一、主要生产设备 二、工艺流程简述 图1IR-UFPA探测器生产流程及产污环节图 图2IR-UFPA探测器委托封装生产流程及产污环节图项目探测器生产及委托封装工艺流程基本相同，区别仅是探测器生产过程总所需硅片及读出电路外购，探测器委托封装所需硅片及读出电路均由客户提供，本环评统一进行生产及封装工艺流程简述。(1)原材料外购根据项目产品生产需要，外购硅片（或客户提供）、光刻胶、读出电路电子组件、错窗窗口等原辅材料备用。(2)硅片分割外购入项目的硅片为晶圆，采用划片机将晶圆进行划片之后，得到单片硅片，划片过程中产生机械噪声。(3)硅片背金生长硅片背金生长包括硅片北面氧化膜去除、清洗、硅片背面金属生长三个部分探测器芯片背面氧化层去除可采用纯物理的磨抛背减和化学腐蚀。磨抛背减是采用常规的磨抛，需对探测器芯片加压，会对芯片物理结构带来损伤，导致芯片机械性能降低。化学腐蚀是直接采用化学试剂对芯片北面进行腐蚀，不会对芯片结构带来物理损伤。本项目中采用化学腐蚀方式进行芯片北面氧化层去除。化学方式包括干法腐蚀及湿法腐蚀两种，湿法腐蚀是采用稀释的氢氟酸完成氧化层去除，腐蚀过程中若不做好保护措施，可能会对芯片正面带来损伤，干法腐蚀是采用电感精合等离子体设备进行氧化层去除。清洗采用干法清洗，即是采用辉光放电的方式进行清洗，辉光放电是指低压气体中显示辉光的气体放电现...
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一、主要生产设备 二、工艺流程简述 工艺说明：①第一次焊接：焊料使用预成型焊片，不含助焊剂，芯片和DBC在真空状态下行焊接；②X-ray检测空洞：使用X-ray检测焊接空洞；③等离子体清洗：使用Ar等离子体对芯片表面进行清洗，以获得清洁表面，增强后续绑线的可靠性；④铝线键合：对芯片进行铝丝绑线：⑤第二次焊接：焊料使用预成型焊片，不含助焊剂：铜底板和DBC在真空状态下进行焊接；⑥涂密封胶和灌注硅凝胶：通过密封胶、外壳、硅胶等将模块密封起来。IGBT的制造工艺：IGBT的制程正面和标准BCD的LDMOS没差，只是背面比较难搞：1) 背面减薄：一般要求6~8mil，这个厚度很难磨了，容易碎片。2) 背面注入：都磨到6~8mil了，还要打High current P+ implant E14的dose，很容易碎片的，必须有专门的设备dedicate。甚至第四代有两次Hi-current注入，更是挑战极限了。3) 背面清洗：这个一般的SEZ就可以。4) 背面金属化：这个只能用金属蒸发工艺，Ti/Ni/Ag标准工艺。5) 背面Alloy：主要考虑wafer太薄了，容易翘曲碎片。免责声明：文章来源于网络，如有侵权请联系本网站删除。
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1 CMP后清洗技术及研究现状清洗是利用物理、化学或机械作用的方法使吸附在表面的污染物解吸而离开物体表面的过程。物理方法是利用光、电、热等物理作用使污染物获得能量，通过自身的振动而脱离基体表面；化学方法则是利用清洗剂和污染物进行化学作用，使大分子污染物生成可溶于清洗剂的小分子物质而脱离基体表面或破坏污染物与基体表面之间的键合作用而使之脱离；机械方法是利用摩擦等机械能作用，使表面吸附的颗粒等污染物脱离表面。在超光滑表面的清洗中，不同工件、不同工序对表面清洁度的要求不同，必须针对不同的对象及目的采取不同的清洗方法，以满足工艺对清洁度的要求[4]。目前超光滑表面清洗技术总体上可分为湿法和干法清洗。湿法清洗一直是晶片清洗技术的主流。它是利用溶剂、各种酸碱、表面活性剂和水的混合物通过腐蚀、溶解等化学反应，结合一定的机械作用以去除晶片表面的沾污物。1.1 清洗方法与工艺技术目前常用的CMP后清洗的方法有浸泡、喷淋、擦洗、超声波、兆声波[5]等。其中浸泡、喷淋大多作为中间过程，不是单独的清洗方法。擦洗是一种应用广泛、低廉、高效的接触式清洗方式，是刷子和工件表面持续接触的介于边别到弹流润滑的摩擦学过程，通过刷子与Si片表面的接触力结合液力的拖曳力作用，去除Si片表面抛光过程中渗人的颗粒[6]J.M.Lim等人[7]发现擦洗可有效清除Si片表面上直径大于0.2um粒子污染物，但对清除金属离子、有机物...
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1Marangoni干燥机理分析：Marangoni干燥原理如图1所示,晶片在IPA气氛下与水分离（可通过晶片提拉或水慢排的方式实现）,完全分离后,流体慢排使花篮干燥，开启排风将IPA蒸汽抽掉,同时通入氮气吹干晶片表面残留的IPA。 在IPA蒸汽存在的环境中，由于IPA的表面张力比水小得多（25℃,IPA表面张力为20.9×10-3N/m:水的表面张力为72.8×10-3N/m），所以会在坡状水流表层形成表面张力梯度,产生Marangoni对流,使水更容易从晶片表面脱离。 图1中的第2个步骤“晶片缓慢提拉”是Marangoni干燥的核心环节.提拉过程中，晶片表面的水会呈坡状流下，如图2所示,如果两片晶片距离很近（例如处在花篮的相邻槽中）,这种坡状水流会相连为弯月形[1].这种坡状水流的最高点与晶片接触，主要受到4种力的作用，即水的重力G，晶片/水的界面张力γls，晶片的表面张力γs和水的表面张力γl,θ为水与晶片的接触角,如图3所示。2实验部分利用100mm（4英寸）硅抛光片进行IPA干燥,分两组实验，干燥后利用光散射测试系统检测水痕缺陷。A组：分别在提拉速率1mm/s、2mm/s和3mm/s下进行不同IPA流量的Marangoni干燥，减压排风阶段氮气流量80L/min。B组：提拉速率1mm/s、IPA流量20L/min下进行Marango...
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SiC单晶的清洗：SiC单晶的湿化学清洗法研究中，样品的清洗和接触角的测定在同一实验室完成，有效避免样品的再次污染；为防止清洗过程中的污染，清洗所用的容器均是定制的聚四氟乙烯（PTFE）器皿。实验中尝试了不同的湿化学清洗法，下面是主要清洗方法的流程：1、RCA清洗法：（1）将30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，边搅拌边缓慢加入10mlH2O2，将SiC单晶样品放入混合液中，恒温加热30min；（2）DI水冲洗3min，将样品表面的混合液冲洗干净，N2吹干；（3）将30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlNH3OH和10mlH2O2，将样品放入混合液中，恒温加热20min；（4）DI水冲洗，N2吹干；（5）将30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中，然后加入10mlHCl和10mlH2O2。将样品放入混合液中，恒温加热20min；（6）DI水冲洗，N2吹干。2、硫酸和双氧水混合液（SPM）单步清洗法：（1）将30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中，然后边搅拌边缓慢加入10mlH2O2，将SiC单晶样品放入混合液中，恒温加热30min；（2）DI水冲洗3min左右，将样品表面的混合液冲洗干净，N2吹干。3、实验用清洗剂+SPM两步清洗法：（1）用干净的电动牙刷蘸取适量实验用清洗剂刷洗SiC单晶样品5min；（2）DI水冲洗3min，将样品表面的清洗剂冲洗干净；（3）将样品置于...
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一、 紫外光表面清洗和改质的工作原理：低压紫外汞灯发射的双波段短波紫外光照射到试件表面后，与有机污染物发生光敏氧化作用,不仅能去除污染物而且能改善表面的性能，从而提高物体表面的浸润性和粘合强度，或者使材料表面得到稳定的表面性能。根据不同需要，既可以对物体进行紫外光表面清洗，也可以进行紫外光表面改质（或叫表面改善），紫外光表面清洗和改质的机理有相同点，但也有区别。1.1紫外光清洗工作原理：VUV低压紫外汞灯能同时发射波长254nm和185nm的紫外光，这两种波长的光子能量可以直接打开和切断有机物分子中的共价键，使有机物分子活化，分解成离子、游离态原子、受激分子等。与此同时，185nm波长紫外光的光能量能将空气中的氧气（O2）分解成臭氧（O3）:而254nm波长的紫外光的光能量能将O3分解成O2和活性氧（O），这个光敏氧化反应过程是连续进行的，在这两种短波紫外光的照射下，臭氧会不断的生成和分解，活性氧原子就会不断的生成，而且越来越多，由于活性氧原子（O）有强烈的氧化作用，与活化了的有机物（即碳氢化合物）分子发生氧化反应，生成挥发性气体（如CO2，CO，H2O，NO等）逸出物体表面，从而彻底清除了粘附在物体表面上的有机污染物。紫外光表面清洗原理表达式： 1.2紫外光改质工作原理：低压紫外汞灯发射的185nm和254nm波长的紫外光除有清洗去除物体表面的有机污染物的功能...
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半导体晶片清洗机，包括若干根支撑腿，支撑腿顶端共同固定连接有支撑平台，所述支撑平台内部开设有第一空腔，第一空腔通过第一软管与外界的引风机相连接，所述支撑平台上表面均匀开设有若干第一通孔，且支撑平台表面放置有半导体晶片；所述支撑腿侧壁上固定连接有安装座，安装座上均固定连接有升降装置，升降装置的顶端固定连接有水平杆，两根水平杆之间共同固定连接有圆板，圆板下侧转动连接有旋转装置，旋转装置的底端固定连接有清洗刷，清洗刷呈圆形，清洗刷内部开设有第二空腔，第二空腔下侧均匀开设有若干第二通孔，所述清洗刷下表面布置有刷毛，清洗刷上侧开设有进水口:所述圆板上侧放置有清洗水箱，清洗水箱通过第二软管穿过圆板与旋转装置内部相连通，第二软管上设置有泵体。第一通孔直径为0.5mm-1.5mm。升降装置为电动推杆或液压伸缩杆。旋转装置包括竖直套筒，竖直套筒底端与清洗刷上侧固定连接，竖直套筒的顶端固定连接有圆环板；所述圆板下侧开设有截面呈L型的环形悬挂凹槽，竖直套筒的顶部以及圆环板均位于环形悬挂凹槽内部；所述竖直套筒的内侧壁上固定连接有齿圈，齿圈上啮合有齿轮，齿轮上侧固定连接有转轴，转轴穿过圆板向上延伸，且转轴顶端与位于圆板上的电机输出轴固定连接。竖直套筒的轴线与清洗刷的轴线相重合。转轴与圆板的接触处设置有轴承。第二通孔的直径为2mm-4mm。进水口截面呈等腰梯形，且进水口的小端朝下设置。 图1...
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超高压清洗机设计一.高压水冲毛机：高压水冲毛机（清洗机）系用于混凝土浇筑施工中混凝土水平施工缝表面冲毛处理的专用机械，是高压水射流技术在生产实际中的一种应用。该机以清水作为工作介质，自来水经高压泵加压后，经节流阀、喷枪、喷嘴，使高压水变为高速射流打击于混凝土表面。在高压水流的冲蚀作用下，混凝土表面乳化皮层迅速剥落呈粗砂状，从而达到表面处理要求。可用于电力、石油、化工、轻工等各工业部门的管道、管束内外壁，容器与罐槽内壁的清洗剥层；车辆、船舶、闸门及钢质设备的表面除锈、除脂；市政管道疏通、清洗；铸件清理等工作。其驱动力有电机或内燃机两种方式，以供用户选择。二.混凝土冲毛·混凝土输送带的冲洗、喷雾、保湿·大型混凝土清除和剥离钢筋·混凝土结构的水清拆三.机型扩展其中，本机型可以扩展为表格中对应的流量和压力，以适用于不同行业的清洗。四.本机组成SL-10027型高压水射流清洗机，本机包含01部套-调压部套02部套-泵体部套03-柱塞筒部套04-压力显示部套05-传动箱部套06-底架部套07-外罩部套08-润滑冷却部套09-电气控制部套。1、进水系统–采用增压泵进水，避免气蚀现象的产生–采用高精密过滤器过滤，保证不会有任何杂质进入泵体内部；–大口径管路，保证进水充分要求；–采用能量包分配形式进料，保证每个缸体的充分进料；–卡箍式易装拆结构，并且容易清洗；2、泵体系...
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1、适用范围：六槽清洗机、八槽清洗机的腐蚀清洗的生产。 3、准备工作3.1、配制腐蚀液3.1.1、八槽清洗机按NaOH：H2O==100g:1L的比例的溶液注入第一槽，容量达到规定要求。按HNO3：HF：H2O：15g：150g：1L的比例的溶液分别注入四、五、六槽容量达到规定要求。3.1.2、六槽清洗机按HF：HN4F:H2O==40g:5g：1L的比例的溶液注入第一槽，容量达到规定要求。按HCL：H2O==100g：1L的比例的溶液注入第三槽，容量达到规定要求按HCLH2O==30g：1L的比例的溶液注入第四槽，容量达到规定要求3.2、确认各槽清洗温度设定及分布正常。3.3、确认各槽清洗状态正常各槽内注入规定的溶液正确。3.4、确认各槽控制系统工作正常程序准确时间设定准确。3.5、确认氮气流量为5L/min4、操作过程：4.1、确认投入作业的硅片的型号、批号、数量、工序。4.2、戴好一次性手套双手将片子一片一片地插入片架内。如果片子经过超声清洗过的片子就无需这样做直接做下工序4.3、用双手操作将插满硅片的片架按顺序平稳地放入清洗花篮内。4.4、用双手将放有硅片的清洗花篮挂上机械手臂上。4.5、再检查一遍运行程序正常符合工艺要求。按下“启动”键程序开始运行。4.6、八槽清洗机运行时随时查看运行状况确保运行正常。4.7、程序运行结束设备报警提示。4.8、双手操作取...
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㈠、目的和原理：利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。 解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶 硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片金刚砂硬度很高会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除会影响太阳电池的填充因子。②氢氧化钠俗称烧碱，是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为： 分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应，但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元，用于镉-镍电池电解液中。③碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。 ㈡、步骤： 1. 本工艺步骤是施博士制定的，是可行的具有指导意义的两步法碱腐蚀工艺。第一步粗抛光去掉硅片的损伤层。第二步细抛光，表面产生出部分反射率较低的织构表面。如果含有[100]晶向的晶粒就可以长出金字塔体状的绒面。第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠，化学反应方程式为： 2. 第七步氢氟酸络合掉硅片表面的二氧化硅层，化...
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