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发布时间: 2016 - 06 - 22
晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后,送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装(DIP),还是四边引线扁平封装(QFP),封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小,所以要求器件的体积越小越好,像有300多个引出端的液晶显示器(LCD)驱动电路,必须采用WLP的芯片尺寸封装(CSP)。有些特殊的高频器件,为了减小引线电感的影响,要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下,华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点,例如金凸点、焊料凸点、铟凸点,然后直接倒装焊在相应的基板上。  更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案
发布时间: 2016 - 03 - 08
IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工 太阳能电池片 分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺,单台产量大,效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,直到二氧化硅腐蚀干净为止;3、冲纯水;4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为...
发布时间: 2016 - 03 - 07
设备名称:高温磷酸清洗机设备型号:CSE-SZ2011-16整机尺寸:约2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)节拍:根据实际工艺时间可调清洗量:批量清洗时,采用提篮装片,单次清洗圆片的数量要求如下2"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于25片4"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片6"外延片,每次不少于1蓝,每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳,优质碳钢骨架,外包3mmPP板防腐机台底部:废液排放管路,防漏液盘结构机台支脚:有滑轮装置及固定装置,并且通过可调式地脚,可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材,排水管路材质为PP管排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板(带有圆形漏液孔,清除台面残留液体)附件:水、气枪左右各两套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制;安全保护装置:      ●设有EMO(急停装置),       ●强电弱点隔离      ●设备三层防漏  托盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内台面布置图:各槽工艺参数
发布时间: 2017 - 12 - 06
芯片镀金设备-南通华林科纳CSE   晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的,对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类,适合不同客户的需求。 设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域:半导体、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具体应用:电镀、电铸工艺类型:电镀Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圆尺寸:8inch或以下尺寸,单片或多片基本配置:操作台(1套),主电镀槽(2套),腐蚀槽(2套),清洗(1套)设备功能和特点(不同电镀工艺配置有所差异) 1. 产品名称:芯片镀金设备 2. 产品系列:CSE-XL3. 晶圆尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系统,内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料:劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统:70+/-1C 8. 循环过滤出系统,流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置,频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台,风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系:均为无氰电镀液体系。 19. 工艺:表面均匀,厚度1-100um,均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...
发布时间: 2017 - 04 - 06
异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途: 对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程:l  H2O2工艺:SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l  O3工艺:预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  机械手分配合理,有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l  结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构,设备占地空间小l  先进的400片结构,有效提高设备工艺产能l  工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合,有效延长药液使用寿命和减少换液周期l  补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测,以及可调节气阀控流结构,有效保证初配时间和微量精补配液的精度l  所有与液体接触材料优化升级,避免材料使用杂质析出l  采用最新低温烘干技术,保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数:l  设备尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  产能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备,可以关注网址:http://www.hlkncse.com,热线:400-8768-096,18913575037
发布时间: 2016 - 12 - 05
单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优    点 清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺 不同配置(可放置台面操作的设备、单台独立、双腔) 适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地,设备带有滚轮可移动 优越的可靠性 独特的模块化结构 极其便于维修 易于使用和操作一般特征 适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺 标准的高边和低边花篮 可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺 用冷或热的N2辅助晶圆干燥 离心头容易更换 图形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的触摸屏 可以编辑10多个菜单,每个菜单可有10步 多等级用户密  去静电装置安装于工艺腔室区 去离子水回收 电阻率监测装置 机械手自动加载 可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统 底座置放不锈钢滚轮 溶剂灭火装置 适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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新冠病毒的来临,让全社会严阵以待。全球不断攀升的确诊人数对半导体市场和供应链都造成了一定压力。然而压力面前,具有前瞻性的企业却不惧疫情影响,逆势而上,增资提产,为今后长期的发展提前做好准备。这些消息释放出来也极大地提振了全行业的士气。形势严峻新冠病毒向行业施压2019年,全球半导体行业进入下行周期,智能手机、PC、笔记本电脑等需求放缓导致了半导体市场的下滑。专家原本预测2020年半导体或将重回上升轨道,5G的部署与AI的需求将成为推动半导体行业复苏的强劲动力。然而,新型冠状病毒肺炎疫情的突然发生,为半导体行业回暖带来不确定性。集邦咨询认为,疫情扩大使得未来终端需求能见度降低,尤以专注于智能手机与消费性电子领域的IC设计业,2020年第二季度营收可能受到较大影响。集邦咨询修改了2020年第一季度智能手机生产总数的预估,下调至2.75亿只,较去年同期衰退约12%,为近5年来新低。疫情带来压力的同时,也推动人们对网络通信给予更多的依赖与重视。市场重新评估数据中心、人工智能的价值。一大批人工智能、5G芯片企业产品加速落地。研究机构预计,2020年我国人工智能市场将再续辉煌,市场规模将达到42.5亿美元,预计年增长率约为51.5%。而在5G通信方面,华为中国运营商业务部副总裁杨涛预测,到2023年,与5G相关的半导体收入将达到208亿美元以上。虽然疫情的爆发带给半导体产业些许冲击,然5G与A...
发布时间: 2020 - 04 - 21
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据中国台湾媒体报道,韩国产业通商资源部昨(20)日宣布,韩国化学大厂SKC目前正对用于半导体制程的光罩基板(Mask Blank)的试作样品展开测试,预计2020年下半年正式展开量产。据报导,韩国的半导体制造中,其光罩基板约90%依赖日本供应,同时光罩基板也是韩国大量进口自日本的20种高科技材料之一,韩国政府希望在20种主要材料、零件、设备,能脱离对日货的倚赖,而光罩基板就名列其中。资料显示,SKC与SK海力士同属于SK集团旗下,自1976年成立以来,在韩国最早开发及生产了不计其数的薄膜、化学、材料领域的产品,其核心部门为薄膜和化学部门。自2018年开始,SKC已投入430亿韩元(约3500万美元)用于建设光罩基板厂,并于2019年建成,SKC不仅计划在2020年内开始光罩基板的量产,同时也计划在2021年量产更高端的产品。2019年7月,日本经济产业省宣布,将对用于智能手机及电视机的半导体等制造过程中需要的三种材料加强对韩国的出口管制,这三种材料分别为用于半导体清洗的氟化氢、用于智能手机显示屏等的氟化聚酰亚胺,以及涂覆在半导体基板上的感光剂“光刻胶”。对此,韩国也出台了相关措施以应对日本针对韩国的出口管制措施。如提出了100大核心战略产品国产化计划,将投入7.8万亿韩元的研发费用,在1至5年内实现核心战略产品国产化,而韩国企业也在加速在该领域的国产化。2019年,外媒曾报道,SK...
发布时间: 2020 - 04 - 21
浏览次数:47
“芯片之城”地标产业来了!日前,江北新区举行“芯片之城”地标产业签约仪式。市委常委、江北新区党工委专职副书记罗群,新区管委会副主任陈潺嵋,东南大学首席教授、南京集成电路产业服务中心主任时龙兴,金雨茂物投资管理股份有限公司董事长段小光, 南京中安半导体责任有限公司董事长曾安,江苏超芯星半导体有限公司董事长刘欣宇出席活动。活动中,超芯星半导体项目和中安半导体项目与新区签约,未来都将落户新区研创园。据了解,江苏超芯星半导体有限公司主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化,是国内领先的碳化硅材料供应商,碳化硅作为三代半导体材料,将在轨道交通、5G、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅扩径晶体,实现厚度突破,属于技术领先的三代半产品。总部迁入研创园后将推动上市计划,项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片,未来还将在SiC衬底产品的基础上,将进一步研发SiC切磨抛工艺,打造国内SiC行业标杆企业。另外,中安半导体作为先进的半导体材料检测设备研发商,拥有国内领先的检测设备研发能力。项目团队拥有硅片检测核心技术,并且具备工程应用、生产管理以及销售服务等各方面的管理经验以及多年所累积的市场资源。此次项目主要是开发半导体硅片平整度和三维形貌检测设备,从事开发200mm和300mm硅片平整度和三维形貌检测设备,目前已获得金茂资本首期风险投资,未来将通过开发拥有独立知...
发布时间: 2020 - 04 - 20
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近几年,在政策和市场双轮驱动下,骨干企业加大了工艺研发和技改投入力度,生产工艺水平不断进步,高效电池技术不断发展。  2018年,各种电池技术平均转换效率方面,规模化生产的多晶黑硅电池的平均转换效率达到19.2%,使用PERC电池技术的单晶和多晶黑硅电池效率提升至21.8%和20.3%,较2017年分别提升0.5个百分点和0.3个百分点,N型PERT单晶电池平均转换效率已经达到21.5%。双面N型PERT电池和异质结(HJT)电池已进入量产,并且会成为未来发展的主要方向之一。下表给出了2018-2025年不同类型电池转换效率变化趋势。  2018年,各种电池技术市场占比方面,BSF电池(常规电池及多晶黑硅电池结构)仍占据大部分市场份额,但相比2017年83%的占比已下降了23个百分点,随着新技术的发展其占比将逐年减少;PERC电池是当前产能最大的高效电池,2018年市场份额占比大幅增加,达到33.5%左右,预计明年PERC电池市场占比将反超BSF电池,成为市场占比最高的电池种类。双面N型PERT电池、背接触(IBC)电池、异质结(HJT)电池等新型高效电池市场份额将逐步提高,其中N-PERT电池未来将成为市场占比第二的电池种类。下图给出了2018-2025年不同电池技术市场占比的变化趋势。  纵观未来光伏市场发展,随着高效电池技术的逐步成熟、成本的逐步下降,产品市场需求将继续扩大,...
发布时间: 2019 - 04 - 30
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作为我市集成电路产业“一园三基地”的重点园区,“芯港小镇”再次迎来重大发展机遇。11月2日上午,中芯宁波200毫米特种工艺(晶圆/芯片)N1产线正式投产,小镇内中芯宁波N2项目、南大光电与安集微电子也将正式动工。自2017年开园以来,“芯港小镇”已签约落户14个集成电路企业项目,总投资200亿元。↑ 一批集成电路龙头企业在我市加速集聚宁波瞄准集成电路发展机遇,抢项目、争创新、扩规模,全市集成电路产业发展进入新拐点,一批支撑项目开工投产,取得明显效益。数据显示,2018年前三季度,我市集成电路及相关产业完成工业总产值127.6亿元,同比增长9.8%;实现利润13.36亿元;实现利税16.48亿元。60余个项目落户 “芯光”照亮创业路“目前,我们的设备正准备打包发往国内,如果一切顺利,预计2019年9月可实现量产。”在近日举行的中国半导体材料和零部件创新发展大会上,已在国外生活、工作30余年的华菲难掩回国创业的激动之情。2018年3月,看好宁波集成电路产业发展前景与氛围的华菲来到故土,并在余姚成立了宁波华芯电子科技有限公司。华菲说,在国内,小于100微米的高端半导体焊球以及高可靠性焊球的制造技术仍属空白。如果在甬发展顺利,她将加大投资,将研发及生产的触角伸至更多集成电路领域。“芯港小镇”开园未满一年,便吸引了中科院宁波微电子应用研究院、集成电路材料和零部件联盟宁波产业促进中心等两个技术...
发布时间: 2018 - 11 - 05
浏览次数:213
硅晶圆大厂合晶今(26)日举行郑州新厂启用典礼,第一阶段为月产能20万片的8吋产能,明年正式量产后,全年产值可望达5亿人民币,第二阶段则规画12吋产能20万片、磊晶产能7万片,部分资金已到位,待两阶段产能均启用后,年产值可望上看20亿人民币。合晶今日举行启用典礼,郑州合晶为合晶与郑州空港经济综合实验区合资成立,为郑州地方政府取得的首个半导体投资案,其中,合晶持股约6成,双方合资投资额共12亿人民币,第一阶段为一条月产能20万片的8吋产线,12月开始送样,合晶郑州董事长刘苏生表示,明年正式量产后,全年产值可望达5亿人民币。在第一阶段郑州8 吋厂启用后,合晶第二阶段计划透过具有磊晶生产能力的12 吋厂,扩大产业布局。合晶12 吋厂也将采取合资形式,董事长焦平海就提到,「跨足12 吋是必然的」。据悉,12吋厂资金预计投入45亿人民币,目前部分资金已到位,月产能规划为12吋产能20万片、磊晶产能7万片,最快可望于2020年量产,刘苏生表示,待两阶段产能均到位后,年产值可望上看20亿人民币。目前合晶台湾杨梅厂为6 吋重掺硅晶圆产能,月产能为33 万片;龙潭厂为8 吋硅晶圆产能,将由目前的30 万片逐月增加至年底的32 万片。在中国的产能部分,扬州厂主力为8 吋以下单晶晶棒;上海晶盟磊晶厂将在明年农历年前,月产能达20 万片。合晶总经理陈春霖表示,第一期产能预计12 月初送样客户端认证,认证时...
发布时间: 2018 - 10 - 29
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随着移动通信、高性能计算、汽车电子和物联网等产业发展对半导体器件需求量的增加,其基础材料硅片的需求将继续增长。↑ 硅片需求继续增长SEMI最近(2018年10月16日)对2018至2021年全球硅晶圆片出货量进行预测,2018年硅晶圆片出货量将超过2017年创下历史最高市场纪录,并将持续到2021年。2018年至2021年全球硅片市场需求量显示,2018年硅抛光片和外延片出货量为12445百万平方英寸,同比增长7.1%;2019年市场需求为13090百万平方英寸,同比增长5.2%;2020年市场需求为13440百万平方英寸,同比增长2.7%;2021年市场需求为13778百万平方英寸,同比增长2.5%。↑ 全球12英寸硅晶圆需求强劲从技术和成本的角度看,硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多,从而制造成本就越低。因此,硅片尺寸的扩大和芯片制程的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前,市场主流硅片出货已经集中在8英寸、12英寸等大尺寸硅片上。而大尺寸硅片生产是我国集成电路发展最薄弱的环节。目前,中国12英寸大硅片几乎100%依赖进口,8英寸硅片90%依赖进口。近几年,随着国家、地方、社会资本对半导体行业的大力投资,加上硅材料市场向好,投向硅片的资本越来越多。据不完全统计,国内硅材料企业已经投入和未来几年计划投入的总投资已超过700亿元人民币。中国12英寸硅片的国产化,将...
发布时间: 2018 - 10 - 22
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2017年,中国集成电路进口金额2600亿美元,远超石油进口额。2014年出台《国家集成电路产业发展推进纲要》,并成立国家集成电路产业基金,体现了政策的高度重视。2017年,全球晶圆制造材料市场规模260亿美元,其中硅片市场规模90亿美元,占比近30%。政策的重视与市场需求,驱动了FAB与大硅片项目的投资布局。中国FAB工厂项目与列表如下目前中国大陆共计有27座12英寸晶圆厂,18座8英寸晶圆,其中有10座12英寸晶圆厂及6座8英寸晶圆厂处于建设当中。项目主要集中在北京、成都、重庆及江浙一带。具体项目信息如下表所示:多数项目仍然在建设中,或处于初期产能爬升阶段。在晶圆加工制程方面,中芯国际、华力微电子、武汉新芯、紫光集团以及国内三大存储基地长江存储、晋华集成、合肥长鑫正在进入国际先进制程,中国芯片自主制造已成进行时。大硅片需求旺盛,市场强劲增长待上表所有Fab厂投产后,将多出185万片/月的12英寸晶圆加工产能及35万片/月的8英寸晶圆加工产能,这对于上游原材料——硅片的供应提出了新的需求。而目前,全球硅片市场已经处于供不应求的状态。国际硅片供片龙头往往与晶圆加工大厂如台积电、三星等建立着长期的供应关系。在全球8英寸硅片缺货的背景下,中国自主新建的Fab厂恐怕难以与台积电、三星、英特尔等大厂进行竞争,因此获得国际硅片龙头8英寸硅片的充足供应,可能会受到一定的局限。2012年至今,2...
发布时间: 2018 - 10 - 17
浏览次数:267
在10月11日举行的广州2018小蛮腰科技大会上,中国芯片如何破局成为热点话题之一。厚生利用投资创始合伙人兼总裁栾凌预测,中国半导体投资未来十年将增至10000亿元。而深圳半导体协会秘书长常军锋提醒说,国内芯片投资要避免大而全、半途而废、短期超越三大误区。芯片投资将达万亿栾凌介绍说,半导体芯片短板已成为中国人工智能产业发展的挑战之一。随着互联网、社交媒体、移动设备的大量普及,以及5G和物联网的快速发展,市场对存储芯片的需求增加,而人工智能芯片技术的高速迭代又催生出各类AI专用芯片。目前在集成电路领域,美国拥有英特尔、高通、德州仪器、博通、Nvidia、美光等半导体巨头。2017年公开数据显示,总部设在美国的半导体公司销售额占了全球销售份额的46%。中国代表性的半导体企业,正在奋起追赶。2000年成立的中芯国际,目前14纳米制程已接近研发完成,距离2019年量产的目标似乎已经不远,一旦实现目前由海外代工的部分产品将有望回归国内代工。华为海思,2017年以47.15亿美元的销售额成为全球第七大芯片设计公司,增长率达到21%;海思的麒麟980芯片是全球首款7纳米人工智能手机芯片,在AI运算能力上领先。在人工智能芯片领域,出现了寒武纪、深鉴科技、地平线多家芯片公司。如寒武纪今年6月完成数亿美元B轮融资,投后估值25亿美元;阿里巴巴成立平头哥半导体有限公司,四个主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯...
发布时间: 2018 - 10 - 15
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此时此刻,半导体行业理所当然地关注着摩尔定律即将发生的变化,这个著名的技术预测奠定了微电子时代惊人进步的基础,以及它对硅芯片技术持续进步和主导地位的潜在影响。这意味着考虑微系统的历史中的另一个卓有远见的观点是值得的。当新生的高级研究计划局(DARPA)在1959年度过一周年纪念日时,加州理工学院的理查德·费曼(Richard Feynman)教授发表了他最著名、最重要的演讲之一,题为“在底部还有很大空间”。同戈登·摩尔一样,费曼也预测到了微尺度系统内的许多技术进步机会。然而,费曼的观点更为宽泛,强调了在原子尺度上操纵结构的能力所带来的奇特可能性。DARPA在将包括半导体在内的许多“奇异”结构带入现实生活的过程中发挥了核心作用,其能力超越了半个世纪以来硅电子所取得的二进制处理能力。费曼的演讲在20世纪80年代激发了人们对纳米技术的兴趣,因为他对纳米技术的推测以及在原子尺度上定制材料的能力正逐步实现。当时,新兴的晶体生长技术正在创造一种称为复合半导体的材料,在这种材料中,精确的化学成分或合金可以在原子水平上逐层变化。特别是GaAs及其合金作为新的神奇材料出现,使晶体管的性能远远超过硅的极限。DARPA发现新型GaAs晶体管具有更快速移动电子的潜力,从而可以在电磁频谱的更高频率上工作。虽然这项新技术不会在高度集成的数字逻辑上取代硅技术,但DARPA预计其价值将推动下一...
发布时间: 2018 - 10 - 09
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