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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等主要特征峰。与其他表面敏感技术相比,UVF的主要优势是低检测限、多元素同时分析和高灵敏度。      每个晶圆加工步骤都是潜在的污染源,可能导致缺陷形成和器件故障。晶片清洗必须在每个处理步骤之后和每个高温操作之前进行。一些金属杂质,如铁、铜、镍和钠,可能会在某些加工步骤中掺入硅片,如热氧化、反应离子蚀刻和离子注入。到目前为止,还没有任何可用的方法来同时检测铁和钠的污染。在此,我们首次报道了一种新的技术:紫外荧光(UVF ),它可以作为一种快速的、实际上无需制备的无损检测方法,用于评估VLSI晶片在实际工艺中的清洁性能。实验      样品用记录荧光光度计测量。光源是氙气。测量系统完全由计算机控制,可以研究直径达6英寸的晶片。晶片上的测量面积可以在大约1×1和5×5 cm²之间变化。激发荧光单色仪的光栅常数为900/mm。它们对波长的测量精度可以达到2纳米以下。注入的紫外光束只透过硅表面约30纳米。所有测量都是在硼注入直拉(Cz)和浮动区(FZ)晶圆(直径3-6英寸)上进...
发布时间: 2021 - 10 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      到目前为止,GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制,这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此,用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻之后,晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度和均匀性取决于蚀刻过程中的光照和氟化氢浓度。在存储蚀刻晶片的过程中,碑层被三氧化二碑颗粒代替。结果表明,只有当晶片暴露在空气中的光线下时,才会形成氧化物颗粒。 实验      所有实验均在1 x 1 cm- n型GaAs样品上进行,所有样品均由新的( 100)GaAs晶片制备。每个样品的一角都覆盖有光刻胶,以防止在该位置蚀刻。去除光致抗蚀剂后,蚀刻速率会降低,通过测量样品的掩蔽角和蚀刻部分之间的台阶高度来确定。所有实验都是通过将GaAs样品面朝上放置在容器中,并从储备溶液中加入6毫升水中的氟化氢溶液来进行的。通常使用20%的氟化氢浓度。蚀刻剂是在室温约21℃下使用,在实验过程中不搅拌。      冲洗样品后,立即用棉签在样品上的三个位置重新移动棕色层,测量沉积物厚度。因为这个厚度是用轮廓仪测量的。这是蚀刻后,样品储存不同的时间在环境条件下(即,当暴露于光和空气中时,以及在室温下),除了将样品保持在...
发布时间: 2021 - 10 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作为钉扎剂。随机吸附模型不会导致小丘的形成,因为单一杂质很容易从表面去除。相反,需要一整簇铜原子作为掩模来稳定小丘。因此,我们提出并分析了驱动相关吸附并导致稳定铜团簇的机制。 实验      第一性原理计算:我们使用度泛函理论的原子轨道计算了铜在不同表面位置的氢和羟基封端的硅表面上的吸附能。使用PBE梯度校正进行计算。使用平衡校正处理基组叠加误差 。所计算的系统是周期性的二维(2D)硅平板,其两侧以氢或氢原子终止,以饱和悬挂键。铜杂质最初作为阳离子存在于溶液中。然而,铜离子在表面附近被还原,并在中性状态下被吸附。       动力学模拟:蚀刻的模拟基于表面的原子描述和选择要去除的硅原子的K级搜索算法。系统中单个硅原子的去除率由它们的局部邻域决定,即第一和第二相邻硅I 原子在体和表面上的数目。这种四指标分类可以区分和分类模拟中遇到的不同表面结构。      非均匀吸附(NUA):在我们的模型中,铜在...
发布时间: 2021 - 10 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着时间的推移,太阳能电池板会被花粉、灰尘、污垢、污垢甚至鸟粪覆盖。一般来说,当太阳能电池板变脏时,太阳能输出会减少10-15%。大多数太阳能电池板的使用寿命为30年或更长。为了稳定发电,每年至少需要清洁两次太阳能电池板,即使在沙漠中雨季已经过去。       有几种方法可以用来清洗严重污染的物品(修理过的汽车零件、手表机构、不用洗衣机清洗衣物等)。基本上,清洗效果出现在受超声波空化影响的少量液体中。为了产生气穴,需要合理的能量。      有时没有必要在体积上产生气穴。对于平面清洁,在表面上的薄层液体中产生气穴就足够了。许多科学文章描述了液体体积中的空穴现象。然而,很难找到任何关于在薄液体层中产生空穴的文章。作者在此之前提出了这一概念,并在这一领域做了一些实验。      这里介绍的建模工作的目的是研究和更好地理解控制超声波的物理学者采用了长度为400 mm,截面为8 mm × 4 mm的PZT-8压电陶瓷,其电荷系数如下:d33 = 225 pC/N,d31 = 37 pC/N。压电陶瓷通过厚度极化。电极放置在压电陶瓷的两侧。双向超声波振动器和两块板由铝合金制成(质量密度=2.7g/cm3...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本方法一般涉及半导体的制造,更具体地说,涉及在生产最终半导体产品如集成电路的过程中清洗半导体或 硅晶片,由此中间清洗步骤去除在先前处理步骤中沉积在相关硅晶片表面上的污染物。      典型的,在生产复杂的半导体产品,例如集成电路器件时,需要数千个加工步骡来获得最终产品。为了提高利润,重要的是在加工期间从单个硅晶片获得的有用集成电路器件的产量或数量最大化。因此,半导体制造商在半导体器件的制造过程中需要提供最长的寿命。这种器件通常在洁净室条件下制造,以便在加工过程中基本上消除任何空气污染物到达硅晶片表面,并降低产量。      此外,在硅晶片的实际加工过程中,某些其它加工步骤本身可能导致污染物沉积在晶片表面上,使得在预定的加工步骤完成之后,有必要在进行后续加工或制造步骤之前清洁晶片表面,以确保所生产的器件具有最高的可能产量。      半导体产品制造过程中的典型清洗周期包括湿晶片清洗,其通常包括多个清洗步骤。最初的步骤通常包括将化学制品和水的混合物喷洒到晶片表面上,或者将晶片浸入这种混合物中,随后是水冲洗步骤和干燥步骤,之后硅晶片进行进一步的器件处理。在半导体制造中经常使用本领域中通常称为“RCA-clean”的清洗顺序...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化硅钝化层的选择性去除在半导体器件的失效分析中非常重要。典型的应用有:光学显微镜和去除表面污染物的模具表面清洁、电子显微镜、液晶、电压对比、电子束测试、机械微探针和选择性逐层剥离。      开发了一种新的氮化硅钝化层湿法腐蚀工艺,这种工艺比铝金属化工艺具有更高的选择性,并且在钝化去除后保留了器件的全部功能。在失效分析文献中,首次详细给出了化学配方和腐蚀过程。这种蚀刻剂已经在许多故障分析实验室中对广泛的分立和集成半导体器件进行了两年多的实验,并且总是获得优异的结果。两个失效分析实例说明了其能力和效率。实验      大多数集成电路的钝化层是由氮化硅制成的。由于其优越的物理和化学性质(抗氧化和耐腐蚀、化学惰性、对离子污染物和湿度的低渗透性),氮化硅实际上是集成电路最合适的钝化层。现在只有少数集成电路仍然用磷掺杂的氧化硅钝化。电子顺磁共振,因为氮化硅对紫外线不透明)。      氮化硅通常通过硅烷、氨和一氧化二氮的反应,在约850/650℃的温度下通过化学气相沉积,在约600℃下通过金属有机化学气相沉积,以及在低至350℃的温度下通过等离子体沉积而沉积。氮化硅的理想化学计量组成是Si3N4.实际上,氮化硅是一种类似...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      单晶片兆频超声波清洗机的声音分布通过晶片清洗测试、视觉观察、声音测量和建模结果来表征。该清洁器由一个水平晶圆旋转器和一个兆频超声波换能器/发射器组件组成。声音通过液体弯月面从换能器组件传输到水平石英棒到晶片。声音可以从石英棒沿径向和轴向传播。通过改变换能器和传输部件的参数,可以控制来自石英棒的径向和轴向声音传输的程度。      虽然兆频超声波清洗在半导体工业中被广泛使用,但是基本的物理过程还没有被完全理解。除了了解颗粒去除的机理,还通过实验和建模研究了清洁室内的声音分布。 实验      清洗实验是在VERTEQ金手指,一个单一的晶片,兆频超声波清洗机(图1和2)中完成的。 图2 巨气子能量传播和液体分布示意图      该模块包括:(1)晶片卡盘和旋转器,(2)兆频超声波换能器组件和(3)化学输送系统。兆频超声波组件由压电换能器组件组成,该组件连接到石英棒上。      晶圆制备:浆料污染的氧化物晶片通过以下方法制备:(1)在水中预湿晶片,(2)在Cabot SS-25浆料浴中浸渍10秒,(3)去除并置于稀释的表面活性剂溶液(Wako)中10秒,和(4)使用前...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本方法涉及清洗除去牢固附着在玻璃基板表面的聚有机硅氧烷固化物。一般粘合剂等中含有的、附着在玻璃等基板上的有机硅树脂等有机物或无机物,可以使用酸、碱、有机溶剂等药液除去。例如,已知使用苯、甲苯 、二甲苯、煙、工一硫等有机溶剂除去有机物等,但固化物的剥离性不充分,另外,有时在剥离后产生的废液中含有毒性强的化合物和会导致环境污染的化合物。因此,作为常规清洁液,主要使用氢氟酸盐溶液或碱金属氢氧化物溶液。      然而,由于氢氟酸盐会腐蚀玻璃,因此在玻璃基板上使用时需要小心。 因此,在硅晶片制造商和器件制造商中,进行各种清洁以去除粘附在诸如硅晶片的衬底上的污染物。例如,一种名为RCA清洗的典型清洗方法是将氨水,过氧化氢和超纯水的混合液(有时称为A P M)加热至60-90℃,除去硅片上的颗粒和有机物,然后再将盐酸,过氧化氢和超纯水的混合液(有时称为H P M)加热至60-90℃用于去除硅晶片上的金属杂质的方法的组合。将硫酸和过氧化氢溶液(有时称为SPM)的混合溶液加热到80-150°C,用于分解和去除有机物质,如泡沫,或去除金属杂质。      玻璃基板的表面通过用强碱洗涤来溶解和去除牢固地粘附到玻璃基板上的硬化材料,并且同时,玻璃基板的表面也...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在使用湿化学硅体微机械加工制造微机电系统时,使用碱性溶液,如氢氧化钾、氢氧化四甲铵和氢氧化铵。除了微机械加工之外,碱性溶液还用于单晶硅的表面纹理化,以降低反射率并改善高效硅太阳能电池的光捕获。在碱性溶液中,TMAH和KOH最广泛地用于湿法各向异性蚀刻。当考虑到互补金属氧化物半导体的兼容性,并且热氧化物被用作掩模层时,使用解决方案。为了获得和氢氧化钾之间的高蚀刻选择性。      即R和Si的显著蚀刻速率,氢氧化钾优于 在约18重量%的浓度下观察到硅的最大蚀刻速率。当氢氧化钾的浓度增加或减少超过该浓度时,蚀刻速率降低。随着浓度的增加,蚀刻的表面形态改善。浓度接近或大于30重量%时获得高度光滑的表面。氮化硅显示出对硅的优异蚀刻选择性,因此如果蚀刻进行更长时间,则优选氮化硅作为掩模材料。热生长的二氧化硅非常便于沉积和图案化,如果进行短时间蚀刻,可以用作蚀刻掩模。氧化物的溶解速度随着氢氧化钾溶液的浓度而增加。 实验      每次使用1升新鲜蚀刻剂。特氟隆容器部分插入恒温水浴中。蚀刻在60至76℃的不同温度下进行,没有任何搅拌/搅动。在所有实验中,样品被垂直固定在包含多个槽的PFA芯片支架中,以一次蚀刻许多样品,从而确保相同的蚀刻条件。在浸...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍       信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度,使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏电流的极端规模集成。在这个过程中,固相氮化硅(Si3N4)层在部分二氧化硅(SiO2)沉积中起到掩模的作用。通过这种沉积,形成了由数百个交替堆叠的Si3N4和二氧化硅原子层组成的垂直堆叠结构.Si3N4掩模必须在程序结束时去除,通常通过热化学蚀刻。因此,在二氧化硅上选择性和完全蚀刻Si3N4是STI技术中制造高性能半导体器件的关键步骤。      典型地,选择性被定义为Si3N4和二氧化硅的蚀刻速率之间的比率。然而,由于传统蚀刻剂对两种硅材料的优先化学亲和力的边际差异,选择性蚀刻相当具有挑战性。此外,这两种材料在标准温度和压力下都是化学惰性的。在当代方法中,蚀刻在两种不同的条件下进行:干蚀刻和湿蚀刻。干法蚀刻通过离子轰击物理去除材料。众所周知,由于底切的各向异性和可忽略的趋势,产生高分辨率蚀刻。然而,由于不希望的低选择性,这是不利的,因为离子随机攻击表面,甚至损坏基底。另一方面,湿法蚀刻显示出比干法更高的选择性,对衬底的损坏程度更小,更适合大规模生产。因此,在各种商业制造技术中通常采用湿法蚀刻。 讨论      随着温度的...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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