的加载/卸载速率有关。 我们探讨了无化学添加剂无损伤抛光的可能性并确定了机理。利用高分辨率电子显微镜和接触力学,该研究得出结论,无化学物质的无损伤抛光过程是可行的。所有形式的损伤,如非晶态硅、位错和平面位移,都可以通过避免在抛光过程中硅的b锡相的启动来消除。当使用50nm磨料时,确保达到无损伤抛光的标称准备量为20kPa。 通过对纳米/微压痕和抓痕的广泛研究,人们已经了解到,磨料颗粒对硅施加的力的大小对地下表面的微观结构变化至关重要。较小的力会引起非晶形相变和一些堆积断层,但较大的力会进一步引入位错、R8/BC8相和开裂。理论上已经发现,在磨料加载过程中,硅的b-tin相在的微观结构形成中起着关键作用。在两体接触情况中,即当磨料在与硅晶片的相互作用中没有旋转运动时,如果磨料载荷引起的应力可以小于b锡形成的阈值,则磨料颗粒离开后不会发生硅的地下损伤。在三体接触的情况下,即当磨料具有旋转和平移运动时,材料去除的粘附模式将留下一个完美的硅下表面。这些...
发布时间: 2021 - 11 - 01
浏览次数:6
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术,我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。波导边界由垂直于[110]表面的平面决定。制作的波导对TE极化的最小传播损耗为0.85分贝/厘米,对TM极化的最小传播损耗为1.08分贝/厘米。制作的光栅耦合器在1570纳米处的耦合效率为4.16分贝,3 dB带宽为46纳米。 介绍硅光子技术被视为替代板对板和芯片内光学互连的金属互连的潜在解决方案(Miller,2009)。用于实现无源和有源光学器件的硅光子学最常用的材料平台是硅非绝缘体(SOI)。除了硅是透明的这一事实之外,晶体硅(~3.5)和掩埋氧化物之间在电信波长下的大折射率对比使得强光限制在顶部硅层中。通过蚀刻硅层以形成肋或线波导,还可以实现极好的横向限制,使得具有小弯曲半径的光波导,因此,紧凑的光子电路在亚微米尺度上是可行的。然而,这种强限制是有代价的,因为折射率的任何不规则性都会导致强散射损耗,因为散射损耗与(δn)3成比例(铃木等人,。1994). 通常,侧壁粗糙度是硅光子学元件中光学损耗的主要促成因素,尤其是对于亚微米尺寸的硅波导。因此,正在进行深入研究,以开发实现低损耗硅波导的最佳制造工艺,因为这对硅光子技术的成功至关重要。 实验各向异性湿法刻蚀制...
发布时间: 2021 - 11 - 01
浏览次数:7
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言如今,双镶嵌工艺在半导体工业中被广泛使用。在这一过程中,铜逐渐取代铝用于制造集成电路中的互连。这种开关的出现是由于铜的有利特性,例如低电阻率和对电迁移的高抗扰性,这反过来导致更高的电路可靠性和明显更高的时钟频率。化学机械抛光有许多优点,包括表面平坦化、减少工艺步骤和热预算.5 . 然而,它会在介电材料表面诱发金属和有机污染物残留。在先进互连中,化学机械抛光后金属残留物的控制越来越受到重视。清洁效率和金属污染物的去除对生产率和可靠性有重大影响。一个主要的可靠性问题是由铜离子漂移引起的介电退化。由于铜在二氧化硅和硅中的快速扩散,以及在禁带隙内受体和供体能级的形成,铜需要在化学机械抛光过程后清洗。 实验图1显示了制备焦磷酸盐过氧化物的实验装置。是两箱电解槽,由离子交换膜隔开,制备焦磷酸盐过氧化物的阳极槽较大。阳极浴中的溶液是0.4摩尔/升磷酸二氢钾,阴极浴中的溶液是氢氧化钾,其酸碱度为12.0.所有的电解质都是用去离子水制备的。在这项工作中,我们为对比实验准备了三个抛光晶片。所有三个晶片都用化学机械抛光技术抛光。为了获得金属离子污染的晶片,将抛光的晶片浸入0.01摩尔/升硫酸铜溶液中2 h,然后通过如下三种方法清洗。 图1 BDD膜阳极电化学氧化装置KPP清洁:将抛光的晶片浸入焦磷酸盐过氧化物溶液中10分钟,然后用新鲜去离子水冲...
发布时间: 2021 - 11 - 01
浏览次数:4
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,随着集成电路的微细化,半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中,各工序之间进行晶片的清洗,清洗工序次数多,其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量。在单张式清洗中,用超纯水冲洗晶片 ,一边高速旋转,一边从装置上部使干燥的空气流过。在该方式中,逐个处理晶片。上一行程粒子的交错污染少。近年来,由于高压喷气和极低温的关于向粒子喷射氮气溶胶等“清洗能力相关技术”进行了大量研究;另一方面,关于通过清洗暂时远离晶片的粒子,重新附着到晶片上,进行叶片式清洗,在干燥时晶片和保持晶片的转盘高速旋转。 实验单张式清洗装置模型:图1a表示装置整体的系统图,图1b表示测定部的详细情况。测定部由模拟清洗机处理室的直径D=520mm、高470mm的圆筒构成,其中放置有半径R=165mm的圆板。另外,本研究还包括吹向圆板的气流通过送风机在装置内循环。送风机送来的气流通过节流流量计,通过设置在处理室上方的流路,流入长1830mm的助跑区间。助跑区间入口设有格子间隔26mm的整流用蜂窝,在本研究中,硅片和保持硅片的卡盘工作台简化为一个,将厚度10mm的铝制圆板用作旋转圆板,在该圆板下部设置有排气罩,在其内侧设置有3个排气口另外,处理...
发布时间: 2021 - 11 - 01
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      Cu作为深度亚微米的多电级器件材料,由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低,与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附力以及添加剂对颗粒粘附和去除的作用。清洁溶液。加入柠檬酸后,由于柠檬酸盐的吸附作用,二氧化硅和铜的ζ电位略有增加。柠檬酸被吸附在二氧化硅和铜表面,导致这些表面上有更多的负电荷。二氧化硅颗粒对铜的附着力随着柠檬酸浓度的增加而降低,这是由于表面之间的静电相互作用更加排斥。由于ζ电势的变化,在清洁溶液中添加苯并三唑最初会降低粘附力,然后在高浓度下增加粘附力。向柠檬酸中加入四甲基氢氧化铵增加了颗粒粘附力。然而,NH4OH的加入导致最低的附着力。当使用产生最低粘附力的清洁溶液时,观察到最高的颗粒去除效率。 实验      对粒子在铜表面的粘附力的研究,我们通过直接测量从表面上移除它们所需的力。直径为40毫米的球形二氧化硅颗粒附着在氮化硅无顶悬臂,如图1。在液体电池中测量了颗粒与晶圆表面之间的粘附力。      它们在稀释的HF ~ DHF中预先清洗,铜化学机械抛光后使用的清洗液包括柠檬酸、缓蚀剂和酸碱度调节剂。BTA ~苯并三唑!被用作缓蚀剂。NH4OH和TMAH 氢氧化四甲铵...
发布时间: 2021 - 10 - 30
浏览次数:6
1085页次16/109首页上一页...  11121314151617181920...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开