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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数,即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明,过渡金属(锌和锰)的迁移率比碱金属(铯)和碱土金属(钡)低,与基底类型和焙烧温度无关。过渡金属与光致抗蚀剂层中共存的焊料和/或水解物质形成稳定的络合物。发现金属络合物的尺寸、溶剂蒸发中的拖曳力和烘焙过程对杂质迁移有显著影响。我们提出了一个新的模型,结合化学放大光致抗蚀剂中的金属迁移和随后在底层衬底上的吸附,来解释金属迁移的途径。该模型可以解释金属杂质从光致抗蚀剂层向衬底表面的迁移率。 实验材料用直径为15厘米的p型晶片生长有各种薄膜(即多晶硅、二氧化硅、氮化硅和非钝化或裸硅对照)。它们被切成2×2厘米的小块作为测试样品。然后通过各种光刻和剥离工艺处理这些样品,以研究光刻工艺中引入的污染物。光刻胶的选择在表1,选择这种特殊的光致抗蚀剂是因为它是最先进的超大规模集成(ULSI)制造中栅极和金属层应用的常用光致抗蚀剂。它可用于波长为248纳米的KrF准分子激光曝光。 表1 光刻剂组成为了制备用于研究的不同底层衬底,在石英反应器中通过低压化学气相沉积(LPCVD)在各种起始硅片上沉积多晶硅和氮化硅膜。用流速为60 cm³...
发布时间: 2021 - 11 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在半导体工业中,清洁的晶片表面对于电子器件的制造是必不可少的。硅片的表面污染会导致大规模集成电路器件的严重退化。从硅表面去除颗粒最常用的技术是湿化学法,称为RCA清洗的过程。在本文中,我们通过密度泛函理论进行第一性原理计算来研究碱金属溶液中的金属粘附。特别是,研究集中在铝和铁羟基离子的行为上,因为铝和铁通常在APM清洗后在晶片表面大量检测到。目前的理论方法提出了铝和铁羟基络合物粘附过程的反应途径,并提供了反应活化能垒的评估。基于这些计算结果,从硅晶片上金属污染的概率方面讨论了铝和铁之间的差异。本方法的动机是从第一性原理的观点来判断传统的RCA方法,尤其是APM清洗是否能完全防止金属污染。如果APM清洗被认为仍然有希望,那么对pH值的严格控制和温度条件将是重要的。如果没有,则需要补充技术,如添加剂,如表面活性剂和螯合剂,溶液中的金属浓度应显著降低。 实验使用密度泛函理论进行第一性原理计算。在整个工作中,我们使用了B3LYP方法,为了确定过渡状态和稳定状态,执行了光学优化。含铝金属体系的自旋电子态为单线态,含铁金属体系的自旋电子态为六线态。在几何优化过程中,所有的硅、氧和铝表面原子被允许自由移动,只有终止衬底硅原子的氢原子被固定在它们的初始位置。铁杂质有两种可能性,即三价铁和四价铁,两种羟基形式的比例取决于溶液的酸碱度。因此,铝(氢)、...
发布时间: 2021 - 11 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言近年来,复杂半导体制造设备的高效运行吸引了越来越多的研究兴趣。该行业如今正处于增长扩张期,这些市场的特点是高度科技化和充满活力。这种现状迫使晶圆制造工厂集中精力向客户提供高质量、价格合理的产品,同时缩短交货时间和加工时间。因此,开发高效的短期调度策略成为达到竞争力的潜在替代方案,灵活地响应高要求市场和客户的要求。自动湿法蚀刻站是现代半导体生产系统的关键部分,它必须同时处理许多复杂的约束和有限的资源。该站由一系列连续的化学和水浴以及共享的自动化批次转移系统组成,其中必须严格遵循混合中间存储策略,以避免非常昂贵的晶圆污染。这项工作解决了半导体工业中最关键的阶段之一,自动湿法蚀刻站(AWS)的短期调度问题。开发了一种高效的基于MILP的计算机辅助工具,以实现顺序化学和水浴的活动与有限的自动化晶片批次转移设备之间的适当同步。主要目标是找到最佳的集成计划,最大限度地提高整个过程的生产率,而不会产生晶圆污染。 实验典型的晶圆制造工厂包括四个主要阶段:制造、探测、组装或包装以及最终测试。湿法蚀刻是在晶片制造阶段进行的最复杂的操作之一。它利用晶片批次在预定顺序的连续化学浴和水浴中的自动转移,在化学浴中有严格和确定的暴露时间(见图1)。像机器人一样,自动化材料处理设备被用作在连续浴槽之间转移批次的共享资源。浴槽之间的转移时间是确定的。机器人不能在预定...
发布时间: 2021 - 11 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言湿化学蚀刻广泛应用于制造半导体。在制造中,成膜和化学蚀刻的过程交替重复以产生非常小的铝层。根据蚀刻层横截面的几何形状,由于应力局部作用在蚀刻层上构造的层上,经常出现裂纹。因此,通过蚀刻产生具有所需横截面几何形状的铝层是重要的驱动环节之一。在湿化学蚀刻中,蚀刻剂通常被喷射到旋转的晶片上,并且铝层由于与蚀刻剂的化学反应而被蚀刻。我们提出了一种观察铝层蚀刻截面的方法,并将其应用于静止蚀刻蚀刻的试件截面的观察。观察结果成功地阐明了蚀刻截面几何形状的时间变化,和抗蚀剂宽度对几何形状的影响,并对蚀刻过程进行了数值模拟。验证了蚀刻截面的模拟几何形状与观测结果一致,表明本数值模拟可以有效地预测蚀刻截面的几何形状。 实验试件在恒温333k的静止蚀刻剂中蚀刻。表1列出了实验条件。在试件上,铝层被溅射在硅上,铝层被电阻屏蔽,如图1a所示,铝层的厚度和抗蚀剂的宽度分别用H和W表示。宽度W一般小于约50µm。Al层随着时间的推移而被蚀刻,如图1b所示。本文对具有三种抗阻宽度的试件进行了研究。 表1 实验条件 图1 蚀刻工艺每1分钟后从蚀刻剂中取出试件,观察蚀刻过程。蚀刻试件涂上树脂薄膜,然后由FIB(聚焦离子束)成型。薄膜涂层对于保护电阻剂免受FIB处理是必不可少的,使观察电阻蚀剂对蚀刻截面的影响成为可能。采用空间分辨率为7nm...
发布时间: 2021 - 11 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在所有金属污染物中,铁和铜被认为是最有问题的。它们不仅可以很容易地从未优化的工艺工具和低质量的气体和化学物质转移到晶片上,而旦还会大大降低硅器件的产量。用微波光电导衰减和表面光电压研究了p型和n型硅中微量铁和铜的影响。这些晶片受到了与超大规模集成技术相关的受控量的铁和铜表面污染。衬底掺杂类型对金属杂质的影响很大。正如所料,Fe会大大降低p型衬底的少数载流子寿命。另一方面,铁对n型硅的影响至少比p型低一个数量级。相比之下,铜对n型材料非常有害,但对于所研究的污染水平,对p型硅的少数载流子特性没有显著影响。 实验 首先,对p型硅中铁污染情况的表征技术进行了全面的研究。为此,CZ、p型、、6至10和24至36±2cm、125mm直径的硅片,含中氧含量,从铁添加(0.25:1:5)NH4OH:H、O、:H、O(SC1)溶液中得到均匀的Fe污染。通过气相沉积得到的铁表面浓度。表面N2环境中热处理30分钟,污染物被驱入晶片。氧化环 境中处理的升温是在5%氧气中进行的。在N2所有情况下的冷却都以5℃/分钟的速度进行到650 ℃,然后在 10分钟内将样品从毛皮中取出至室温。我们还进行了第二组实验,其中同时使用n型和p型底物(表1)来解决掺杂类型对硅中杂质活性的影响。如前所述,从添加的SC1溶液中以控制和均匀的方式沉积。铜从稀释的...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言基于氮化镓(GaN)的半导体已经被广泛研究,因为它们在光电应用中具有潜力,例如在蓝色和紫外波长区域工作的发光二极管。为了提高氮化镓基发光二极管的可靠性,研究了在乙二醇溶液中,用氢氧化钾+氢氧化钠对氮化镓基发光二极管中的p-氮化镓表面进行选择性湿法化学刻蚀。与未蚀刻的发光二极管相比,蚀刻的发光二极管在正向和反向偏压下的泄漏电流要低得多。蚀刻的发光二极管也显示出改善的光提取效率,并且在300毫安的高注入电流下光输出功率的退化速率比未蚀刻的发光二极管慢。这些结果可归因于表面缺陷的减少、空穴浓度的增加和蚀刻的p-GaN的表面粗糙度的增加。在这项工作中,我们研究了蚀刻发光二极管在高注入电流下的可靠性。为了检查进入由表面缺陷形成的陷阱中心的漏电流,在发光二极管上采用了温度相关的电流电压测量。与未蚀刻的发光二极管相比,选择性蚀刻的发光二极管的漏电流显著降低。 实验使用金属-有机化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了InGaN-GaN多量子阱(MQW)发光二极管。发光二极管结构由硅掺杂的氮氮化镓层(2米)、五周期的铟镓氮(3纳米)/氮化镓(7纳米)MQW有源层和镁掺杂的磷氮化镓层(0.2米)组成。p-GaN层的霍尔效应测量显示空穴浓度为厘米。样品用三氯乙烯、丙酮、甲醇和去离子水清洗。然后将发光二极管样品在乙二醇(KNE)中的氢氧化钾(5M)和氢氧化...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料超发光二极管(SLDs)既具有激光二极管(LDs)的高定向输出功率,又具有发光二极管(LED)的相对较宽的光谱发射和较低的相干性。sld利用沿着波导的受激发射来放大自发发射,但抑制其在各个方面的反馈,并防止净往返增益,否则将导致激光。如果没有激光,就没有模态选择或高度相干的发射。LDs和led之间的中间特性使sld非常适合于各种应用。微微投影仪利用高功率定向发射,而相对宽的光谱宽度降低了与LDs相关的眼睛损伤风险,低相干性降低了相干噪声或“散斑”。SLD具有高光纤耦合,允许在光纤耦合照明和光纤陀螺仪中的应用。这些装置也可用于光学相干断层扫描和视网膜扫描显示器。随着低扩展缺陷密度独立氮化镓基底的出现,在半极性和非极性晶体平面上生长的量子阱(QW)结构由于可以抑制或消除QCSE而引起了人们的关注。不平衡的双轴平面内应变导致重孔和光孔价带的分裂,导致理论上预测沿非极平面和半极平面相对于c平面有更高的增益。非极性m平面LDs已经在紫色、蓝色、和蓝绿色的光谱区域得到了证实。m平面QWs中QCSE的缺失随着驱动电流的增加而减少了蓝移,并允许更厚的QWs,这增加了光学限制,而不损失辐射重组效率。 在图1中,示出了氢氧化钾处理后c面和c面的扫描电子显微照片。仅在c面上观察到六边形金字塔的形成。六角锥直径范围从0.3到n型GaN上为1.6 m,p型GaN...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言最近在外延膜的导电率控制和高质量块状氧化锌衬底的可用性方面的进展重新引起了我们对用于紫外光发射器和透明电子器件的氧化锌/氧化锌/氧化锌异质结构系统的兴趣。虽然GaN/AlN/InN系统被用于这些相同的应用,但氧化锌有一些特殊的优势,如在玻璃等廉价的底物上相对较低的生长温度,以及比氮化镓大得多的激子结合能。后者对于在高温下实现强大的光发射非常重要。与氮化镓相比,氧化锌系统也有更简单的处理,在安全温度下不能在传统的酸混合物中湿蚀刻。如果使用非导电基底,在LED器件形成时需要湿蚀刻。二元氧化锌可以在许多常见的酸溶液中蚀刻,包括HNO3/HCl和HF。我们发现,在Zn0.9Mg0.1O/ZnO系统中,盐酸在水中的高稀释因子下,ZnMgO对氧化锌的湿蚀刻选择性可以超过400。在本文中,我们报道了使用稀释的盐酸和磷酸混合物选择性蚀刻ZnCdO超过氧化锌的成就。 实验在c面蓝宝石基底上对氧化锌和ZnCdO单层进行MBE生长。用低温细胞蒸发6n纯度的Zn、Cd和Mg。原子氧通量由射频射频等离子体源产生。该源的O2流量为2-5标准立方厘米每分钟,根据锌通量和正向功率为150w。蓝宝石表面热清洗后,基底温度降低至400-600°C。氧化锌的生长是通过同时打开锌和原子氧百叶窗来启动的,以确保随着生长的薄膜的锌的极性。为了减少可变生长参数的数量,...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔,它们在器件中有很大的应用。通过碱性蚀刻剂对硅(100)的单晶结构进行的表面纹理化被称为“随机金字塔”。晶体硅的表面纹理化通过使用不同的蚀刻溶液来进行。最近,有发现可以成功地使用了强氧化剂氢氧化钠来对硅表面进行纹理化。本文研究了溶液组成等刻蚀参数对硅表面形貌的影响。用扫描电镜、分光光度法和二次离子质谱分析了腐蚀样品的表面。结果清楚地表明,乙醇在溶液中的存在导致金字塔的形成,而其不存在诱导纳米结构的形成(纳米线或纳米针)。 实验碱性蚀刻实验是在电阻率为1–10Ω厘米的p型(100)取向镜面抛光硅片上进行的。在实验之前,首先用丙酮、乙醇和去离子水清洗尺寸为20×20毫米的硅衬底,以去除吸附的灰尘和表面污染物,然后通过在稀释的氢氟酸(5%氢氟酸)中蚀刻去除晶片上的天然氧化物。纹理化过程是在干净的表面上产生直的直立金字塔。首先,将晶片浸入5%氢氧化钠(重量比)和10% CH3CH 2(体积比)的混合溶液中,温度为80℃,精确度为±1℃。晶片在溶液中保持所需的时间为5至45分钟。最后,将纹理晶片在去离子水中洗涤,并用氮气干燥。在本实验中,一些晶片也在次氯酸鈉溶液(13%的重量比例)中蚀刻,以评估乙醇添加对次氯酸钠单晶硅表...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      湿化学蚀刻硅体微加工是制造不同类型微机械结构的关键步骤。对各种形状的三维结构有很高的需求。然而,可能获得的结构范围是有限的。限制主要来自于有限数量的适用蚀刻溶液。这种解决方案强加了蚀刻速率的各向异性,最终决定了最终蚀刻图形的形状。由于合理的(1 0 0)面刻蚀速率和令人满意的表面光洁度,有机溶液中的TMAH和无机溶液中的KOH具有最大的实际意义。      我们研究了不同醇类添加剂对氢氧化钾溶液的影响。据说醇导致硅蚀刻各向异性的改变。具有一个羟基的醇表现出与异丙醇相似的效果。它们导致(hh 1)型平面的蚀刻速率大大降低,通常在蚀刻凸形图形的侧壁处发展。这就是凸角根切减少的原因。具有一个以上羟基的醇不影响蚀刻各向异性,并导致表面光洁度变差。 实验       实验中使用了电阻率为5 ~ 10o·cm的n型(1 0 0)取向硅片。晶片覆盖有热生长的1毫米厚的氧化物,该氧化物在光刻工艺中被有意地图案化,以便限定边缘垂直于特定晶体方向的图形图案。在蚀刻过程中形成的凹凸图形使得能够对所形成的晶面进行蚀刻速率评估。我们讨论了掩模图案的布局和基于显影图形形状的蚀刻速率估计方法。图1显示了台面结构的扫描电镜俯视图,其边缘垂直于晶...
发布时间: 2021 - 11 - 02
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