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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言目前,193纳米光刻的K1远低于0.4,显著增加了整个光刻工艺的工艺复杂性和成本。ITRS要求32 nm和22 nm节点分别实现1.7 nm和1.2 nm的LWR (3s),剂量灵敏度为(5至15) mJ/cm2。为了理解剂量灵敏度、LWR和分辨率之间的权衡,需要使用模型EUV光致抗蚀剂系统研究潜像形成和显影图像的组合效应。以前对这种模型光致抗蚀剂聚合物中酸扩散的研究表明,去保护分布的空间范围随着剂量或酸浓度的增加而增加,但即使不使用碱猝灭剂2,3,它也能自限于光致抗蚀剂的未曝光区域。我们研究了PAG负载和显影剂强度对EUV图案保真度的影响。 实验 使用的模型光致抗蚀剂是聚(羟基苯乙烯-丙烯酸共叔丁酯)(P(HOSt-co-tBA))(数均相对摩尔质量(Mn) = 11,459 g/mol,多分散指数(PDI) = 1.83,含有49摩尔%的HOSt和51摩尔%的tBA(杜邦电子聚合物)。该模型光致抗蚀剂和显影剂溶液中不含其他添加剂,因此可以对PAG加载和显影剂强度的影响进行受控研究。当提到PAG载荷(或浓度)时,从这一点开始,它将被暗示为质量百分比。对于对比曲线表征,SEMATECH-North Albany抗蚀剂测试中心Exitech MET与相同的PAB和PEB一起用作模式研究。在所有晶片上的EUV曝光之后,立即在90℃下进行...
发布时间: 2021 - 12 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言氧化锌(ZnO) 压敏电阻, 电子照相感光剂 不仅仅是作为气体传感器等的电子陶瓷材料, 其C轴取向膜, 表面弹性波元件等1)的音响装置, 也可用于光波导等2)的光学器件。另外, 通过掺杂Al等3价元素,有望应用于透明导电膜。当薄膜作为半导体及透明电极材料使用时, 微细加工是必不可少的, 一般进行蚀刻。蚀刻有干法蚀刻3)和湿法蚀刻2种。干法蚀刻的方法是通过溅射进行物理蚀刻。 通过等离子中生成的激发活性物质进行化学蚀刻,这种蚀刻法是目前半导体加工的主流。 根据缺乏挥发性的物质的不同,也存在不可能进行蚀刻的情况。因此,在本报告中,我们注意到ZnO与乙酰丙酮的反应,尝试了用有机溶剂的蚀刻。另外,从蚀刻速度和温度的倒数中,可以求出蚀刻的活化能,由于活化能是绝对量,因此被认为是可以相互比较的ZnO膜的新的评价方法。另外,不仅可以用乙酰丙酮蚀刻可以在多方面利用的氧化锌膜,而且可以从蚀刻处理液中回收作为CVD用原料的乙酰丙酮锌,可以实现对地球环境友好的再循环。 实验ZnO膜的合成中,使用了不使用真空装置的开放型热CVD装置5)和R.F.磁控溅射装置(日电阿内尔瓦制造,SPF―332)。作为制作膜的评价,使用触针式表面粗糙度形状测量机(东京精密,Surfcom 550A)测量膜厚,求出膜的减量。另外,表面组织用扫描电子显微镜(JEOL; 通过JSM,...
发布时间: 2021 - 12 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言氧化锌具有宽带隙,提供电子由于是通过添加而显示出优良的电学及光学特性的物质,因此被广泛使用。由于可以比较容易地制备均匀性优良的薄膜,因此特别用于制作需要均质、大面积氧化锌薄膜的透明电极。最近,随着以VLSI为代表的半导体元件开发的急剧进步,以吸收低电压电子电路中的浪涌为目的的低电压用压敏电阻的开发迫在眉睫。在3-10V左右的低电压下,为了在电压和电流的关系中表现出较大的非线性,在使用以往使用的氧化锌粒子(10―20″m)时,需要制作出能够保持与该粒子大小大致相同厚度的烧成体。目前,正在尝试将使用刮刀法制作的生片进行多重积层化的方法,但由于电压―电流(VJ)特性中的非线性系数值较小,还存在许多技术问题。在本研究中,作为液相法制作氧化锌薄膜相关研究的一环,在含有锌和镨的溶液上浸涂基板,之后通过烧制,调制添加镨的氧化锌薄膜。特别是在本报告中,在详细叙述薄膜前驱体溶液的调制法的同时,将所得薄膜的结晶粒径及压敏电阻特性与液相沉淀法和固相法调制的试料进行了比较研究,现将其结果进行报告。 实验在调节前驱体溶液时,作为Zn源的醋酸锌二水和物(试剂特级)杏, 作为添加剂的Pr源,使用氧化镨(信越化学试剂特级)。 另外作为溶剂使用了特级乙醇。并且前驱体溶液的稳定化, 以及作为粘度调整的成膜助剂, 单乙醇胺, 使用烯醇胺及三乙醇胺(各Nakarai Te...
发布时间: 2021 - 12 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了LSI的小型·高性能化, 为了实现高精度的基板表面粗糙度,在制造工序中推进了微细且多层布线化。 要求使用粒径100 nm以下的纳米粒子的CMP(Chemical Mechanical Polishing)工程。 工艺后晶圆上残留纳米粒子,成为产生缺陷产品的原因抛光后的清洗之一是利用软PVA(Polyvinyl Alcohol)刷直接接触清洗晶圆。 通过具有内部孔和结构凹凸的刷子的机械旋转运动和供给的药液流动,附着在表面的纳米粒子从晶圆上脱离[3]。在清洗过程中,观察表面上的抛光纳米粒子的清洗现象。 阐明机制, 对于更有效的纳米粒子清洗是必不可少的。在本研究中使用渐逝光的PVA刷的氮化膜上的纳米二氧化硅粒子接触清洗现象的观察中,PVA刷与基板表面接触使粒子从表面脱离时,由于PVA刷的散射光明亮,所以很难观察与纳米二氧化硅粒子的相互行为。因此,在本稿中,通过使用与PVA刷不同波长的荧光特殊纳米二氧化硅粒子,识别蓝色散射光的PVA刷和红色荧光的纳米二氧化硅粒子,观察表面附近的接触清洗现象,因此进行报告。 实验图1显示了PVA刷的接触擦洗。通过向晶圆表面的PVA刷旋转接触和药液供给的并用,使附着在基板上的100 nm以下的二氧化硅研磨粒子脱离。由于该纳米尺度现象在距离表面数百nm的范围内高度发生,本研究中如图2所示,通过使用仅...
发布时间: 2021 - 12 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着对世界能源环境问题的关注增加,对可再生能源太阳能发电的期待也越来越高。 在停滞的世界经济中,太阳能电池相关产业备受关注。 作为太阳能电池的评价基准,不仅是制造成本,效率和可靠性(耐久性)也是重点。 综合判断,也有预测称,如果晶体基板的供给体制完备,晶体硅太阳能电池的优势不会轻易崩溃。 晶体硅系太阳能电池已经有很长的实绩,看起来在技术上已经完成,但是通过基板的薄膜化实现的低成本·省资源化、表面反射率降低以及p/n结形成法的改善带来的效率提高等改良现在也在稳步进行。 实验通过湿法工艺对太阳能电池用硅进行表面处理,并通过降低表面反射率来提高高效晶体硅太阳能电池的效率。 为了解决这样的问题,即在400-1100 nm波长范围内,原始硅平坦衬底的反射率非常高,平均约为40%,因此,由于反射而产生大的损失。 为了解决在应用于太阳能电池时的工艺成本问题,尽管可以通过施加折射率不同的多层膜涂层(例如光学部件)来降低反射率。 在这种情况下,采用了在硅表面上施加粗糙形状并施加单层涂层(例如氮化硅膜和二氧化钛膜)的技术。 采用凹凸结构的面,具有光限制效果,称为纹理面。 在单晶硅的情况下,由于(111)面是化学稳定的,因此通过利用该面容易通过化学处理暴露的事实来获得纹理面。 具体地,通过将(100)面的硅晶片浸入碱性液体中,形成由(111)面...
发布时间: 2021 - 12 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言作为光学部件的镜头,由于其光学特性,有各种各样的硝种,被认为是不可能用水清洗的,同时,由于其量产化的计划,无论如何都必须自动化,与大型照相机制造商共同研究,试制了光学镜头的超声波自动清洗装置,才确立了量产化。之后,镜头的自动清洗装置大量销售,并且通过清洗系统的改良、机构的简化、洗涤剂的开发、振动器的改良等,一直延续到现在。 实验就像光学透镜一样, 液晶玻璃, 磁盘, 磁磁头 光掩膜等表面抛光的零部件的清洗, 已经有人说,如果不使用超声波清洗,就无法得到清洁面。当然, 超声波清洗不是全部,与其他清洗方法的组合,洗涤剂的选择,清洗系统的构成,干燥系统的构成等都是重要的因素,不要忘记。在原理上被认为是理所当然的。使用单一共振频率的振子强制制造驻波, 相反,我们需要做的是, 如何使安装有振动器的面有效地进行活塞运动。当然, 洗涤物, 如果进行机械性的摇摆运动,就会横穿气蚀发生区, 反而可以期待同样的洗净效果。因此,与以往的使用空化的洗涤的想法不同。像这样,超声波洗涤有各种系统的组合方法,如果频率、振动器输入等不设定适当的值,洗涤物就无法洗涤,反而会造成损伤,因此必须十分注意这些系统的选定。因此,本公司一旦有洗涤委托,就会请教其前工序,即附着了什么样的污物,经过什么样的工序附着了污物,根据这些来决定洗涤系统。然后,进行实验,判断洗涤结果,进入...
发布时间: 2021 - 11 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言作为半导体器件和MEMS微加工技术基础的光刻技术中,显影和清洗等湿法工艺是必不可少的。在本稿中,介绍了能够定量评价超临界CO2处理对微细光刻胶图案―基板间的粘接强度带来的影响的、用于微小结构材料的粘接强度试验法。 并且,实际利用该试验法,测量在不同的超临界CO2处理条件下制作的微细光刻胶图案的粘附强度,通过超临界处理条件提高粘附强度的定量性证明了这一点。  实验该微细加工技术还应用于Micro―electro―mechanical system(MEMS)器件的微机械元件的制造。 MEMS器件是指在基板上集成由数~数百微米尺寸的部件构成的微机械元件和电子电路。 图1显示的是一般的半导体·MEMS微加工技术的示意图。 图1左图是作为半导体器件制造基础的二维微细加工技术,利用光刻法,在通过旋涂等在基板上薄薄涂布的感光性光刻胶膜上,利用紫外线、电子束等对微细图案进行曝光、显影,从而在基板上用高分子光刻胶薄膜制作超微细图案的技术。 通过利用该微细抗蚀剂图案作为掩模对基板上的薄膜进行蚀刻,或者利用该微细抗蚀剂图案作为模具进行气相沉积、电镀等,在基板上制作高密度集成电路。在MEMS器件中,通过组合该二维光刻法和三维微加工双方的微细加工技术并反复实施,同时进行超微细电子电路和微小机械要素的制造、组装。如前项所述,由于急剧的高集成化,光刻...
发布时间: 2021 - 11 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,由于用于经济和社会活动的信息量急剧增加,特别是对信息电子设备的高性能和小型化的强烈要求,为了实现这些要求,开发了制造半导体元件的各种技术。 其技术趋势,主要可以梳理为“大口径化”和“精细化”。 也就是说,通过使元件的结构更精细来提高集成度,从而实现小型化和高性能,并且通过扩大作为主要材料的硅晶片的直径来实现有效的生产。  实验在作为一种化学气相沉积(CVD)方法的硅外延薄膜的生长中,由于使用气流,因此可以通过将表面化学反应与质量守恒方程、动量守恒方程、能量守恒方程、化学物种守恒方程和理想气体状态方程相关联来进行数值计算,从而预测生长速率和膜厚分布。通过将气体入口的详细形状包括在计算中,可以预测膜厚分布的精细特征(谷)的形成。 在生长中,通过使用膦气体和二硼氧化物气体将磷和硼混合到薄膜中来调节电阻率,并且如果掺杂剂的浓度被认为是一种组成,则可以通过确定掺杂剂的沉积速率与总沉积速率的比率来预测掺杂剂的浓度,同时考虑主原料气体和掺杂剂气体之间的表面化学反应的竞争。由于通过使用生长装置的具体结构计算传输现象和化学反应,可以在实际水平上预测外延生长速度,因此可以在预测最终结果的同时设计生长装置。 如果在有机分子粘附的情况下形成氧化膜,则氧化膜的绝缘性降低,并且当想要限制电子时,电子泄漏。 为了...
发布时间: 2021 - 11 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了阐明半导体制造业中用于冲洗和干燥过程的马兰戈尼干燥过程中硅片上液滴干燥行为的机理,利用CCD相机研究了液滴在有机气体溶解过程中的干燥时间。用微光学浓度传感器测量了液滴中有机成分的浓度。此外,还分析了由相平衡得到的评价干燥时间和浓度的数值方法。两者在质量上都很一致。最后,通过数值分析,提出了降低水印、有机和水浓度的指南。 实验      如图1所示,通过这样做,在晶圆和纯水的界面上形成的弯月面尖端的薄膜部分,有机物成分浓度比其根部部分高,使薄膜部分的表面张力更低。结果,在弯月面的根部部分之间产生表面张力梯度,通过Marangoni力将弯月面吸引到根部部分,即促进排水。      在本研究中,在马兰戈尼干燥方面, 在明确晶圆上残留的液膜、液滴的干燥机理的同时,通过它以得到降低水印的指针为目的。为此,本论文进行了以下的讨论。液滴的IPA浓度和干燥时间,由于实际的干燥是在室温下进行的,所以即使除去温度的影响,干燥气氛气体的IPA浓度和水蒸气浓度(相对湿度)也是密切相关的。在此,首先,通过模拟晶圆上残留液滴的干燥的实验装置,通过CCD摄像机的观察和独自的浓度测量探针,分别明确了气氛气体的IPA浓度和水蒸气浓度(相对湿度)对干燥时间的影响,...
发布时间: 2021 - 11 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在作为半导体光刻原版的光掩模中,近年来,与半导体晶圆一样,图案的微细化正在发展。 在半导体光刻中,通常使用1/4~1/5的缩小投影曝光,因此光掩模上的图案线宽是晶圆上线宽的4~5倍,虽然要求分辨率比半导体工艺宽松,但近年来,从边缘粗糙度、轮廓形状等角度来看,干蚀刻已成为主流。      半导体用光掩模是对在合成石英基板上成膜的铬、氧化铬、氮化铬等铬系薄膜进行图案化的掩模,特别是在尖端光刻用掩模中,现状是从硝酸铈系的湿蚀刻剂加工,基本完成了向氯、氧系混合气体的等离子蚀刻加工的转移。 实验      关于半导体光刻技术,在移位掩模技术中,多采用大小中最小间距的半数,在世代或技术节点上进行讨论。 到目前为止,为了实现更精细的技术节点,主要是通过光刻的短波长化来应对,但近年来,图案的精细化正在以超过短波长化的速度发展。       如表1所示,从180nm技术节点开始,晶圆上的解像线宽变得低于曝光波长,在今天的90nm技术节点中,变得不到一半有吗? 另外,关于预定于2007年开始量产的65nm技术节点,也在继续开发193nm波长下的曝光,现状是要求形成波长1/3的线宽。 图2   ...
发布时间: 2021 - 11 - 30
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