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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,应用超声波的精密清洗法被用于光学透镜、液晶用玻璃板、半导体晶圆等的清洗。 本文概述了超声波精密清洗法和玻璃表面的清洗度评价方法。 超声波的发生法      超声波也可以通过流体空洞内的共振和机械快门引起的流体断续(警报器)得到,现在主要使用的产生方法是,如图1所示,首先通过振荡器产生电振动能,将其加入到被称为振动子的电声转换器中,转换成机械振动能,向与该振动子接触的音响传递介质中辐射超声波的方法。 超音波精密洗浄方法      作为光学透镜、玻璃板、液晶用玻璃板等的清洗,以及半导体晶圆、玻璃掩膜等的清洗,近年来在精密清洗领域使用了应用超声波的多槽式清洗系统。作为编入清洗系统的装置,有手动进给式和自动进给方式。清洗装置的系统因其被清洗物的清洗目的不同而不同,作为光学透镜、玻璃板等多槽式清洗工序,表2~4工序使用最多。 另外,外观如照片1所示。  表2 多槽式洗浄工程 表4 多槽式洗浄工程      清洗工序的主要液体组成和液体管理如下所示:      有机溶剂。作为溶解力优异的有机溶剂,一般使用三氯乙烯、全氯乙烯、1.1.1-三氯乙烷、二...
发布时间: 2021 - 11 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言       随着器件的集成化,对Si晶片的要求也变得更加严格,降低晶片表面的金属污染变得重要,这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛使用,为了提高表面的清洁度,进行了清洗法的改良,降低使用的超纯水、药品中的污染等方面的努力。今后为了进一步提高表面清洁度,有必要比以前更多地减少工艺中的污染,但这并不是把污染金属集中起来处理,而是考虑到每个元素在液体中的行为不同,在本文中,介绍了关于Si晶圆表面金属在清洗液中的行为的最近的研究例子。 RCA洗净      除去Si晶圆表面污染的RCA清洗是由NH4OH/H2O2/H20,HF/H2 O,HCl/H2O2/H2O组合而成的。通过NH4OH/H2O2/H2O除去Si晶圆表面的有机物污染以及粒子(微粒子),通过HF除去自然氧化膜和膜中的污染,通过HGl/H2 O2/H2O除去金属污染,形成纯净的自然氧化膜。对于金属污染的除去能力,在各个液体中是不同的。酸系的清洗对Fe,Al,Zn的去除能力很高。与此相对,氨系的清洗对Ni,Cu的去除效果很高 晶圆表面金属污染评价法      Si晶圆表面金属污染降低到现在的101...
发布时间: 2021 - 11 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言18世纪第一次工业革命以来,创新技术的进步呈指数级迅猛发展。 进入本世纪,以数字化为象征的第四次工业革命预计将于2045年展开(技术奇点)1),有必要认识其动向(图1 )。 聚焦于物半导体,考虑被称为其代表的SiC、GaN或终极的金刚石基板的加工工艺。 这些半导体基板具有优异耐电场、耐温度等耐环境性,高效长寿命发光特性。 介绍本文就超难加工化合物半导体的加工工艺中超精密加工(研磨)清洗和评价的一系列工艺技术的关系进行阐述。 首先,了解现状的研磨/CMP,追溯新奇的加工提案技术的足迹。 在此基础上,以应对当今课题的新思路为线索,提出新一代半导体工艺技术的突破。实验      硅半导体和CMP的发展,以及化合物半导体的超精密加工。Si的CMP的起源和熟化加工工艺、化合物半导体的现状加工技术仅通过以往的机械研磨(抛光)作用,难以无限无干扰地使Ge和Si等单晶的原子排列成为平滑的镜面,无法发挥晶体所具有的特异特性,因此无法得到期望的器件特性。 因此,作为新加工方法,有化学(溶解)作用机械作用复合化的CMP被提出来,通过这种CMP技术的诞生成为了现在ICT社会的驱动力。 该CMP是20世纪60年代中期由美国的IBM、贝尔研究所等提出的,被称为CMP或MCP。 到了20世纪70年代以后,以Moore定律为象征的半导...
发布时间: 2021 - 11 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,由于以移动性为中心的生活方式,将其处理的大数据作为云,物联网、机器人领域开始显示出活跃的面貌。这种新的技术创新也对半导体产业业务产生了巨大的影响,因此需要符合目的的产品。因此,作为电子介质的半导体芯片的结构也变得复杂,包括从微粉化一边倒到三维化,半导体制造工艺也变得多样化。其中使用的材料也被迫发生变化,用于制造的半导体器件和材料的技术革新还没有停止。为了解决作为半导体制造工艺之一的CMP技术需要更严格地管理半导体芯片中使用的材料的变化、平坦度和缺陷的问题,尽管用于嵌入和平坦化的基本工艺保持不变。在此,从CMP装置的基本变迁,特别阐述CMP清洗的基本技术。 各CMP的清洗目的和技术      将CMP设备和清洗设备集成在一起的Dry-in/Dry-out技术不仅有助于考虑下一工艺的晶圆,而且有助于考虑洁净室。此外,可以稳定地缩短从抛光到清洁装置的时间,并且增加了容易粘附的浆料的去除效果,从而改善了晶片表面的清洁度。本文描述了从基本作用到设备的发展,以考虑在第二代中对每个CMP要执行的清洁方法和设备中的机制。 药液和装置的基本      图2对抛光后晶圆的表面状态和后续清洗,用一个简单的图展示了比较复杂的Cu-CMP工...
发布时间: 2021 - 11 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      VLSI制造过程中,晶圆清洗球定义的重要性日益突出。这是当晶片表面存在的金属、粒子等污染物对设备的性能和产量(yield)产生深远影响时的门。在典型的半导体制造工艺中,清洁工艺在工艺前后反复进行。半导体清洗过程主要使用化学溶剂和超纯水(deionized water)的湿清洗房间法以及等离子体、高压气溶胶(aerosol)和激光。在本文中,我将了解半导体设备制造过程变迁中晶片清洗过程的重要性和热点问题,概述目前半导体设备制造企业使用的清洗技术和新一代清洗技术,并对每种方法进行比较考察。 晶片清洗问题      近年来,随着电路线宽的精细化、铜和低介电膜等新材料的招聘、图案的大长宽比等半导体制造工艺的变迁,清洗工艺的重要性日益突出。现实是,应对的清洗步骤数的增加、先进的清洁技术的开发、集成清洗解决方案等各种技术需求都在面临。最近,作为半导体布线材料,铜正在取代现有的铝,现有的绝缘材料硅氧化膜(SiO2)正在被低介电材料取代。铜提高布线速度“I”,但对腐蚀相当敏感,使用强化学液的传统湿洗方法难以清洁表面,急需开发新的化学液。另外,低介电膜的情况也是由于膜质的多孔性和延展性特性,容易对现有化学液造成损伤的缺点,因此,尽管有优秀的绝缘特性,但其使用受到限制。 ...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着LSI的精细化,晶片的清洗技术越来越重要。晶片清洗技术的一个重要特性是如何在整个过程中去除刨花板或重金属,以及在这个清洗过程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的发生。作为晶片的清洗技术,目前也在使用水槽式清洗,用于清洗的药品从钟来看,RCA清洗是主流。      本文为了防止晶片暴露在大气中,使用从清洗到干燥的方法——封闭系统和IPA Vapor的干燥方法,对该gate氧化前的清洗进行可用性确认,同时评估系统作为晶片清洗的性能。 封闭系统      晶片所有药液的处理都是用一组完全封闭的状态进行的。图1(a)是药液处理和纯水引起的LINS时的状态,药液从组的下部进入,向上排出。药液处理过程中,乔上下安装的阀门交叉,以此状态维持一定时间。药液的置换是从下半部向纯水推出的形式,晶片从洗涤丸料到洗涤丸料都不会接触到所有大气。图1(b)处于干燥状态,加热到45℃的IPA的Vapor由万亿上部供应,同时纯的排水(drain)从万亿下部开始,纯数和IPA蒸发(vapor)的界面形成IPA的层宽约1.5厘米。随着这一层IPA穿过晶片表面,晶片表面的纯价值被IPA取代。最后,乔内部被氮气挖走,晶片表面完全干燥。像这样,晶片从清洁开始到干燥结束,不暴露...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体技术及产业反复急剧发展。这也需要在高度计算、大量多媒体的数据和精密测量、制导等领域有更高性能的计算机,因此不断要求器件的高密度化技术。器件密度的提高意味着线宽变窄。也就是说,生产芯片的工艺变得更加精细和精密。在晶片上制造半导体牛字的过程中,经过逐步的过程,表面的污染物将呈几何级数增长,受这些污染物的影响,半导体器件的数量率将急剧下降。为了应对这种情况,虽然最理想的方法是逐步采用清洁工艺,完美地清除晶片表面的所有污染物,但这几乎是不可能的。因此高密度电路的性能。信赖性和生产良品率是由制作时使用的晶片或制作后元件表面存在的物理化学中不必要的杂质决定的。即使超精细化技术发达,如果清洁工艺不完善,发挥功能的元件也无法得到。也就是说。清洁技术不是半导体器件的清洁,而是半导体器件的制造技术。 半导体晶片清洗技术      半导体制造工艺可以大致分为硅片制造工艺、氧化和沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、等离子烧结工艺和光子晶体剥离工艺,工艺和工艺之间需要大量的清洗工艺(FIGUREST)。蚀刻和离子注入过程需要30次以上,具体取决于半导体的高密度聚集,每个过程后必须进行清洗和冲洗3次以上,以清除残留的波多黎各或污染物。单独的干燥过程必不可少。半导体晶片上有很多...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料清洁基板的重要性      随着半导体元件的超集成化,制造工序数在每道工序后,表面会留下许多残留物或污染物,因此,清除这些残留物的清洁工艺的重要性日益突出(cleaning process)。 再半导体元件制造工艺具有弱阶段的制造工艺,其中红400度以上的工艺由20%的清洁工艺和表面处理工艺组成,以防止晶片污染 半导体元件制造过程中产生的污染物是元件的结构型。 由于降低相畸变和电气特性,对该元件的(electrical characteristics)性能可靠性及收率等影响特别大,因此必须消除。 表面清洁技术      目前半导体制造工艺中,在硅基板上生成的主要污染物是:刨花油;金属污染物自然氧化膜等,对产品的收率质量和可靠性影响较大。目前大多数半导体工艺使用的是典型湿法洗净工艺。也就是说,使用碱性溶液的清洗可以通过氧化和蚀刻反应有效地清除有机污染物或粒子,而使用酸性溶液的SC-2清洗可以溶解金属杂质,形成为络合剂时,用于从硅基底表面解吸金属杂质。      这种湿式洗脱法是目前半导体器件制造工艺中使用最广泛的洗脱法,因为它具有以下优点。 DI water rinse的优点是可以,干燥后残留物很少,并且可以根据要去除的污染物使用适当的多种化学溶液等...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      由于电子和计算机产业的发展,半导体产业突飞猛进。但是,世界范围内对半导体制造工艺中必需使用的各种环境污染物的限制正在加强,如果半导体行业没有积极的环境应对措施,就很难避免发达国家对半导体出口的制裁。因此,本方法在清洁技术层面,对改善半导体产业环境影响的清洁工艺技术替代方案进行了调查。作为洗净工艺的替代方案,调查了气相洗净工艺UV使用工艺、等离子体使用工艺,比较了各工艺的优缺点。 半导体生产工艺与环境危害性:      半导体生产工艺可分为从硅砂制作半导体用硅晶圆片的工艺和通过连续化学工艺在晶圆片表面实现复杂电路的工艺。两种方法,都是在多晶溶解后,通过浸泡单晶的种子(Seed),得到与种子晶体具有相同结晶方位的棒补洋单晶的方法。另一方面,切片是将这种制造出来的Si棒进行有针对性的切割的过程,大约一英寸长,可以产生28个晶片。照相石板工艺是在晶片上喷涂光刻胶后,是利用设计的掩模实现所希望的电路,杂质扩散工艺是将杂质扩散到Si层内部,使其成为P型或N型的半导体。除这些基本工序外,还需要对制造的半导体进行包装和产品化的组装检查工序,以及在工序之间对晶片表面进行清洁的清洁工序。在半导体工业排放的主要环境污染物中,过氟化合物多用于蚀刻工艺,Deionized Water(D...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      微波光子学利用光通过光子链路传输和处理微波信号。然而,光可以替代地用作直接控制微波信号的微波设备的刺激。这种光控幅度和相移开关被研究用于可重新配置的微波系统,但是它们的缺点是占用空间大、开关所需的光功率高、缺乏可扩展性和复杂的集成要求,限制了它们在实际微波系统中的实现。在这里,我们报告单片光学可重构集成微波开关(莫里姆斯)建立在互补金属氧化物半导体兼容硅光子芯片上,解决所有严格的要求。我们的可扩展微米级开关提供了更高的开关效率,所需的光功率比现有技术水平低几个数量级。此外,它为集成微波电路的硅光子平台开辟了一个新的研究方向。这项工作对于未来通信网络的可重构微波和毫米波器件具有重要意义。 实验       多晶硅薄膜晶体管在SOI晶片上制造,SOI晶片由250纳米厚的器件层和3微米厚的掩埋氧化物层组成,如图5a所示。第一步是形成硅光电导贴片。16微米×12微米矩形氢硅倍半氧烷(HSQ)通过电子束光刻形成图案。具有SF6和C4F8气体混合物的反应离子蚀刻(RIE)用于硅蚀刻,如5b所示,接下来,通过电子束光刻的另一个步骤来限定铝传输线,该步骤使用聚甲基丙烯酸甲酯作为抗蚀剂,随后是800纳米铝电子束沉积。然后进行剥离工艺以形成图5c所示的传输线。为...
发布时间: 2021 - 11 - 18
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