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湿制程设备制造商


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发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,南通华林科纳半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验效率提供...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
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PN结一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导体,中间二者相连的接触面称为PN结(英语:pn junction)。PN结是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。于是,N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。P型半导体掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。PN结的形成采用一些特殊的工艺,可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个PN结。P型、N型半导体由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子,存在浓度梯度,所以二者之间将产生扩散运动。即:● 自由电子由N型半导体向P型半导体的方向扩散● 空穴由P型半导体向N型半导体的方向扩散载流子经过扩散的过程后,扩散...
发布时间: 2019 - 01 - 21
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晶体结构晶体结构是指晶体的周期性结构。固体材料可以分为晶体、准晶体和非晶体三大类,其中,晶体内部原子的排列具有周期性,外部具有规则外形,比如钻石。Hauy最早提出晶体的规则外型是因为晶体内部原子分子呈规则排列,比如钻石所具有的完美外形和优良光学性质就可以归结为其内部原子的规则排列。20世纪初期,劳厄发明X射线衍射法,从此人们可以使用X射线来研究晶体内部的原子排列,其研究结果进而证实了Hauy的判断。晶体内部原子排列的具体形式一般称之为晶格,不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。各种晶格结构又可以归纳为七大晶系,各种晶系分别与十四种空间格(称作布拉维晶格)相对应,在宏观上又可以归结为三十二种空间点群,在微观上可进一步细分为230个空间群。对于晶体结构的研究是研究固体材料的宏观性质及各种微观过程的基础。专门研究分子结晶结构的科学称为晶体学,经常应用在化学、生物化学与分子生物学。
发布时间: 2019 - 01 - 21
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柴可拉斯基法柴可拉斯基法(简称柴氏法 英语:Czochralski process),又称直拉法,是一种用来获取半导体(如硅、锗和砷化镓等)、金属(如钯、铂、银、金等)、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基,他在1916年研究金属的结晶速率时,发明了这种方法。后来,演变为钢铁工厂的标准制程之一。直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体,例如砷化镓,也可以利用直拉法进行生长,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以获得更低的晶体缺陷密度。硅的直拉法生长高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚(通常是由石英制成)中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中,这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种(或称“籽晶”)置于一根精确定向的棒的末端,并使末端浸入熔融状态的硅。然后,将棒缓慢地向上提拉,同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制,那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响,可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体(例如氩)氛围中进行,并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
发布时间: 2019 - 01 - 15
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单晶单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的,或者可以说,在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。与单晶相对的,是众多晶粒(Crystallite)组成的多晶(Polycrystal)。单晶材料是一种应用日益广泛的新材料,由单独的一个晶体组成,其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊,一般采用提拉法制备。单晶根据晶体生长法制作分为:1、借由柴克劳司基法(Czochralski):将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。2、浮区法(Floating zone):可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。
发布时间: 2019 - 01 - 15
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晶种晶种是一小块单晶或多晶(通常是单晶),像种子般用来成长与自身相同材料、相同晶体结构的大晶体。无论把晶种浸入过饱和溶液,或使晶种与熔融材料接触并冷却,或者让材料蒸气在晶种表面沉积,皆能成长出大晶体。晶种效果背后的理论,从化合物与过饱和溶液(或与蒸气)的分子间物理交互作用衍生而来。在溶液中,自由的可溶分子(溶质)在随机流动中自由移动。此随机流动允许两个或更多的化合物分子有机会交互作用。这种交互作用可以强化分离的分子之间的分子间作用力并形成晶格的基础。然而将晶种置入溶液会使随机分子间的碰撞与交互作用减少,促进再结晶过程。 借由引入已有秩序的晶体,分子间不用太仰赖随机流动就可以很容易地进行交互作用。在溶液中这种溶质发展出晶格的相变化被称为成核。简言之,晶种效果就是缩短了再结晶过程中的成核时间。在半导体产业中,常用的柴可拉斯基法与布里奇曼-史托巴格法就是用小晶种长出大人造胚晶或晶锭的运用实例。
发布时间: 2019 - 01 - 14
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半导体半导体(英语:Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。电导率容易受控制的半导体,可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性非常巨大。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的“空穴”,在电场作用下,空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流(一般称为正电流)。材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选...
发布时间: 2019 - 01 - 14
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集成电路的发展最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心,可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子,对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来,集成电路持续向更小的外型尺寸发展,使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量,可以降低成本和增加功能-见摩尔定律,集成电路中的晶体管数量,每1.5年增加一倍。总之,随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。但是,集成纳米级别设备的IC不是没有问题,主要是泄漏电流。因此,对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显,制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步,在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里,使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。集成电路的普及仅在其开发后半个世纪,集成电路变得无处不在,计算机、手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为,现代计算、交流、制造和交通系统,包括互联网,全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学...
发布时间: 2019 - 01 - 12
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集成电路的介绍晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术,作为一个单位印刷,而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。2006年,芯片面积从几平方毫米到350 mm²,每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器,相较于现今科技的尺寸来讲,体积相当庞大。电子显微镜下碳纳米管微计算机芯片体的场效应画面根据一个芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路可以分为以下几类:● 小型集成电路(SSI英文全名为Small Scale Integration)逻辑门10个以下或 晶体管100个以下。● 中型集成电路(MSI英文全名为Medium Scale Integration)逻...
发布时间: 2019 - 01 - 12
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半导体材料半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。发展● 1833年,英国的法拉第(Michael Faraday)发现的其中一种半导体材料:硫化银,因为它的电阻随着温度上升而降低。● 1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关,这就是半导体的整流作用。● 1947年12月23日,巴丁与布拉坦(Walter Brattain)进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器,晶体管正式发明。● 1958年9月12日,德州的基尔比(Jack Kilby),细心地切了一块锗作为电阻,再用一块pn接面做为电容,制造出一个震荡器的电路。● 1970年,超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分类以原料分为:● 元素半导体材料:以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。● 复合半导体材料:由两种或两种以上无机物化合成的半导体,种类繁多,已知的二元化合物就有数百种。● 三五半导体:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,比如砷化镓(GaAs);它们都具有闪锌矿结构,在应用方面仅次于Ge、Si。● 二六半导体:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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晶圆晶圆(英语:Wafer)是指制作硅(硅)半导体集成电路所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般晶圆产量多为单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英寸、15英寸、16英寸、20英寸以上等)。晶圆越大,同一圆片上可生产的集成电路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但对材料技术和生产技术的要求更高,例如均匀度等等的问题。一般认为硅(硅)晶圆的直径越大,代表着这座晶圆厂有更好的技术,在生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。晶圆的制造过程很简单的说,首先由普通硅(硅)砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒,单晶硅棒经过切片、抛光之后,就得到了单晶硅圆片,也即晶圆。1、将二氧化硅矿石(石英砂)与焦炭混合后,经由电弧炉加热还原,即生成粗硅(纯度98%,冶金级)。SiO2 + C = Si + CO2 ↑ 2、盐酸氯化并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅(半导体级纯度11个9,太阳能级7个9),因在精密电子元件当中,硅晶圆需要有相当的纯度(99.999999999%),不然会产生缺陷。3、晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅(硅)熔解,再于溶液内掺入一小粒的硅(硅)晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶...
发布时间: 2019 - 01 - 11
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