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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料,微加工作为使能技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。       这项工研究的主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂,用于柱、分裂器和几何图案的其他变体的微机械加工,这些几何图案可以用作构建更复杂的微机械加工结构的构造,所以具被用于化学分析的应用。 实验质量保证       二氧化硅或硅、钠的蚀刻速率很小,蚀刻在透明溶液中进行,因此 可以对蚀刻过程进行可视化监控。通过向蚀刻溶液中加入少量的硅可以抑制 铝的蚀刻。祕、铭、钛和飽没有被蚀刻,但是铜、镣和锌被蚀刻。各向异性不如氢氧化钾好。蚀刻必须在惰性气体覆盖下进行,甚至I非常薄的二氧化硅层也足以防止蚀刻。因此,有必要在蚀刻之前立即将晶片 浸入氢氟酸中。      KOH的主要缺点是它以可观的速率攻击二氧化硅掩模,因此需要SigNa掩模,特别是 如果要使用深度蚀刻。当试图将片上电路与微加工结构结合时,会产生额外的问题。“例如,铝 金属化和焊盘受到氢氧化钾的侵蚀,必须受到保护(因此需要额外的掩模或使用其他蚀刻剂), 蚀刻过程中释放的Nat和K+可能会污染金属...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言 近十年来,湿化学法制备超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅结构的技术和研究取得了迅速发展。这种结构最重要是与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。在硝酸溶液中湿法制备的氧化物(通常标记为氢氧化钠)的性质在于通过傅里叶变换红外光谱测定的高氧化物密度,因此,产生了制备具有优异绝缘性能的超薄氧化物层的可能性。 实验我们使用了电阻率为10厘米的适度n型和p型硅(100)晶片。所有硅衬底的表面在氧化之前都用标准的RCA工艺清洗(即。浸泡在NH4OH+H2O2水溶液和然后用5wt %蚀刻氢氟酸。近十年来,湿化学法制备超薄二氧化硅结构的技术和研究得到了迅速发展。这种结构最重要的优点之一与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。当然,氧化层和氧化物/硅界面的质量也非常好。在硝酸溶液中湿法制备的氧化物(通常标记为氢氧化钠)的非常有趣的性质在于通过傅里叶变换红外光谱测定的高氧化物密度,因此,产生了制备具有优异绝缘性能的超薄氧化物层的可能性。 讨论      氢氧化钠样品的光学性质光谱椭偏法和原子力显微镜  略      采用后氧化退火和HCN处理的与NAOS相关的金属氧化物半导体结构的电学特性。第一组制备好的样品在N2气氛中于700℃退火20分钟。它们被标记为氧化后退火后的样...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初,人们已经了解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样的坏影响。      作为半导体器件制造中的杂质,大致可以分为粒子、残渣、金属 、有机物。粒子会妨碍布线图案的正常形成,引起信号开路不 良和短路不良。另外,干蚀刻生成的聚合物生成物等残渣,如 果没有完全除去,同样会引起信号开路不良、短路不良,还有配 线接触电阻大导致的动作速度降低。关于金属杂质,虽然重金 属、碱金属等对半导体器件的影响有差异,但一般来说,在栅极氧化膜的耐压恶化结方面 引起线接触电阻大导致的动作速度降低、布线图案破坏导致的 开路短路不良、布线接触电阻大导致的动作速度降低。      通过与半导体器件制造相关人员的巨大努力,关于金属杂质和 有机物杂质,通过药液清洗解决的部分很多,现在作为一个大 问题还没有被公开特写。但是,关于粒子(含有的残渣),即使 在现在也是使半导体设备的成品率下降的最大原因。 实验      半导体设备的制造是半个世纪前到现在与粒子的战斗。坦然笼统地说是粒子,但其产生源却是多方面的。关 于大气中的尘埃,通过洁净室建设、晶...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氢氧化钾溶液中硅的各向异性刻蚀是微机械加工中的一项重要技术。氢氧化钾蚀刻硅的残留物沉积通常被认为是该技术的缺点。在这份报告中,我们利用这种残留物作为第二掩模层来制造两层复杂结构。设计并测试了尺寸在15-150米范围内、间隙距离为5米的方形图案。当衬底在氢氟酸溶液中被过度蚀刻超过阈值时,出现残余掩蔽层。根据二氧化硅和残留物两种不同的掩蔽层,得到了由类壁结构包围的两层微锥结构。残余掩蔽层是稳定的,并且可以在氢氧化钾蚀刻中存活很长时间,以实现深硅蚀刻。研究了刻蚀剂浓度、温度、刻蚀时间和图形尺寸等工艺参数。通过良好控制的两层结构,可以设计有用的结构用于未来的等离子体和微流体装置。 介绍      氢氧化钾蚀刻硅的残留物沉积是众所周知的,这通常被认为是这种制造技术的缺点。在这项工作中,我们利用残余物作为第二掩模层来制造两层微结构。不同图案尺寸的方形阵列微机械从15到150米和5米的间隙距离已经被设计和测试。正常的微锥可以通过在氢氟酸和氢氧化钾溶液中蚀刻控制良好的二氧化硅和硅来制造。当衬底在HF中被过度蚀刻以获得更大的间隙时,第二层壁状结构出现在第一层微锥体之间。仔细控制制造参数,两层结构尺寸可以精确调整。残留物掩蔽层坚固稳定,比氢氧化钾蚀刻的二氧化硅掩蔽层存活时间更长,最...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      对于大多数半导体而言,阳极氧化需要价带空穴。因此,人们期望该反应发生在黑暗中的p型半导体和仅在(超)带隙光照射下的n型半导体。氢氧化钾溶液中硅的化学蚀刻包括两个主要步骤:氢氧化物催化的硅-氢表面键的转化产生硅-氢氧化物(和二氧化硅)和通过与水的反应破坏超极化的硅。后一步再生表面氢化物。注意到硅蚀刻和有机硅化学之间的相似性,并且蚀刻各向异性是基于在OH离子的亲核攻击期间形成的五配位过渡态来解释的 实验      实验在(100)和(111)取向的表面上进行。Okmetic提供直拉生长的n型(磷掺杂,1–10厘米)和p型(硼掺杂,5–10厘米)硅(100)晶片。为了在(100)个表面上进行测量,硅片被切成2厘米×2厘米的样品。这些样品的暴露表面积为1.50cm2.在轮廓分明的(111)表面上的测量是在仅暴露掩模(100)表面(掩模开口宽度:100米)上的(111)面的V形槽电极上进行的。为了制备样品,LPCVD在晶片上沉积了300纳米厚的富硅氮化物(SiRN)掩模层(200托,850℃,70sccm SiH2Cl2,18sccm NH3)。通过等离子体蚀刻(DRIE)接着磷酸蚀刻(85%)在氮化物层中打开窗口。使用了两个光刻步骤[5,6]。第一个掩蔽步骤用...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      在本研究中,我们使用不同的湿化学蚀刻条件来蚀刻硅、锗和硅锗,并将硅锗蚀刻速率数据扩展到锗摩尔分数在20%和100%之间。比较了三种情况下的刻蚀速率:I .在槽中的覆盖刻蚀,ii .在单晶片旋转处理器中的覆盖刻蚀,以及iii .硅锗/硅异质结构的横向刻蚀。实验      通过减压化学气相沉积(RP-CVD)在Si100衬底上的厚的线性渐变Si1yGeY y x缓冲层上生长厚度约为1 μm的本征Si1xGeX层.14在生长的叠层上使用化学机械抛光来去除表面交叉影线。用卢瑟福背散射光谱法验证了不同合金中锗的含量。此外,为了进行比较,研究了在Si100 15和纯Si100晶片上的反相化学气相沉积生长的热循环2.5 m锗层。在蚀刻以形成合适的蚀刻步骤之前,用聚合物部分掩蔽样品。在蚀刻和去除掩模之后,使用Dektak 6M触针表面轮廓仪测量蚀刻步骤的高度。蚀刻时间在30秒到10分钟之间,在室温25℃和轻微搅拌下在聚丙烯烧杯中进行。  图 1      随着时间的推移,从新制备的溶液的低蚀刻速率开始,并在48小时后达到更高且恒定的蚀刻速率。老化对于获得H2O2、CH3COOH及其反应产物过乙酸(作为氧化物质)浓度的稳定平衡是必要的。&#...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点,并研究了SiO2的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在,建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型,      SiO2在高频溶液中的溶解是在集成电路制造的一个基本步骤。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高频溶液中的蚀刻速率作为浓度、温度、氧化物生长过程和溶液搅拌的函数。介绍稀释度高频解中的平衡点      在稀高频溶液中,高频=H++F([3]HF+F-=;对于平衡常数(反应r~和r2的1和K2,其值分别为6.8510 4 工具/l和3.963l/工具。~这些是25~处的平衡常数,并为零离子强度进行校正。我们表明,稀高频溶液中的离子强度非常低,因此可以使用这些值。此外,由于离子强度较低,计算可以用浓度而不是活性来进行的。项研究表明,必须考虑(HF)2F-、(HF)3F-和(HF)4F的形成,以解释观察到的高频溶液的酸性,而不是仅从反应r~和r2的平衡中得到的酸性。同样,Farrer和Rossotti6早期表明,(HF)2F-、(HF)3F-和(HF)4F-在高达1MHF的HF溶液中不存在。此外,对于推导SiQ的蚀刻机制,0~1M的区域是最敏感的。图1 在不考虑二聚反应r3的情况下...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为,进行了电位动力学极化实验,以确定主动、主动-被动、被动和跨被动区域。腐蚀率是由塔菲尔斜坡计算出来的。利用电感耦合等离子体质谱ICP-MS和x射线光电子光谱XPS,研究了溶液中过氧化氢的加入及其对腐蚀的影响。ICP-MS和势动力学方法产生了相当的铜溶解率。使用原子力显微镜和扫描电镜显微镜,在清洗溶液处理前后进行的表面分析,没有显示任何点蚀腐蚀的迹象。清洗溶液中过氧化氢的存在导致对铜溶解率的抑制超过一个数量级。我们将这种现象归因于XPS在晶片表面检测到的界面氧化铜的形成,并在稀高频中以较慢的速率溶解。 实验衬底:      实验使用铜在覆盖硅片衬底上进行。使用典型的工业电镀设备均匀沉积铜膜,然后进行化学机械平面化步骤,以在DD过程中紧密模拟实际的铜表面。铜薄膜的厚度约为400nm,由四点探针方法表面电阻率计、高尔迪安制造公司、SRM-232模型和横截面扫描电子显微镜SEM确定。 清洗溶液:      电化学和溶解实验使用半导体清洁化学溶液进行。其由93wt%的乙二醇、4wt%的氟化铵、0.033wt%的氟化氢和3wt%的水组成。清洗溶液的酸碱度为6.8...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究了IPA蒸汽干燥后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果表明,在这些实验条件下,定性和定量的微量杂质小至单分子吸附层的1/10。结果证实,湿化学过程和干燥方法对晶片表面条件的影响。      本文介绍在硅片上吸附分子的分析结果。为了估计湿式化学处理后的微污染,表面分析是通过用大气压力电离质谱(APIMS)测量来自晶片表面的解离气体来进行的,它显示出极好的灵敏度(1ppb到低于0.01ppb)。APIMS不仅具有高灵敏度,而且能够连续检测杂质,因此可以以高分辨率监测工艺气体中微量杂质含量的动态变化。 实验      为了研究杂质分子在超薄载流子气体环境中加热从晶圆表面的解吸,将晶圆表面的解吸气体与载流子气体一起运输,并引入APIMS分析仪的离子源。图1为实验装置的示意图。它由气体供应系统、具有金属配件的加热室、护套加热器和分析设备(APIMS)组成。为了对从晶片表面剥离的微量杂质进行可靠的分析,我们利用超精益技术的概念构建了整个油管系统。 图1...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文研究了湿化学清洗过程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均匀性。均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定。由于光激发氟蚀刻硅的速度比蚀刻氧化硅快40倍,它突出了硅表面上的硅原生氧化物,使它们可以通过扫描隧道显微镜或原子力显微镜观察到。在盐酸:过氧化氢:过氧化氢(1:1:4)溶液中煮沸形成30-70纳米的氧化物岛。岛屿之间的区域没有被氧化。在NH4OH-H2O2-H2O (1:1.4:4)中沸腾也形成直径为30-70 nm的氧化物岛,但是岛间区域被轻微氧化。      表面清洗是超大规模集成(ULSI)晶圆加工的一个重要方面。许多工艺受到湿法化学清洗过程中形成的天然氧化物的影响。要开发新的工艺,对形成机理的基本了解至关重要。已经通过包括x射线光电子能谱(XPS)、红外区衰减全反射光谱(ATR-IR)和热解吸光谱(TDS)的方法研究了天然硅氧化物。然而,这些报告仍然局限于生长动力学或化学结构因素,例如低氧化物(SiO x=1-3)、硅氢化物(-SiH,y=1-3)或硅羟基(—SiOH)的量。尽管天然氧化物通常被视为薄而均匀的薄膜,但我们实际上发现它们是岛状结构,通常带有许多针孔。      图1显示了氧化物评估原理。数字1(a)显示岛状,1(b...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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