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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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1PCBA上的污染的种类印制电路板组件(PrintedCircuitBoardAssembly,PCBA)污染物是在各个工序生产过程中附着在PCBA表面肉眼可见的锡珠、残胶、油脂、指印等和不可见的助焊剂残留、粉尘等。这些污染物可以分为极性污染物、非极性污染和粒子污染物。极性污染物包含助焊剂、汗液、焊料残渣和元器件及印制电路板(PrintedCircuitBoard,PCB)的氧化物等。非极性污染物包含焊剂中的松香及树脂的残留,胶带、粘结剂残留,皮肤油脂和防氧化剂等。粒子污染物包含尘埃、烟雾、棉絮、锡珠、静电粒子和PCBA加工时产生的玻璃纤维等。极性污染物会造成电迁移、枝晶生长、元器件的引脚腐蚀,严重时会引起电路失效。非极性污染物会吸附灰尘、静电粒子,引起导电接触不良,影响接插件的接触可靠性,粒子污染物则会加剧污染的危害。在以上污染物中危害最大的应属极性污染物,也就是通常说的离子污染物。离子污染物的控制对于产品质量可靠性的控制意义重大。从元器件、PCBA污染物残留的控制,到生产中使用的焊膏、焊剂、焊锡丝等选型,再到生产过程中操作人员的工作服、手套等穿戴控制,到最后产品的包装、转运工装的管理都会影响到产品污染物含量的高低,最终影响到产品的运行可靠性和寿命的长短。这些生产中的质量控制,是非常细致、周密、严格和系统的,需要投入大量的人力和物力。2清洗工艺的种类清洗工艺对解决PCBA上的污染...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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生物传感器装置由其生物或受生物启发的受体单元定义,对相应的分析物具有独特的特异性。这些分析物通常具有生物学起源,例如细菌或病毒的DNA或从被感染或受污染的生物体的免疫系统(抗体,抗原)产生的蛋白质。当具有特定特异性的生物受体单元可用时,此类分析物也可以是简单的分子,例如葡萄糖或污染物。生物传感器开发中的许多其他挑战之一是生物识别事件(转导)的有效信号捕获。这种换能器将分析物与生物元素的相互作用转化为电化学,电化学发光,磁,重量或光学信号。为了增加灵敏度并降低甚至单个分子的检测限,纳米材料是有希望的候选物,因为它有可能以减小的体积固定增加量的生物受体单元,甚至自身充当转导元件。在此类纳米材料中,对金纳米颗粒,半导体量子点,聚合物纳米颗粒,碳纳米管,纳米金刚石和石墨烯进行了深入研究。由于该研究领域的巨大发展,本文以非穷尽的方式总结了纳米材料的优势,重点关注的是纳米物体,这些物体比“仅仅”增加表面积提供了更多的有益特性。纳米材料是有希望的候选物,因为它有可能以减小的体积固定更多数量的生物受体单元,甚至可以自己充当转导元件。在此类纳米材料中,对金纳米颗粒,半导体量子点,聚合物纳米颗粒,碳纳米管,纳米金刚石和石墨烯进行了深入研究。由于该研究领域的巨大发展,本文以非穷尽的方式总结了纳米材料的优势,重点关注的是纳米物体,这些物体比“仅仅”增加表面积提供了更多的有益特性。纳米材料是有希望的候选物,...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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磷化(Ⅱ)——磷化前的预处理 一般情况下,磷化处理要求工件表面应是洁净的金属表面(二合一、三合一、四合一例外)。工件在磷化前必须进行除油脂、锈蚀物、氧化皮以及表面调整等预处理。特别是涂漆前打底用磷化还要求作表面调整,使金属表面具备一定的“活性”,才能获得均匀、细致、密实的磷化膜,达到提高漆膜附着力和耐腐蚀性的要求。因此,磷化前处理是获得高质量磷化膜的基础。 1 除油脂 除油脂的目的在于清除掉工件表面的油脂、油污。包括机械法、化学法两类。机械法主要是:手工擦刷、喷砂抛丸、火焰灼烧等。化学法主要:溶剂清洗、酸性清洗剂清洗、强碱液清洗,低碱性清洗剂清洗。以下介绍化学法除油脂工艺。 1.1 溶剂清洗 溶剂法除油脂,一般是用非易燃的卤代烃蒸气法或乳化法。最常见的是采用三氯乙烷、三氯乙烯、全氯乙烯蒸汽除油脂。蒸汽脱脂速度快,效率高,脱脂干净彻底,对各类油及脂的去除效果都非常好。在氯代烃中加入一定的乳化液,不管是浸泡还是喷淋效果都很好。由于氯代卤都有一定的毒性,汽化温度也较高,再者由于新型水基低碱性清洗剂的出现,溶剂蒸汽和乳液除油脂方法现在已经很少使用了。 1.2 酸性清洗剂清洗 酸性清洗剂除油脂是一种应用非常广泛的方法。它利用表面活性剂的乳化、润湿、渗透原理,并借助于酸腐蚀金属产生氢气的机械剥离...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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1、引言在PV-TRACofEUROPEANCOMMISSION发表的“AVisionforPhotovoltaicTechnologyin2005”的报告中,可知多晶硅太阳能电池在光伏行业中所占的比例最大[1]。在21世纪光伏行业竞争激烈的今天,多晶太阳能电池的技术发展不仅要围绕着“提高效率、降低成本”两个主题,电池的外观也开始引起更多人的关注。由于多晶硅晶粒取向的随机性,制备较好的多晶硅绒面效果一直是国内外技术人员研究的热点。目前,在多晶制绒众多工艺中,酸腐蚀工艺[2.3]是一个比较容易整合到多晶太阳能电池处理工序中的制绒技术[4],基本也是成本最低、应用最为广泛的制绒技术[5]。因此,使用低成本的酸腐蚀制绒技术制备具有高效、美观的电池片已成为当今太阳能电池技术研究的重点。本文采用酸腐蚀制绒技术,通过改变酸腐液的温度和浓度配比,对多晶硅片进行各向同性腐蚀,用紫外反射光谱仪测其反射率,用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行观察,并进行分析,从而寻找更优的多晶硅绒面效果。2、实验原理和过程本实验样品是由英利(中国)能源有限公司生产的B参杂P型多晶A等硅片,电阻率为0.7-2.0Ω·cm,尺寸为156×156mm,厚度约为190μm。酸腐蚀制绒设备是由RENA厂家提供的RENA链式制绒机。腐蚀槽中的腐蚀液由浓度为65%的HNO3、40%的HF和去离子水(DI水)按...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。初次氧化有热氧化法生成SiO2缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术:干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较厚SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应,Si表面向深层移动,距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此,不同厚度的SiO2膜,去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm,如果预告知道是几次干涉,就能正确估计。对其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式计算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻和(4)大气下游等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。打磨机械研磨机械(常规)磨削–该工艺具有很高的稀化率,使其成为非常普遍的技术。它使用安装在高速主轴上的金刚石和树脂粘合的砂轮,类似于旋涂应用中使用的砂轮。研磨配方决定主轴的速度以及材料的去除率。为了准备机械研磨,将晶片放在多孔陶瓷卡盘上,并通过真空将其固定在适当的位置。晶圆的背面朝着砂轮放置,而砂带则放置在晶圆的前侧,以防止晶圆在减薄过程中受到任何损坏。当去离子水喷洒到晶圆上时,两个齿轮以相反的方向旋转,以确保砂轮和基材之间有足够的润滑。这也可以控制温度和减薄率,以确保不会将晶片切割得太薄。总而言之,该过程分两个步骤:粗磨以〜5μm/ sec的速度进行大部分的细化。用1200至2000粗砂和poligrind精磨精磨。通常以≤1μm/ sec的速度去除〜30μm或更小的材料,并在晶片上提供最终的光洁度。1200粗砂的粗糙表面带有明显的磨痕,而2000粗砂的粗糙程度较小,但是仍然有一些磨痕。Poligrind是一种抛光工具,可提供最大的晶片强度,并消除了大部分的次表面损伤。化学机械平面化(CMP)化学机械平面化(CMP)...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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晶体振荡器电路通过从石英谐振器获取电压信号,对其进行放大并将其反馈回谐振器来维持振荡。石英的膨胀和收缩速率是谐振频率,由晶体的切割和尺寸决定。当产生的输出频率的能量与电路中的损耗匹配时,可以维持振荡。振荡器晶体具有两个导电板,在它们之间夹有一块石英片或音叉。在启动期间,控制电路会将晶体置于不稳定的平衡状态,并且由于系统中的正反馈,因此任何微小的噪声被放大,增加振荡。晶体谐振器也可以看作是该系统中的高频率选择滤波器:它仅使谐振频带周围的频率范围很窄,从而使其他所有信号衰减。最终,只有谐振频率有效。当振荡器放大从晶体发出的信号时,晶体频带中的信号变得更强,最终主导了振荡器的输出。石英晶体的窄共振带滤除了所有不需要的频率。石英振荡器的输出频率可以是基频谐振的输出频率,也可以是谐振频率的倍数,称为谐波频率。谐波是基频的精确整数倍。但是,与许多其他机械谐振器一样,晶体表现出几种振荡模式,通常是基频的大约奇数倍。这些被称为“泛音模式”,并且可以设计振荡器电路来激发它们。泛音模式处于近似的频率,但不是基频的正整数倍,因此泛音频率不是基频的精确谐波。高频晶体通常被设计为在第三,第五或第七谐波下工作。制造商很难生产足够薄的晶体以产生超过30 MHz的基频。为了产生更高的频率,制造商将泛音晶体调整为将第三,第五或第七泛音置于所需的频率,因为它们比会产生相同频率的基本晶体更厚,因此更易于制造,尽管可以激...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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以Ag纳米颗粒为催化剂和H 2 O 2的金属辅助催化蚀刻(MACE)由于已经在单晶硅晶片,单晶电子学级硅粉和多晶冶金级硅粉上进行了氧化剂处理。在5–37°C的范围内测量了蚀刻动力学的温度依赖性。发现在具有(001),(110)和(111)取向的衬底上,蚀刻在优先于< 001>方向上以〜0.4eV的活化能进行。建立了定量模型来解释在〈001〉方向上进行腐蚀的偏好,发现该模型与测得的活化能一致。冶金级粉末的蚀刻会产生颗粒,其表面主要被相互连接的凸脊形式的多孔硅(por-Si)覆盖。可以通过超声搅拌从这些多孔颗粒中收获硅纳米线(SiNW)和成束的SiNW。对金属纳米颗粒催化剂和Si颗粒之间作用力的分析表明,强吸引力的静电和范德华相互作用确保了在整个蚀刻过程中金属纳米颗粒与Si颗粒保持紧密接触。这些吸引力将催化剂拉向颗粒内部,并解释了为什么粉末颗粒在所有暴露的表面上均等地被蚀刻。介绍硅有望将其应用范围从主要的电子和光伏技术扩展到药物输送和能量存储。纳米结构的硅已经吸引了对治疗化合物中多种化合物的靶向递送的极大兴趣(Salonen等人,2008;Santos等人,2011;Santos和Hirvonen,2012)。多孔硅(por-Si)颗粒已被广泛研究用于药物的持续释放,并成功用于从小分子药物到治疗性生物分子的各种有效载荷,例如肽,siRNA和DNA(Kaukonen...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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在探测器芯片互联的过程中,洁净的芯片表面对互联结果有着重大影响。其中,芯片背面存在的小颗粒或者残留物,会影响倒焊过程中背面平整度的判断,可能导致两个互联面平行度的偏差 ;而正面的残留物,导致互联过程中芯片偏移,影响互联的精度。另外,正面的残留物还可能会改变铟柱的接触电阻 , 降低测试电流信号。因此,芯片的清洗对精密互联起着至关重要的作用。芯片的清洗主要是光刻胶(AZ4620)和蜡(Logitech 公司提供)的去除。在芯片的抛光与切割工艺中,光刻胶用于保护铟柱,石蜡则作为一种良好的粘黏剂将芯片固定在玻璃平板和基板上进行加工。其中,光刻胶易溶于丙酮,去除相对容易。然而,对于石蜡的去除,常规工艺是在室温下,三氯乙烯中长时间浸泡,然后用毛笔和棉球清洗。这种方法不但浪费时间,而且清洗过程中,背面的蜡容易残留,正面毛笔的力度也不易控制,太轻容易残留蜡,太重则会损伤铟柱,没有客观的标准。为了适应环保要求和提高工作效率,本实验采用去蜡剂取代三氯乙烯去除石蜡,只需将芯片在去蜡剂中浸泡较短时间,得到的芯片不管背面还是正面残留物几乎没有,比常规工艺清洗更加干净。此外,去蜡剂不溶解光刻胶,不影响常规工艺中光刻胶的去除。因此,去蜡剂的使用既节省了时间,提高了效率, 又使操作简单方便,减少了人为因素对工艺过程的影响。发明内容基于目前常规工艺芯片的清洗过程中 , 背面的蜡容易残留,正面清洗过程毛笔的力度也不易...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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