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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具,为此,我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型,通过与实验蚀刻速率数据的比较,实现了模型验证。此外,该模型通过改变总流量、压力、等离子体功率、氧流量和输运管直径来确定CDE系统的可运行特性,蚀刻速率和不均匀性与各种输入和计算参数的相关性突出了系统压力、流量和原子氟浓度对系统性能的重要性。我们组装了一个化学反应流模型,以包括每个CDE组分中重要的化学和物理现象(图1),即等离子体源、输送管、淋浴器头、工艺室,CDE模型从一个组件到下一个组件连续地跟踪气体流动,每个组件模型的输出作为下一个模型的输入,该模型在每个组分中都包含了重要的物理和化学苯元素,中间结果包括等离子体源施加器的侵蚀率和通过输送管和工艺室的气相浓度。 图1对蚀刻速率和不均匀性的测量结果验证了完整的CDE模型,表面化学被包括用来解释表面蚀刻剂和带电物种的损失,在源区,采用化学轰击和离子轰击的石英蚀刻,以及表面重组和电荷交换,通过淋浴头和工艺床的流动在化学上比通过等离子体源和输送管更简单。等离子体功率沉积是电子能量方程的一个源项,它导致了等离子体中的电离和解离水平。气体温度是由对外部环境的热损失和从中性的第三体化学重组中获得的。我们预测了物种通过运输管的变化,包括带电物种浓度随距离的变化,输运...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序中,使共有旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转,通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后,晶片的平坦度,因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动,实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板的配置为基础,旋转圆板和静止圆板交替配置等。 图1 晶片蚀刻工艺概念图作为分析对象的流场,设想了实际的蚀刻工程。如图2所示,蚀刻溶液从水槽的下部供给,从水槽的上部溢出流出,由于旋转圆板和静止圆板配置了极多张,因此圆板间的流动在圆板的旋转轴(Z轴)方向上是周期性的,如图2左侧所示,将1张旋转圆板夹在2张静止圆板之间的区域作为数值分析的对象。 图2对于旋转圆板,假设为8英寸晶圆,半径R=0.1m(直径D=0.2m),该旋转圆板的旋转角速度为O=4.21 rad/s(=0.670 rps)。图3中显示了XY平面的代表性网格分割的例子。另一方面,圆板轴方向的网格分割,在预备计算的结果的基础上,将圆板间隔进行20分割,由此可以充分评价圆板上形成的边界层。图中在旋转圆板和静止圆板的半径相同的情况下(R=0.1m),旋转圆板和静止圆板之间的配置间...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言晶体具有压电性,并且由于其优异的弹性特性,在工业中广泛应用,特别是在振动器中, 关于其加工方法的研究,虽然进行了部分研究,但系统的研究并不多见,本研究报告了这种情况,以及在未来的工业中可能需要的湿法蚀刻加工方法,主要报告了以AT板为中心的湿法蚀刻加工方法。 蚀刻各向异性蚀刻包括各向同性蚀刻和各向异性蚀刻,各向同性蚀刻在所有方向上以相同的速度进行蚀刻,各向异性蚀刻在特定方向上选择性地进行蚀刻。为了解决各向异性蚀刻的问题,因为每个晶面具有不同的蚀刻速率,所以蚀刻速率高度依赖于晶体方向。这被认为与蚀刻方向有关,例如晶体的反应方向和蚀刻颗粒的运动方向。在晶体的情况下,与Si相比,其各向异性非常大。 蚀刻截面形状的预测通过在AT切割晶体板的表面上溅射金属来形成掩模图案,并且考虑蚀刻时的横截面形状,由于蚀刻的速度根据晶面的角度而不同,因此通过根据角度的各种蚀刻获得横截面形状。 (图1)由于其截面形状是预测的,因此本研究实际观察了截面,并将其形状与预测的形状进行了比较。 图1 蚀刻截面形状晶体刻蚀量的控制 对100μm的晶体晶片进行湿法蚀刻,在这种情况下,通过蚀刻剂(氟化铵水溶液)的浓度和蚀刻时间来控制蚀刻后剩余的晶体的厚度(参见图2)。实验工程的概要如下所示:①清洗基板(晶体AT板); ②通过溅射将Cr、Au粘附到...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在实际的研究中,硅表面的微粗糙度直接影响MOS器件的电性能,因此,控制硅表面的微粗糙度是非常重要的,据报道,p-MOSFET在Si(110)表面的电流驱动性远大于在Si(100)表面的,我们评估了清洗过程中使用的超纯水对硅(110)表面的微粗糙度有影响。 实验该晶片采用p型Cz双面抛光晶片,电阻率为8-12Ωcm,对所有晶片进行化学清洗,用稀释的高频进行蚀刻处理,用溶解氧浓度为 结果与讨论图1显示了在超纯水中,8.4ppm的氧溶解24小时的Si(100)、Si(110)和Si(111)表面释放的(a)表面微粗糙度和(b)量。图2显示了在超纯水中,8.4ppm的氧溶解24小时的Si(100)、Si(110)和Si(111)表面的AFM图像。溶解8.4ppm氧气的超纯水与空气中的超纯水相同。硅(111)表面非常稳定,表面微粗糙度的增加和溶解的硅原子的数量都很小。硅(100)表面也是稳定的。然而,硅(110)表面的表面微粗糙度变得非常大,从硅(110)表面释放的溶解硅原子量大约是硅(100)表面释放的3倍。 图1 图2图3显示(a)表面微粗糙度和(b)溶解的Si(100)和硅(110)表面释放超纯水42、8.4和0ppm的氧气溶解和1.6ppm溶解氢24小时,当溶解氧浓度足够高时,硅表面形成稳定的二氧化硅膜,...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文考虑了相互作用的2个数量级范围,以考虑了实际粒子的形状和材料,将这些相互作用与静电电荷、阻力、表面张力、冲击波、高加速度和气溶胶粒子所产生的排斥力进行相互比较,可以预测不同清洗过程的内在能力和局限性。已经确定了三种颗粒去除过程——能够去除所有颗粒尺寸和类型的通用过程,甚至来自图案晶片,具有相同理论能力但实际上受到粒子可及性的限制,最后是无法去除所有颗粒尺寸的清洗。通过计算施加给细颗粒的主要力,在表中可以看出驱动粒子粘附/去除机制的四个主要参数是静电、范德华、毛细管和阻力。表面张力γlg是由于介质分子之间的内聚力,并倾向于使界面区域最小化,它代表每单位界面长度的一个力,对于参考球形粒子,当液体完美地润湿颗粒材料,气体/液体界面作用于整个粒子周长时,得到最大的毛细力(见图1): 图1 作用于液体/气体界面的粒子的最大毛细管力示意图运动流体的粘度会对粒子产生阻力,在直径为D的球形粒子放置在流速Vp中的情况下,用斯托克斯定律给出了一个很好的近似,直到雷诺数为101,其中,µ表示流体粘度:20◦C下的水为10−3kg/m/s,这种力理论上只能将粒子平行于表面。可以预期,粒子上或衬底上的粗糙度将使这种切向力转化为发射动量,在非球形粒子的情况下,阻力通常较高。 本文研究了作用于参考刚性粒子和球形粒子的范德华引力与实际粒子之...
发布时间: 2021 - 12 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言虽然RCA湿式清洗工艺具有较高的清洗性能,但仍存在化学消耗量高、化学使用寿命短、设备大、化学废物产生量大等问题。传统的臭氧化水(DIO3)湿式清洗系统具有较高的有机污染物清洗效率,0.1㎛/min光刻胶去除率。但颗粒去除效率(PRE)非常低,达到PRE的75%。这是因为传统DiO3湿清洗系统中DiO3浓度低、pH值低。因此,我们设计了改进了DIO3湿清洗系统,包括隔离清洗浴和高溶解的DIO3罐,而不是传统的清洗浴,这样即使在高pH下也能获得高臭氧浓度。该系统对0.5㎛尺寸的颗粒和抛光浆液颗粒的PRE含量均高于93%。利用原子力显微镜(AFM),通过测量晶片的表面粗糙度来表征DIO3的清洗过程。臭氧具有足够浓度的臭氧碱性溶液不产生表面粗糙度。改进的DIO3清洗系统为清洁化学物质的使用和简化的清洁过程提供了一种替代方法。本研究的目的是描述有无超声波清洗系统的去离子水和碱性清洗溶液中的高浓度臭氧清洗溶液系统。 实验臭氧生成方法:由于臭氧是一种不稳定的分子,臭氧必须在现场产生。生产臭氧的各种方法的工作原理和臭氧来源都有所不同。各项方法及其差异汇总见表3.1。前两种方法,放电和电解,是唯一具有实际重要性的方法。 表3.1 臭氧产生的类型、原理和应用领域的概述臭氧浓度测量:臭氧气体和溶解的臭氧浓度的测量对于发展基于臭氧的清洁过程非常重...
发布时间: 2021 - 12 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文讲述了现有的玻璃微加工技术,提出了改进湿法刻蚀技术的解决方案。玻璃湿法蚀刻工艺的基本要素,例如:玻璃成分的影响、蚀刻速率、掩模层中残余应力的影响,主要掩模材料的特性、湿法刻蚀工艺产生的表面质量。听过对结果的分析,我们提出了用于玻璃的深度湿法蚀刻的改进技术。除此之外本文还介绍了微机电系统技术的应用。 玻璃蚀刻技术用于玻璃刻蚀的技术有三大类:机械,干法和湿法。机械干法玻璃刻蚀:略。使用氢氟酸基溶液的湿法化学蚀刻仍然是低成本和有效的解决方案之一。掩膜层取决于应用和器件制造过程的“热预算”。有三大类掩蔽材料:光致抗蚀剂、金属和硅。光致抗蚀剂通常用作掩模层,但其应用范围有限(20-30米)。一种非常常用的掩模是铬/金,其中铬层用于提高金对玻璃的粘附力。铟铬/铜掩模被用于Pyrex玻璃的湿法蚀刻。另一种常用于玻璃蚀刻的材料是硅,使用不同的方法沉积:PECVD非晶硅、LPCVD非晶硅、LPCVD多晶硅、碳化硅,甚至阳极键合体硅。 玻璃成分的影响目前有大量的玻璃,每一种都有不同的性质和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”,这些氧化物的组成和浓度赋予了主要的性质。因此,玻璃蚀刻的表征只能进行一般术语的分析。玻璃的湿式蚀刻主要在HF基溶液中进行。由于成分的不同,蚀刻速率也不同。图1给出了一个例子,其中三种不同的玻璃在HF49%溶液中湿蚀刻...
发布时间: 2021 - 12 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文提供一种能够将半导体制造工序中的湿蚀刻相关技术应用于氧化镓单晶的氧化镓单晶的湿蚀刻方法。一种氧化镓单晶湿蚀刻方法,其特征在于,用HF溶液蚀刻氧化镓单晶,例如通过将氧化镓单晶浸渍在浓度47%以上的HF水溶液中并在室温下进行蚀刻,从而在深度方向上蚀刻氧化镓单晶60nm/h以上。 介绍在半导体制造工序中,基板的形状加工中广泛利用了蚀刻技术。该蚀刻是为了除去不使用部分而在气相-固相界面进行的化学或物理反应大致分为利用干蚀刻和利用液相-固相界面的化学反应的湿蚀刻。 关于前者,使蚀刻具有方向性比较容易,适合微细加工,但是需要在真空的腔室内进行等离子体加工等特殊的装置,另外,需要注意对基板的损伤和杂质污染等。 关于后者,其具有能够一次处理的能力胜过干蚀刻等特征,但由于蚀刻各向同性地进行,因此需要注意侧蚀刻的发生等。 因此,一般在微细电路形成等情况下利用干蚀刻。 另外一方面,湿蚀刻除了上述以外,与干蚀刻相比,还具有低成本性、低损伤性、利用因材料不同而导致的蚀刻速度不同的选择蚀刻性等方面具有优势、有性能,另外,也用作评价缺陷密度和极性等的蚀刻。而且,为了使在底部基板上生长的厚膜成为自立基板,以去除底部基板的情况为首,在大面积蚀刻和微机械等的制作等情况下利用了湿蚀刻。 实验其中,在湿蚀刻中,找出最适合基板的蚀刻溶液变得重要起来。 例如,已...
发布时间: 2021 - 12 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言 在硅衬底上制造电子芯片或集成电路需要大量的基本操作,例如离子注入, 本研究将涉及光刻,介质和金属薄层沉积,机械化学抛光,热处理(退火或氧化)和“湿”处理。 表面准备和清洁是这项技术的一个有点吃力不讨好的方面,因为它们是“看不见的”: 它们包括去除污染物和控制界面,然而,在需要处理的层是纳米级的时候,我们注意到与这些方面有关的研究变得至关重要,并对“专门知识”作出了重大贡献,而“专门知识”有时很难得到重视。 一些选择性蚀刻是通过湿法(在溶液中)进行的,具有很高的精度,厚度变化从几埃到几微米。 “表面准备”处理允许 本备忘录中讨论的两个主题更具体地涉及集成电路互连电平的清洁: 首先,将介绍低或极低介电常数介电材料在清洁溶液中的行为研究。 特别是,我们研究了这些材料的稳定性或溶解性,以及液相中的污染现象(胺,有机化合物和来自清洁溶液的表面活性剂的吸附),这些现象导致电介质的相对介电常数的不期望的变化。 研究了它们的孔隙率随清洁处理(含氢氟酸的溶液)中使用的等离子体处理的变化。 在这一部分中使用的实验技术主要是椭圆偏振法,椭圆孔隙率法,红外光谱法(透射法,全衰减法和多重反射法),X射线反射法,TOF SIMS以及接触角和允许性测量。  性能竞赛 在微电子领域,金属氧化物半导体(CMOS)类型的硅衬底上的集成电路的技术发展被描述为“Neud...
发布时间: 2021 - 12 - 14
浏览次数:18
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言我们报道了一种紫外(UV)光刻和直接书写的方法,其中曝光模式和剂量都是由互补金属氧化物半导体(CMOS)控制的微像素化发光二极管阵列决定的。来自演示器8x8氮化镓微像素LED的370nm紫外光使用两个背对背显微镜物镜投射到光刻胶覆盖的基底上,允许控制去除。在目前的设置中,该系统能够在直径为~8µm的圆形点中为每个成像像素提供高达8.8W/cm2。我们展示了用正光刻胶和负光刻胶书写的示例结构。 光刻技术是微图案化的首选方法, 按照最近报道的方法设计了CMOS控制装置,使交替像素可操作,从而得到了一个发光的8x8阵列[图]1(a)]。这是由于凹凸键合过程,目前限制了像素到像素间距为~200µm。 图1CMOS装置允许单个微像素、方波和脉冲操作[8]的连续波(CW)操作。在CW操作中,我们测量了一个裸像素,在370nm的驱动电流为80.0mA(340µW在20mA)下提供高达604µW的光功率。方波的频率(脉冲模式下的重复频率)可由片上电压控制振荡器(VCO)从6MHz到800MHz之间设置,使用外部时钟设备,可以选择任何频率,在脉冲模式下,可以控制脉冲的持续时间,范围从300ps到40ns。成像后测量的27mA的光谱特征证实其接近Hgi线操作(峰值在370nm,FWHM为15nm)。CMOS控制装...
发布时间: 2021 - 12 - 14
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