欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
0513-87733829
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
新闻中心 新闻资讯
蚀刻是从材料表面去除材料的过程。蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻(例如,等离子体蚀刻)。涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻。在等离子体蚀刻工艺中,也称为干蚀刻,使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料。干蚀刻会产生气态产物,这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出。干蚀刻有三种类型(例如等离子蚀刻):化学反应(通过使用反应性等离子体或气体),物理去除(通常通过动量传递)以及化学反应和物理去除的组合。另一方面,湿蚀刻仅是化学过程。干法刻蚀(等离子刻蚀)和湿法刻蚀的优缺点 湿法刻蚀工艺的优点是设备简单,刻蚀速率高,选择性高。但是,有许多缺点。湿蚀刻通常是各向同性的,这导致蚀刻剂化学物质去除了掩膜材料下方的基板材料。湿蚀刻还需要大量的蚀刻剂化学物质,因为基底材料必须被蚀刻剂化学物质覆盖。此外,必须一致地替换蚀刻剂化学物质,以保持相同的初始蚀刻速率。结果,与湿蚀刻有关的化学和处理成本非常高。干蚀刻的一些优点是其自动化能力和减少的材料消耗。与湿法蚀刻相比,干法蚀刻(例如,等离子蚀刻)的成本更低。纯化学干法蚀刻的一个例子是等离子体蚀刻。纯化学蚀刻技术(特别是等离子蚀刻工艺)的缺点是它们不具有较高的各向异性,因为反应物质可以在任何方向上反应并且可以从掩膜材料下方进入。各向异性是指仅在一个方向上进行蚀刻。当只需要在垂直方向上去除材料时,此属性很有用,因为不会去...
发布时间: 2021 - 02 - 26
浏览次数:3
SiO2膜在微技术中具有两个主要作用:作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下,通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时,SiO2被称为“热”。否则,它可以通过化学气相沉积(CVD)作为附加层而获得,不需要硅衬底。氧化物厚度通常在100 nm和1000 nm之间(即分别为1000Å和10000Å,这是在薄膜技术中仍非常流行的埃单位的使用)。它可以容易地用对硅的影响可以忽略不计的化学物质蚀刻。而且,许多硅蚀刻剂不影响氧化物。这种可能性被广泛用于所有基于硅的微技术中。如果氧化物用作硅加工的高温掩模,则必须预先在低温下使用基于抗蚀剂的微光刻工艺对其进行构图。当必须在硅上进行室温工艺时,可以避免使用氧化物掩膜,因为抗蚀剂可以直接充当硅的掩膜。但是,有些化学物质可以轻松蚀刻抗蚀剂和硅。典型的例子是硅的各向异性蚀刻,通常在KOH(氢氧化钾)中进行。在这种情况下,稀释的KOH也是用于正性抗蚀剂的典型显影液。因此,蚀刻过程应以黄光进行,抗蚀剂对此不敏感。这是不切实际的。但是即使如此,由于对于硅的可接受的蚀刻速率需要浓缩的KOH,因此再次不能使用抗蚀剂,因为未经稀释的KOH会去除抗蚀剂,即使它没有被曝光。SiO2的一种非常“选择性”的化学物质(即根本不腐蚀硅)是氢氟酸(HF)。如果直接使用,则这种蚀刻剂对氧化物具有过快和过强的作用,使得底切和线宽控制非常困难。...
发布时间: 2021 - 02 - 26
浏览次数:4
目前,在国内外半一导体器件制造工艺中,用等离子去胶工艺代替常规化学溶剂去胶及高温氧气去胶已获得显著效果,越来越引起半导体器件制造者的重视。由于该工艺操作简便、成本低、可节约大量的化学试剂、对器件参数无影响、去胶效果好。在集成电路多层布线工艺中用高温氧气去胶常使一次布线铝层由于四百多度高温氧化发黄,而影响与二次布线铝层的欧姆接触,若用发烟硝酸去胶后擦片又常使铝层擦伤而降低了二次布线的合格率。采用等离子去胶则可大大减少铝层表面的擦伤,不氧化,无底膜,保证二次布线的欧姆接触,提高了多层布线的合格率。为大面积集成电路的发展提供了很好的前景。一、等离子体及产生等离子体的方法作为物质的第四态,高度电离的气体叫做等离子体。等离子体具有导电性。从产生方法不同又可分为高温等离子体及低温等离子体两种。高温等离子体如氢弹的爆炸,火花放电及太阳表面的高温都能使气体电离成为等离子体,这种方法产生的等离子体,温度能达到几千度到几十万度,称为高温等离子体去胶工艺使用的是低温等离子体,其作用原理是低压气体在电场力的作用下发生电离在电离过程中,低压气体中残存的少量自由电子在电场力作用下,向正电极运动,由于低压气体密度小,自由电子的平均自由程较大,在与气体分子的两次碰撞之间能够获得很高的能量,这种高能量的自由电子撞击气体分子,使它离解成电离子和自由电子,这些气体部分分子电离后又有更多的自由电子撞击气体分子,因此离子数...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:2
我们研究材料的红外光学特性的主要工具是红外光谱。例如,我们试图阐明纳米结构对III型氮化物材料中光学跃迁和电子传输的影响。减少氮化物红外光电器件中内置极化场的影响的重要且几乎未探索的途径是在GaN的非极性方向(例如m平面)上使用异质结构。该图显示了在c面GaN(极性方向)和m面GaN(非极性方向)上具有AlGaN势垒的两个结构相同的GaN QW的能带结构之间的比较。对于m面取向的GaN,极化矢量位于垂直于生长方向的平面上,因此异质结处没有极化不连续性。除了简化平坦频带条件下的器件建模外,非极性GaN上结构的一些直接优势还包括改进的光学偶极矩阵元素,隐式吸收以及对高能级能量的限制。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件是最有希望的。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件是最有希望的。我们最近首次能够观察到在Kyma Tech的m平面独立式GaN衬底上生长的AlGaN / GaN超晶格中的近红外吸收。这些结果对于未来的非极性氮化物器件最有希望。
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:4
随着科技的发展,在当前社会中,大规模集成电路、半导体器件等得到了越来越广泛的应用,对其可靠性、电能性等性能的要求也越来越高。因此,半导体单晶抛光片的表面洁净程度就显得更为重要。因此,在半导体单晶抛光片的清洗过程中,要想得到更为良好的抛光片质量,不能仅仅对抛光片表面的污染物进行清除。在实际清洗过程当中,除了抛光片表面的污垢以外,表面粗糙度、氧化膜厚度、表面化学态等都是应当关注的问题。1半导体单晶抛光片的清洗在当前的世界范围内,对于半导体单晶抛光片的清洗工艺来说,硅单晶抛光片的清洗工艺相对较为成熟,普遍采用的是美国无线电公司的RCA清洗法。而对于砷化镓、锗等半导体单晶抛光片来说,其清洗工艺仍然较为保密,相关的研究也不够成熟。因此,应当结合半导体单晶抛光片的清洗工艺实例进行分析,探寻清洗半导体材料抛光片的关键性技术,从而对硅、砷化镓、锗等半导体材料抛光片的清洗工艺和技术水平提高提供借鉴和参考。在清洗半导体单晶抛光片的过程中,由于半导体材料的性质、数量、氧化物种类等方面的不同,也存在着一定的差异。例如,在硅单晶抛光片的清洗工艺中,先用稀氟氢酸进行清洗,然后再用氢氧化铵和双氧水的混合液进行清洗,最后用盐酸和双氧水的混合溶液进行清洗[1]。在砷化镓抛光片清洗工艺中,先使用氢氧化钾溶液进行清洗,然后进行紫外光照射和臭氧清洗,最后采用酸性活性剂进行清洗。在锗单晶抛光片的清洗工艺中,先用浓硫酸进行清...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:3
用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的,该术语是指在基板上形成沉积物。在半导体器件制造中,以下沉积技术(及其常用的缩写)为: 低压化学气相沉积-LPCVD等离子体增强化学气相沉积-PECVD低于大气压的化学气相沉积-SACVD大气压化学气相沉积-APCVD原子层沉积-ALD物理气相沉积-PVD超高真空化学气相沉积-UHV-CVD类金刚石碳-DLC商业电影-CF外延沉积-Epi化学气相沉积和薄膜形成化学气相沉积法可以定义为其中通过气相吸附的前体的表面介导反应在基材上形成固体薄膜的任何方法。CVD工艺的反应性使其与物理工艺(如PVD中采用的蒸发和溅射)区别开来。术语“表面介导的”是指固体膜是由在基材表面发生的异质反应形成的。有关其他信息,请参见 化学气相沉积物理。 图1显示了有助于理解CVD反应器中不同过程的示意图。化学气相沉积过程可分为多个离散步骤:首先,必须将前体化学物质送入CVD反应器。一旦进入反应器,通常必须通过流体传输和扩散的组合将前体分子传输到基底表面。一旦在表面上,前体分子必须保持足够长的时间才能反应。反应发生后,产物薄膜原子必须保留在表面上,而副产物分子必须从基材表面解吸,从而为更多的传入前体分子腾出空间。典型的CVD工艺薄膜CVD工艺生产的典型薄膜包括: 外延硅外延化合物半导体多晶硅介电薄膜二氧化硅(包括P和B掺杂的氧化物)氧...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:3
半导体蚀刻 在半导体器件的制造中,蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术(在其表面上有或没有先有结构),并通过这种去除在衬底上形成该材料的图案。该图案由耐蚀刻工艺的掩模限定,该掩模的产生在光刻中详细描述。一旦放置好掩模,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了此过程的示意图。从历史上看,直到VLSI和ULSI技术问世之前,湿式化学方法在蚀刻图案定义中都起着重要作用。但是,随着器件特征尺寸的减小和表面形貌的日益严格,湿法化学蚀刻逐渐取代了干法蚀刻技术。这种变化主要是由于湿法刻蚀的各向同性。如图2所示,湿法蚀刻会沿所有方向去除材料,这会导致由掩模定义的特征尺寸与在基板上复制的特征尺寸之间存在差异。与较大的特征尺寸相比,VLSI和ULSI设计要求掩模与图形特征尺寸相关性要精确得多。此外,先进设备中的长宽比(深度与宽度之比)增加了,要达到这些比例,就需要具有使用定向蚀刻技术各向异性地蚀刻材料的能力。图3提供了有助于理解各向同性与各向异性特征生成和方向蚀刻的示意图。湿法蚀刻在先进工艺中的最终应用受到了打击,这可能是因为许多用于设备制造的较新材料没有可用于蚀刻的易湿化学物质。这些问题相结合,使湿法蚀刻技术几乎只能用于清洁而不是蚀刻应用中。只有具有相对较大特征尺寸的设备(例如某些MEMS结构)才继续采用湿法进行蚀刻。在下面详细讨论了表面清洁 各向异性...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:5
批量微加工主条目:批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整个厚度用于构建微机械结构。[18]使用各种蚀刻工艺来加工硅。玻璃板或其他硅片的阳极键合可用于添加三维尺寸的特征并进行密封。批量微机械加工对于实现高性能的压力传感器和加速度计至关重要,而这种压力传感器和加速度计在1980年代和90年代改变了传感器行业。表面微加工主条目:表面微加工表面微加工使用沉积在基材表面上的层作为结构材料,而不是使用基材本身。[23]表面微机械加工创建于1980年代后期,旨在使硅的微机械加工与平面集成电路技术更加兼容,其目标是在同一硅晶片上结合MEMS和集成电路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅层,该多晶硅层被图案化为可移动的机械结构,并通过牺牲性蚀刻下面的氧化物层来释放。叉指式梳状电极用于产生平面内力并以电容方式检测平面内运动。这种MEMS范例使制造低成本的加速度计成为可能适用于例如汽车安全气囊系统和其他性能低和/或高g-范围就足够的应用。ADI公司是表面微加工工业化的先驱,并实现了MEMS与集成电路的集成。热氧化主条目:热氧化为了控制微米级和纳米级部件的尺寸,经常使用所谓的无蚀刻工艺。如Deal-Grove模型所述,这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产各种硅结构。包括光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过使用热氧化...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:4
自1954年实用的太阳电池问世以来晶体硅太阳电池一直在世界光伏市场居统治地位占太阳电池总产量的80%~90%。其中多晶硅太阳电池以其高性价比的优势得到了迅速的发展市场占有率已达50%以上。但是多晶硅太阳电池的效率总体上没有单晶硅太阳电池的高。这主要是由于两个原因一方面单晶硅材料本身的有效少数载流子寿命比多晶硅材料的高另一方面单晶硅太阳电池表面的陷光效果要优于多晶硅。因此要减少光的反射提高多晶硅电池转换效率缩小多晶硅与单晶硅太阳电池之间效率上的差距最常用的工艺方法是在多晶硅表面采用绒面技术。对于单晶硅来说采用碱溶液的各向异性腐蚀即可以在其(100)面得到理想的绒面结构而多晶硅由于存在多种不同晶向采用上面的方法无法作出均匀的绒面也不能有效降低多晶硅的反射率。目前多晶硅绒面技术主要有机械刻槽、激光刻槽、等离子刻蚀(RIE)和各向同性酸腐蚀。机械刻槽的工艺方法要求硅片厚度在200μm以上因为刻槽的深度一般在50μm的量级上,所以对硅片的厚度要求很高而这样的技术会增加成本。等离子刻蚀制备出硅片表面陷光效果是非常好的但它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在硅片表面织构的制作过程中可能会引入机械应力和损伤在后处理中形成缺陷。而各向同性酸腐蚀技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中应用起来基本上是成本最低的在大规模工业化生产中,各向同性酸腐蚀是目前广泛应用的多晶硅太阳电池绒面技...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:6
MEMS的制造是从半导体器件制造中的工艺技术发展而来的,即基本技术是材料层的沉积,通过光刻和蚀刻以形成所需形状的图案。[12]硅硅是用于制造现代工业中消费电子产品中使用的大多数集成电路的材料。的规模经济,价廉高品质的材料容易得到,并能力纳入电子功能化妆硅为各种各样的MEMS应用具有吸引力。硅还具有通过其材料特性带来的显着优势。以单晶形式,硅是一种几乎完美的胡克材料,这意味着当它弯曲时,几乎没有滞后,因此几乎没有能量耗散。除了实现高度可重复的运动外,这还使硅非常可靠,因为它几乎没有疲劳并且使用寿命可以达到数十亿至数万亿次,而不会中断。特别是在微电子学和MEMS领域,基于硅的半导体纳米结构越来越重要。通过硅的热氧化制造的硅纳米线在电化学转化和存储方面,包括纳米线电池和光伏系统,引起了人们的进一步关注。聚合物即使电子工业为硅工业提供了规模经济,但结晶硅仍然是一种复杂且生产相对昂贵的材料。另一方面,可以大量生产具有多种材料特性的聚合物。MEMS器件可以由聚合物通过注塑,压纹或立体平版印刷等工艺制成,特别适合微流体应用,例如一次性血液检测盒。金属金属也可以用于制造MEMS元件。尽管金属在机械性能方面不具备硅所显示的某些优势,但在其限制范围内使用时,金属可以表现出很高的可靠性。可以通过电镀,蒸发和溅射工艺沉积金属。常用的金属包括金,镍,铝,铜,铬,钛,钨,铂和银。陶瓷由于材料特性的有利组合,硅...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:5
195页次10/20首页上一页...  567891011121314...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 0513-87733829
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开