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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在电子器件用半导体单晶的表面加工中,要求在平坦、光滑的同时,尽可能地减少晶体缺陷的导入。一般来说,在研磨等机械加工中,由于从表面的凸部选择性地进行去除,因此可以高效率地改善表面的平坦度,但是在加工面上残留加工劣化层。另一方面,在湿法蚀刻和等离子蚀刻等化学加工的情况下,虽然没有加工变质层的残留,但是由于没有积极的平坦化结构,所以一般不能进行平坦、平滑化。另外,在表面层有结晶缺陷的情况下,其高能点被选择性地蚀刻,也有粗糙化的情况。我们在新的化学蚀刻中引入了基准面,设计了实现无损伤且高效率的平坦·平滑化的催化剂表面基准蚀刻法。在此,对该概念进行介绍,并介绍适用于单晶SiC和单晶GaN基板加工的例子。 SiC的加工和加工后表面的观察在SiC的CARE中,作为催化剂材料使用铂,作为反应溶液使用氢氟酸水溶液。目前,通过对表面Si的背面结合的HF分子的解离吸附进行蚀刻,可以认为是铂促进了该反应。根据CARE法的研磨装置的例子如图2所示。通过使被加工物表面与浸入加工溶液中的催化剂表面接触,同时使其相对运动,进行加工。对4H―SiC(0001)表面(n型,0.02∼0.03`cm)的加工结果进行论述。使用刮擦和微裂纹存在于整个表面的研磨面,通过CARE进行约1mm和约2mm的加工,观察加工前后的表面。图3是观察60 mm×80 m...
发布时间: 2021 - 11 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在半导体器件的制造过程中,由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物(颗粒),1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中,通常进行RCA清洁,其中半导体器件以一批25个环(盒)为单位,依次浸入氨水,过氧化氢溶液,盐酸等加热的化学品中。然而,最近,为了降低环境负荷的目的和半导体器件的多品种化,需要片叶式的清洗方法,喷射纯水的清洗工序正在增加。 在单片式清洗中,超声波振动体型清洗装置是一种有效的清洗方法,目前已被许多工艺所使用。通过超声波振动器的清洁是通过从超声波振动器向纯水施加超声波振动来加速水分子的清洁方法。本方法的目的是利用频率在5MHz-10MHz的超声波振动体技术,达到下一代半导体器件清洗技术的目标。我们使用样品基板,在硅晶片上涂覆直径为1µm的聚苯乙烯胶乳(PSL)颗粒,对超声波振动型清洗装置的清洗能力进行了验证。 实验PSL颗粒附着模型:图1显示的是附着在基板上的聚乙烯胶乳(PSL)粒子的模型。当亚微米的PSL颗粒粘附到衬底表面时,范德华力、重力、液体交联力、静电量和双电层的排斥力作用在PSL颗粒上,但是范德华力被认为是PSL颗粒粘附到硅晶片的主要因素。PSL颗粒的附着力由式1给出。 图1 PSL粘附模型超音波洗浄装置:粘附在硅基板上的PSL粒子的去除模型如图2所示。当仅考虑流体动力学的作用时,...
发布时间: 2021 - 11 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在半导体和LED的制造中,需要研磨以使晶片的厚度变薄,以及抛光以使表面成为镜面。 在半导体器件的制造中,半导体制造工艺包括:(1)从晶体生长开始切割和抛光硅等,并将其加工成晶片形状的工艺(晶片制造工艺);(2)在晶片上形成IC的工艺(前一工艺);以及(3)切割、组装、检查和安装芯片的工艺(后一工艺)。 在晶片制造过程中,通过双面研磨、单面研磨、蚀刻等对从晶锭切片的晶片进行厚度调节,以消除加工表面的变形,然后将晶片加工成镜面。此外,存在用于使在前一工艺中制造的具有图案的晶片的厚度均匀且薄的后研磨工艺。 在背面研磨之后,在切割过程中进行芯片化,并且在后处理中进行安装。 研磨工艺和切割工艺是前一工艺和后一工艺之间的中间工艺,是提高附加值的中间工艺,如晶片减薄,应力消除,以MEMS(微机电系统)晶片制造为代表的深挖蚀刻,减薄和重新布线。本文介绍了硅片的研磨,抛光和清洗技术,这是中间工艺的需要。 此外,我们还将介绍LED照明用蓝宝石衬底和功率器件用碳化硅(SiC)衬底的研磨,抛光和清洗技术,这些技术有望成为下一代半导体,并已开始投入实际使用。 前工序和后工序的中间工序      加速度传感器和压力传感器等MEMS技术图1利用半导体器件制造工艺的器件采用半导体制造技术在晶圆上大量制作。在制造器件之后,进行重新布线或...
发布时间: 2021 - 11 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了使器件动作高速化,尽可能地抑制布线延迟变得很重要。为此,需要使用布线电阻低的Cu布线和降低布线间容量的低介电常数层间膜。最近,Cu布线搭载的器件相继发表,层间膜使用通常的氧化膜的结构的产品已经上市,全世界Cu布线的开发急速加速。而且,Cu布线被认为只有与低介电常数层间膜(Low―K)相结合才有高速化的意义,关于Cu/Low―K的发表也在增加。      为了实现Cu布线,必须使用Cu―CMP来形成沟槽布线结构,并且在CMP之后,由于大量的颗粒和金属污染残留在晶片上,因此需要在CMP之后进行清洗。在Cu膜和Low―K膜中被认为是有希望的HSQ膜的英特化结构的CMP中,由于Cu膜和HSQ膜的耐药液性低,因此很难用传统上在硅工艺中使用的清洗液进行清洗。此外,在使用清洗液时,必须考虑环境负荷。因此,在不损坏金属布线和Low―K膜的情况下,作为环境负荷低的清洗液,进行电解离子水和有机酸的研究。 Cu/HSQ-CMP后清洗的课题      Cu―CMP之后的Cu/HSQ沟接线构造如图1所示。不仅是氧化铝和二氧化硅等的研磨粒子,Cu等的金属污染也大量残留在晶圆的表面。一直以来用于CMP后清洗的利用氨水的粒子除去和利用稀释氢氟酸的金属污染除去,...
发布时间: 2021 - 11 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体晶片和器件清洗工序中使用的清洗药液和超纯水的纯度要求随着半导体的微细化而变得严格。 在使用该药液的半导体清洗工序中,使用以RCA清洗为基础的、混合了各种酸和碱与过氧化氢水( H2O2水)的清洗液。 目前市场上的工业H2O2水大部分采用蒽衍生物的自动氧化法生产。该制法是将蒽醌溶解于疏水性芳香族有机物中作为工作液使用的方法,合成的H2O2水中残留有少量疏水性有机物。 另外,由于制造设备由不锈钢和铝等金属材料构成,因此来源于其的金属杂质也同样存在于H2O2水中。用于半导体的H2O2水通过膜处理和离子交换等以工业H2O2水为原料纯化,并将金属杂质的含量浓度纯化至ppt水平,但实际上有机物质以TOC的形式保留了几ppm。为了解决在半导体的清洁过程中重复化学液体清洁和超纯水冲洗的问题,因此可以通过超纯水去除的亲水性有机物质不会引起太大的问题,但是存在化学液体中包含的疏水性有机物质粘附到半导体晶片上并对半导体晶片产生不利影响的问题。本方法对超临界二氧化碳(SC-CO2)纯化H2O2水的方法进行了实验研究,以制备不含疏水性有机物的H2O2水。 实验实验装置的流程如图1所示。 实验装置由用于连续混合SC―CO2和H2O2水的Micro―mixer和用于分离溶解有有机物的SC―CO2和H2O2水的Separator(容量:500 ml)组成。 S...
发布时间: 2021 - 11 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件,近年来成为个人电脑热潮的导火索,预计今后器件的需求也会扩大。 那么,该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序,制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化,晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、微粗糙度及自然氧化膜。在本文中,在CZ法硅镜面晶圆的加工中,关注表面的粒子及各种污染,对除去这些粒子的湿法清洗工序的概要及相关技术进行了叙述。 硅片清洗技术我们已知清洗对镜面抛光后的晶圆表面质量有很大的影响,随着超大规模集成电路器件的微细化及高性能化的发展,人们逐渐认识到清洗的重要性,近十年来,研究也开始盛行起来。目前的镜面抛光晶圆的清洗大部分采用RCA法或其改良法。RCA法的基础是NH、OH/H202/H、O(称为SC-1清洗)以及HCI/H、O、/H、0(称为SC-2清洗),分别具有去除颗粒和金属污染的效果。 在实际的清洗技术中,根据用途组合这些,有效地去除粒子、金属杂质以及有机物。 下面就粒子、金属杂质以及干燥技术进行说明。如图1所示,由于256MDRAM以后的世代采用了0.25μm的设计规则,因此在这些器件中使用的φ300mm晶片...
发布时间: 2021 - 11 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在当今最先进的科学和技术领域中,有许多需要以原子级的顺序控制形状的表面。例如,可以举出下一代半导体晶圆,用于同步辐射的X射线反射镜,用于软X射线光刻的成像的非球面镜等。然而,在传统的加工技术中,还没有找到能够应用于这些工件并实现所需性能的加工方法。本方法是利用分散在超纯水中的微细粉末粒子表面和加工物表面之间的化学反应的超精密加工法。该方法是利用在加工液中与加工物表面相对的旋转球产生的超纯水的流动,将微细粉末粒子供给到加工物上的规定场所,使微细粉末粒子和加工物表面之间产生化学性的结合状态,并且,根据该流动,从加工物表面除去微细粉末粒子时,粉末粒子表面带走加工物表面原子,从而进行加工。 实验EEM采用的是将与加工物表面具有反应性的微细粉末粒子悬浮在超纯水中的加工液。但是,在本研究中,为了纯粹地评价加工液中的溶解气体的影响,观察了在不含微细粉末粒子的超纯水中产生的现象。图1是实验中使用的装置的概略。实验装贵与此前报告的EEM加工装置相同,由与试料表面相对配置了聚氨酯制旋转球的水槽和溶解气体浓度控制部构成。试料使用比电阻为10Ωcm的p型Si(100)。溶解气体浓度控制部通过泵在超纯水循环的流路内设置气体交换膜,通过使高纯度氮气在气体交换膜的外部流动,超纯水中的溶解氧被氮气取代,并且通过将外部抽空,可以去除包括溶解氧的全部溶解气体。图2是为...
发布时间: 2021 - 11 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的,一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是,这些废液的处理是极其困难的,与环境污染有很大的关系,因此希望引进环保的清洗技术。因此,作为环保的清洗技术之一,以蒸馏水、臭氧为基础,利用微气泡的清洗法受到关注。因此,作为其基础性研究,本研究的目的是,通过使用普通气泡的臭氧气泡和臭氧微气泡,测量各种光刻胶的去除速度,评价微气泡的清洗效果。 实验实验装置的概略为图1所示,实验装置是无金属制的加压溶解型。装置的机理是用泵吸入水槽的水,同时使其吸入气体。对其加压后,通过减压释放使其产生微气泡。试料中,使用了只涂有光刻胶的状态的半导体晶圆。尺寸约为30四方,厚度约为1.将试料浸入水槽内的液体中,通过臭氧微气泡进行光刻胶的去除。同时,作为比较对象也进行了臭氧气泡的去除。此时,供试液体为蒸馏水。水温分别为27.7~30.3℃,30.0~30.9℃,气泡源使用臭氧气体。微气泡的排出压力为0.4 kPa.臭氧流量为1L/min。 图2 微气泡发生器在清洗评价方法中,使用了能量分散型荧光X射线分析装置,通过分析向试料照射X射线产生的荧光X射线的能量,将光刻胶的除去量换算成除去速度。 结果和总结图2显示的是臭氧鼓泡和臭氧微气泡对光刻胶的去除速度。水中臭氧浓度的平均...
发布时间: 2021 - 11 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在新一代晶体管的开发中,作为沟道材料,高迁移率的锗( Ge )备受瞩目。但是,如何高质量地加工栅极绝缘膜形成前的Ge表面,特别是湿式清洗时的各种污染物的行为和除去特性、Ge表面的微粗糙度和钝化所代表的原子水平上的结构控制方面还有很多不清楚的地方。图1(a)是在Ge(100)表面上散布直径约20nm的Ag微粒后获得的电子显微镜(SEM)照片。将该表面浸入储存的纯水中(溶解氧浓度约为9 ppm),24小时后如图(b)所示发生变化。 也就是说,以细颗粒为中心进行局部蚀刻,并且出现暴露(111)微面的凹坑标记。这是因为溶解在纯水中的氧(O2)分子被还原成Ag细粒上的水分子(H2O),并且Ag细粒附近的Ge表面被优先氧化。由于Ge的氧化物(GeO2)是水溶性的,因此以Ag细粒为中心的Ge表面的各向异性蚀刻进行。另一方面,当将Ge(100)浸入溶解氧浓度降低至3ppb的纯水中时,Ge(100)表面的结构没有显著变化(见图(d))。 这表明上述各向异性蚀刻机制是合理的。此外,图1显示了控制Ge晶片湿法清洗过程中使用的纯水的溶解氧浓度的重要性。 图1 将吸附有ag微粒的Ge(100 )表面吸附在纯水中,浸泡前后的电子显微镜照片
发布时间: 2021 - 11 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      MEMS (微机电系统)和集成电路的一体化,正如通过电容型传感器和静电电容检测电路的集成化来降低寄生电容和噪声,实现喷墨打印头和红外线区域传感器等大规模阵列一样 这样的集成化是构成MEMS核心的技术之一。由于使用多晶Si的表面微加工技术在控制应力时需要1100°C的高温退火,因此一体化的LSI将采用老一代的设计规则和特殊材料。 但是,这样的LSI不适合高速信号处理。对此,有人提出了分别准备用最尖端技术制造的LSI晶圆和MEMS晶圆,将两者在晶圆级接合的方法。 这种集成化方法具有可以用最合适的工艺和材料分别制作MEMS和LSI的优点。以上述集成化为代表,晶圆接合对于MEMS来说将成为越来越重要的技术。作为晶片接合方法,经常使用阳极接合和金属膜间的扩散接合。 这些接合法需要光滑且正常的接合面,但由于MEMS的复杂化,粒子污染的可能性增加,同时也增加了清洗的难度。      在去除MEMS晶圆上的粒子时,与LSI制造工序相同,也利用了以过氧化氢(H2O2)为基础的RCA清洗,但随着应去除的粒子的细微化,RCA清洗的粒子去除率降低,另外,对于形成金属电极的晶圆,腐蚀性RCA清洗的应用变得困难。 实验      作为清洗评价用的晶圆...
发布时间: 2021 - 11 - 19
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