湿法工艺书院 - 半导体硅片清洗机设备 - 刻蚀机

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晶片凸点电镀设备-CSE

发布时间： 2016 - 06 - 22

晶片凸点电镀设备-华林科纳（江苏）CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装（DIP），还是四边引线扁平封装（QFP），封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小，所以要求器件的体积越小越好，像有300多个引出端的液晶显示器（LCD）驱动电路，必须采用WLP的芯片尺寸封装（CSP）。有些特殊的高频器件，为了减小引线电感的影响，要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下，华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点，例如金凸点、焊料凸点、铟凸点，然后直接倒装焊在相应的基板上。更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案

IPA干燥系统设备-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 08

IPA干燥设备-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工太阳能电池片分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺，单台产量大，效率高设备名称华林科纳（江苏）CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询0513- 87733829可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

酸/碱刻蚀机

发布时间： 2016 - 03 - 07

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高温磷酸清洗机

发布时间： 2016 - 03 - 07

设备名称：高温磷酸清洗机设备型号：CSE-SZ2011-16整机尺寸：约2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）节拍：根据实际工艺时间可调清洗量：批量清洗时，采用提篮装片，单次清洗圆片的数量要求如下2＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于25片4＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片6＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳，优质碳钢骨架，外包3mmPP板防腐机台底部：废液排放管路，防漏液盘结构机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且通过可调式地脚，可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材，排水管路材质为PP管排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板（带有圆形漏液孔，清除台面残留液体）附件：水、气枪左右各两套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制；安全保护装置： ●设有EMO(急停装置)， ●强电弱点隔离 ●设备三层防漏托盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内台面布置图：各槽工艺参数

芯片镀金设备-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

芯片镀金设备-华林科纳（江苏）CSE 晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。华林科纳（江苏）的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的，对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类，适合不同客户的需求。设备名称华林科纳（江苏）CSE-芯片镀金设备应用领域：半导体、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具体应用：电镀、电铸工艺类型：电镀Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圆尺寸：8inch或以下尺寸，单片或多片基本配置：操作台（1套），主电镀槽（2套），腐蚀槽（2套），清洗（1套）设备功能和特点（不同电镀工艺配置有所差异） 1. 产品名称：芯片镀金设备 2. 产品系列：CSE-XL3. 晶圆尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系统，内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料：劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统：70+/-1C 8. 循环过滤出系统，流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置，频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台，风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系：均为无氰电镀液体系。 19. 工艺：表面均匀，厚度1-100um，均匀性5% 设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多晶圆电镀设备可以关注华林科纳（江苏）半导体设备官网w...

异质结电池HIT HJT制绒清洗设备

发布时间： 2017 - 04 - 06

异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途：对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程：l H2O2工艺：SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l O3工艺：预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l 结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构，设备占地空间小l 先进的400片结构，有效提高设备工艺产能l 工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合，有效延长药液使用寿命和减少换液周期l 补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测，以及可调节气阀控流结构，有效保证初配时间和微量精补配液的精度l 所有与液体接触材料优化升级，避免材料使用杂质析出l 采用最新低温烘干技术，保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数：l 设备尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 产能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备，可以关注网址：http://www.hlkncse.com，热线：400-8768-096，18913575037

单腔立式甩干机-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

单腔立式甩干机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称华林科纳（江苏）CSE-单腔立式甩干机优点清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺不同配置（可放置台面操作的设备、单台独立、双腔）适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地，设备带有滚轮可移动优越的可靠性独特的模块化结构极其便于维修易于使用和操作一般特征适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺标准的高边和低边花篮可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺用冷或热的N2辅助晶圆干燥离心头容易更换图形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的触摸屏可以编辑10多个菜单，每个菜单可有10步多等级用户密去静电装置安装于工艺腔室区去离子水回收电阻率监测装置机械手自动加载可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统底座置放不锈钢滚轮溶剂灭火装置适用特殊设计的花篮设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829；更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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450mm湿法清洁挑战

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速，半导体制造成本已经快速增加，晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米将是解决这一问题的方法之一，平均而言，采用300毫米晶圆的成本比之前的200毫米晶圆降低了30%，300毫米设备的开发只是简单地缩放200毫米工具，这不足以实现450毫米的成功，工艺技术、衬底处理/运输和工艺灵活性方面的创新是必要的，主要挑战如下:先进技术节点的清洁度、图案塌陷和损坏、湿法蚀刻均匀性、降低拥有成本、通过单晶片工具回收晶片、Si3N4选择性蚀刻。对先进技术节点的清洁性：根据国际半导体技术路线图(ITRS ),可以肯定的是，半导体制造的未来将继续面临表面准备和关键清洗步骤的重大挑战，例如对颗粒和金属污染的严格要求等，从硬件的角度来看，它可以从三个方面来解决，即室气氛、流体的质量控制以及部件清洁和老化，如表1所示，采用新的室气氛控制设计理念，即使不考虑更大的晶片表面面积(x2.25)，450毫米alpha工具的颗粒性能也与300毫米生产工具相当或略好。模式崩溃和损坏：随着尺寸和间距的缩小，在湿法清洗步骤中图案坍塌和损坏的风险增加，使用20纳米以下的FinFET使其更加脆弱，300毫米工具的可行解决方案，例如IPA干燥、低表面张力流体和先进的分配方法，将全部转移到450毫米工具，450毫米湿法清洗工具需要创新的解决方案，目标...

发布时间: 2022 - 05 - 14

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蚀刻性能：需要考虑的 9 个因素

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量，当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时，这样做有时可以实时测量蚀刻速率。蚀刻速度应与应用相称，需要非常浅的蚀刻的应用应该具有相对低的蚀刻速率以保持控制，相反对于具有非常深的特征的应用，实际上蚀刻速率更快以避免冗长的处理时间。重要的是要认识到其他参数会影响蚀刻速率，例如开口面积的大小或结构的纵横比(特征宽度/特征深度)，当调整蚀刻速率时，在均匀性、轮廓或选择性之间也可能存在折衷，纵横比也影响蚀刻速率，因为纵横比越大，蚀刻速率越慢。蚀刻中的均匀性是对特定参数下整个晶片一致性的度量，通常，均匀性是指蚀刻速率，但它也可以指其他蚀刻后特征，如选择性和轮廓，由于数据是测量值的集合，因此通常使用统计数据，通过标准偏差来确定数据的分布，通常将一致性称为一个、两个或三个西格玛，另一种方法是使用公式((最大值-最小值)/2 x平均值)，必须记住识别由于箝位或其他边缘效应而应排除度量的区域。轮廓是指已经被蚀刻的特征的轮廓或斜率，有些应用需要垂直剖面，有些应用需要倾斜剖面，当开发一个规范时，概要文件经常被作为要考虑的参数之一，轮廓控制是材料、工艺和掩模的函数。选择性是两个蚀刻速率之间的比率，通常是被蚀刻的材料和掩模之间的比率，通常，选择性...

发布时间: 2022 - 05 - 13

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采用不同蚀刻方法的GaN薄膜

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质，盐酸作为阳极腐蚀介质，用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。图1显示了在熔融KOH中蚀刻的GaN膜的平面SEM图像。如图1中清楚示出的，蚀刻坑都具有相似的对比度，并且都是发育良好的六边形，具有平边缘和尺寸从0.2pm到1 μm的不同尺寸的面，这意味着蚀坑的来源是相同的，最大坑B都是孤立的中等坑和的0，下午7点和1点，可以清楚地看到过蚀刻区域中的不同凹坑，这说明蚀坑不是均匀分布的，蚀坑密度是可靠的，图1( b)显示了放大倍数更高的更清晰的SEM显微照片，通过图1(a ), EPD可以估计为4 X 107/cnr，图2显示了在混合酸溶液中蚀刻的GaN膜的平面图SEM图像，蚀坑也不是均匀分布的，它们的尺寸从0，下午1点到0点，5pm具有不同的对比度，从图2估计的EPD约为5X 108/cm-1，比图1中的EPD大一个数量级，这表明图2中的蚀坑来源比图1中的多。用化学腐蚀方法，如硝酸溶液(H3PO4 : HzSOq 1 : 3)和熔融KOH，盐酸蒸气腐蚀法，扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了GaN薄膜中的腐蚀坑和穿透位错，HCl气相刻蚀和湿法刻蚀GaN薄膜同一位置的SEM图像显示出明显不同的腐蚀坑密度和形状，结果表明，盐酸气相刻蚀可...

发布时间: 2022 - 05 - 10

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使用全湿法去除 Cu BEOL 中的光刻胶和 BARC

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层，使用FTIR和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率，在第二部分中，研究了金属硬掩模/多孔低k镶嵌结构上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除，扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率，使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。图1显示了在50°c下使用溶剂基湿法去除后PR/BARC膜的FTIR光谱，原始PR的特征在于分别归因于PR分子侧基中内酯和酯官能团的约1795 cm-1和约1730 cm-1处的两个吸收峰(数据未显示)，对于所研究的所有实验条件，即使清洗时间很短，PR的吸收峰也完全消失，表明PR层被去除，BARC层更难去除。例如，在30-60秒的短清洗时间内，BARC中酯功能的特征吸收带(~ 1725 cm-1和1690 cm-1)仍然存在，更长的清洗时间导致BARC层的完全去除，如这些吸收带的完全消失所证明的。图2显示了对于图案化结构获得的C/Ti原子比的变化，使用实验部分中描述的等离子体序列蚀刻BARC和TiN硬掩模层导致在PR外壳中形成含氟和含钛物质，氟和无机物质的引入使得PR的去除更具挑战性，因为这些物质会导致外壳溶解度显著降低，使用XPS评估图案化结构的去除效率，图2示出了通过XPS测量多孔低介电常数...

发布时间: 2022 - 04 - 29

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22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文描述了去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。随着图案尺寸的不断减小，金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的光刻抗蚀剂更难去除，因为没有或只有很小部分的光刻抗蚀剂(PR)没有交联的，采用MHM模式，干燥的PR带通常会导致低k材料的顶角的第一类等离子体损伤，延伸到MHM层的边缘下方，这个受损的区域在随后的清洗中很容易受到攻击，从而产生具有非平面顶部表面的介电线，这反过来又会导致严重的线间电容和隔离问题，因此探索了替代的非等离子体途径来去除MHM上的PR。通过UV预处理和浸泡在溶解的溶剂中，从MHM中获得了良好的PR去除效果，如下图所示，这一过程去除了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层，紫外处理是在222纳米准分子灯在25mW/cm2的真空下进行的，没有有意加热，臭氧是通过以2标准l/分钟总流量的氧气流到臭氧发生器获得的，其出口的臭氧浓度为20w-ppm，这种臭氧和氧气混合物通过溶剂容器底部的扩散器起泡，同时还证明，这三个方面都是必要的：紫外线预处理臭氧和溶剂，通过选择性地消除每一个单独。首先使用汞探针进行的测量表明，由于单独对部分蚀刻的低k材料进行紫外处理，导致的k值增加小于0.1，这个过程被认为是这样工作的，紫外处理导致PR外壳中C=C结合浓度增加，由FTIR分析解释，这些C=C...

发布时间: 2022 - 04 - 28

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气相二氧化硅蚀刻和金属污染物去除

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文在高真空组合工具中研究了气相预栅极氧化物表面制备：用无水氟化氢蒸汽和甲醇蒸汽蚀刻二氧化硅并通过改变晶片温度、室压和气体流速，这样就可以很好地控制氧化物蚀刻速率。本实验已经实现了氧化物蚀刻速率的5%的标准误差。在60/分钟的氧化物蚀刻速率下，每125毫米晶片产生的颗粒少于10个。原子力显微镜测量显示没有增加硅表面的微观粗糙度，这归因于蒸气氟化氢(HF)蚀刻。介绍现代集成电路(IC)制造中最重要的工艺之一是预栅氧化晶片表面制备。事实表明，金属氧化物半导体(MOS)器件的性能取决于栅极氧化物生长之前的清洁工艺。然而，在传统制造工艺中，每次工艺完成后，晶圆会在洁净室中从一个工具转移到另一个工具，因此会面临再次污染的风险。对于一些关键的工艺顺序，例如栅极氧化物生长，应该在晶片清洗后立即生长氧化物，以减少氧化物缺陷并获得高的器件成品率。为了实现无污染制造，集群是选项之一。组合工具允许单晶片处理，在此期间，晶片在真空下在处理模块之间转移，并且降低了再污染的风险。配备原位诊断，可以更好地控制过程稳定性。随着晶片尺寸越来越大，单晶片加工变得越来越有吸引力。与真空兼容的气相清洁工艺目前正受到越来越多的关注。在气相过程中，氧化物和其他表面污染物可能会通过活性气体和表面层/污染物之间的反应而被去除。气相处理也具有清洁较小特征的潜力，因为湿法处理受到溶...

发布时间: 2022 - 04 - 27

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亚微米沟槽冲洗和清洁

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。介绍微污染是大多数大规模生产的超大规模集成电路的产量损失[1]。传统上，晶片清洗工作专注于毯式晶圆。然而，化学和微粒污染自然发生在图案化的晶片也是如此。例如，离子注入、反应离子蚀刻(RIE)、湿法化学清洗所有留下的金属和/或化学物质图案化晶片表面上的污染物。跟随许多BEOL过程、污染物或化学品可以留在战壕里。因此，有一个迫切需要开发有效的清洁技术并用亚微米尺寸沟槽冲洗晶片表面。盖尔和布斯纳娜研究了兆频超声波清洗和用于毯式晶片的清洗工艺提供了一些早期的建模结果。尽管兆频超声波清洗目前被用于图案化晶片清洗的机理用于图案化晶片的兆频超声波清洗工艺不是很好理解。本文基于毯式晶片的实验和数值研究清洗，去除亚微米级的污染物使用兆频超声波清洗的沟槽使用物理建模。利用控制动量和质量守恒方程的有限差分解，模拟了湿清洗几何结构中的流体流动和污染物输运。对流动通过一系列空腔的模拟进行了验证，与帕金斯的数值和实验结果非常吻合。结果和讨论毯式晶圆清洗最初，模拟了兆频...

发布时间: 2022 - 04 - 26

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基板旋转冲洗过程中小结构的表面清洗

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言小结构的清洗和冲洗是微电子和纳米电子制造中的重要过程。最新技术使用“单晶片旋转清洗”，将超纯水(UPW)引入到安装在旋转支架上的晶片上。这是一个复杂的过程，其降低水和能源使用的优化需要更好地理解过程的基本原理。本文提出了一个数学模型，它使用了基本的物理机制并提供了一个综合的过程模拟器。该模型包括流体流动，静电效应，以及整体和表面的相互作用。该模拟器被应用于研究具有铪基高k微米和纳米结构的图案化晶片的清洗动力学的特定情况。研究了关键清洗工艺参数的影响，例如水流速度、晶片旋转速度、水温、晶片尺寸和晶片中的沟槽位置。在表面处理过程的设计和控制中成功地结合这种冲洗模拟器将消除对更昂贵和更费时的外部分析技术的依赖。半导体和其它纳米尺寸器件制造顺序中的一个关键步骤是在衬底(例如硅或介电层)被图案化和蚀刻后清洁小结构。图案化晶片的清洗和冲洗是继许多其它制造步骤之后最常用的工艺。在整个制造过程中，它也是最大的用水单位，半导体制造厂的用水量超过60%[2]。所有现代工厂现在都使用旋转清洗和冲洗设备，其中超纯水(UPW)被引入到安装在旋转支架上的晶片上。多个过程，如解吸和再吸附、扩散、迁移和对流，都是这个冲洗过程及其潜在瓶颈的因素。这些过程中的任何一个都可能成为漂洗过程的限速步骤或瓶颈。对图案化晶片的旋转清洗的基本原理知之甚少。确保漂洗过程中的最佳资源利用和周期...

发布时间: 2022 - 04 - 25

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化学镀NiP-Pd沉积过程中铜和镍的腐蚀

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料介绍对于集成电路(IC)芯片，焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来，铝(Al)一直是使用最广泛的互连金属。然而，在过去十年中，它已被新一代IC的铜(Cu)互连所取代。与铝不同，铜易受环境退化的影响，并且由于可靠性问题而不能用于金(Au)引线键合。因此，对于Cu互连技术，IC制造商要么用Al覆盖Cu，要么用Al 成最后的互连层。本文介绍了使用化学镀镍-磷/钯(NiP-Pd)来覆盖铜焊盘，而不是用铝来覆盖它。使用无电工艺覆盖铜键合焊盘比其他替代方案便宜得多，因为无电薄膜可以选择性地沉积在键合焊盘上。这消除了许多步骤，包括光图案化、蚀刻和清洗。在铜垫上化学镀镍的工作非常有限。然而，近年来，无电NiP/无电Pd (ENEP)、无电NiP/无电镀金(ENIG)或无电NiP/无电Pd/浸金被广泛研究和使用，用于覆盖引线键合应用的Al焊盘以及倒装芯片应用的凸点下冶金。铜覆盖的无电镀工艺提出了许多独特的挑战。无电镀工艺中的所有子步骤都必须优化，因为每个步骤都可能导致严重的缺陷问题，如腐蚀、表面污染、桥接、台阶沉积、漏镀、结节和毯式电镀(图1)。腐蚀是焊盘可靠性最关键的问题之一，也是本文的重点。图 1在无电处理过程中发生的两种类型的腐蚀机制已经被确定:腐蚀Cu衬底；和化学镀镍的腐蚀。在这两种情况下，腐蚀副...

发布时间: 2022 - 04 - 24

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刻蚀后残留物的去除方法

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言化合物半导体处理通常使用高密度等离子体蚀刻来建立通孔金属接触，该通孔金属接触通常在诸如金(Au)的惰性金属上停止。蚀刻工艺可以从正面或背面穿过衬底和/或有机电介质，例如聚酰亚胺或双苯并环丁烯(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻后残留物，该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物，以及最后来自浸渍和涂覆残留物的蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻后残留物无效，需要在去除残留物之前对金属进行单独的KI浸出。本文描述了一种使用普通fab制造工具在单一工艺中同时去除蚀刻后残留物的简单快速的技术。介绍小通孔技术的发展满足了许多器件对热传导和接触的需求。其中包括用于军事和卫星通信的30-75微米功率GaAs MMIC，以及用于低成本MESFET的高功率、高频GaAs pa，用于手机和VSAT应用的HBT和pHEMT。[3]虽然这些过孔中的大多数都是“钻”穿晶圆衬底，但它们也存在于电介质中，如BCB [4]或聚酰亚胺[5]，器件性能处于较低频段，因此可以使用非晶材料，而不会产生谐振频率效应。此外，将正面电介质层与背面镀金相结合增加了衬底强度，这有利于减薄为了有效的蚀刻速率和可接受的各向异性控制，可以通过使用包含Ar和BCl3/Cl2的气体混合物的反应离子蚀刻(RIE)或电感耦合等离子体(ICP ),在GaA...

发布时间: 2022 - 04 - 23

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