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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料通过对异种半导体结(异质结)的能带结构进行最佳设计,实现了高频、高输出电子装置、发光、受光元件等各种各样的功能装置。由于晶体生长上的制约,结晶结构、对称性相同,由晶格常数更接近的半导体材料构成。如果能够在没有这些制约的情况下形成异质结的话,设计上的自由度就会扩大,期待实现超越现状的高性能装置。作为打破晶体生长技术界限的技术,异种材料接合(粘接)受到关注,实现了晶体生长中难以实现的异质接合。 在电荷中性点模型中, 比带隙内的电荷中性点更低能量的界面能级, 俘获电子时为中性, 没有俘获电子时为正电荷(施主式俘获),根据电荷中性点和界面的费米能级的上下关系,界面上会产生正或者负电荷。在p型半导体之间的接合中,通常,界面上的费米能级处于比电荷中性点低的位置,因此界面上存在正电荷。其结果,在接合界面附近形成了耗尽层(负的空间电荷)即对空穴的势垒,产生界面电阻(图3(a))。另一方面,在n型半导体之间的接合中,界面上存在负电荷。其结果,在接合界面附近形成了耗尽层(正的空间电荷)即对电子的势垒。因此,与p型半导体之间的接合相同,会产生界面电阻(图3(b))。 室温下的I―V特性的热处理温度依赖性如图4(a)和4(b)所示。I―V特性随着热处理发生了很大的变化。这个结果意味着在接合界面上形成了势垒势垒,其高度随着热处理发生了显著的变化,在电荷...
发布时间: 2021 - 12 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言我们设计了一个带有真空负载锁定的单晶片炉,以克服批量生产和单晶片实时处理系统的缺点。本文详细描述了热源的设计概念和热行为,讨论了热源配置的理论计算结果。描述了在升温和降温期间的晶片温度表征结果以及使用热源的典型工艺结果,讨论了200毫米直径硅片在表面等离子体处理过程中的缺陷产生现象和消除缺陷的方法,通过工艺参数优化,获得了无滑移的RTP工艺结果。为了简单起见,假设每个加热元件的温度是相同的,图1(a)和1(b)显示了距离具有三种不同直径(1、5和10毫米)的加热元件,加热元件的数量和间距分别固定在11和30毫米。 图1在图1(a)的插图中,随着加热元件直径的增加,归一化视角的变化变小,绝对视角变大,具有更大直径和/或更大加热元件密度的加热元件增加了热源表面积和从观察平面的视角,随着表面积的增加,通过辐射交换相同热量所需的加热元件温度变低。为了在热源和晶片中获得最小的温度变化,需要平面热源,随着观察点远离加热元件阵列的中心,归一化和绝对视角减小。它们也随着加热元件和平面之间距离的增加而减少,这表明,当辐射热传递占主导地位时,具有均匀温度的有限热源不能在晶片上提供温度均匀性。加热元件的配置对热源以及晶片的温度均匀性起着重要作用,线性或圆形阵列的加热元件被广泛用作热处理设备中的热源,例如熔炉和RTP系统。为了在晶片上获得合理的温度均匀性,...
发布时间: 2021 - 12 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料两步半导体电镀工艺将铜沉积到涂覆有半贵金属的晶片上,沉积方式在晶片上是均匀的,并且在后电填充退火后没有空隙。种子层电镀浴使用独特的脉冲波形在非常薄的薄膜中以高密度均匀一致地使铜成核,然后,在第二浴填充特征之前,对晶片进行退火。种子层退火提高了半贵金属与铜界面的粘附性和稳定性,并且在后填充退火之后,所得的铜界面保持无空隙。本发明总体上涉及用于在晶片上沉积铜的方法和设备,更具体地说,涉及用于在半导体晶片上电镀铜种子层的方法和设备。它对于在镶嵌和双镶嵌集成电路制造方法中电镀铜特别有用,通过提供一种两步半导体电镀工艺来满足这些需求,在涂有半贵金属的晶片上形成非常薄且共形的铜种子膜。共形铜种子层的导电性足以用均匀且无空隙的大块铜对沟槽和通孔进行大块铜电填充。在本文中使用各种术语来描述半导体加工工作表面、“晶片和”衬底物可互换使用。通过电化学反应将金属沉积或镀在导电表面上的过程通常称为电镀或电填充。散装电填充是指电镀相对大量的铜,以填充沟槽和沟孔。 除了使用新的扩散屏障材料外,铜种子层的工艺也必须进行改变,以克服PVD种子层的局限性。铜籽层的基本要求是连续的侧壁覆盖,在功能的顶部有足够的开口尺寸,以便在电镀过程中自下而上填充,以及与屏障的良好粘附性。 首先,讨论了一般的铜电镀硬件和专业领域,以为本发明的进一步细节提供背景。如图所示1,表示...
发布时间: 2021 - 12 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文讲述通过设计、制造和测试了一种高功率硅多芯片白LEDPKG。该封装由铝层涂层反射杯、微孔硅基和微透镜组成。与最传统的单片LEDPKG相比,多片白LEDPKG在成本、密度、尺寸、热阻和光效率方面具有诸多优点。经过数值分析,采用简单的MEMS技术制备了9mmX9mm、0.65mm尺寸的硅基多芯片LEDPKG。基于多芯片发光二极管封装,实现了晶圆级制造和封装技术。它不仅可以解决传统装结构的问题,而且可以极大地提高发光二极管封装的光学性能。然而,对半导体制造工艺的大量研究,硅基发光二极管封装具有阵列封装可扩展、热阻小、可批量生产、成本低等优点。在这项研究中,新的硅基多芯片封装进行了研究,并制作了厚度为0.65的9mm×9mm封装阵列,确定了优化的芯片间距。本文的目的是实现了优化高效的白色LED封装,通常绿色芯片的亮度要低于蓝色和红色芯片。所以2个绿色芯片排列在一个空腔中。铝的视觉波长反射率较好(参考值超过80%)。涂在反射面上,但由于铜与硅相比具有优越的热特性,因此铜热沟位于所有芯片的下方。图1为基于硅制造技术的多片片白色LED封装示意图。在图2中,当透镜为内切圆和周圆形状时,光学损失分别发生了(a)和(b)的平均面积。对于内切圆(a),其空腔与透镜之间的填充系数必须低于矩形透镜,无论腔长度和透镜直径如何,其填充系数始终为0.785。包...
发布时间: 2021 - 12 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言键合能在晶片键合过程中起着重要的作用,并研究了键能的温度依赖性,以了解各种玻璃在硅/玻璃界面上的物理/化学相互作用。一些主要的玻璃属性,如表面粗糙度、杨氏模量、应变点、CTE和玻璃成分,已被评估为与成键能相关,虽然其他属性已被证明对粘合能不显著,但已经发现了与玻璃表面粗糙度、玻璃的应变点和玻璃中的碱性含量有显著的相关性。 实验用6英寸的硅和玻璃晶片制作粘合对进行测量,硅晶片均为优质(100)p型和单侧抛光,一些玻璃晶圆经过抛光,而康宁1737玻璃、鹰XG玻璃和玉玻璃没有抛光,因为它们最初是由康宁专利的融合绘制工艺由薄片形成的,然后编织成晶片。在每两个退火过程之间,重新测量粘合能,直到刀片在测量过程中打破玻璃。用稀释的HF清洗硅片以去除天然氧化物,去离子臭氧水去除有机物,用稀释的NH4OH/ H2O2混合物去除金属污染物,用稀释的NH4OH/ H2O2混合物和去离子臭氧水清洗玻璃晶片,一旦晶片被清洗,就遵循晶片粘合过程,形成粘合对,粘接过程是在一个受控的环境下,即100级洁净室设施下,在室温下进行的。硅粘合到玻璃上后,粘合对加载到一个定制的大气阳极粘结器上,而不是热板。粘结器由顶部和底部的加热板组成,在退火过程中,两个板都以中等的力接触粘合对,这足以保持对。因此,在成键对之间的温度分布非常均匀,温度坡道非常稳定和可...
发布时间: 2021 - 12 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层,利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构,用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔,超声波蚀刻所导致的质量的提高可归因于氢气泡和其他蚀刻的化学物质从多孔硅柱表面逃逸率的增加。这种效应是由于自由孔载流子浓度的有效变化所致。超声波显示,这可能导致了键合结构的改变和氧化作用的增加,并建立了超声处理与微观结构之间的相关性。在本研究中,我们报道了在超声波处理的作用下,通过无静电蚀刻技术在各种晶片上生长的多孔硅层的结构性能。我们进行了系统的实验,以确定它们对多孔硅形成的影响。AFM(原子力显微镜)和FTIR测量已用于样品的后续分析。 实验化学蚀刻采用p型取向硅,分别在(HF:硝酸:水)中(1:1:2)制备多孔硅层,采用超声增强(频率22kHz,US功率30W或50W)化学蚀刻溶液,刻蚀时间为20min。用原子力显微镜(AFM)JEOLJSM-IC25S研究了PS的纳米结构,采用双光束Perkin-Elmer850光谱仪测量了PS层的透射率FTIR光谱。结果表明,30W和50W的超声功率使p型硅的加氢量和氧化量均显著增加。 结果利用30至50W的不同美国激发,通过(HF和硝酸)溶液制备了多孔硅多孔层,超声增强蚀刻工艺使蚀刻剂与硅片之间的反应比横向(各向异...
发布时间: 2021 - 12 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言基于无机发光二极管(LED)的显示器被认为是下一代显示器技术中最有前途的一种,用于LED显示器的芯片与目前用于一般照明的芯片具有类似的功能,但其尺寸已缩小到200微米以下。因此,微型化的LED芯片继承了传统LED芯片高效、寿命长的优点。本文介绍了两种无机LED显示器。芯片尺寸在100到200µm之间的微型led已经商业化,用于消费电子应用中的背光光源。所实现的局部挖掘可以在相对较低的能耗下大大提高对比度比。芯片尺寸小于100µm的微led仍留在实验室中,在相对成熟的微型Led显示技术中,预计微型Led显示技术仍处于第一个商业化品种。 迷你LED高动态范围(HDR)是下一代显示器的重要特性之一。 为了实现对比度高于100000:1的HDR,同时需要显示系统的高峰值亮度和出色的暗态,使得微LED难以实现快速商业化。因此,实现液晶显示器多区域局部调光的一种折中方法是直下式微型发光二极管背光。 Mini-LED技术的LED尺寸小得多,这意味着它可以在一定尺寸的LED背光中划分更多的调光块。首先,建立了一个带有直下式微型发光二极管背光的液晶显示系统模型进行仿真,背光单元由方形微型发光二极管阵列组成,利用漫射板来加宽空间和角度分布,并且应用液晶面板来控制输出光。为了验证模型,用四种模式模拟模型的动态响应,模拟结果与参考文献的...
发布时间: 2021 - 12 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料随着led尺寸的减小,应用程序从照明器过渡到显示器。微LED和迷你LED显示器的应用:1、迷你LEDBLU+液晶显示器2、迷你led显示器,无缝拼接,超大尺寸显示器3、通过传质、粘接、质量修复,实现高分辨率移动显示;微型LED和迷你LEDEPI和芯片工艺:1、受蚀刻影响时,将引入侧壁缺陷。当LED的尺寸减小时,侧壁缺陷的比例会增加,EQE值会显著下降。2、EQE峰偏移到高电流密度,不利于低电流驱动;3、晶片波长产率与OLED相比,蓝色微LED的EQE明显优于OLED,但LED的亮度过高,不利于显示。 微LED和迷你LED的AM像素驱动电路,与OLED相比,蓝色微LED的EQE明显优于OLED,但LED的亮度过高,不利于显示:1.高EQE区域的亮度过高,需要PWM驱动;2。目前在高EQE区域的需求较高,像素电路需要更大的区域,这不利于高分辨率显示;3。在低灰度下,EQE过低,功率过高,PWM设计存在闪烁问题;4。红外下降和功率降低。颜色纯度和色域:1、FWHM会影响颜色的纯度,2、不同电流下的波长发生变化,引起色差。BOE微LED和迷你LED的研发:在背板技术的基础上,积极推广微迷你LED技术和产品开发。BOE迷你LED背光技术是基于低成本的玻璃,高亮度,高分区,全尺寸或更少的拼接,和高传输效率。BOE微型背光覆盖全尺寸显示产品,包括汽车...
发布时间: 2021 - 12 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本研究发现,当在空气下照射单晶硅片时,在扫描区域附近产生焊接沉积,用XPS方法分析了扫描区域附近微焊接沉积的化学元素组成,发现其由一种二氧化硅组成。将辐照晶片浸泡在氟化氢中,去除扫描区域附近的沉积部分,得到宽度小于4μm的尖锐凹槽。本研究中使用的皮秒UV激光可以对硅进行微细加工,但是,由于伴随加工的加热、熔化、蒸发等现象,自由的微细加工很困难。本研究的目的是通过实际对硅晶圆进行激光加工,通过AFM观察加工表面以及通过XPS进行元素分析,阐明加工机构,使高精度的槽加工成为可能。 实验使用的激光的最大输出功率为4W,频率为80MHz,脉冲宽度为15ps,波长为355nm.图1显示了光学系统的配置。 图1      在图1的平台上放置面方位(100)的硅晶圆,如图2所示,向起点照射激光,一边腾出20μm的宽度,一边扫描数条长度为3000μm的线。另外,通过激光照射,使用AFM,XPS分析了形状和表面元素组成的变化等。加工条件为能量0.15 mJ/cm2,扫描速度3000μm/s。图3(a)的白色部分为激光照射痕迹。(b)为线段AB的剖面图。由此可知,在AFM的观察图像中,激光扫描痕迹比照射前最大隆起约800nm。图4表示的是用XPS对激光隆起的部分进行元素分析的光谱。纵轴是一秒内通过的电子数,横轴是...
发布时间: 2021 - 12 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料一般的光致抗蚀剂有各种各样的报告,但是与现在在第一线使用的光致抗蚀剂相比,还没有开发出特别优秀的光致抗蚀剂。另一方面,从使用方面来看,光致抗蚀剂的条件越来越严格。要得到满足所有这些条件的光致抗蚀剂是很困难的,在现状下,根据目的进行细节的改良并使用。光致抗蚀剂的种类、应用面有很多,下面就最近用于半导体·集成电路制作的光致抗蚀剂的化学性质及其周边进行解说。半导体·集成电路以超高频晶体管、高密度、超高密度存储器为首,应用光刻法制作的工序也变得复杂化。首先,作为基本的掩模制作变得困难,为了制作硬掩模,对光致抗蚀剂的条件当然也很严格。另外,晶圆工序中使用的光致抗蚀剂为了提高解像力,也要制作薄膜。 对于不产生漏孔、解像力、断片的提高、粘着力、显影性等,要求更加优越,要求更加具体和严格的条件。除了以上的技术方面以外,石油产品的价格上涨还波及到光致抗蚀剂、其附属品、光伏工艺上的辅助材料的成本上升,除了这个的吸收对策以外,公害、防灾等的对策,或者IC自由化对策和周围都在朝着困难的方向发展,今后才是真正的关键时刻,我们也希望在光致抗蚀剂材料及其周围,虽然是微薄的力量,但也能起到一定的作用。由于醌叠氮化物正型光致抗蚀剂可以容易地获得高分辨率,因此它将作为获得精细图案的有力手段被广泛使用。然而,在引入晶片工艺时,必须注意以下几点:在微细图案的蚀刻中,...
发布时间: 2021 - 12 - 04
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