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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料许多晶圆清洗技术都在竞争高效太阳能电池处理的使用,本文在清洁效率和作为工业预扩散清洁的适用性方面进行了实验比较,为了证明所讨论的预扩散清洗的适用性和阈值的有效性,根据前期实验,取代了制造太阳能电池前体的POR清洗程序。在所有清洗程序中,稀释的氟化氢使用的浓度为2%,POR中稀释的氯化氢浓度工业清洗为3%,浸泡时间为5分钟,在80°C下,SPM(硫酸过氧化氢混合物)中的浸泡时间为10分钟,整个POR过程需要45分钟。对于氟化氢/臭氧浴,使用的氟化氢浓度低于0.5%,使用臭氧发生器产生臭氧,并通过臭氧接触膜溶解在HF水溶液中,臭氧浓度通过光度测量确定为16至20 g/Sm³,赛力斯碳浴由一个纤维素碳和0.2份过氧化氢以及6份去离子水组成,将浴液加热至50°C,浸泡时间为5分钟。    图2不同工序的清洗效率如图所示2,显示清洗前后的金属表面浓度,不同元素的定量极限在1E10~3E10原子/cm2的范围内有所不同,晶片表面为铜和铁(线锯切过程中的残留物),所有的清洗都显著降低了这些浓度,而工业清洗序列(HCl+HF)留下的最高铜值,两种先进的清洗序列达到与POR相似的低水平。为了检查在大规模生产时是否仍然如此,运行了一个清洗浴的浓缩模拟,在这个模拟中,假设清洗直接发生在初始碱性蚀刻步骤之后和第...
发布时间: 2022 - 03 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关知识本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。通过采用研磨和离子研磨的方法制备了横截面透射电镜样品,反射率测量是使用基于光纤,光学排列进行的,利用日立S-4800扫描电子显微镜(SEM)、200keVJEOL2010F透射电子显微镜(TEM)和表面成像系统公司的原子力显微镜(AFM)对其表面结构进行了研究。 图2图2显示了在75°C下不同浓度氢氧化钾泥浆切割晶片的厚度减少和表面反射率随蚀刻时间的变化,氢氧化钾浓度在20-30%左右的蚀刻率最大。另外反射率的最初下降是由于微裂纹的开口,这增强了表面的纹理。图3是在75°C下不同浓度氢氧化钾下FAS切割晶片的厚度减少和表面反射率随蚀刻时间的关系,FAS切割晶片的蚀刻速率显示出与浆液切割晶片相同的行为,由于表面上不存在微裂纹,因此表面反射率的初始降低并不那么明显。 图3通过比较浆料切割晶片和FAS切割晶片的厚度减少情况,FAS切割晶片在初始时间为5-10分钟内的蚀刻率较低,这在另外图中得到了阐明,其中绘制了当氢氧化钾浓度分别为30%和47%时,浆液和FAS切割晶片的厚度减少图,对于超过大约...
发布时间: 2022 - 03 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本研究采用电导率和pH传感器监测不同加工条件下氢氧化钾的浓度。研究了各种添加剂以及硅酸盐积累对pH和电导率的影响,结果表明,浴寿命可以延长和稳定的过程。在几种酸和碱的电导率与浓度的关系中,可以了解到电导率随浓度的增加而增加,直到达到最大值,当溶液足够浓缩时,解的程度会减慢,任何浓度的任何进一步增加都会导致溶液中离子的相互作用,从而导致电导率的降低。应该注意的是,在光伏行业中使用的浓度并没有达到这个最大值,因此,电导率可以用来以相当准确的方式检测化学浓度。而且酸和碱的解离也有助于测量溶液的pH值,通过考虑氢离子(H+)的浓度,可以测量水溶液的pH值,这是使用标准的pH探头和仪表来完成。对于碱性溶液(pH7),溶液中H-+离子的减少,pH随着浓度的增加而增加。为了测试控制方法,在全自动GAMA™晶圆蚀刻和清洗系统上进行了实验,浓度的测量是使用位于工艺罐的再循环回路内的内联电导率和NIR(近红外)传感器进行的,在90ºC的一个由添加剂组成的容器中,一次生产30-50个硅晶片,调整前(即预前)以保持一致的蚀刻速率,并获得晶片的完整纹理化,并将研究结果与已建立的理论模型进行了比较。 图3图3和图4显示了不同添加剂、氢氧化钾浓度和温度的实验(DOE)设计结果;图3中的数据显示,当不采用温度补偿时,电导率随温度的升高而增大,这是意料之中的,...
发布时间: 2022 - 03 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料硅片表面的金属污染物可能对其上制造的半导体器件造成不可逆的损伤,铜也不例外,它将减少少数载波寿命,减少DRAM的刷新时间,增加反向偏置结泄漏电流,这会导致栅氧化物漏电流增加,并降低栅氧化物的击穿电压,随着设备尺寸的缩小,这个阈值在未来可能会降低。为了实现栅极氧化物完整性(GOI),通过斜坡电压试验确定缺陷密度,与时间相关的介电击穿是对设备保持运行时间长度的衡量标准,因此是可靠性的衡量标准,虽然使用了不同类型的晶圆,不同的引入铜污染的方法,以及不同的GOI指标,铜的植入、背面铜污染、化学浸渍污染和旋转污染都被用于在门氧化之前或之后引入已知数量的铜,有时氧化物缺陷密度(D),有时平均氧化物击穿场(Ebd)被报道为铜对GOI影响的测量方法,缺陷密度的含义在所有来源中并不一致,因为用于确定击穿的阈值在8MV/cm和12MV/cm之间变化,平均击穿场的含义在所有源中都不是均匀的,因为已经使用了不同的电容器区域来确定它们。从图中可以看出,铜浓度有一个阈值,低于这个阈值,铜对平均击穿场没有可检测到的影响,如果铜浓度超过这个阈值,平均击穿场开始下降。一般来说,氧化物越薄,它下降得越快,这意味着保持加工条件尤其重要,以便在氧化物厚度较小时不超过允许的铜浓度,因为100种薄氧化物对产率的影响会更大,如果通过植入引入高剂量的铜,平均击穿场也会迅速降低,这可能是因为高剂...
发布时间: 2022 - 03 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料晶体管的整体质量是金属氧化物半导体的主要问题之一,本文主要研究栅氧化层,在金属氧化物半导体晶体管中,包括对其质量的全面讨论,为了充分理解影响回顾了栅氧化层的晶体管结构,观察其性能的操作取决于其栅极氧化物的质量。MOS晶体管是通过半导体分层过程产生的电压控制电流源。下面的图1显示了NMOS和PMOS设备的简化版本以及相应的电路表示,在结构上,晶体管由n型或p型(分别掺杂磷或硼)的大块硅衬底组成,连接方式为B,生长栅极氧化物绝缘层以将连接G的多晶硅栅极与基底材料隔离,最后将n或p型硅的两个植入区域分别创建源区和漏区,连接S和D。 图1晶体管工作的基本原理非常简单,NMOS正电压应用到门,这开始画少数载体,即电子,门基板接口,施加到漏极的正电压(源极接地)将电子从源极扫描到漏极,产生电流,这是金属氧化物半导体工作中感兴趣的基本电流。下面的图2说明了这一点。 图2图2是处于饱和状态下的MOS(典型的使用区域),在这种情况下,漏极电位总是高于或等于栅极电位,从图中我们可以看到,ID首先呈指数增长,然后是平方增长,正是在这个过渡点上,晶体管被认为是“开”的。此时的栅极电压被认为是阈值电压VT,可以清楚地看到栅极氧化物绝缘性质的重要性。理论上,通过氧化物的电位从基板中吸引载流子,在源极和漏极之间创建一个传导路径,而没有电流流入栅极,然而,在...
发布时间: 2022 - 03 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了兆频超声波输入功率、溶液化学、浴温和浸泡时间的影响,在高兆频超声波输入功率和中高温下进行的充分稀释的化学反应被证明对小颗粒再利用非常有效,浴组成数据显示,当在中等温度(例如45℃)下使用高纯度化学品时,可以获得延长的寿命,过渡金属表面浓度和表面粗糙度已经在稀释的SC-1处理后进行了测量,并与传统SC-1处理后的金属污染进行了比较。在低功率下,清洗效率随温度的升高而迅速变化,但在高功率下,清洗效率与温度无关,在确定的实验空间内,化学比对粒子去除只有中等的影响(见下图),验证性实验是在实验空间内进行的,这样之前的运行就不会被重复。实验工作表明,大量稀释的SC-1化学物质可能会非常有效地去除亚于0.15_m的颗粒,此外还注意到清洁效率是氢氧化铵与过氧化氢比值的函数,由于化学比例影响清洗效率,有必要确定在稀释的化学浴中可以保持高清洗效率的寿命,用1:10:130(NI-HOH:H20_:H20)SC-I进行实验,至45°C,浴缸在温度下保持了7个小时,在此期间,对污染了硝化硅的晶片进行了清洗和测量,以提高颗粒去除效率。使用稀释化学清洗腐蚀剂已被证明等于或优于标准化学清洗,由于用水量是湿台拥有成本的重要一部分,因此比较稀释清洁剂的冲洗时间与标准化化学的对比是很有趣的,将完整的晶片浸入SC-I溶解液中,并在级溢出浴中冲洗,记录了不同清洁溶...
发布时间: 2022 - 03 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了新兴的全化学晶片清洗技术,研究它们提供更低的水和化学消耗的能力,提供了每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益和考虑因素、环境、安全和健康(ESH)效益和考虑因素、技术状态和供应商信息的可用信息。将晶片暴露于少量(约1克)无水三氧化硫气体中,然后自动转移到一个单独的室中,在那里用去离子水冲洗并甩干(见图1),三氧化硫室的条件要求温度通常低于100°C,且环境干燥,光致抗蚀剂在暴露于三氧化硫期间没有被去除,而是被化学改性,一旦磺化,抗蚀剂可溶于水,并在去离子水冲洗过程中被去除,该工具目前是单晶片单元,但可以扩展到批处理工具配置。 图1三氧化硫技术将两个清洗步骤/工具合二为一,取代了灰化器和用于灰化后残留物清洗的湿工作台,一种工具的好处包括在大多数剥离应用中完全消除了等离子体,剥离离子注入光刻胶后减少了污染,减少了占地面积,降低了维护,减少了周期时间,并降低了成本。工艺开发的重点是可以集成到集群工具中的单晶片旋转处理器,晶片被安装在晶片旋转器的卡盘上,并被加速到预定的转速(1000到4000转/分),蚀刻化学物质被分配到旋转晶片的表面上大约1-3分钟,工艺温度为45至55℃,过程pH值接近中性,所以旋转蚀刻循环之后是短暂的去离子水旋转冲洗和旋干循环。在下午0点35分和0点18分为150毫米晶圆准备了150毫米晶圆的氧化后蚀...
发布时间: 2022 - 02 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了用于研究硅基板各向异性湿法蚀刻后微悬臂梁取向与微桥取向相关性的实验结果。在二氧化硅微悬臂梁或微桥的制造过程中,在二氧化硅薄膜下的硅衬底的各向异性湿式蚀刻创造了独立的结构。用于这些实验的二氧化硅微悬臂梁是在具有(100)取向的n型(硼掺杂)sc硅晶片上制备的,硅晶片经过镜面抛光,电阻率值在5~3Ωcm之间,在以水蒸汽饱和的氧环境下,在硅衬底上生长了约1微米的热氧化物,该氧化硅的生长温度为1115°C,设计的结构使用标准的光刻技术绘制图案,二氧化硅中的开口使用缓冲氧化物蚀刻法进行蚀刻。悬臂梁图案与(100)Si衬底上的主晶片平面排列,即沿着该方向排列。研究了两种类型的悬臂梁和微桥方向:一种平行于质片平面或对准方向,另一种方向是距质片晶片平面45°。设计的悬臂梁和微桥的尺寸宽度分别为25、50或100微米,长度分别为100、200、300或500微米。蚀刻过程采用了两种在MEMS处理中最常用的碱性溶液,两种溶液都保存在高温高温玻璃容器中,蚀刻温度为80°C(温度稳定±0.5°C)中。容器用盖子上的螺丝密封,其中包括一个自来水冷却冷凝器,以减少蚀刻过程中的蒸发,在蚀刻过程中,晶圆被固定在磁力搅拌棒上方的水平位置的特氟隆支架中,将溶液在700rpm下进行电磁搅拌。蚀刻过程后,将蚀刻晶片从溶液中取出...
发布时间: 2022 - 02 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文的目的不仅是识别新的可以通过完全湿法去除多层材料的湿式清洗材料,而且还可以发现产生更少颗粒(缺陷)且不造成介电材料损失的单一晶圆工具工艺。下图说明了在多层堆栈上重工BARC和抗蚀材料的一些潜在方法。虽然可以有多种返工过程可供选择,但本文将重点关注硅材料和PR加硅材料的返工,以及在一个单独的步骤中对通过填充材料的返工。尽管有些去除器适用于相关的BARC或PR材料,但它们必须进一步测试更严格的加工要求(时间和温度)、返工后的缺陷水平以及对各种基底材料的敏感性,研究了相同的去除器与各种基底材料的兼容性,每种去除剂中这些不同材料的相容性在60ºC下测试了20分钟。虽然在单个晶圆工具上的筛选研究和实验都证明,去除剂可以完全去除关于膜厚度损失的硅材料,但不能发现一个产生低缺陷的过程,虽然去除剂的配方被证明与几种不同的衬底材料兼容,但它发现它可以攻击局部区域的硅,这种去除剂需要进一步使用替代基板进行测试,如低k或超低k介质,在确定被测试的酸性基去除器只会去除硅材料并可能攻击硅基底后,决定继续测试碱性基去除器,以查看它们在单个晶圆工具类型过程和替代去除过程中的去除效率,并运行设置的晶片,以确定硅材料返工的最佳两种温度和时间,温度和时间是通过观察厚度损失和总缺陷计数来确定的。下图显示了在50ºC和60ºC使用残留3对硅材料返工的总...
发布时间: 2022 - 02 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了一种非离子表面活性剂对CMP清洗后颗粒去除的影响。根据改变非离子表面活性剂的浓度,在12英寸的铜图案晶片上进行了一系列的实验,以确定最佳的清洗结果。并讨论了该表面活性剂对缺陷还原和颗粒去除的影响。此外还讨论了一种非离子表面活性剂的负面影响。CMP工艺是在应用材料300毫米反射LK工具上进行的,该工具设计为三步铜CMP工艺,因此,采用三步抛光方案:第一步是去除大块铜,获得初始平面表面;第二步是去除残留的铜,停止在屏障层上;第三步是清洁阻挡金属和部分介质。所有的晶圆都用相同的铜和屏障泥抛光,随后在同一台机器上进行了cmp后的清洗过程:首先用超电子学清洗抛光晶片,然后在PVA电刷盒1和盒2中清洗晶片,最后将晶片在IPA蒸汽干燥器中吹干。当整个过程完成后,使用检测工具(KLATencor)和SEMVisionTMG4缺陷分析平台(应用材料)来确定清洗性能。所有实验均采用12英寸铜图案晶片进行。图1(a)为图案铜晶片的示意图,图1(b)为CMP工艺后晶片表面部分残留物的模型。图2(a)显示了在没有非离子表面活性剂的情况下,用清洁剂A处理图案晶片单一缺陷图,这张图上有8064个缺陷,缺陷包括BTA、颗粒、胶体硅磨料和有机污染等方面,其尺寸大于0.2微米,然后随机选择100个区域点来确定缺陷到底是什么,我们观察到,超过一半的缺陷是胶体硅磨料和有机颗粒...
发布时间: 2022 - 02 - 26
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