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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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半导体蚀刻 在半导体器件的制造中,蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术(在其表面上有或没有先有结构),并通过这种去除在衬底上形成该材料的图案。该图案由耐蚀刻工艺的掩模限定,该掩模的产生在光刻中详细描述。一旦放置好掩模,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了此过程的示意图。从历史上看,直到VLSI和ULSI技术问世之前,湿式化学方法在蚀刻图案定义中都起着重要作用。但是,随着器件特征尺寸的减小和表面形貌的日益严格,湿法化学蚀刻逐渐取代了干法蚀刻技术。这种变化主要是由于湿法刻蚀的各向同性。如图2所示,湿法蚀刻会沿所有方向去除材料,这会导致由掩模定义的特征尺寸与在基板上复制的特征尺寸之间存在差异。与较大的特征尺寸相比,VLSI和ULSI设计要求掩模与图形特征尺寸相关性要精确得多。此外,先进设备中的长宽比(深度与宽度之比)增加了,要达到这些比例,就需要具有使用定向蚀刻技术各向异性地蚀刻材料的能力。图3提供了有助于理解各向同性与各向异性特征生成和方向蚀刻的示意图。湿法蚀刻在先进工艺中的最终应用受到了打击,这可能是因为许多用于设备制造的较新材料没有可用于蚀刻的易湿化学物质。这些问题相结合,使湿法蚀刻技术几乎只能用于清洁而不是蚀刻应用中。只有具有相对较大特征尺寸的设备(例如某些MEMS结构)才继续采用湿法进行蚀刻。在下面详细讨论了表面清洁 各向异性...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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批量微加工主条目:批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整个厚度用于构建微机械结构。[18]使用各种蚀刻工艺来加工硅。玻璃板或其他硅片的阳极键合可用于添加三维尺寸的特征并进行密封。批量微机械加工对于实现高性能的压力传感器和加速度计至关重要,而这种压力传感器和加速度计在1980年代和90年代改变了传感器行业。表面微加工主条目:表面微加工表面微加工使用沉积在基材表面上的层作为结构材料,而不是使用基材本身。[23]表面微机械加工创建于1980年代后期,旨在使硅的微机械加工与平面集成电路技术更加兼容,其目标是在同一硅晶片上结合MEMS和集成电路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅层,该多晶硅层被图案化为可移动的机械结构,并通过牺牲性蚀刻下面的氧化物层来释放。叉指式梳状电极用于产生平面内力并以电容方式检测平面内运动。这种MEMS范例使制造低成本的加速度计成为可能适用于例如汽车安全气囊系统和其他性能低和/或高g-范围就足够的应用。ADI公司是表面微加工工业化的先驱,并实现了MEMS与集成电路的集成。热氧化主条目:热氧化为了控制微米级和纳米级部件的尺寸,经常使用所谓的无蚀刻工艺。如Deal-Grove模型所述,这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产各种硅结构。包括光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过使用热氧化...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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自1954年实用的太阳电池问世以来晶体硅太阳电池一直在世界光伏市场居统治地位占太阳电池总产量的80%~90%。其中多晶硅太阳电池以其高性价比的优势得到了迅速的发展市场占有率已达50%以上。但是多晶硅太阳电池的效率总体上没有单晶硅太阳电池的高。这主要是由于两个原因一方面单晶硅材料本身的有效少数载流子寿命比多晶硅材料的高另一方面单晶硅太阳电池表面的陷光效果要优于多晶硅。因此要减少光的反射提高多晶硅电池转换效率缩小多晶硅与单晶硅太阳电池之间效率上的差距最常用的工艺方法是在多晶硅表面采用绒面技术。对于单晶硅来说采用碱溶液的各向异性腐蚀即可以在其(100)面得到理想的绒面结构而多晶硅由于存在多种不同晶向采用上面的方法无法作出均匀的绒面也不能有效降低多晶硅的反射率。目前多晶硅绒面技术主要有机械刻槽、激光刻槽、等离子刻蚀(RIE)和各向同性酸腐蚀。机械刻槽的工艺方法要求硅片厚度在200μm以上因为刻槽的深度一般在50μm的量级上,所以对硅片的厚度要求很高而这样的技术会增加成本。等离子刻蚀制备出硅片表面陷光效果是非常好的但它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在硅片表面织构的制作过程中可能会引入机械应力和损伤在后处理中形成缺陷。而各向同性酸腐蚀技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中应用起来基本上是成本最低的在大规模工业化生产中,各向同性酸腐蚀是目前广泛应用的多晶硅太阳电池绒面技...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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MEMS的制造是从半导体器件制造中的工艺技术发展而来的,即基本技术是材料层的沉积,通过光刻和蚀刻以形成所需形状的图案。[12]硅硅是用于制造现代工业中消费电子产品中使用的大多数集成电路的材料。的规模经济,价廉高品质的材料容易得到,并能力纳入电子功能化妆硅为各种各样的MEMS应用具有吸引力。硅还具有通过其材料特性带来的显着优势。以单晶形式,硅是一种几乎完美的胡克材料,这意味着当它弯曲时,几乎没有滞后,因此几乎没有能量耗散。除了实现高度可重复的运动外,这还使硅非常可靠,因为它几乎没有疲劳并且使用寿命可以达到数十亿至数万亿次,而不会中断。特别是在微电子学和MEMS领域,基于硅的半导体纳米结构越来越重要。通过硅的热氧化制造的硅纳米线在电化学转化和存储方面,包括纳米线电池和光伏系统,引起了人们的进一步关注。聚合物即使电子工业为硅工业提供了规模经济,但结晶硅仍然是一种复杂且生产相对昂贵的材料。另一方面,可以大量生产具有多种材料特性的聚合物。MEMS器件可以由聚合物通过注塑,压纹或立体平版印刷等工艺制成,特别适合微流体应用,例如一次性血液检测盒。金属金属也可以用于制造MEMS元件。尽管金属在机械性能方面不具备硅所显示的某些优势,但在其限制范围内使用时,金属可以表现出很高的可靠性。可以通过电镀,蒸发和溅射工艺沉积金属。常用的金属包括金,镍,铝,铜,铬,钛,钨,铂和银。陶瓷由于材料特性的有利组合,硅...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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沉积过程MEMS处理的基本要素之一是能够沉积厚度在1微米到100微米之间的材料薄膜。尽管膜沉积的测量范围从几纳米到一微米,但NEMS的过程是相同的。沉积方法有两种,如下。物理沉积物理气相沉积(“ PVD”)包括将材料从靶材上去除并沉积在表面上的过程。这样做的技术包括溅射过程,在该过程中,离子束将原子从靶标中释放出来,使它们移动通过中间空间并沉积在所需的基板上;然后进行蒸发,在蒸发过程中,可以使用以下方法之一从靶标中蒸发掉材料真空系统中的热量(热蒸发)或电子束(电子束蒸发)。化学沉积化学沉积技术包括化学气相沉积(CVD),其中源气流在基板上反应以生长所需的材料。可以根据技术的细节将其进一步分为几类,例如LPCVD(低压化学气相沉积)和PECVD(等离子体增强化学气相沉积)。氧化膜也可以通过热氧化技术来生长,其中(通常是硅)晶片暴露于氧气和/或蒸汽中,以生长二氧化硅的薄表面层。图案化MEMS中的图案化是将图案转移到材料中。光刻术MEMS上下文中的光刻通常是通过选择性地暴露于诸如光的辐射源而将图案转移到光敏材料中。光敏材料是当暴露于辐射源时其物理性质发生变化的材料。如果将光敏材料选择性地暴露于辐射(例如,通过掩盖一些辐射),则材料上辐射的图案将转移到已暴露的材料上,因为已暴露和未暴露区域的特性不同。然后可以去除或处理该暴露的区域,从而为下面的衬底提供掩模。光刻通常与金属或其他薄膜沉积,湿...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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在光学冷加工中,镜片的清洗主要是指镜片抛光后残余抛光液、黏结剂、保护性材料的清洗;镜片磨边后磨边油、玻璃粉的清洗;镜片镀膜前手指印、口水圈以及各种附着物的清洗。传统的清洗方法是利用擦拭材料(纱布、无尘纸)配合化学试剂(汽油、乙醇、丙酮、乙醚)采取浸泡、擦拭等手段进行手工清擦。这种方法费时费力,清洁度差,显然不适应现代规模化的光学冷加工行业。这迫使人们寻找一种机械化的清洗手段来代替。于是超声波清洗技术逐步进入光学冷加工行业并大显身手,进一步推动了光学冷加工业的发展。超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”:1.空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2.当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能,这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3.当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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有源区是硅片上做有源器件的区域,光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺,光刻主要包括表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序,刻蚀中常用的一种湿法腐蚀是BOE腐蚀,BOE腐蚀比干法刻蚀有诸多优点,如设备成本低、单片成本低、生产效率高等。在现有的技术下,BOE腐蚀也存在很多不足,如腐蚀速率不稳定、产品部分腐蚀不净、部分区域染色、腐蚀后线宽尺寸偏差较大等。光刻BOE腐蚀质量与腐蚀液温度、腐蚀运动方式、腐蚀液浓度密切相关。一般BOE腐蚀时,通过人工或自动上下提动片架或左右来回晃动片架,促进酸液与硅片表面二氧化硅反应,同时硅片表面生成一些小气泡,这些气泡会隔离酸液与二氧化硅接触,阻止氧化层腐蚀,造成硅片图形氧化层腐蚀不均匀或腐蚀不净,特别在小尺寸芯片此类问题更为突出。如何在腐蚀过程中,消除这些气泡成为业界难题。通常采用在槽内导入超声波、酸液鼓泡等,增加了设备成本,但腐蚀效果仍不理想,为了解决这一问题,本发明提供了以下技术方案。现有技术中,在硅片有源区光刻工艺的刻蚀过程中,腐蚀液会与硅片反应生成气泡,这些气泡依附在硅片表面,将硅片与腐蚀液隔离,阻止氧化层的进一步腐蚀,容易造成硅片表面腐蚀不均匀或者腐蚀不净。本发明的目的可以通过以下技术方案实现:一种BOE腐蚀的工艺方法,包括如下步骤:步骤一、将硅片清洗后加入烘箱中,在120℃,真空度-720...
发布时间: 2021 - 02 - 25
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光罩清洗的流程以及优化摘 要:光罩清洗的流程以及优化,需要在实际生产运用中来完善,要保证在不影响清洗能力的情况下来优化各个工艺参数,在各种工艺清洗时的时间和MASKStage的转速来缩短清洗光罩的时间,而这个参数需要在不断地实验中完善。该文针对目前液晶面板在正常生产的过程中光罩(MASK)日常清洗的流程及工艺,介绍了目前光罩清洗机中使用的几种主要的清洗工艺,清洗光罩时需根据不同原因来选择所需要的工艺来清洗,以及对清洗工艺的优化。关键词:光罩光罩清洗机曝光机1清洗MASK的类别1.1拆包清洗在首次光罩到厂后进行,要将光罩从光罩盒中取出,并进行检查确认,若检查没有问题再使用正常的清洗工艺清洗,清洗后放置于MASKStocker内,以备使用。1.2日常清洗在产线切换产品或者连续生产达到一定数量时,为了防止光罩被污染而产生MASK共通缺陷,需要对光罩进行清洗。主要是因为液晶生产中所使用的光阻特性,有的光阻比较容易挥发产生升华物滴落在基板的表面,在基板进入曝光机曝光时由于曝光的GAP较小,从而部分升华物会接触到光罩表面,产生MASK共通缺陷,而使生产出的产品在相同的位置有着同样的不良缺陷。1.3出现MASK共通时清洗特别是接近式曝光机,曝光时光罩与玻璃基板的GAP较小,曝光时的GAP可能只有100~200μm(如图1所示)。如果基板上有光阻或其他异物,有可能在曝光时将异物粘到光罩上或者异物有...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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光学材料的干法刻蚀研究摘 要:本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究,运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验,通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速率、均匀性等参数对比,最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀工艺条件。关键词:光学材料;干法刻蚀;二氧化硅;工艺条件 1.反应离子刻蚀的基本原理分析射频辉光放电后会使反应气体被击穿从而产生刻蚀所需要的等离子体,等离子体中不仅包含正离子和负离子,同时也含有可以与刻蚀样品表面发生反应的游离基和自由电子,这便是反应离子刻蚀中应用化学作用进行刻蚀的基本原理。而阴离子和阳离子在电场作用下可以射向刻蚀样品的表面,从而实现对刻蚀样品的物理轰炸,这便是反应离子刻蚀中应用物理作用的基本原理,而通过物理作用和化学作用的结合便可以完成对样品的刻蚀。2.反应离子刻蚀工艺研究内容及方法关于光学材料在不同工艺条件下的反应离子刻蚀研究,在实验过程中将实验硅片作为基础材料,并通过CVD技术使实验硅片生成实验所需要的二氧化硅层,在一定的沉积工艺条件下保证所制备的二氧化硅薄膜具有实验所需要的各种性质,并保证其致密性、折射率等都可以达到光学材料所具备的相应标准,这样才能确保实验结果在光学材料干法刻蚀应用中的有效性。二氧化硅膜在满足标准后要对其均匀性进行检测,可以运用椭偏仪对二氧化硅膜的厚度与折射率进行测量,这样才能使实验结果完全可以代表硅片表面在...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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氮化镓干法刻蚀研究进展摘要:对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN7干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN1法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AIGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于8O。且刻蚀表均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因索进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。关键词:氮化镓;下法刻蚀;等离子体;刻蚀损伤1引言氮化镓(GaN)材料具有良好的电学特性⋯,如宽的禁带宽度(3.4eV)、高击穿电场(3×106V/Cm)、较高的热导率(1.5w/Cm・K)、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、高压、大功率电子器件和短波长光电子器件的理想材料。刻蚀是GaN电子器件制造工艺中非常重要的一步,但是GaN材料是极稳定的化合物,其键能达到8.92eV,在室温下GaN不溶于水、酸和碱,在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解,所以用湿法刻蚀很难获得满意的刻蚀速率,可控性较差『21。与传统的湿法刻蚀比较,干法刻蚀技术具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点,所以反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振等离子体(ECR)、感应耦合等离子体(ICP)等多种干法刻蚀方法被应用于GaN材料的刻蚀中。ICP以其廉价的等离子体...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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