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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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一、什么是半导体?半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多,用于制造半导体的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)。纯净的半导体电阻率很高,几乎不导电。但在特定的条件下,如光照、掺杂等,它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低,并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P(空穴导电)型半导体和N(电子导电)型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时,在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性,利用它可以制得常用的二极管。在集成电路制造中,常用的衬底材料是硅单晶片,根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同,可把它分为和等晶向。在mos集成电路制造中,选用的是晶向的圆片。二、什么是集成电路?不同导电类型的半导体组合在一起,可以做成二极管、三极管、电容、电阻,如果把这些元件做在同一块芯片上,完成一定的电路功能,就称之为集成电路。集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路,MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。三、集成电路中的常用薄膜。多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器,及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中,它有以下几种用途:作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜,...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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背景技术半导体单晶硅作为硅的单品体结构,具有光学性能好、禁带宽度低、热稳定性好等优点,是光、电、热的优良载体,在半导体集成电路、太阳能发电等方面应用非常广泛。同时,以单晶硅为基础制作的硅材质托盘应用于蓝宝石村底材料及窗口材料的生产过程中,可以大幅度提高生产过程的稳定性,降低光学、电学缺陷的产生概率。氮化铝(AIN)应用于半导体中属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度宽、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点,但其较高的化学情性使对其清洗及洗净再生过程产生了一定的难度。发明内容针对现有技术存在的问题,本发明提供半导体12英寸单晶硅托盘表面氨化铝薄膜的清洗去除方法,采用一定比例的氢氧化钾(KOH)、双氧水(H2O2)与水(H20)的混合溶液(液A)清洗去除单晶硅托盘表面氮化铝薄膜,KOH在混合液中起到去除单晶硅表面沉积ALN的作用,而H202在混合液中起到保护单晶硅的作用,浸泡过程单晶硅清洗侵蚀量大约为0.005mm左右;并采用体积分数为3.4%的氨氟酸(HF)作为刻蚀药液(溶液B),通过HF的刻蚀作用,可以有效降低并控制溶液A对单晶硅托盘表面晶界性能的影响,同时清洗损耗和产品质量均可以得到很好的控制,具有成本低、损耗量低、洁净度高、均匀性好等优点。本发明的技术方案是:半导体12英寸单晶硅托盘表面氮化铝薄膜的清洗去除方法,具体步骤如下:步骤一、选取两个聚丙烯材料制作的浸...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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以锗为衬底的化合物电池由于具有转换效率高、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优势,在航空航天领域得到了广泛的应用。多节化合物电池用锗衬底通常为高表面质量的锗抛光片,要求其表面无颗粒沾污、无有机沾污、无表面缺陷。要使锗抛光片表面达到这一标准,清洗是非常重要的环节。紫外线/臭氧清洗技术是一种非接触式的干法清洗技术,不受溶液表面张力的影响。被清洁的表面仅与紫外线和臭氧作用,不与其他物体发生接触。并且有机物经过紫外光照射发生光敏氧化反应后,仅生成可挥发性气体,不会造成溶液清洗时的二次污染。与此同时,紫外光是短波光线,能够射入材料表面并在与臭氧的协同作用下与表面物质发生氧化反应,形成均匀的氧化物薄膜。紫外光子辐照的能量相对比等离子体溅射或惰性气体离子轰击的能量小,一般情况下,经过紫外线/臭氧处理的表面不会受到损伤或发生晶体缺陷。在RCA标准清洗法中,利用DHF清洗来剥离自然氧化层,从而达到去除氧化层中金属离子的目的。但由于HF并不溶解锗O或其他非正四价态锗氧化物,只溶解锗O:和极少量的锗混合态氧化物,所以本文采用对锗0和锗0:有很好溶解能力并且不与锗发生反应的盐酸进行清洗。紫外线/臭氧处理过程中,由于臭氧具有类似于H2O2的氧化电势,其可在锗抛光片表面形成洁净的氧化物薄膜,因此可以采用紫外线/臭氧干法氧化的方式替代H2O2的氧化作用。本文从降低锗抛光片雾值、提高表面质量为出发点,以紫外线/臭氧代替H2...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1前言众所周知,循环水已用于石油、化工、钢铁等各行各业,在循环水的使用中,由于水质的不同,会形成各种沉积物,这些沉积物以无机盐为主,成为无机垢;而在有机物的使用或生产过程中,由于高温等因素的影响,经常会导致有机垢的形成;在有些地方,则会同时形成无机垢和有机垢。垢的形成,会给生产和安全带来一系列影响,主要表现四:①影响生产的正常运行。严重的污垢沉积,使生产设备的性能下降,甚至不能正常运行;②增加成本。一般地,污垢的形成使热交换率大幅度降低,能耗明显增加;③引发各种事故,原材料泄露,引起厂房及工作人员的损伤。④影响材料性能和设备寿命,金属的污垢,如吸湿性的尘土和无机盐,容易吸附空气中的腐蚀性气体,如二氧化硫、二氧化碳,硫化氢等,进而腐独金属的表面,使金属失去光泽,产生麻点,强度下降;污垢下会发生腐蚀,缩短设备的寿命。本文对各种常见无机垢和有机垢的形成机理、清洗方法进行全面评述2无机盐垢的形成及清洗2.1碳酸盐垢2.1.1碳酸钙垢的成因以碳酸钙和碳酸镁为主要成分,碳酸镁容易水解生成碱式碳酸镁,进而形成溶解度更低的氯氧化误在天然水中,钙的含量夫于镁,所以碳酸盐垢的主要成分为碳酸号,有少量的碳酸钱和氧氧化锁碳酸盐水垢一般为自色片状物当含有金属氧化物时,会带有颜色,如有铁锈时,早粉红色或红褐色它难溶于与冷水,也难溶于热水,但易溶于无机强酸,如盐酸、硝酸和高氯酸等。在工业用水中存在着各种离子,有...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1前言Schwartzman等人[1],1993在SC1、SC2清洗时使用了兆频超声技术,获得前所未有的清洗效果,使得该方法在清洗工艺中被广泛采用,也引发了对超声波增强清洗效果的规律与机理的研究。1995年Busnaina的研究表明,兆频超声波去除粒子的能力与溶液的组成、粒子的大小、超声波的功率及处理时间有关。1997年Olim[2]发现兆频超声去除粒子的效率与粒子直径的立方成正比,并由此推断兆频超声无法去除0.1μm以下的粒子。但是,兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上<0.2μm的粒子,起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。但是,随着频率升高,声传播的效率会降低,所以兆声波清洗技术效果并不是频率越高越好。目前,一般用的频率范围是(700~1000)kHz。2兆声波清洗原理简介声能在液体内传播时,液体会沿声传播的方向运动,形成声学流(Acousticstreaming),声学流是由声波生产的力和液体的声学阻力以及其他的气泡阻力形成的液体的流动的效果[3],兆声波清洗就是利用声能产生的液体流动来去除硅片表面的污染物,其原理见图1。兆声波清洗是由高频(700~1000kHz)的波长短(1.5μm左右)的高能声波推动溶液做加速运动,使溶液以加速的流体形式连续冲击硅片表面,使硅片表面的颗粒等污染物离开硅片进入...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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微机电系统(MEMS)是一种技术,其最一般的形式可以定义为使用微细加工技术制成的小型机械和机电元件(即设备和结构)。MEMS器件的关键物理尺寸可能从尺寸范围的下端的一微米以下到几毫米不等。同样,MEMS装置的类型可以从没有运动元件的相对简单的结构变化到在集成微电子的控制下具有多个运动元件的极其复杂的机电系统。MEMS的一个主要标准是至少有一些元件具有某种机械功能,而无论这些元件是否可以移动。用于定义MEMS的术语在世界各地有所不同。在美国,它们主要被称为MEMS,而在世界其他地区,它们被称为“微系统技术”或“微机械设备”。 尽管MEMS的功能元件是小型化的结构,传感器,致动器和微电子器件,但最值得注意的(也许是最有趣的)元件是微传感器和微致动器。微型传感器和微型执行器适当地归类为“换能器”,其定义为将能量从一种形式转换为另一种形式的设备。在微传感器的情况下,该设备通常会将测得的机械信号转换为电信号。   在过去的几十年中,MEMS研究人员和开发人员已经针对几乎所有可能的传感方式(包括温度,压力,惯性力,化学物质,磁场,辐射等)展示了数量众多的微型传感器。值得注意的是,许多此类微型机械传感器已经展示了的表现超过了他们的宏观水平。即,例如压力传感器的微加工版本通常胜过使用最精确的宏观水平加工技术制成的压力传感器。不仅MEMS装置的性能优异,而且其...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。(1)SPM:H2SO4/H2O2120~150℃SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF)20~25℃DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。(3)APM(SC-1):NH4OH/H2O2/H2O30~80℃由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。(4)HPM(SC-2):HCl/H2O...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿蚀刻湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程,该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆,也称为基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料层,以用作电子和微流体设备的基础;最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀是半导体制造,微机械和微流控设备中的重要过程,需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态,这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻,因此常用于分层应用。缺点包括许多化学废物,其中许多是高酸性和多步过程。在蚀刻之前,需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能。在称为光刻的过程中,将光敏光刻胶旋涂到晶圆上。然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂。然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部,并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂。现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中。各向同性蚀刻各向同性蚀刻,即在所有方向上均相等的蚀刻,是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式。当将腐蚀剂(一种腐蚀性化学品)施加到被掩膜的晶圆上时,在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中,蚀刻会以相同的速率发生,从而产生倒圆的边缘。如果允许蚀刻剂反应足够长的时间,如图1所示,蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料。可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂,然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况。墙壁,然后添加更多的蚀刻剂。通过添加缓冲液以改变浓度或通过升高/降低温度...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿化学:湿蚀刻原理湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案,选择性大于100:1。要求 液体化学必须满足以下要求:遮罩层不得受到攻击选择性必须很高蚀刻工艺必须能够通过用水稀释而停止反应产物不得为气态,因为它们可能会遮盖其他区域在整个过程中蚀刻速率恒定反应产物必须可溶以避免颗粒必须确保环境安全和易于处置批量蚀刻在批量蚀刻中,可以同时蚀刻多个晶圆,过滤器和循环泵可防止颗粒到达晶圆。由于化学浓度随每个处理过的晶片而降低,因此必须经常更新。蚀刻速率,换句话说,单位时间的磨损,必须是众所周知的,以确保可重复的过程。精确回火是必不可少的,因为蚀刻速率会随着温度的升高而增加。 杠杆可以沿水平和垂直方向传送晶片。在蚀刻晶片之后,通过在单独的浴中用水冲洗来停止蚀刻过程。随后,在旋转干燥器中除去水分。分批蚀刻的优点是高生产率和蚀刻工具的简单构造。但是,均匀度低。喷涂蚀刻 喷雾蚀刻可与光刻中的喷雾显影媲美。由于同时旋转晶片以稳定地更新蚀刻化学,所以均匀性非常好。由于快速旋转,不会出现气泡,但是每个晶片必须单独处理。作为单晶片工艺的替代方法,可以一次在多个晶片上进行喷涂蚀刻。在旋转蚀刻机中,晶片被放置在喷嘴周围并同心旋转。之后,将晶片在热氮气氛中干燥。 硅的各向异性蚀刻尽管液体中的分子可以在...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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湿法化学蚀刻安全腐蚀剂的腐蚀性极强。戴上护目镜,面罩,丁腈手套,乙烯基实验室围裙,无纺布鞋。将酸加入稀释剂中。向弱酸中加入强酸。最后添加氧化剂。 Ga 2 O 3蚀刻剂参考:(2 [sec.4.3.2],8、98、99)。Ga 2 O 3的厚度通常约为。1:1-HCL:H 2 O-(10秒)1:20-H 2 SO 4:H 2 O ---(30秒)1 : 40-H 3 PO 4:H 2 O- -(20秒)盐酸:H 3 PO 4参考:(4,9,10,99)。反应速率有限。InP蚀刻速率为1:1〜2.5 µm / min。GaInP蚀刻速率为1:1〜0.60 µm /分钟。H 3 PO 4:H 2 O 2:H 2 O参考文献:(13,98,99)。反应速率有限。GaAs蚀刻速率为3:1:25〜0.30 µm /分钟。InGaAs蚀刻速率为1:1:8〜0.40 µm /分钟。InGaAs和InAlAs的蚀刻速率为1:1:38〜0.10 µm / min。H 2 SO 4:H 2 O 2:H 2 O参考:(1、2、3、14)。扩散率限制在〜33%H 2 SO 4以上。反应速率限制在〜33%H 2 SO 4以下。蚀刻速率与Ga和As含量成正比。InGaAsP蚀刻速率为1:1:10〜0.10 µm /分钟。C 6 H 8 O ...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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