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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文涉及一种晶片干洗系统,更详细地说,涉及一种能够提高对晶片的干燥效率的马兰戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系统。马兰戈尼型干燥剂系统,可以提高晶片的干燥效率。 上述干燥剂系统将低表面张力的异丙醇蒸气喷射到晶片的表面,使存在于上述晶片表面的去离子水干燥,干洗系统配备充有去离子水的壳体及充有异丙醇的液罐,壳体内内置晶片,所述液罐设有产生异丙醇蒸气的泡泡器,壳体的上部安装有内置第一散流器的引擎盖,所以壳体的两侧部分别安装有第二和第三散流器。 第一至第三散流器收纳所述异丙醇蒸气,分别向晶片的上部及两侧部喷射,异丙醇蒸气由来自氮源的套利性氮气传递到所述第一至第三间杂波,异丙醇蒸气由上述第一至第三散流器向晶片的上部及两侧部喷射,从而提高了对晶片的干燥效率。为了提高半导体元件的质量,必须通过清洗工艺,由于上述脱离子水具有溶解硅的性质,必须完全干燥晶片,以避免在清洗工艺后形成脱离子水中的水斑(WATER SPOT)。为了提高对上述晶片的干燥效率,近年来采用了利用马兰戈尼效应(MARANGONI)EFFECT)的干燥方法, 马兰戈尼干燥方法是在一个液区存在两个不同表面张力区的情况下,利用液从表面张力小的区域向表面张力大的区域流动的原理对晶片进行干燥。 图1 显示以往晶片干燥用马兰戈尼型干燥剂系统结构的概略图如图1中所城市的那样,以往...
发布时间: 2021 - 12 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言石墨烯与通常应用于标准光刻过程中的聚合物的高亲和力,并且不可避免地会改变石墨烯的电学性质,通过拉曼光谱和电输运研究,我们将石墨烯器件的室温载流子迁移率与石墨烯中有序域的大小联系起来。我们还发现这些有序结构域的大小受到光刻后清洗过程的高度影响。最后表明,通过使用聚(二甲基戊二酰亚胺)(PMGI)作为保护层,提高了CVD石墨烯器件的产量。相反,与传统生产方法制造的器件相比,它们的电学性能会恶化。在高质量石墨烯的几种合成方法中,化学气相沉积(CVD)是大规模生产最常用的方法之一。然而,石墨烯基器件大规模生产的挑战是基于石墨烯的电子工业全面发展的巨大障碍。这是由于难以避免石墨烯的结构降解和化学污染。因此,在本研究中,我们利用拉曼光谱和电输运技术进行了研究。 实验我们在300纳米厚的二氧化硅层上使用了CVD石墨烯,石墨烯器件是在场效应晶体管结构(GFET)中通过两个光刻步骤生产出来的(图1)。第一步用于定义石墨烯器件的几何形状,第二步用于制造电极。在第一个光刻步骤中,石墨烯上涂有一层1340nm厚的光刻胶(图1a),然后,通过直接激光书写光刻技术(图1b)来定义器件的几何形状,然后在AZ351B(1:4)显影剂中开发暴露的光刻胶,图1c。在这一发展之后,多余的石墨烯用o2等离子体去除石墨烯(图1d)。最后,我们使用不同的协议去除光刻胶层(图1...
发布时间: 2021 - 12 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文提出了使用软垫抛光(第二步去离子水抛光)和机械刷清洗工艺中的颗粒去除模型,并将其与一次抛光对氧化晶片表面的平均颗粒粘附力进行了比较。流体流动引起的水动力太小,无法单独去除浆液颗粒,颗粒很可能通过垫或刷子接触力和水动力阻力一起从表面去除。这一结论与实验观察结果相一致,将对去除力进行估计和补偿。 颗粒去除机制需要评估由于流体流动而引起的粗糙度和晶圆之间的颗粒上的水动力,因为它们有助于在清洗过程中去除颗粒,在缓冲或刷子清洗中,除了对颗粒施加水动力外,由于表面能高的软聚合物材料与变形有关,因此大部分是弹性的,JKR粘附模型可用于预测粗糙度变形,其中,r为粒子与衬垫之间的接触半径,接触面积的尺度可以与粒子相比较,这意味着与粒子与晶片之间的粘附力相比可能非常大。f为粒子与粗糙度之间的摩擦系数,当精密强度横扫设备特性时,在一次抛光中证明了该力的强度。在过度抛光过程中,会导致大氧化物面积的严重边缘圆形和小特征的严重侵蚀。因此,这种摩擦力可能在粒子去除过程中发挥重要作用。如果颗粒的粘附力大于颗粒的粘附力,则将从表面去除颗粒。然而,一旦颗粒深入晶片,颗粒粘附力较大,均匀粘附力就很难将其从晶片上拉出来。对于CMP的清洗过程(如图 1)所示,由于粒子和晶圆接触半径与粒子半径相比小,a/1.4R将远远小于k。粒子比滑动或提升更容易脱离表面。在缓冲步骤中,...
发布时间: 2021 - 12 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了防止金属和微粒子粘附到晶圆表面的表面活性剂添加药液、螯合剂添加药液、以及能够比以往的BHF更精确地蚀刻各种氧化膜的氟化物添加的低介电常数溶剂。半导体器件是在硅基板上全面形成金属和绝缘膜的薄膜,只蚀刻除去必要的部分,从而形成图案而制作的,要形成高质量的薄膜,基板的高清净化是非常重要的要点,另外,为了实现高集成化,薄膜的正确蚀刻除去是非常重要的要点。图1所示的接触孔底部的自然氧化膜通过湿法工艺去除的情况下,掺杂氧化膜和非掺杂氧化膜同时与蚀刻液混合就会暴露。 因此,正确控制各种氧化膜的蚀刻速率变得非常重要,通过使用相对介电常数低的溶剂代替一般作为BHF溶剂使用的水来抑制HF和HF2-的解离,其结果,介绍了只能够选择性地蚀刻掺杂氧化物膜的结果和能够使非掺杂氧化物膜和掺杂氧化物膜的蚀刻速率达到等速的结果。 图1 接触孔底部自然氧化膜的去除图2显示的是BHF中的NH、F浓度与BSG膜、热氧化膜(THOX)的蚀刻速率、以及被预测为蚀刻种类的HF、HF2浓度之间的关系。 虽然详细的蚀刻机理尚不清楚,但可以预测,掺杂了三价杂质B的BSG膜的蚀刻种类以HF为主体,仅有Si-o键的热氧化膜的蚀刻种类以HF2一为主体。 已知溶解离子性固体的液体的能力高度依赖于液体的相对介电常数,1价阳离子和阴离子间的吸力与相对介电常数成反比,上述缓冲氢氟酸的溶剂是水...
发布时间: 2021 - 12 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文介绍了一种用于去除颗粒的化学机械抛光清洗剂,该清洗剂由氟铝氧离子螯合剂和氟铝氧离子表面活性剂组成,通过改变刷子转速、刷子间隙和去离子水流量等参数,进行了一系列实验,以确定最佳清洗效果。原子力显微镜(AFM)测量用于表征铜表面的表面形态和磨粒的去除,用EDX扫描电子显微镜观察和分析了颗粒的形状和元素,获得了化学机械抛光清洗剂的最佳参数。在这些条件下,二氧化硅磨粒被有效去除,提出了刷式洗涤器清洗是CMP清洗剂中最有效的方法,具有较高的物理力清洗性能。 实验所有实验均采用300mm覆盖铜晶片切出的铜片(直径10.16mm),抛光过程采用CMP抛光器进行,工作压力为2psi,压头速度/压板速度为55/60rpm,浆液流量为150ml/min,抛光时间为10s,随后采用CMP清洁剂(G&P,412S)进行铜片处理,清洗液包括FA/OII螯合剂和FA/OI表面活性剂。清洗机在刷子上方有两个独立的喷雾棒,清洗液或DIW从喷雾棒流出,并通过刷子芯流出。 图1      如图所示1,晶片水平地位于刷子清洗盒中,喷雾棒在刷子的上方,清洗液或DIW从喷雾棒流出,并通过刷芯流出,将转速、清洗时间和电刷间隙作为这些实验的变量,刷状间隙定义为晶片表面与刷状结节之间的距离,间隙越小,对晶片的压力就越大,采用原子...
发布时间: 2021 - 12 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1,2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物硅在HF-HClCl2混合物中的扩散控制溶解过程通过改变流量形成各种形态 蚀刻混合物的速度[4,5]超声波辅助导致蚀刻的高速运动 晶片表面的混合物 参数影响      高浓度的高频导致抛光晶片表面纹理化,大量的盐酸氯气浓度需要提高晶片表面和蚀刻率,超声辅助表面的高流速有利于纹理化和增加蚀刻率超声辅助导致温度上升,因为能量输入高,温度升高降低了氯气在蚀刻混合物中的溶解度,降低了蚀刻率和反射率。  反射率测量      氯气注入高频-HCl溶液之前和蚀刻单晶硅片高蚀刻率高达0.45µmmin-1片分别浸入水平或25垂直蚀刻溶液超声波场从底部或两侧蚀刻槽反射率下降到6.3%。超声波场在撞击固体物体时减弱,形态从晶圆边缘到中间变化,因为相邻晶圆的声影在晶圆中间蚀刻多个晶片时反射率在薄片中恶化,之间距离较低,同时从底部用超声波场水平蚀刻,效果最好。  结果      HF-HCl-Cl2溶液允许各向异性蚀刻过程,产...
发布时间: 2021 - 12 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文研究了简单的化学清洗技术,易于在制造环境中使用,并使氮化镓表面无损伤。 描述了使用同步加速器辐射~SR,研究氮化镓的电子结构,经过湿式化学清洗序列后再加热的表面,通过使用在200-1000eV范围内的SR,我们监测了Ga、N、O和C的核心水平,表明在硫酸/过氧化氢处理后,一种弱结合的碳氧化物被化学吸附到氮化镓表面,并通过加热去除。 实验利用同步辐射对电子结构的近表面探测,来确定一个简单而有效的清洁处方,以去除氮化镓表面的碳和氧,利用光子能量范围为200~1000eV的单色同步加速器辐射进行光电发射电子能谱分析。用半球形能量分析仪对发射的光电子进行分析,其能量分辨率约为0.2eV。所有已知感兴趣的元素的核心水平强度~Ga、N、C和O!在探测氮化镓表面的最后几个单分子层时进行了测量。这种表面灵敏度是所使用的光子能量的短逃逸深度的直接结果,我们估计为一个或两个晶格单元单元。研究了清洗过程的化学性质、退火环境和退火过程的温度。纤锌岩氮化镓~0001,薄膜为p型~Mg掺杂53 1017 cm2 3 -1 3 1018 cm2 3,0.1mm厚,分子束外延生长在c轴蓝宝石基底上的AlN缓冲层上。通过优化III-V清洗中传统的硫酸化学方法,发现了清洗化学性质。湿化学处理为4:1硫酸~51%,到过氧化氢的~值为30%,氨纯度为99.9...
发布时间: 2021 - 12 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文研究了外延沉积前原位工艺清洗的效果,该过程包括使用溶解的臭氧来去除晶片表面的有机物,此外,该过程是在原位进行的,没有像传统上那样将晶圆从工艺转移到冲洗罐。结果表明,与不使用溶解臭氧作为表面处理的工艺相比,溶解臭氧显著提高了产率。另外还表明,稀释化学物质和原位高频/干燥是先进IC制造中成功沉积晶圆加工所需的关键因素。以下研究提供了证明在干燥机中一步稀释现场高频的数据和过程。 实验所有实验都是在Naura-Akrion的GAMATM自动湿站上进行的,该站能够执行多罐序列和单罐原位过程。在外延生长步骤之前,硅片在工具中进行处理,用于进行外延前清洗。裸硅晶片用虚拟氧化物晶片处理,交替或夹心,以模拟图案晶片的情况。为了抵消高水平的污染过程,采用了多种清洗技术,并与传统的多罐方法进行了比较。使用的材料是:配备GAMATM湿工作台的LuCIDTM干燥机(高频控制注射),KLA-Tencor表面扫描(≥0.12µm检查),低颗粒计数的裸硅晶片和热氧化物晶片。浓度和参数:100:1HF(23oC)、400:1dHF(23oC)、1:2:50dSC1(50oC和800W)、DIO3冲洗(23oC下~5-10ppm)。 结果与讨论典型的标准工艺是使用高温的h2预烘烤来分离晶片上的天然氧化物,以为外延层沉积准备表面。然而,需要较低的...
发布时间: 2021 - 12 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料从表面科学的角度和器件制造的角度来看,半导体基底的清洁是一个非常重要的方面。作为一种简单而低温的硅清洗方法,报告了一种高效、相对简单的Ge衬底清洗方法。最后,我们描述了一种高效、简单的Ge衬底清洗方法。光谱和微观证据表明,这种方法确实对后续的生长研究很有用。首先,晶片在运行的去离子水中清洗,并在HF中冲洗(I-IF:H,O以9:1的比例冲洗,然后再在自来水中进行清洗。将样品浸入H、O、(H、O*:H、O按9:1的比例)中10-15s,然后用自来水洗涤,制备一层薄薄的氧化物,将样品浸入相同的高频溶液中5-10s,从而蚀刻氧化层,这个过程重复3-5次,该程序确保了Ge的多个原子层的去除。以同样的方法将晶片浸入H、OZ(H、Oz:H、O的9:1比)中浸泡10-15s,制备最终的氧化物层,样品通过吹制N2气体进行干燥,并装入UHV腔室,所有的湿式清洗过程均在分析设备保存的同一洁净室内进行,样品在300°C下退火20-30min,并在约500°C下进一步退火15min。两步退火是用于必要的出气和随后的氧化层分解。 图1在图中1我们绘制了氧化的Ge(100)表面和退火后的HeIUPS光谱。如图1所示,O2p态在5.2eV左右表现出一个明显的峰,该峰的结合能与硅表面的氧化物的结合能不同,这种差异和与锗表面氧化过程相关的效应将在接下...
发布时间: 2021 - 12 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用,新的氧化物选择性模式,概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法,描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。 实验图1显示了本工作中使用的反应器的示意图;该反应器由一个惰性碳化硅反应室和两个装有适当溶液的加热汽化器组成,通过使受控量的氮气载气通过汽化器来输送蒸汽,该室没有被加热,并且处理压力保持在350托。为了进行电学表征,在掺硼多晶硅上制备了具有450纳米掺杂栅的LOCOS隔离MOSCAPs 5-10 Q-cm (100)取向的硅衬底,12纳米的栅氧化层是在900℃的干燥氧气环境中生长的,电容器既没有接受氧化后惰性环境,也没有接受金属化后形成气体退火。 结果与讨论通过气相高频氧化物蚀刻,可以实现孵育时间和不同模式的蚀刻选择性。硅的各种氧化物和氮化物的蚀刻速率列于表1。与高频水溶液一样,气相等效物对不同的硅氧化物表现出不同的蚀刻速率,从而产生了蚀刻选择性,蚀刻速率从热生长到沉积氧化物,从未掺杂到掺杂氧化物增加。虽然氮化硅的低蚀刻速率使其成为硅氧化物的合适蚀刻掩模,但需要注意的是,气相HF与水对应物一样,产生各向同性蚀刻。气相和水相高频之间有明显的区别。如表1所示,蚀刻发生的时间存在于蚀刻过程的开始,这种孵育时间与在晶片表面...
发布时间: 2021 - 12 - 11
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