湿法工艺书院 - 半导体硅片清洗机设备 - 刻蚀机

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晶片凸点电镀设备-CSE

发布时间： 2016 - 06 - 22

晶片凸点电镀设备-南通华林科纳CSE 传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。但无论是双列直插封装（DIP），还是四边引线扁平封装（QFP），封装后的体积都比芯片本身体积大很多倍。由于手机等便携式装置的体积很小，所以要求器件的体积越小越好，像有300多个引出端的液晶显示器（LCD）驱动电路，必须采用WLP的芯片尺寸封装（CSP）。有些特殊的高频器件，为了减小引线电感的影响，要求从芯片到外电路之间的引线越短越好。在这些情况下，华林科纳的工程师采用了芯片尺寸封装（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊点，例如金凸点、焊料凸点、铟凸点，然后直接倒装焊在相应的基板上。更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com；现在咨询400-8768-096，18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的晶圆电镀设备的相关方案

IPA干燥系统设备-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 08

IPA干燥设备-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-IPA干燥设备主要用于材料加工太阳能电池片分立器件 GPP等行业中晶片的冲洗干燥工艺，单台产量大，效率高设备名称南通华林科纳CSE-IPA干燥设备应用范围适用于2-8”圆片及方片动平衡精度高规格工艺时间：一般亲水性晶圆片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金属含量：任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点：干燥后无斑点IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系统组成: IPA干燥工艺原理 01: IPA干燥工艺原理 02:更多的IPA干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

酸/碱刻蚀机

发布时间： 2016 - 03 - 07

刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：二氧化硅腐蚀：在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。具体步骤为：1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；3、冲纯水；4、甩干。二氧化硅腐蚀机理为：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高温磷酸清洗机

发布时间： 2016 - 03 - 07

设备名称：高温磷酸清洗机设备型号：CSE-SZ2011-16整机尺寸：约2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）节拍：根据实际工艺时间可调清洗量：批量清洗时，采用提篮装片，单次清洗圆片的数量要求如下2＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于25片4＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片6＂外延片，每次不少于1蓝，每篮不少于20片框架材料:优质10mm瓷白PP板机壳，优质碳钢骨架，外包3mmPP板防腐机台底部：废液排放管路，防漏液盘结构机台支脚：有滑轮装置及固定装置，并且通过可调式地脚，可高低调整及锁定功能DIW上水管路及构件采用日本积水CL-PVC管材，排水管路材质为PP管排风：位于机台后上部工作照明：上方防酸型照明台面板为优质10mmPP板（带有圆形漏液孔，清除台面残留液体）附件：水、气枪左右各两套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 组合控制；安全保护装置： ●设有EMO(急停装置)， ●强电弱点隔离 ●设备三层防漏托盘倾斜漏液报警设备整体置于防漏托盘内台面布置图：各槽工艺参数

芯片镀金设备-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

芯片镀金设备-南通华林科纳CSE 晶圆电镀工艺在半导体、MEMS、LED 和 WL package 等领域中应用非常广泛。南通华林科纳的晶圆电镀设备针对这些应用研发和生产的，对所有客户提供工艺和设备一体化服务。产品分生产型和研发型两大类，适合不同客户的需求。设备名称南通华林科纳CSE-芯片镀金设备应用领域：半导体、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具体应用：电镀、电铸工艺类型：电镀Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圆尺寸：8inch或以下尺寸，单片或多片基本配置：操作台（1套），主电镀槽（2套），腐蚀槽（2套），清洗（1套）设备功能和特点（不同电镀工艺配置有所差异） 1. 产品名称：芯片镀金设备 2. 产品系列：CSE-XL3. 晶圆尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系统，内置MST-MP-COTROL程序 5. 主体材料：劳士领PP 6. 四面溢流设计 7. 温度控制系统：70+/-1C 8. 循环过滤出系统，流量可调。 9. 垂直喷流挂镀操作。 10. 专用阴阳极 11. 阴极摆动装置，频率可调。 12. 阳极均化装置。 13. 防氧化系统。 14. 充N2装置。 15. 排风操作台，风量可调。 16. 活化腐蚀系统。 17. 三级清洗系统。 18. 电镀液体系：均为无氰电镀液体系。 19. 工艺：表面均匀，厚度1-100um，均匀性5% 设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18913575037更多晶圆电镀设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse...

异质结电池HIT HJT制绒清洗设备

发布时间： 2017 - 04 - 06

异质结高效电池(HJT、HIT)制绒清洗设备—华林科纳CSE 设备用途：对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒、清洗设备工艺流程：l H2O2工艺：SC1处理→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(HNO3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干l O3工艺：预清洗(O3)→纯水清洗→去损伤→纯水清洗→制绒→纯水清洗→纯水清洗→PSC1→纯水清洗→化学抛光(O3)→纯水清洗→SC2处理→纯水清洗→氢氟酸洗→纯水清洗→预脱水→烘干技术特点：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 机械手分配合理，有效避免药液交叉污染和槽体反应超时l 结构布局紧凑合理并且采用双层槽结构，设备占地空间小l 先进的400片结构，有效提高设备工艺产能l 工艺槽体采用“定排定补”模式和“时间补液”模式相结合，有效延长药液使用寿命和减少换液周期l 补配液采用槽内与补液罐双磁致伸缩流量计线性检测，以及可调节气阀控流结构，有效保证初配时间和微量精补配液的精度l 所有与液体接触材料优化升级，避免材料使用杂质析出l 采用最新低温烘干技术，保证槽内洁净度和温度控制精度技术参数：l 设备尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 产能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多异质结高效电池制绒清洗相关设备，可以关注网址：http://www.hlkncse.com，热线：400-8768-096，18913575037

单腔立式甩干机-CSE

发布时间： 2016 - 12 - 05

单腔立式甩干机-华林科纳CSE南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机系统应用于各种清洗和干燥工艺设备名称南通华林科纳CSE-单腔立式甩干机优点清洗系统应用于各种清洗和干燥工艺不同配置（可放置台面操作的设备、单台独立、双腔）适用于晶圆尺寸至200mm 最佳的占地，设备带有滚轮可移动优越的可靠性独特的模块化结构极其便于维修易于使用和操作一般特征适用于晶圆直径至200mm 25片晶圆单盒工艺标准的高边和低边花篮可选内置电阻率检测传感器来控制晶圆的清洗工艺用冷或热的N2辅助晶圆干燥离心头容易更换图形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的触摸屏可以编辑10多个菜单，每个菜单可有10步多等级用户密去静电装置安装于工艺腔室区去离子水回收电阻率监测装置机械手自动加载可放置台面操作的设备、单台独立、双腔 SECS/GEM 去离子水加热系统底座置放不锈钢滚轮溶剂灭火装置适用特殊设计的花篮设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 0513-87733829；18051335986更多的单腔立式甩干机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

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硅太阳能电池基板的湿化学处理及电子界面特性

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通过简单的氧化方法在硅表面制备，其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏应用占主导地位，全球近90%的太阳能电池生产是基于多晶和单晶基质。发展具有经济吸引力的太阳能电池的先决条件是减少材料消耗、简化技术工艺和进一步提高能源转换效率。本文报道了利用传统和新开发的湿化学方法获得的硅基底与纹理表面的形态、光学和电子界面性质的联合监测。通过结合无损、表面敏感技术、UV-NIR反射率测量、光谱椭圆偏距(SE)、表面光致发光(SPV)和PL)测量，在原位和湿化学制备步骤中重复进行。实验使用n型和P型硅(100)晶片，首先处理具有(a)切割和(B)抛光表面的两种类型的衬底，以去除锯伤和/或获得光捕获纹理，随后进行湿化学氧化和蚀刻处理，以降低单层范围内制备引起的微观表面粗糙度。通过(1)在80℃的碱性氢氧化钾/异丙醇(KOH/IPA)溶液中的各向异性蚀刻，(2)使用从晶片减薄技术转移的各向同性纹理蚀刻(TE)获得不同的表面纹理。为了研究制备诱导的表面微粗糙度和天然氧化物对成质太阳能电池基质的影响，应用了三种湿化学表面制备：(i...

发布时间: 2021 - 10 - 22

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氧化锌半导体在酸溶液中的湿刻蚀研究

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率，非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体，在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题。本工作采用电化学分析方法研究了射频磁控溅射氧化锌薄膜在各种湿溶液如磷酸和硝酸溶液中的湿腐蚀行为。还考察了沉积参数如射频功率和氧分压对腐蚀速率的影响。实验利用射频磁控溅射系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜。沉积后立即测量沉积薄膜的厚度。用轮廓仪测量厚度。残余应力测量通过记录沉积前后硅衬底的曲率来进行。薄膜的应力由斯通尼公式得到。电阻率是通过探针站使用传输线方法在氧化锌薄膜上沉积金属薄膜后获得的。在包括硝酸(0.1M)、磷酸(0.1M)、盐酸(0.1M)和乙酸(0.1M)的酸溶液中浸泡5秒钟后，用T轮廓仪从厚度梯度经时间测量膜的溶解速率。结果和讨论氧化锌薄膜是通过溅射法制备的，这种方法可以很好地控制薄膜的厚度、均匀性和成分。溅射沉积薄膜的结构和性能受到溅射参数的强烈影响，如气体、压力、功率、衬底温度、偏压和离子加速能量。已知...

发布时间: 2021 - 10 - 20

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KOH硅湿化学刻蚀

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率高，而各向同性蚀刻(如高频)会在所有方向上进行。使用氢氧化钾工艺是因为它在制造中的可重复性和均匀性，同时保持低生产成本。异丙醇(IPA)经常被添加到溶液中，以改变从{110}壁到{100}壁的选择性，并提高表面光滑度。使用氢氧化钾蚀刻有一些缺点。最大的问题是蚀刻过程中H2气泡的产生。这些H2泡沫充当了一个假面具。这增加了粗糙度，并可能损坏微结构。与氢氧化钾蚀刻相关的另一个问题是氢氧化钾含有碱离子。KOH是MOS器件的终身杀手。至关重要的是，那些使用氢氧化钾的人要小心不要污染任何其他工艺。氢氧化钾还会腐蚀铝，这可能是片上电路的一个问题。碱性氢氧化钾蚀刻特性氢氧化钾蚀刻的蚀刻速率受硅晶体取向的严重影响。这是因为它的各向异性。图1为70˚C下的氢氧化钾浓度。括号内的数字是相对于（110）的标准化值。图1 不同晶体取向和氢氧化钾浓度的硅刻蚀率 (110)平面是最快的蚀刻主表...

发布时间: 2021 - 10 - 23

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表面钝化前对太阳能级CZ硅进行湿化学处理

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言直拉(CZ)单晶硅占光伏市场的40 %以上。开发具有经济吸引力的硅太阳能电池的决定性先决条件是晶片表面钝化。为了准备硅衬底的表面进行钝化，必须蚀刻掉锯损伤层。所得表面结构导致高界面态密度Dit(E)，从而导致高表面复合。通过在钝化之前对表面进行适当的处理，可以减少这种复合。众所周知，基底材料的表面形态对湿化学氧化、蚀刻和冲洗步骤非常敏感。因此，硅表面在钝化之前的湿化学预处理。氢化非晶硅或氮化硅层是一个非常重要的问题。为了使双离子(E)最小化，从而使表面复合速度最小化，我们研究了(100)取向的硼掺杂p型和磷掺杂n型直拉硅片的不同清洗程序，使用热去离子水(DIW)处理作为最终氧化介质，或者用氟化铵(NH4F)代替稀释的氢氟酸(2 %)作为氧化物蚀刻溶液。在用a-SiNx:H进行表面钝化或用碘乙醇(I/E)溶液进行化学钝化后，通过空间分辨微波探测光电导衰减(W-PCD)表征表面预处理对界面钝化的影响。利用扫描电子显微镜和表面光电压法直接分析了制备诱导的表面结构及其对Dit(E)的影响。实验对来自不同制造商的不同n型和p型CZ硅晶片进行了研究。作为n型晶片，我们使用了磷掺杂的高质量磁性CZ(MCZ)硅，厚度为30...

发布时间: 2021 - 10 - 22

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砷化镓晶片的湿式化学蚀刻

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言外延片或所谓的外延片是一种通过外延生长生产的材料，商业上可用于许多不同的电子应用。外延晶片可以由单一材料(单晶晶片)和/或多种材料(异质晶片)制成。可用作衬底的“外延”晶片的选择有限，例如硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟、铝、磷或砷。在这一点上，作为我们研究的重点，GaAs晶圆是一个很好的候选，它可以成为二极管等各种技术器件中最常见的衬底之一。衬底表面对实现高性能红外器件和高质量薄膜层起着重要作用。GaAs (211)硼晶片被广泛用于红外探测器应用。尽管市场上很容易找到“成品”晶圆，但由于其制造工艺，大多数晶圆都存在缺陷和污染。晶片上的缺陷和污染可能对薄膜生长和探测器应用产生有害影响。在本研究中，为了解湿化学清洗工艺对GaAs晶圆的影响，进行了基湿化学蚀刻。在这些处理之后，通过原子力显微镜和扫描电子显微镜研究了GaAs晶片的表面。材料和方法湿化学刻蚀：湿化学蚀刻是清洁表面最重要的方法之一，在此过程中可以使用各种酸和蚀刻剂。为了在晶片上应用湿化学程序，用切片机将晶片切成片，通常为1 × 1 cm2。湿化学蚀刻过程包括三个步骤:脱脂、化学处理和干燥。脱脂步骤包括在晶片上实施丙酮(C3...

发布时间: 2021 - 10 - 20

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用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4，w (97%-H2SO4) HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物对晶体硅表面的整体反应性：略硫酸浓度对二氧化氮+和N(III)物种蚀刻速率和形成的影响：图5显示了硅蚀刻速率、硫酸浓度与氢氟酸和硝酸混合物每溶解硅量产生的亚硝酸盐离子量之间的相关性。N(III)物种通过增加硫酸浓度来稳定。在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中，大量的含氮化合物，如硝酸、NO3−、二氧化氮、NOx+和NO，使N(III)物种的反应性研究复杂化。最近研究的HF-NOHSO4-H2SO4蚀刻混合物是合适的模型蚀刻系统，因为N(V)和N(IV)物种是先验不存在的。对于这些混合物，我们发现亚硝基离子浓度的增加会导致硅蚀刻速率的增加。根据这些结果，大量的N(III)物质加速了HF-HNO3-H2o和HF-HNO3-H2so4混合物中的反应速率。用hf-hno3基混合物蚀刻硅后，得到了N(III)种类。...

发布时间: 2021 - 10 - 22

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刷洗清洗过程中的颗粒去除机理

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言随着集成电路结构尺寸的缩小，颗粒对器件成品率的影响变得越来越重要。为了确保高器件产量，在半导体制造过程中，必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷子洗涤器是用于实现这种控制的工具之一，并且它们已经成为当今晶片清洁应用的主要工具之一。本文重点研究了纳米颗粒刷洗涤器清洗过程中的颗粒去除机理并研究了从氮化物基质中去除平均尺寸为34nm的透明二氧化硅颗粒的方法。在洗涤器清洗后，检查晶片上颗粒径向表面浓度的均匀性，然后分析了加工时间对颗粒去除的影响。基于滚动和提升去除机理，建立了一些初始模型来描述洗涤后颗粒径向表面浓度的变化。通过这样做，确定了在不同洗涤条件下洗涤的去除机理。最后，本文提出了关于粒子去除机理的一些实验证据。实验晶圆的控制污染采用浸没式污染程序，然后进行过度冲洗和马兰戈尼干燥。颗粒为34±6nm二氧化硅澄清浆液颗粒，衬底为氮化硅。使用前，在自动湿式工作台中使用O3-last IMEC清洁器清洁晶片。污染后，颗粒表面浓度为1.6 × 1010 #/cm2，相当于16%的表面积被颗粒覆盖。通过根据晶片的颗粒表面浓度与晶片添加的薄雾之间的比例来...

发布时间: 2021 - 10 - 20

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湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言在许多集成电路制造步骤中，化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上，它能够实现更好的表面光滑度控制，这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中，光刻抗蚀剂图案保护底层材料免受蚀刻。因此，必须：1）保证光刻胶粘附，防止图案被蚀刻；2）防止蚀刻剂渗透到光致抗蚀剂/材料界面。为了避免后一种现象，了解蚀刻剂是否穿透光刻胶以及其扩散速率是至关重要的。蚀刻垂直渗透的界面修饰已经在之前的工作中得到了证明。我们在这里重点关注蚀刻剂的扩散动力学测定。首先，研究了不同晶在248nm光刻胶堆中的扩散行为。在第二部分中，对光刻聚合物进行了结构分析，以评估聚合物密度等参数对蚀刻剂渗透的影响。实验本研究中使用的光刻胶层是一个聚合物双层：一个可开发的底部抗反射涂层(dBARC)和一个248nm深紫外光刻胶，涂在300mm硅晶片上。在进行抗蚀剂涂层之前，对硅晶片进行HMDS处理。红外光谱数据使用BrukerIFS55设备在多重内反射模式下获得。使用Ge棱镜。用于渗透研究的液体是去离子水和标准清洁1（SC1：氢氧化铵/过氧化氢/水）溶液。实验均是在室温下进行。结果和讨论为了评价这种新...

发布时间: 2021 - 10 - 20

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不同KOH和异丙醇浓度溶液中Si面蚀刻各向异性的研究

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言氢氧化钾溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和减少三维硅结构的凸角底切。异丙醇降低了氢氧化钾溶液的表面张力，改变了硅的蚀刻各向异性，显著降低了(110)和(hh1)面的蚀刻速率，并在较小程度上降低了(100)和(h11)面的蚀刻速率。为了在低氢氧化钾浓度下获得低粗糙度的(100)表面，蚀刻溶液必须含有饱和水平的异丙醇。在我们的研究中，我们研究了异丙醇浓度对具有不同晶体取向的硅衬底的蚀刻速率和表面形态的影响。还研究了氢氧化钾浓度对(hkl)面蚀刻速率的影响。为了更好地理解蚀刻过程中在硅表面上发生的现象，还进行了蚀刻溶液的表面张力测量。最后，给出了在硅(100)晶片上制作的(hkl)侧壁面包围结构的例子。实验细节实验中使用了不同(hkl)取向的单晶硅片。没有研究具有(111)取向的晶片，因为该平面在所有碱性溶液中的蚀刻速率非常低。因此，我们假设(111)蚀刻速率等于零。晶片在含有不同浓度异丙醇的3-10 M氢氧化钾水溶液中蚀刻。含有过量醇的溶液使得单独的醇层漂浮在溶液表面上，然后被认为是饱和的(与醇浓度低于饱和水平的溶液相反，其然后被认为是非饱和的)。蚀刻过程在75℃的恒温玻璃容器中进行60分钟。采用210转/分的机械搅...

发布时间: 2021 - 10 - 21

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氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言氮化镓因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而，GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。氮化铝和氮化镓之间的化学相容性和晶格/热膨胀匹配使得块状氮化铝单晶可能适合氮化镓外延生长。此外，高热导率(340W/m·K)和高电阻率使AlN成为大功率器件的理想选择。。AlN具有极性纤锌矿结构，由紧密间隔的六边形层组成，在沿c轴堆叠在一起的阳离子(Al3+)和阴离子(N3-)层之间交替。因此，基面可以是正极性的或负极性的。氮化铝的极性对于控制外延氮化镓薄膜中的杂质掺入和压电效应非常重要。本文报道了用不同升华生长方法制备的氮化铝单晶的刻蚀研究。实验我们研究了几种生长在不同熔炉和坩埚材料中的晶体。样品A是使用涂有NbC的石墨坩埚在石墨加热元件炉中生长的棱柱形针状；样品B是与普通石墨坩埚在同一炉中生长的六边形小板；样品C在微波加热炉中生长；样品D在带有钨坩埚的钨加热元件炉中生长。样品A、B和C采用自播种机制，而样品D是直接生长在6H-碳化硅(硅面)衬底上的厚氮化铝薄膜。蚀刻前，所有样品都用盐酸清洗十分钟，以去除表面的任何杂质。为了估算单晶的合适蚀刻时间，我们通过测量蚀刻引起的质量和尺寸变化，计...

发布时间: 2021 - 10 - 19

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