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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言与硅器件、电路和系统相关的研究和制造通常依赖于硅晶片的湿化学蚀刻。深度蚀刻和微加工、成型和清洗需要使用液体溶液溶解硅。此外,湿化学通常用于单晶硅材料中的缺陷描绘。本文综述了工程师们使用的典型湿化学配方。尽可能多的来源已被用来提出一个蚀刻剂和工艺的简明清单。 晶圆清洗通常使用一系列化学物质来清洗硅晶片。该序列首先由RCA实验室开发,因此通常被称为RCA过程。这种化学顺序不会侵蚀硅材料,而是选择性地去除残留在晶片表面的有机和无机污染物。以下是典型的RCA流程;在整个工业中,对顺序和化学比例的排序有许多变化。一般清洗:一般清洗是通过使用硫酸和过氧化氢的混合物来完成的。混合这些化学物质是危险的,会产生极高的热量。这种工业标准的清洗去除了晶片上的有机和无机污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·颗粒去除:在5∶1∶1的去离子水∶氢氧化铵∶过氧化氢混合物中的兆频超声波清洗(约70 ℃)将从晶片上去除二氧化硅和硅颗粒,以及去除某些有机和金属表面污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·氧化物去除:在1:20的HF:DI水中浸泡15-60秒将去除晶片表面的自然氧化物层和氧化物中的任何污染物。HF极其危险,必须小心处理。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。&#...
发布时间: 2022 - 03 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文主要阐述在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性,这种预涂处理还改变了,使得与未经表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更加各向同性;轮廓中都具有正锥度方向,但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属,不经平面化,生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。 介绍光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而,公开文献中关于砷化镓的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。此外,GaAs的表面很难控制,可能对看似微小的工艺条件很敏感,例如用水冲洗晶片的时间长度。据我们所知,只有一篇参考文献引用了在GaAs上使用预涂自然氧化物蚀刻来提高粘附性。该参考研究表明,基于水滴接触角实验,预涂处理是有前途的,并且在光致抗蚀剂显影步骤之后验证了粘附性。没有参考文献引用在湿法蚀刻过程中使用预涂处理进行粘合也不影响对湿法蚀刻轮廓的观察效果,这通常归因于蚀刻剂的GaAs晶体结构...
发布时间: 2022 - 03 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的,但是在剥离过程中,材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题,以及最终去除其上沉积有材料的抗蚀剂掩模。 基本原理图124显示了过程se-中的基本差异,通过蚀刻构造薄膜时的顺序(左栏-umn)和提升关闭(右栏)。对于蚀刻工艺,光致抗蚀剂处理是在先前施加的涂层上进行的,而在剥离工艺中,涂层被施加到现有的涂层上光刻胶结构。随后的实际剥离去除了抗蚀剂结构和沉积的材料同时通过抗蚀剂掩模的开口直接施加到衬底上的材料根据需要保留在那里。如图所示,用于抗蚀剂处理的光掩模必须倒置或交替使用当在蚀刻和剥离工艺之间改变时,光刻胶的正性和负性处理。 图124 通过蚀刻工艺(左)和剥离工艺(右)构造(例如金属)层的基本工艺顺序 与蚀刻工艺相比的优点和缺点只有当阻止了抗蚀剂侧壁的涂覆时,剥离过程才实现可再现的限定结构,这在各向同性溅射工艺中是不可能的。对于诸如金或氮化硅的一些材料,由于施加到其上的抗蚀剂掩模的粘附性差,湿法化学蚀刻是有问题的,因此干法蚀刻或剥离是合理的替代方案。如果所需的化学物质不能用于例如工作,则湿法化学蚀刻工艺不适用安全原因。如果由于涂覆过程及其持续时间而对衬底有很高的加热,剥离过程是关键的...
发布时间: 2022 - 03 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度,对高功率电子器件也很有吸引力。然而,由于普通材料的活化能较大,已经证明在GaN膜中实现高p型导电性非常困难。这导致GaN N-p-n异质结双极晶体管(HBTs)中的基极电阻过大。在本文中,我们解决了基极电阻的来源,并提供了这个问题的实验和理论解决方案。 介绍基极接触电阻由于半导体的大功函数以及低的受主电离效率,难以实现与p-GaN的低电阻欧姆接触。通常获得10-3ω-cm2范围内的特定接触电阻。最近,提出了一种新型的金属-半导体接触,即所谓的极化增强接触。这一概念基于薄GaN基合金中存在的由极化效应产生的大内部电场。在这种接触中,极化感应电场增强了典型隧道接触中空间电荷区的电场,导致空穴的隧穿距离更短,接触电阻降低。图1示意性地示出了这种效果。 图1 a)传统金属/ p型半导体接触和b)极化增强接触的能带图我们考虑生长在AlGaN层上的GaN薄层的情况,其中GaN具有内部极化效应产生的电场。假设金属和GaN层之间有一个三角形势垒,接触电阻可以用解析方法计算,参数为GaN层厚度d、金属-半导体势垒高度φB和内部电场强度e。图2显示了最小GaN层厚度与产生特定接...
发布时间: 2022 - 03 - 19
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扫码添加微信,获取更多把半导体相关资料引言本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性,这种预涂处理还改变了GaAs,使得与未经表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更加各向同性;轮廓在都具有正锥度方向,但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属,不经平面化,生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。 介绍光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而,公开文献中关于砷化镓的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。我们的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺改变,首先,我们从Clariant AZ4330光刻胶切换到Shipley SPR220-3。我们已经发现,后一种抗蚀剂具有更好的旋转均匀性和分辨率,但是其对GaAs的粘附力略次于AZ4330。其次,我们将湿蚀刻从基于手动浸没的工艺转移到SSEC 3300喷雾蚀刻系统。虽然有可能产生更好的蚀刻均匀性和可重复性,但是喷雾蚀刻系统可能是对光致抗蚀剂粘附力...
发布时间: 2022 - 03 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料溶液中颗粒和晶片表面之间发生的基本相互作用是范德华力(分子相互作用)和静电力(双电层的相互作用)。近年来,与符合上述两种作用的溶液中的晶片表面上的颗粒粘附机制相关的研究蓬勃发展,并为阐明颗粒粘附机制做了大量工作。大多数物质在与溶液接触时,会获得表面电荷,胶体化学中就是这么说的。据认为,这种电荷是由固体表面电离、离子吸附到固体表面和离子溶解引起的。溶液中的带电固体表面影响界面周围区域的离子分布;与带电固体表面符号相反的离子被拉向界面,而符号相同的离子被迫离开界面。这样,在溶液中的带          电界面形成双电层,并随后影响与晶片表面相关的颗粒吸附和去除。接下来,将简要说明ζ电势。如果一个固体浸入溶液中时,在固-液界面上存在双电层。图10.1显示了一个固体—液体界面的结构模型,它是基于斯特恩的理论,适用于带正电荷的表面。在这个双电层中,在几乎是固体的部分,有一个吸收相反离子的斯特恩层。此外,扩散层存在于其外部。船尾层外侧存在一个滑移面。这个滑移面的电势称为ζ电势。滑移面位于液体中的某处,而不是正好在固-液相边界。ζ电势用于解释颗粒对晶片表面的粘附和去除。图10.2显示了溶液中颗粒和晶片表面的示意图。例如,由于吸收H”离子,推测两个表面都带正电。在...
发布时间: 2022 - 03 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻速度快,而各向同性蚀刻(如HF)会向所有方向侵蚀。使用KOH工艺是因为其在制造中的可重复性和均匀性,同时保持了较低的生产成本。异丙醇(IPA)经常添加到溶液中,以改变从{110}壁到{100}壁的选择性,并提高表面光滑度。氧化物和氮化物在KOH中都蚀刻缓慢。氧化物可以在KOH蚀刻浴中用作短时间的蚀刻掩模。对于更长的时间,氮化物是更好的掩模,因为它在KOH中蚀刻得更慢。另一种选择(对许多其他功能有用)是用硼掺杂晶片。这也将降低蚀刻速率,实际上停止富硼硅的蚀刻。当KOH浓度在80℃时达到18wt%时,蚀刻速率随着KOH浓度的增加而增加。当KOH浓度增加超过18wt%时,蚀刻速率降低。蚀刻过程中发生的化学反应就是这种变化的结果。这将在后面更深入地讨论。然而,通常不使用最大蚀刻速率的浓度,因为表面光滑度随着浓度的增加而提高(明显高于30%)。其中浓度以摩尔/升为单位,k0 = 413米/分钟*(摩尔/升)-4.25,EA = 0.595电子伏。KOH的密度和分子量分别为2.055克/立方厘米和56.11克/摩尔,水的密度和分子量分别为1.00克/立方厘米和1...
发布时间: 2022 - 03 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅集成电路(IC)的制造需要500-600个工艺步骤,这取决于器件的具体类型。在将完整的晶片切割成单个芯片之前,大多数步骤都是作为单元工艺来执行的。大约30%的步骤是清洁操作,这表明了清洁和表面处理的重要性。硅电路的器件性能、可靠性和产品产量受到以下因素的严重影响晶片或器件表面上的化学污染物和颗粒杂质。由于半导体表面的极端敏感性和器件特征的纳米尺寸,因此在热处理如氧化之前、通过蚀刻形成图案之后、离子注入之后以及膜沉积之前和之后清洗硅晶片的有效技术是至关重要的。因此,在硅片中制备超净已经成为制造先进集成电路的关键技术之一。人们可能会问必须除去的杂质的性质、类型和来源。晶片表面上的污染物以吸附的离子和元素、薄膜、离散颗粒、微粒(颗粒团)和吸附的气体的形式存在。表面污染物薄膜和颗粒可分为分子化合物、离子材料和原子种类。分子化合物主要是来自润滑剂、油脂、光刻胶、溶剂残留物的浓缩有机蒸汽的颗粒或薄膜,来自去离子水、指纹或塑料储存容器的有机化合物以及无机化合物。离子材料包含主要来自无机化学物质的阳离子和阴离子,这些化学物质可以是物理吸附的或化学键合的(化学吸附的),例如钠、氟和氯的离子。原子或元素物质包括金属,例如铜和重金属,它们可以从含氢氟酸(HF)的溶液中电化学电镀在半导体表面上,或者它们可以由硅颗粒、灰尘、纤维或来自设备的金属碎片组成。颗粒可能来源...
发布时间: 2022 - 03 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍随着超大规模集成电路器件制造过程中封装密度的增加。可接受的金属 污染水平的要求变得更加严格。因为痕量的金属杂质影响电子器件的 性能;所以需要高度精确的分析技术。VPD制剂已经与几种不同的痕量元素分析技术相结合,例如 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、47原子吸收光谱法(AAS)和全反射 X射线荧为了分析大块硅晶片中的金属杂质,使用蚀刻或大块分解样品制备 。15, 16整个晶片表面被蚀刻至一定深度,或者硅样品被酸分解。然后是 分解的硅和酸通过在热的盘子。通过分析仪器測量去除基质后残留的金属杂质。这些方法的 结果,例如VPD制备、蚀刻或整体分解,显示为整个晶片表面或整 体的平均值。然而,在器件或晶片制造过程中,金属杂质不会均匀 地污染晶片。 程序晶片被放置在主板和盖板之间。将采样管放在特定位置的孔 中进行分析。将100微升蚀刻溶液滴到被采样管包围的晶片 表面上° —根真空管连接在采样管的孔中。通过真空泵排出 反应气体,并通过在晶片下点亮红外线灯来干燥蚀刻溶液。在干燥蚀刻溶液后,移除盖板和真空管。 结果和讨论局部蚀刻条件的优化蚀刻溶液被固定为HF和HN。的混合物:在半导体工业中,它已经被用作硅的蚀 刻溶液很昧时间孑。蚀刻溶液的体枳被限制在10暗升注以避免蚀刻反应过程 中化学物质的任何泄漏,以及当使用大体积时去除溶液...
发布时间: 2022 - 03 - 17
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅水清洗是集成电路制造过程中最常用的处理步骤。这一过总旨在去除几种不同类型的污染物,其中包括颗粒、金属和有机物。然而,据估计,集成电路制造中超过50%的产量损失是由清洗后残留在硅晶片表面上的污染物造成的。本文的目的是记录在硅晶片表面上使用改进的超高纯度化学物质的效果,该效果通过全反射x射线荧光测量,TXRF。在这项研究中。用标准等级的化学物质和超高纯度的化学物质清洗硅样品,然后用TXRF测量金属杂质。发现超高纯度化学物质的使用大大减少了清洗后存在于棉卷表面的表面污染物的量。 介绍自20世纪50年代以来,硅片清洗一直是半导体器件制造中不可或缺的一部分,事实上,它是集成电路制造过程中最常用的加工步骤。晶片清洗的目的是在不降低其结构的情况下从硅表面去除污染物。不能低估充分清洁的重要性,因为已知残留在衬底表面上的污染物会降低器件性能、可靠性和产量。据估计,集成电路制造中超过50%的产量损失是由微分层造成的晶片清洗将继续是器件制造中的重要工艺步骤,尤其是当器件几何尺寸接近亚半微米尺寸时。残留在半导体表面上的污染物会在随后的加工过程中造成各种不利影响,这取决于杂质的性质。颗粒会造成各种加工操作的阻塞或掩蔽,例如在蚀刻或光刻过程中。薄膜生长或沉积过程中出现的颗粒会导致针孔和微孔,如果颗粒足够大且具有导电性,则会导致导线之间发生射击。在器件加工的几...
发布时间: 2022 - 03 - 16
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