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发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室【产品描述】设备名称华林科纳(江苏)CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1200×800...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:<80AddedAt0.2MicronorBetter无刷伺服电机去静电氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com,0513-87733829
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术> 可单台设备或整合在湿法设备中> 最佳的占地> 成熟的工艺> 无水迹> 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征:> 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆> 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般< 10 分钟,受所选工艺菜单而变化亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准:> CE> Semi S2 and S8> FM 4910> SECS/GEM可靠性:> 平均故障间隔时间 ≥ 800 h> 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h> 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-华林科纳(江苏)CSE华林科纳(江苏)半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至-1500Pa;设备名称华林科纳(江苏)CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注华林科纳(江苏)半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System华林科纳(江苏)半导体CSE-GMP自动供液系统适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式:CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可自行达成供酸之功能。在手动...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System华林科纳(江苏)半导体CSE-研磨液自动供液系统适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式:CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可自行达成供酸之功能。在手动...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设备名称华林科纳(江苏)CSE-SPM腐蚀酸洗机适用领域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速,半导体制造成本已经快速增加,晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米将是解决这一问题的方法之一,平均而言,采用300毫米晶圆的成本比之前的200毫米晶圆降低了30%,300毫米设备的开发只是简单地缩放200毫米工具,这不足以实现450毫米的成功,工艺技术、衬底处理/运输和工艺灵活性方面的创新是必要的,主要挑战如下:先进技术节点的清洁度、图案塌陷和损坏、湿法蚀刻均匀性、降低拥有成本、通过单晶片工具回收晶片、Si3N4选择性蚀刻。对先进技术节点的清洁性:根据国际半导体技术路线图(ITRS ),可以肯定的是,半导体制造的未来将继续面临表面准备和关键清洗步骤的重大挑战,例如对颗粒和金属污染的严格要求等,从硬件的角度来看,它可以从三个方面来解决,即室气氛、流体的质量控制以及部件清洁和老化,如表1所示,采用新的室气氛控制设计理念,即使不考虑更大的晶片表面面积(x2.25),450毫米alpha工具的颗粒性能也与300毫米生产工具相当或略好。模式崩溃和损坏:随着尺寸和间距的缩小,在湿法清洗步骤中图案坍塌和损坏的风险增加,使用20纳米以下的FinFET使其更加脆弱,300毫米工具的可行解决方案,例如IPA干燥、低表面张力流体和先进的分配方法,将全部转移到450毫米工具,450毫米湿法清洗工具需要创新的解决方案,目标应用于14纳...
发布时间: 2022 - 05 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量,当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时,这样做有时可以实时测量蚀刻速率。蚀刻速度应与应用相称,需要非常浅的蚀刻的应用应该具有相对低的蚀刻速率以保持控制,相反对于具有非常深的特征的应用,实际上蚀刻速率更快以避免冗长的处理时间。重要的是要认识到其他参数会影响蚀刻速率,例如开口面积的大小或结构的纵横比(特征宽度/特征深度),当调整蚀刻速率时,在均匀性、轮廓或选择性之间也可能存在折衷,纵横比也影响蚀刻速率,因为纵横比越大,蚀刻速率越慢。蚀刻中的均匀性是对特定参数下整个晶片一致性的度量,通常,均匀性是指蚀刻速率,但它也可以指其他蚀刻后特征,如选择性和轮廓,由于数据是测量值的集合,因此通常使用统计数据,通过标准偏差来确定数据的分布,通常将一致性称为一个、两个或三个西格玛,另一种方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值),必须记住识别由于箝位或其他边缘效应而应排除度量的区域。轮廓是指已经被蚀刻的特征的轮廓或斜率,有些应用需要垂直剖面,有些应用需要倾斜剖面,当开发一个规范时,概要文件经常被作为要考虑的参数之一,轮廓控制是材料、工艺和掩模的函数。选择性是两个蚀刻速率之间的比率,通常是被蚀刻的材料和掩模之间的比率,通常,选择性...
发布时间: 2022 - 05 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质,盐酸作为阳极腐蚀介质,用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。图1显示了在熔融KOH中蚀刻的GaN膜的平面SEM图像。如图1中清楚示出的,蚀刻坑都具有相似的对比度,并且都是发育良好的六边形,具有平边缘和尺寸从0.2pm到1 μm的不同尺寸的面,这意味着蚀坑的来源是相同的,最大坑B都是孤立的中等坑和的0,下午7点和1点,可以清楚地看到过蚀刻区域中的不同凹坑,这说明蚀坑不是均匀分布的,蚀坑密度是可靠的,图1( b)显示了放大倍数更高的更清晰的SEM显微照片,通过图1(a ), EPD可以估计为4 X 107/cnr,图2显示了在混合酸溶液中蚀刻的GaN膜的平面图SEM图像,蚀坑也不是均匀分布的,它们的尺寸从0,下午1点到0点,5pm具有不同的对比度,从图2估计的EPD约为5X 108/cm-1,比图1中的EPD大一个数量级,这表明图2中的蚀坑来源比图1中的多。用化学腐蚀方法,如硝酸溶液(H3PO4 : HzSOq 1 : 3)和熔融KOH,盐酸蒸气腐蚀法,扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了GaN薄膜中的腐蚀坑和穿透位错,HCl气相刻蚀和湿法刻蚀GaN薄膜同一位置的SEM图像显示出明显不同的腐蚀坑密度和形状,结果表明,盐酸气相刻蚀可...
发布时间: 2022 - 05 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层,使用FTIR和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率,在第二部分中,研究了金属硬掩模/多孔低k镶嵌结构上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除,扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率,使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。图1显示了在50°c下使用溶剂基湿法去除后PR/BARC膜的FTIR光谱,原始PR的特征在于分别归因于PR分子侧基中内酯和酯官能团的约1795 cm-1和约1730 cm-1处的两个吸收峰(数据未显示),对于所研究的所有实验条件,即使清洗时间很短,PR的吸收峰也完全消失,表明PR层被去除,BARC层更难去除。例如,在30-60秒的短清洗时间内,BARC中酯功能的特征吸收带(~ 1725 cm-1和1690 cm-1)仍然存在,更长的清洗时间导致BARC层的完全去除,如这些吸收带的完全消失所证明的。图2显示了对于图案化结构获得的C/Ti原子比的变化,使用实验部分中描述的等离子体序列蚀刻BARC和TiN硬掩模层导致在PR外壳中形成含氟和含钛物质,氟和无机物质的引入使得PR的去除更具挑战性,因为这些物质会导致外壳溶解度显著降低,使用XPS评估图案化结构的去除效率,图2示出了通过XPS测量多孔低介电常数...
发布时间: 2022 - 04 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文描述了去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。随着图案尺寸的不断减小,金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的光刻抗蚀剂更难去除,因为没有或只有很小部分的光刻抗蚀剂(PR)没有交联的,采用MHM模式,干燥的PR带通常会导致低k材料的顶角的第一类等离子体损伤,延伸到MHM层的边缘下方,这个受损的区域在随后的清洗中很容易受到攻击,从而产生具有非平面顶部表面的介电线,这反过来又会导致严重的线间电容和隔离问题,因此探索了替代的非等离子体途径来去除MHM上的PR。通过UV预处理和浸泡在溶解的溶剂中,从MHM中获得了良好的PR去除效果,如下图所示,这一过程去除了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层,紫外处理是在222纳米准分子灯在25mW/cm2的真空下进行的,没有有意加热,臭氧是通过以2标准l/分钟总流量的氧气流到臭氧发生器获得的,其出口的臭氧浓度为20w-ppm,这种臭氧和氧气混合物通过溶剂容器底部的扩散器起泡,同时还证明,这三个方面都是必要的:紫外线预处理臭氧和溶剂,通过选择性地消除每一个单独。首先使用汞探针进行的测量表明,由于单独对部分蚀刻的低k材料进行紫外处理,导致的k值增加小于0.1,这个过程被认为是这样工作的,紫外处理导致PR外壳中C=C结合浓度增加,由FTIR分析解释,这些C=C...
发布时间: 2022 - 04 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文在高真空组合工具中研究了气相预栅极氧化物表面制备:用无水氟化氢蒸汽和甲醇蒸汽蚀刻二氧化硅并通过改变晶片温度、室压和气体流速,这样就可以很好地控制氧化物蚀刻速率。本实验已经实现了氧化物蚀刻速率的5%的标准误差。在60/分钟的氧化物蚀刻速率下,每125毫米晶片产生的颗粒少于10个。原子力显微镜测量显示没有增加硅表面的微观粗糙度,这归因于蒸气氟化氢(HF)蚀刻。介绍现代集成电路(IC)制造中最重要的工艺之一是预栅氧化晶片表面制备。事实表明,金属氧化物半导体(MOS)器件的性能取决于栅极氧化物生长之前的清洁工艺。然而,在传统制造工艺中,每次工艺完成后,晶圆会在洁净室中从一个工具转移到另一个工具,因此会面临再次污染的风险。对于一些关键的工艺顺序,例如栅极氧化物生长,应该在晶片清洗后立即生长氧化物,以减少氧化物缺陷并获得高的器件成品率。为了实现无污染制造,集群是选项之一。组合工具允许单晶片处理,在此期间,晶片在真空下在处理模块之间转移,并且降低了再污染的风险。配备原位诊断,可以更好地控制过程稳定性。随着晶片尺寸越来越大,单晶片加工变得越来越有吸引力。与真空兼容的气相清洁工艺目前正受到越来越多的关注。在气相过程中,氧化物和其他表面污染物可能会通过活性气体和表面层/污染物之间的反应而被去除。气相处理也具有清洁较小特征的潜力,因为湿法处理受到溶液表面张力的...
发布时间: 2022 - 04 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中,使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明,振荡流清洗比稳定流清洗更有效,并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。介绍微污染是大多数大规模生产的超大规模集成电路的产量损失[1]。传统上,晶片清洗工作专注于毯式晶圆。然而,化学和微粒污染自然发生在图案化的晶片也是如此。例如,离子注入、反应离子蚀刻(RIE)、湿法化学清洗所有留下的金属和/或化学物质图案化晶片表面上的污染物。跟随许多BEOL过程、污染物或化学品可以留在战壕里。因此,有一个迫切需要开发有效的清洁技术并用亚微米尺寸沟槽冲洗晶片表面。盖尔和布斯纳娜研究了兆频超声波清洗和用于毯式晶片的清洗工艺提供了一些早期的建模结果。尽管兆频超声波清洗目前被用于图案化晶片清洗的机理用于图案化晶片的兆频超声波清洗工艺不是很好理解。本文基于毯式晶片的实验和数值研究清洗,去除亚微米级的污染物使用兆频超声波清洗的沟槽使用物理建模。利用控制动量和质量守恒方程的有限差分解,模拟了湿清洗几何结构中的流体流动和污染物输运。对流动通过一系列空腔的模拟进行了验证,与帕金斯的数值和实验结果非常吻合。结果和讨论毯式晶圆清洗最初,模拟了兆频超声波清洗槽中单个晶片的...
发布时间: 2022 - 04 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言小结构的清洗和冲洗是微电子和纳米电子制造中的重要过程。最新技术使用“单晶片旋转清洗”,将超纯水(UPW)引入到安装在旋转支架上的晶片上。这是一个复杂的过程,其降低水和能源使用的优化需要更好地理解过程的基本原理。本文提出了一个数学模型,它使用了基本的物理机制并提供了一个综合的过程模拟器。该模型包括流体流动,静电效应,以及整体和表面的相互作用。该模拟器被应用于研究具有铪基高k微米和纳米结构的图案化晶片的清洗动力学的特定情况。研究了关键清洗工艺参数的影响,例如水流速度、晶片旋转速度、水温、晶片尺寸和晶片中的沟槽位置。在表面处理过程的设计和控制中成功地结合这种冲洗模拟器将消除对更昂贵和更费时的外部分析技术的依赖。半导体和其它纳米尺寸器件制造顺序中的一个关键步骤是在衬底(例如硅或介电层)被图案化和蚀刻后清洁小结构。图案化晶片的清洗和冲洗是继许多其它制造步骤之后最常用的工艺。在整个制造过程中,它也是最大的用水单位,半导体制造厂的用水量超过60%[2]。所有现代工厂现在都使用旋转清洗和冲洗设备,其中超纯水(UPW)被引入到安装在旋转支架上的晶片上。多个过程,如解吸和再吸附、扩散、迁移和对流,都是这个冲洗过程及其潜在瓶颈的因素。这些过程中的任何一个都可能成为漂洗过程的限速步骤或瓶颈。对图案化晶片的旋转清洗的基本原理知之甚少。确保漂洗过程中的最佳资源利用和周期...
发布时间: 2022 - 04 - 25
浏览次数:508
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍对于集成电路(IC)芯片,焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来,铝(Al)一直是使用最广泛的互连金属。然而,在过去十年中,它已被新一代IC的铜(Cu)互连所取代。与铝不同,铜易受环境退化的影响,并且由于可靠性问题而不能用于金(Au)引线键合。因此,对于Cu互连技术,IC制造商要么用Al覆盖Cu,要么用Al 成最后的互连层。本文介绍了使用化学镀镍-磷/钯(NiP-Pd)来覆盖铜焊盘,而不是用铝来覆盖它。使用无电工艺覆盖铜键合焊盘比其他替代方案便宜得多,因为无电薄膜可以选择性地沉积在键合焊盘上。这消除了许多步骤,包括光图案化、蚀刻和清洗。在铜垫上化学镀镍的工作非常有限。然而,近年来,无电NiP/无电Pd (ENEP)、无电NiP/无电镀金(ENIG)或无电NiP/无电Pd/浸金被广泛研究和使用,用于覆盖引线键合应用的Al焊盘以及倒装芯片应用的凸点下冶金。铜覆盖的无电镀工艺提出了许多独特的挑战。无电镀工艺中的所有子步骤都必须优化,因为每个步骤都可能导致严重的缺陷问题,如腐蚀、表面污染、桥接、台阶沉积、漏镀、结节和毯式电镀(图1)。腐蚀是焊盘可靠性最关键的问题之一,也是本文的重点。图 1在无电处理过程中发生的两种类型的腐蚀机制已经被确定:腐蚀Cu衬底;和化学镀镍的腐蚀。在这两种情况下,腐蚀副...
发布时间: 2022 - 04 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言化合物半导体处理通常使用高密度等离子体蚀刻来建立通孔金属接触,该通孔金属接触通常在诸如金(Au)的惰性金属上停止。蚀刻工艺可以从正面或背面穿过衬底和/或有机电介质,例如聚酰亚胺或双苯并环丁烯(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻后残留物,该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物,以及最后来自浸渍和涂覆残留物的蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻后残留物无效,需要在去除残留物之前对金属进行单独的KI浸出。本文描述了一种使用普通fab制造工具在单一工艺中同时去除蚀刻后残留物的简单快速的技术。介绍小通孔技术的发展满足了许多器件对热传导和接触的需求。其中包括用于军事和卫星通信的30-75微米功率GaAs MMIC,以及用于低成本MESFET的高功率、高频GaAs pa,用于手机和VSAT应用的HBT和pHEMT。[3]虽然这些过孔中的大多数都是“钻”穿晶圆衬底,但它们也存在于电介质中,如BCB [4]或聚酰亚胺[5],器件性能处于较低频段,因此可以使用非晶材料,而不会产生谐振频率效应。此外,将正面电介质层与背面镀金相结合增加了衬底强度,这有利于减薄< 75um,背面处理,以及从切割带中拾取和放置非常薄的芯片。为了有效的蚀刻速率和可接受的各向异性控制,可以通过使用包含Ar和BCl3/Cl2的气体混合物的反应离...
发布时间: 2022 - 04 - 23
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