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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言由于玻璃材料具有耐用性,光滑性,高绝缘性和透明性的特点,近年来,除了显示器,光学元件和记录介质外,人们对其应用于MEMS(微机电系统)和类似TAS(微全分析系统)等新领域的期望越来越高。 此外,还研究了许多将玻璃材料与金属等不同种类的材料接合以制造新功能元件的方法。 特别是多成分玻璃表面的性质与帕尔克有很多不同,最表面的组成、硅烷醇基等官能基、水分和有机物的吸附等因素对表面的耐候性、耐化学性、与异种材料的粘着性、包括加工性在内的机械特性等有各种各样的影响。 因此,在新功能材料中控制或改性表面性质是重要课题之一。基本原理是利用了在加载压力的情况下,在玻璃表面形成压缩层后,该部位的耐酸性,特别是腐植酸引起的耐蚀刻性发生较大变化的现象。 在本方法的要素技术中,有机械加工工艺和化学方面的玻璃表面的改质这2个方面。 在本综述中,笔者等人将从迄今为止的研究中,首先从表面改质的观点,介绍压力加载引起的玻璃表面化学性质的变化,并结合实验结果,然后阐述其在微细加工中的应用。 实验在此,首先对铝硅酸盐类玻璃的结果进行说明。 图1显示的是,对于含有碱金属氧化物、碱土金属酸化物及微量氧化物等的各种铝硅酸盐类玻璃,关注作为主要成分且形成玻璃骨架的SiO*和AkOia, 在没有加载压力的部位,随着SiO―AU0S的减少,蚀刻速度显著增大。  图1(S...
发布时间: 2021 - 11 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      太阳能电池的世界生产量相当于每年约1.2 GW(2004年,换算成峰值发电能力),其组件的总面积达到1千万m。 制造的太阳能电池的80%以上是使用单晶或多晶硅晶圆的晶系硅,预计其生产量今后也会加速增加。 与此同时,确立能够适应这种大规模生产的制造技术将变得越来越重要。 一般的晶系硅太阳能电池的结构概略如图1所示,其中,在兼顾经济性的同时,为了提高太阳能电池的转换效率,进行了很多努力。 其中,降低硅晶圆表面反射率、降低光反射损耗的技术是提高效率的关键。 平坦的硅晶圆的反射率在波长400~1100nm下平均为40%左右,非常高,产生了很大的损耗。   图1 普通晶系硅太阳能电池的结构      表面涂有折射率小于硅的透明薄膜作为抗反射膜。 具体来说,使用的是二氧化钛(单晶太阳能电池的情况)和氮化硅(多晶太阳能电池的情况)等薄膜。 另一项降低表面反射率的重要技术是在硅晶圆表面形成具有细微凹凸形状的结构(称为纹理结构)。 一般的纹理结构是几μ~几十μm大小的凹凸。  图2纹理结构的效果      作为这样的纹理结构的效果,已知有以下3个(图2为模式图):①表面多次反射导致表面反射率降低:通过凹凸使表面反射一次的...
发布时间: 2021 - 11 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了进一步增加太阳能电池的普及率,降低太阳能电池板的成本变得很重要。在晶体Si系太阳能电池板中,Si晶圆的材料成本和制造成本占整个电池板的成本的比例不少。通过将金刚石磨粒附着在线材上的金刚石线材进行固定磨粒切割的方法正在普及。 切出的Si晶圆表面发生损伤,切断槽宽度(卡洛斯)的降低有界限等问题。在这样的背景下,作为不依靠机械加工的新Si的切断技术,正在讨论放电加工和电解加工,等离子蚀刻等加工技术的应用1―3)。作为不依靠机械加工的切片法之一,笔者们开发了利用湿法蚀刻的新切断技术“蚀刻援用切片”4)。该加工技术的特征是,在蚀刻液(蚀刻剂)中行进的金属丝,通过与Si锭接触进行相对运动,以化学作用为主体进行加工。本报告将利用开发的加工技术对单晶Si进行加工,并介绍其加工特性和加工面质量。 实验由于湿法蚀刻通常是各向同性蚀刻,因此即使在Si表面上施加掩模,蚀刻剂也会侵入掩模的下部,从而产生底切通常很难进行加工。另一方面,在湿法蚀刻中,如果能够在抑制沟的宽度方向的蚀刻速度的同时,促进深度方向的蚀刻速度,就可以实现各向异性的加工。      因此, 向Si锭提供蚀刻剂, 设想了用行进的金属丝摩擦铸锭的加工方法。在Si铸锭和金属金属丝的接触点,通过产生摩擦热和引入新鲜的蚀刻剂等,可以提高向深度方向的蚀刻速度。另一方面...
发布时间: 2021 - 11 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制,以Si为例,以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工,而且是通过研磨和研磨等机械加工和干法工艺产生的变形层和损伤层的去除、化学溶液和自由基束的结晶表面的清洗、为了调查位错等缺陷的坑形成等被广泛利用的加工技术。蚀刻大致分为(1)使用酸、碱等化学溶液的湿法蚀刻和(2)使用等离子中的反应种类(离子、高速中性粒子、自由基(中性活性种类)、气体)的干法蚀刻。蚀刻技术, 从半导体制造工艺的历史来看, 以前是从湿法蚀刻开始的,随着图案尺寸的细微化、高精度化的要求,干法蚀刻起到了其中心的作用。 实验在各向同性蚀刻中, 在待加工材料的掩模开口处, 由于蚀刻与表面法线方向同时向掩模下部各向同性地进行, 可以看到所谓的侧面蚀刻(底切)(图1(a))。另一方面,极力抑制这样的侧面蚀刻,利用结晶各向异性,实现由特定晶面((图1(b)中Si的(111))构成的三维形状的蚀刻方法是各向异性蚀刻(结晶各向异性蚀刻)。从结论上来说,在湿法蚀刻的一系列反应生成物过程(以下的①∼④)中,取决于哪种现象控制了过程的速度。①向反应种表面的扩散、供给②向反应种表面的吸附③反应生成物的生成(反应种与被加工材料的反应)④反应...
发布时间: 2021 - 11 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言利用金刚石多丝锯切割硅锭,制备了太阳能电池的硅晶片。近年来,由于对超薄硅晶片的需求不断增加,迫切需要采用不产生硅表面损伤的切片方法。本研究提出了一种基于化学蚀刻技术的新型硅切片方法。在该方法中,在含有硝酸和HF的蚀刻溶液中用运行丝摩擦硅锭。研究了切片硅的去除特性和表面质量。随着蚀刻剂化学品浓度的增加,去除率提高,而通过优化蚀刻剂的成分,可以降低切角。扫描电镜观察和拉曼光谱分析结果表明,该方法对硅表面无损伤作用。该方法比传统的金刚石线切割产生了更平滑的硅表面。太阳能电池用硅晶圆是通过金刚石线锯从硅锭上同时切出多个晶圆的方法制作出来的。 晶圆损坏, 由于这是破损的原因,薄壁晶圆的切出是有限度的1)。另外,从晶圆制作成本削减的观点出发,要求减少成为削边的卡洛斯(切断沟)。因此,通过使用化学作用的新加工方法,进行了硅晶圆的切断技术的开发。在本研究中,尝试了使用能够进行硅的高效蚀刻的氟硝酸的切断技术的开发。由于氟硝酸的硅的蚀刻是各向同性地进行的,因此有必要将蚀刻的进行限定在切片方向上。在蚀刻剂浴中,通过用导线摩擦硅,探讨了促进纵向蚀刻的方法,并评价了其加工特性。 实验      过程中显示了开发的切断实验装置。在固定在加工槽中的硅胶的上面供给蚀刻剂,在那里使钢丝和硅胶接触,通过运行进行加工。装置的材质考虑到耐化学...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文讨论了湿式化学蚀刻作为锥面加工的一种新技术。研究了石英晶体刻蚀材料的去除条件和成型条件。为了解决从晶片切割成所需尺寸的晶体片被桶加工数百小时并被抛光成斜面形状的问题,因为晶体振动器由于从晶片切割成条形而具有差的振动特性,因此需要将晶体振动器加工成凸形(斜面加工)。 本研究的目的是开发一种新的斜面加工方法。 实验      在该方法中,如图1所示,在晶片阶段预先将凹槽加工成斜面形状,并将注意力集中在湿法蚀刻上,该湿法蚀刻被认为可以进行微加工,并且在生产率和成本方面具有优势。 为了解决在湿法蚀刻中进行斜面加工时需要掌握适当的材料去除条件和建立形状形成条件的问题。 因此,我们研究了蚀刻条件和抗蚀剂条件。 图1 斜角加工工序      用氢氟酸(液温40℃、浓度5、10wt%)进行实验得到的结果如图2所示。 5重量%下约0.25μm/h和10重量%下约1.25μm/h的蚀刻速率得到了。 此外,氟化钠只能获得0.01μm/h左右的非常小的蚀刻速率。 由于推测所需的斜面量为2μm左右,因此决定用氢氟酸进行研究。 图2 蚀刻速率      抗蚀剂涂布条件:将光致抗蚀剂滴入用丙酮和纯水超声波洗涤...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本研究将三维安装过程 为了实现高品质、低成本, 我们的目的是建立高通量,无损伤的湿加工工艺技术及其制造设备技术的基础。 关于通过湿法蚀刻使硅晶圆变薄的问题, 为了提高作为课题的蚀刻速度和蚀刻均匀性,明确要控制的参数。 将对其进行高精度控制的要素技术导入到旋转方式的片叶湿法蚀刻装置中, 利用大口径的硅晶圆,明确了其效果。另外, 进行加工后的晶圆评价, 在加工后的晶圆上, 不存在损伤层(破碎层、微裂纹、晶体缺陷等); 强度没有降低; 并且,确认装置的电气特性没有变动, 另外,对加工后的晶圆进行了评价,确认了加工后的晶圆中不存在损伤层,为了防止Cu的污染,可以维持衬垫氧化膜,以及器件的电特性没有变动,确立了适用于三维叠层半导体工艺的通过湿法蚀刻形成硅贯通电极的技术的基础。另外,通过实现本目的, 晶圆减薄和插拔可以在同一装置中实施。 实验      由于传统技术的背面研磨的硅晶圆的减薄会产生损伤,虽然进行了损伤去除,但是存在无法去除的深度的损伤,因此发现了确立不产生减薄加工损伤的无损伤的减薄工艺的必要性,提出了通过湿法蚀刻的硅晶圆的减薄。另外,作为不使用干法蚀刻的硅贯通电极形成工艺,提出了通过湿法蚀刻的硅贯通电极形成。      关于硅晶圆...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了激光通量对光纤的氢氧化钾+过氧化氢蚀刻剂中单晶硅无碎片凹槽的影响。在固定扫描条件下,凹槽的深度随着通量的增加而增大,但当通量为2.9J/cm2及以上时,由于激光诱导冲击波引起的光纤振动,直槽加工困难。试图通过多次和慢扫描增强累积激光通量,使沟槽更深,将单脉冲通量限制在1.4或2.2J/cm2,以避免光纤振动。通过比较相同单脉冲通量下形成的沟槽深度,发现其深度随累积通量呈线性增加的趋势。另一方面,累积通量和单脉冲通量不同的凹槽深度相似,表明其深度与单脉冲通量呈非线性关系。      我们探讨了通过将加工物设置在电动XY工作台上来展开槽加工的方法。 虽然可以进行无碎屑槽加工,但是槽深度不够,在能够实现深槽的例子中,槽底有严重的裂纹等,无法找出能够得到良好槽的加工条件6)。因此,在本研究中,以不产生裂纹等而得到深槽为目的,通过改变激光输出,调查了注量对加工速度等的影响。另外,由于在前面的报告中,槽是通过单脉冲加工的单纯重叠而形成的,因此通过改变工件的扫描速度和扫描次数来增减累积的激光注量,调查了槽的深度相对于累积注量是否呈线形增减。 实验      由于激光可以得到高峰输出,可以使用光纤,因此使用了Nd:YAG激光。波长为106...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在本报告中,氢氧化钾和nH4HF2作为蚀刻剂进行了测试,讨论了通过光纤传输的激光束增强硅化学钻孔的可能性。      结果表明,成分优化将使该蚀刻剂适用于光纤钻井。nh4hf2激光增强蚀刻,蚀刻速率与氢氧化钾和过氧化氢速率匹配。然而,保护硅光纤免受nh4hf2影响的想法对于实现光纤钻孔的必要条件,因为高激光功率必须损害塑料光纤需要足够的蚀刻速率。      MEMS器件的制造包括干蚀刻装置和CVD装置; 为了解决以下问题:为了制作掩模而组合了多种电子束描绘装置等,这些设备规模大,初期投资大。 MEMS器件的小批量生产容易导致成本过多1)。为了应对MEMS器件的试制和少量生产, 并提出了通过激光直描在硅表面形成掩模,然后进行湿法蚀刻的图案形成技术2)。 由于此时形成的掩膜层极薄,无法承受长时间的蚀刻, 形成深穴和深沟是很困难的。      因此,在本报告中,考虑到通过光纤传送的激光对硅的辅助蚀刻,比较各条件下硅的激光辅助蚀刻特性,研究适用于深孔钻孔的蚀刻液。 实验      尝试在0.1 wt%KOH水溶液中对P型硅晶圆(100)进行了激光照射(但是,此时使用的是氩离子激光,...
发布时间: 2021 - 11 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言为了实现微粒子的x射线荧光分析(XRF),需要单色色的x射线化和聚焦。作为一种器件,有一种具有双曲率和单色聚焦x射线。但是,它要求晶体的表面没有缺陷。作为制备双弯曲晶体材料的硅单晶的方法,我们提出了采用化学反应的数控局部湿蚀刻(NC-LWE)。本文报道了NC-LWE机对五轴硅单晶的加工性能。通过利用以SPring―8为代表的大型放射光设施的X射线, 虽然得到了较高的空间分辨率, 必须将测量试料带入设施, 不能发挥迅速、简便的优点,为了发挥这一优点, 希望在研究室水平开发具有亚微米级空间分解能的微小部分荧光X射线分析装置。因此,本文提出了数控局部湿蚀刻法(NC―LWE:Numerically Controlled Local Wet Etching)作为其加工法2)。本加工法的特征是,通过双重结构的加工喷嘴头供给蚀刻剂。加工成厚度为30µm的圆筒状,之后,对于曲率半径R,2Rsin2円的台座,研究了双重弯曲,使之粘结的2阶段的程序。 实验NC-LWE中硅的加工特性:为了通过LWE进行NC加工, 通过对目标去除形状和单位加工痕迹形状进行反卷积模拟, 有必要求出加工喷嘴头的停留时间分布,因此,首先, 采用吸口径φ5mm的加工喷嘴头获取单位加工痕迹, 测定了其形状。测定中, 使用了扫描型白色显微干涉仪(ZYGO公司制造New Vi...
发布时间: 2021 - 11 - 26
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