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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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在半导体湿制程、生物制药、冶金化工等诸多行业,制程工艺往往需要药液的高精确控温,若采用传统的加热与外水冷却的方式来实现控温,药液温度精度误差大、控温速率低、防腐性能低等等。而华林科纳半导体型电子冷热器正好弥补以上缺陷。  传热的三种基本方式是:热传导、对流和辐射。华林科纳半导体型电子冷热器的传热方式是属于热传导,热量从物体内温度较高的部分传递到温度较低的部分或者传递到与之接触的温度较低的另一物体的过程称为热传导。通过冷热交替从而实现热液-冷液间温度的传递,最终达到用户需要的温度(冷热都可以实现)。  然而,在上述提及的行业中,很多控温的药液往往带有腐蚀性,制程工艺要达到100℃以上高温,这就需要冷热交换器用不同的材质来适应不同的材质。作为湿制程设备专业制造商,经过多年研发及更新换代,华林科纳公司研发的新型CSE-CHEC-VI电子冷热器能够实现各行业95%以上的不同湿制程要求下的精确控温。  冷热交换取热器,包括冷热交换单元与控制系统两个部分。冷热交换单元根据药液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不锈钢等不同材质制造。冷热交换单元内置半导体冷热交换片、超温保护单元、漏液保护单元、药液防腐隔离单元等等。工艺槽的药液经过防腐泵、过滤器后、半导体冷热控制单元形成一个闭环控制。根据槽体内的温度传感器采集,PID数字闭环调节,重新注入处理槽内。由此,经过不断循环交换冷热,将药液温度实时控...
发布时间: 2019 - 07 - 01
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衍射光学是基于光的衍射原理,利用计算机设计衍射图,并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光学元件及其灵活的控制波前,集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化,微型化和集成化发展。到了90年代至今,衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展,大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一,特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中,各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件,对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较,衍射光学元件(DOE)的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内,集成多种光学功能于一体,产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺,华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理,摸索了相关的规律,得到了有效控制刻蚀速率的方法,不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据,得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术,能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。
发布时间: 2020 - 05 - 08
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湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本,高产出,高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良,使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高,湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展:a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性,以帮助工艺工程师提供更良好的控制,阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制,以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些,都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步:1:反应物(指化学药剂)扩散到反应表面2:实际反应(化学反应)3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中,湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形,光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉,而光刻版在腐蚀后常被去掉,因此在线择湿法腐蚀工艺时,必须线择腐蚀液,合适的形成版的材料(光刻胶)必须具有良好的抗腐蚀能力,良好的完整覆盖特性,光刻胶常被用来作为版层材料,但有时边缘的黏附性差,常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理,许多反应...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,是去除硅片表面各类玷污的有效方法,所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光 刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除,用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成 电路的基本制造工艺,分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的 化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法;干法刻 蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面 薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面 使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图 形转移后的保真性方面不如干法刻蚀,但由于生 产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留 物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广 泛的应用。湿法刻蚀的特点是:反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质,否则会造成反应物沉 淀,影响刻蚀的正常进行;湿法刻蚀一般为各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,这样会导致侧向出现腐蚀。因此,刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙;湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象,影响刻蚀速率,使得刻蚀效 果变差。  提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数,是保证芯片产品质 量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形 尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因,刻蚀均匀性与选择比有密切的关系,非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制 刻蚀溶液温度是硅湿...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~ 40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”: 1. 空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2. 当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能, 这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3. 当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进而引起周围物质的活化,从而使物质发生物理、化学变化。 超声场为清洗提供了巨大的能量,但还需化学洗剂作为介质。一般将化学洗剂分为两类,一类是有机溶剂,主要是根据相似相溶的化学原理,对有机物如:黏结剂(沥青、松香等)、保护性材料(沥青、树脂等)、磨边润滑油进行溶解。在光学洗净中,最初用三氯乙烯、芳香烃、氟里昂等作为清洗剂,这类物质虽然溶解性强,但有的易挥发,毒性大,有的对大气臭氧层有破坏作用,被逐步禁用。现...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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随着半导体技术的发展,半导体器件和集成电路内各元件及连线越来越细微,因此制造过程中,尘粒、金属等的污染,对晶片内电路功能的损坏影响越来越大。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造工艺过程中均需要对硅片表面进行清洗,以有效地使用化学药液清除残留在硅片表面上的各种杂质。硅片是半导体器件和集成电路中使用最广泛的基底材料,对其表面的清洗是整个硅片制造工艺中极为重要的环节之一。半导体领域中的湿法清洗技术是伴随设备的微小化及对产品质量要求的不断提高而提高的,是以RCA清洗技术为基本的框架,经过多年的不断发展形成。华林科纳是一家湿制程设备公司,是国内最早致力于研究湿法设备的企业,多年来与国内众多半导体企业合作,研制开发适合的半导体清洗机设备。一、设备概况华林科纳研发的RCA湿法清洗机,可按照需求定制为不同的尺寸大小。可适用于硅晶片2-12inch。二、适用领域半导体、液晶、MEMS等三、设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备四、设备配置设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。五、主体构造特点1、设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中2、主体:设备为半敞开式,主体使用进口WP...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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5月7日,北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告(第二期)。国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》,并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。官网资料显示,天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为10364.2866万元,是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日,天科合达在新三板挂牌上市,2019年8月12日终止新三板挂牌。天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一,目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位,国内排名居前列,晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区,是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。(来源:全球半导体观察 )
发布时间: 2020 - 05 - 08
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硅芯片是当代信息技术的核心,当前正向“深度摩尔”(More Moore)和“超越摩尔”(More than Moore)两个方向发展。物联网(IoT)应用是“超越摩尔”技术路线中相当重要的一环,需要数量巨大的集成电路芯片来分析处理来自外部传感器件的海量信号。目前,大多数传感信号采集器件和信号处理单元均为分离设计,将在整体上产生更大功耗并占据更大的空间。由此,复旦大学材料科学系教授梅永丰课题组提出了将信号检测和分析功能集成于同一个芯片器件中的全新概念。作为演示,研究团队将单晶硅薄膜柔性光电晶体管与智能薄膜材料相结合和组装,构造了对不同环境变量进行检测和分析的柔性硅芯片传感器及其系统。这一思路不仅具有优异的可扩展性,还可与当前集成电路先进制造工艺相兼容。5月2日,相关研究结果以《面向智能数字灰尘的硅纳米薄膜光电晶体管多功能集成传感器研究》(“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”)为题发表在《科学进展》(Science Advances)上。研究团队从器件的传感机理入手,利用柔性薄膜组装集成芯片传感器,实现了多种环境参数探测功能的集成。 研究团队开发了将智能材料与光电传感结合的新颖传感机制,并将传感模块与后续信号处...
发布时间: 2020 - 05 - 08
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众做周知,湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用,许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要,硅片清洗也显得尤为重要。湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用。湿法腐蚀工艺湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂,又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多,包括各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸,但是由于受到能否获得高纯试剂,以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制,因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性,可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类,一类是有机腐蚀剂,包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等,另一类是无机腐蚀剂,包括碱性腐蚀液,如KOH、NaOH、NH4OH等。就湿法和干法比较而言,湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低,腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度,具有较高的机械灵敏度。但控制腐蚀厚度困难,且难以...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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