欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站

湿制程设备制造商


--- 全国服务热线 --- 400-8768-096



新闻信息中心 新闻中心
400-8768-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
新闻中心 新闻信息中心
化学气相沉积化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition,简称CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD工艺是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前趋物下,在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品,但大多会随着气流被带走,而不会留在反应腔(reaction chamber)中。微制程大都使用CVD技术来沉积不同形式的材料,包括单晶、多晶、非晶及外延材料。这些材料有硅、碳纤维、碳纳米纤维、纳米线、纳米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的high-k介质等材料。CVD制程也常用来生成合成钻石。
发布时间: 2019 - 01 - 25
浏览次数:6
物理气相沉积物理气相沉积(英语:Physical vapor deposition,PVD)是一种工业制造上的工艺,是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术,即真空镀膜(蒸镀),多用在切削工具与各种模具的表面处理,以及半导体装置的制作工艺上。和化学气相沉积相比,物理气相沉积适用范围广泛,几乎所有材料的薄膜都可以用物理气相沉积来制备,但是薄膜厚度的均匀性是物理气相沉积中的一个问题。主要的物理气相沉积的方法有:● 热蒸镀● 溅镀● 脉冲激光沉积
发布时间: 2019 - 01 - 25
浏览次数:6
刻蚀刻蚀(英语:etching)是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误,将造成难以恢复的硅片报废,因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。[1] 刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻,光刻对材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清洁度。 但是,对于电子束刻蚀,由于电子的波长极短,因此分辨率与光刻相比要好的多。 因为不需要掩模板,因此对平整度的要求不高,但是电子束刻蚀很慢,而且设备昂贵。对于大多数刻蚀步骤,晶圆上层的部分位置都会通过“罩”予以保护,这种罩不能被刻蚀,这样就能对层上的特定部分进行选择性地移除。在有的情况中,罩的材料为光阻性的,这和光刻中利用的原理类似。而在其他情况中,刻蚀罩需要耐受某些化学物质,氮化硅就可以用来制造这样的“罩”。
发布时间: 2019 - 01 - 24
浏览次数:5
半导体激光半导体激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激发,在1970年实现室温下连续发射。后来经过改良,开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管(Laser diode)等,广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器(激光笔),是目前生产量最大的激光器。在基本构造上,它属于半导体的P-N接面,但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层(活性层),是“双异质接合构造”。而且在激光二极管中,将界面作为发射镜(共振腔)使用。在使用材料方面,有镓(Ga)、砷(As)、铟(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中,也使用Ga·Al·As等。由于具有条状结构,即使是微小电流也会增加活性区域的居量反转密度,优点是激发容易呈现单一形式,而且,其寿命可达10~100万小时。激光二极体的优点是效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%,P-N型也达到数%~25%,总而言之能量效率高是其最大特色。另外,它的连续输出波长涵盖了红外到可见光范围,而光脉冲输出达50W(带宽100ns)等级的产品也已商业化,作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。
发布时间: 2019 - 01 - 24
浏览次数:5
能带结构在固体物理学中,固体的能带结构 (又称电子能带结构)描述了禁止或允许电子所带有的能量,这是周期性晶格中的量子动力学电子波衍射引起的。材料的能带结构决定了多种特性,特别是它的电子学和光学性质。为何有能带单个自由原子的电子占据了原子轨道,形成一个分立的能级结构。如果几个原子集合成分子,他们的原子轨道发生类似于耦合振荡的分离。这会产生与原子数量成比例的分子轨道。当大量(数量级为{\displaystyle 10^{20}}或更多)的原子集合成固体时,轨道数量急剧增多,轨道相互间的能量的差别变的非常小。但是,无论多少原子聚集在一起,轨道的能量都不是连续的。这些能级如此之多甚至无法区分。首先,固体中能级的分离与电子和声原子振动持续的交换能相比拟。其次,由于相当长的时间间隔,它接近于由于不确定性原理引起的能量的不确定度。物理学中流行的方法是从不带电的电子和原子核出发,因为它们是自由的平面波,可以具有任意能量,并在带电后衰减。这导致了布拉格反射和带结构。
发布时间: 2019 - 01 - 23
浏览次数:5
空穴空穴又称电洞(Electron hole),在固体物理学中指共价键上流失一个电子,最后在共价键上留下空位的现象。一个呈电中性的原子,其正电的质子和负电的电子的数量是相等的。现在由于少了一个负电的电子,所以那里就会呈现出一个正电性的空位——空穴。当有外面一个电子进来掉进了空穴,就会发出电磁波——光子。空穴不是正电子,电子与正电子相遇湮灭时,所发出来的光子是非常高能的。那是两粒子的质量所完全转化出来的电磁波(通常会转出一对光子)。而电子掉入空穴所发出来的光子,其能量通常只有几个电子伏特。半导体由于禁带较窄,电子只需不多的能量就能从价带激发到导带,从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴,同时在原位置产生一个新的空穴,因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。在半导体的制备中,要在4价的本征半导体(纯硅、锗等的晶体)的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质(如硼、镓、铟、铝等),则可产生大量空穴,获得P型半导体,又称空穴型半导体。空穴是P型半导体中的多数载流子。
发布时间: 2019 - 01 - 23
浏览次数:4
电子电子是一种带有负电的次原子粒子。电子属于轻子类,以重力、电磁力和弱核力与其它粒子相互作用。轻子是构成物质的基本粒子之一,无法被分解为更小的粒子。电子带有1/2自旋,是一种费米子。因此,根据泡利不相容原理,任何两个电子都不能处于同样的状态。电子的反粒子是正电子,其质量、自旋、带电量大小都与电子相同,但是电量正负性与电子相反。电子与正电子会因碰撞而互相湮灭,在这过程中,生成一对以上的光子。由电子与中子、质子所组成的原子,是物质的基本单位。相对于中子和质子所组成的原子核,电子的质量显得极小。质子的质量大约是电子质量的1836倍。当原子的电子数与质子数不等时,原子会带电;称该带电原子为离子。当原子得到额外的电子时,它带有负电,叫阴离子,失去电子时,它带有正电,叫阳离子。若物体带有的电子多于或少于原子核的电量,导致正负电量不平衡时,称该物体带静电。当正负电量平衡时,称物体的电性为电中性。静电在日常生活中有很多用途,例如,静电油漆系统能够将瓷漆或聚氨酯漆,均匀地喷洒于物品表面。电子与质子之间的吸引性库仑力,使得电子被束缚于原子,称此电子为束缚电子。两个以上的原子,会交换或分享它们的束缚电子,这是化学键的主要成因。当电子脱离原子核的束缚,能够自由移动时,则改称此电子为自由电子。许多自由电子一起移动所产生的净流动现象称为电流。在许多物理现象里,像电传导、磁性或热传导,电子都扮演了机要的角色。移...
发布时间: 2019 - 01 - 22
浏览次数:5
载流子在物理学中,载流子(charge carrier),或简称载子(carrier),指可以自由移动的带有电荷的物质微粒,如电子和离子。在半导体物理学中,电子流失导致共价键上留下的空位(空穴)被视为载流子。在电解质溶液中,载流子是已溶解的阳离子和阴离子。类似地,游离液体中的阳离子和阴离子在液体和熔融态固体电解质中也是载流子。霍尔-埃鲁法就是一个熔融电解的例子。在等离子体,如电弧中,电离气体和汽化的电极材料中的电子和阳离子是载流子。电极汽化在真空中也可以发生,但技术上电弧在真空中不能发生,而是发生在低压电气中;在真空中,如真空电弧或真空管中,自由电子是载流子;在金属中,金属晶格中形成费米气体的电子是载流子。半导体中的多数载流子和少数载流子在半导体中,电子和空穴作为载流子。数目较多的载流子称为多数载流子;在N型半导体中多数载流子是电子,而在P型半导体中多数载流子是空穴。数目较少的载流子称为少数载流子;在N型半导体中少数载流子是空穴,而在P型半导体中少数载流子是电子。少数载流子在双极性晶体管和太阳能电池中起重要作用。不过,此种载流子在场效应管(FET)中的作用是有些复杂的:例如,MOSFET兼有P型和N型。晶体管酌涉及到源漏区,但这些少数载流子横穿多数载流子体。不过在传送区内,横穿的载流子比其相反类型载流子的数目多得多(实际上,相反类型的载流子会被外加电场移除而形成耗尽层),因此按惯例...
发布时间: 2019 - 01 - 22
浏览次数:7
PN结一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,中间二者相连的接触面称为PN结(英语:pn junction)。PN结是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。于是,N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。P型半导体掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。PN结的形成采用一些特殊的工艺,可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个PN结。P型、N型半导体由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子,存在浓度梯度,所以二者之间将产生扩散运动。即:● 自由电子由N型半导体向P型半导体的方向扩散● 空穴由P型半导体向N型半导体的方向扩散载流子经过扩散的过程后,扩散...
发布时间: 2019 - 01 - 21
浏览次数:7
晶体结构晶体结构是指晶体的周期性结构。固体材料可以分为晶体、准晶体和非晶体三大类,其中,晶体内部原子的排列具有周期性,外部具有规则外形,比如钻石。Hauy最早提出晶体的规则外型是因为晶体内部原子分子呈规则排列,比如钻石所具有的完美外形和优良光学性质就可以归结为其内部原子的规则排列。20世纪初期,劳厄发明X射线衍射法,从此人们可以使用X射线来研究晶体内部的原子排列,其研究结果进而证实了Hauy的判断。晶体内部原子排列的具体形式一般称之为晶格,不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。各种晶格结构又可以归纳为七大晶系,各种晶系分别与十四种空间格(称作布拉维晶格)相对应,在宏观上又可以归结为三十二种空间点群,在微观上可进一步细分为230个空间群。对于晶体结构的研究是研究固体材料的宏观性质及各种微观过程的基础。专门研究分子结晶结构的科学称为晶体学,经常应用在化学、生物化学与分子生物学。
发布时间: 2019 - 01 - 21
浏览次数:5
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8768-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开