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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,太阳能电池和电池板等可再生能源的使用量显著增加。在已安装的光伏系统中,90%以上的是单晶硅电池和多晶硅电池,具有成本低、面积大、效率较高的优点。清洁硅晶片的表面是器件处理技术中最关键的操作之一,特别是在光伏工业中。污染物的完全去除和表面可充电态的钝化是提高对表面重组速度敏感的硅太阳能电池的能量转换效率的非常重要的问题。关键是需要更多的能量来去除更小的粒子,因为在物理上传递微小尺寸的必要的力更困难。      在这种情况下,在其他技术中,超声波搅拌被广泛用于向湿清洗浴中添加能量。平面和图案硅片通常用超声波清洗。在这个过程中,晶片浸在高功率声波的化学活性溶液中。超声化学清洗已被证明是特别有效的,例如,预氧化后、化学前气相沉积、前外延生长、灰后和化学后硅晶片机械抛光。 实验       太阳级n型和p型硅晶片、晶晶和多晶在蒸馏水清洗浴中进行超声。设置如图1所示,施加于朗之万传感器的振幅为U0的振荡电压导致其振动,用硅片将声功率传递到充满水的烧瓶中。传感器-水的共振频率(28kHz)由水的高度h定义。在整个处理过程中,散装水的温度保持在70~80°C之间。在图1中所示的几何图形中,在U0≥45V时很容易观察到空化...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着可再生能源推广扩大政策,太阳能电池用硅片的产量正在增加。硅太阳能电池制作过程中发生的最大问题之一是与制造过程中使用的化学物质的反应以及固化引起的化学物质残留。太阳能电池用硅晶片,单晶及多结晶都在制造,考虑到制造成本,对共晶污染度处理得比较宽容。太阳能电池领域的工艺污染结果包括晶片表面的变质和微细粒子物质的残留,统称为STAIN(STAIN),被区分为主要污染。本文分析了在硅太阳能电池制造中用作基板的156 mm硅晶片的制造过程中,导致产品不良和性能下降的晶片表面污染源,并对去除这种污染的臭氧水清洗进行了实验。污染物是由晶片切割球晶中使用的浆料及清洗液中包含的有机物和从烧结丝分离出来的微粒形成的,可以通过臭氧水清洗工艺去除。应用该技术,可以廉价、高效、环保地制造太阳能电池用晶片。 实验臭氧功能水的制备:为了制造臭氧功能水,首先要制造大量臭氧气体,必须将制造的臭氧气体高浓度溶解到超纯水中。臭氧(O3)是不稳定气体上的物质,主要由放电产生,氧化反应后显示出被自然减半消灭的特性。这种性质具有化学性质,可应用于亲环喇叭超精密清洗方法。清洁领域需要高浓度臭氧,因此主要使用在能效、稳定性、控制便利性方面具有优良特性的无声放电(silent discharge)型臭氧发生装置。为了生成高浓度臭氧,本方法制作并使用了具有特殊结构的无放电型臭氧发生...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言随着可再生能源推广扩大政策,太阳能电池用硅片的产量正在增加。太阳能电池用硅片是半导体用硅晶片生产技术的结合,彼此有相似之处,但太阳能电池领域有其特殊性。硅太阳能电池制作过程中出现的问题有物理和化学方面。就理性问题而言,太阳能电池硅晶片的厚度比半导体用晶片薄,制造过程中可能会出现裂纹的发生或损坏,化学方面的门零点与制造过程中使用的化学物质存在反反应和固化引起的化学物质残留。太阳能电池用硅片同时制造单晶和多晶,考虑到制造成本,对工艺污染度处理得比较宽容。太阳能电池领域的工艺污染结果是,被统称为stain的晶片表面的变质和阻碍纹理的物质残留被区分为主要污染。本方法考虑到太阳能电池用硅片制作工艺的特点,通过对硅片清洗和表面污染源的清除,研究了亲环境、便宜、有效的清洗机制。 实验和分析微细粒子清洗实验:我们首先将臭氧功能水产生的实验装置作为硅片的无机物清洗配合使用,可以替代臭氧功能水的晶片清洗过程。晶片暴露在普通大气中数天后污染后,作为污染源,对有机物、无机物、金属等成分没有区分,清洗实验前后的微粒总数,分析了清洗性能。此时,在臭氧浓度分别为20 ppm和30 ppm的清洗槽中对晶片进行了3分钟的清洗后,确认了晶片表面的微粒清洗程度。清洗前后的微进尺测量是用装有可见光及紫外线光源的光学显微镜观察并判读的。图6的顶部是以可见光为光源拍摄的照片,...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      金属氧化物半导体的传统制造工艺包括各种步骤,如蚀刻、沉积、化学机械抛光等。在每个过程中,晶片很容易被纳米尺寸的颗粒污染。晶片表面的这些颗粒可能会影响产量的降低。根据国际半导体技术路线图(ITRS),随着动态随机存取存储器(DRAM)半节距的缩小,临界粒径正在减小到1纳米。物理清洗过程,如超声波、喷射、气溶胶等。,由于其不可控的物理力,无法防止30纳米以下的图案损坏。因此,使用湿化学清洗工艺清洁表面以防止图案损坏是非常重要的。      湿化学清洗过程主要有两个因素。一个是表面刻蚀,另一个是颗粒与基体的相互作用力。众所周知,SC1清洗机制可以代表性地去除硅衬底上的颗粒。然而,污染在表面上的粒子不仅仅是硅表面,还有多硅、氮化硅、二氧化硅等多种表面。因此,必须根据化学物质的蚀刻机理和相互作用力,证明其对各种表面的颗粒去除效率。      在本文中,我们研究了使用半导体清洗工艺中常用的清洗化学品在基于硅衬底的各种表面上去除颗粒的关键因素。实验采用多晶硅、热二氧化硅和高温氮化硅作为衬底。稀释NH4OH (NH4OH:DIW = 1:1000),SC1 (NH4OH:H2O2: DIW = 1:2:50,60℃)和稀释HF(HF:DIW = 1:1000)溶...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料蚀刻是一类用于受控去除材料的常见工艺。氧化铝的蚀刻在各种应用中被发现,包括制造微器件,特别是薄的薄膜磁性结构,更特别是磁头。有各种类型的蚀刻工艺;然而,它们通常都包括将反应物输送到表面、表面反应和从表面输送产物的共同作用。几个特征被用来描述蚀刻工艺的能力。蚀刻速率是蚀刻材料厚度随时间的减少。更快的蚀刻速率通常是有利的,但必须与控制去除材料总量的能力相平衡。希望整个表面和表面之间的蚀刻均匀。蚀刻过程的各向同性也被考虑。由蚀刻工艺引起的选择性和损害的特征通常控制哪种类型的蚀刻工艺用于特定的应用。表面通常由一种以上的材料组成,其中只有一种材料需要蚀刻。待蚀刻的材料被称为蚀刻材料。底层和周围材料指的是结构中不被蚀刻的其余部分。选择性通常被定义为蚀刻材料的蚀刻速率与结构中不被蚀刻的其他部分的蚀刻速率之比。损害往往与选择性直接相关。如果可以实现完美的选择性,那么只有蚀刻材料会被去除,而其他材料不会发生蚀刻。如果选择性差,那么对其他材料的蚀刻很可能是广泛的,因此被描述为损坏。腐蚀过程的部件和结构中的材料之间的不相容性(通常是化学性质的)也可能导致损坏,例如导致结构腐蚀。选择性是蚀刻工艺中的一个重要考虑因素,因为需要过蚀刻来确保蚀刻材料的完全去除。过蚀刻指的是需要继续蚀刻,即使蚀刻工艺已经充分去除蚀刻材料以暴露下层。需要过蚀刻,因为在典型的表面上,由于以下原因,...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言我们提出了一种将具有有益光散射特性的表面形貌引入溅射沉积的氧化锌:铝薄膜的新方法,该薄膜用作硅薄膜光伏器件中的前接触。电化学阳极化用于触发局部溶解,导致界面结构与通常在稀释的盐酸中通过蚀刻步骤制备的结构互补。通过电化学腐蚀条件和电解液的系统变化,评价了设计氧化锌薄膜表面的基本实验参数。用扫描电镜、四点电阻和霍尔测量对制备的薄膜进行了表征。此外,电化学和化学蚀刻步骤相结合,以产生各种不同的表面形态。这种薄膜在微晶硅单结太阳能电池中的应用已显示出良好的初步结果。 实验大约800 nm厚的多晶ZnO:Al薄膜在垂直直列系统中使用射频(RF)磁控溅射沉积在清洁的玻璃衬底上。该系统由ZnO组成的陶瓷靶制成。沉积在300℃的衬底温度、2W·cm-2的放电功率密度和0.1帕的氩气压力下进行。使用恒电位仪进行了电化学实验,三电极装置,利用铂丝作为反电极和银|氯化银|3 M KCl参比电极,所有给定电位均参考该电极。ZnO:Al覆盖的衬底被切割成块,并且这些被连接作为工作电极。在所有电化学实验中,温度保持恒定在25℃。电化学处理后,在热的去离子水中清洗衬底,以去除源自电解质溶液的盐残留物。在(30×30) cm2反应器中通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅膜。背面接触由来自与正面接触相同系统的溅射沉积ZnO:Al和通过...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化铝(AlN)是一种ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料。优异的机电性能使其适用于微机电系统谐振器。薄膜体声波谐振器(FBAR)被广泛研究和使用。压电氮化铝微机电系统谐振器具有“三明治”结构:底部电极层,氮化铝层和顶部电极层。这些类型谐振器的衬底通常是硅。在制造过程中,氮化铝的蚀刻是一个关键的过程。蚀刻结果将强烈影响性能参数,例如谐振频率和品质因数。最近,电感耦合等离子体(ICP)蚀刻工艺被广泛用于氮化铝蚀刻工艺。但在此过程中仍存在侧壁角度差、微切效应和底部粗糙等问题。      本文主要研究氮化铝的刻蚀工艺。采用了等离子体刻蚀技术。本方法展示一些主要的刻蚀工艺参数。蚀刻结果通过蚀刻速率、选择性、侧壁角度、底部表面粗糙度和微压痕来表征。 实验      本方法的刻蚀样品为多晶氮化铝薄膜,厚度为450纳米,晶体取向为(002)。用x光衍射测得的半峰全宽(FWHM)为1.7,用原子力显微镜测得的粗糙度均方根为3.2纳米。通过扫描电子显微镜(SEM)测量的晶粒尺寸值约为50纳米。使用厚度为1微米的二氧化硅硬掩模。在本文中,选择性是氮化铝与二氧化硅的蚀刻速率比。氯基气体通常用于氮化铝的蚀刻过程。蚀刻产物是一系列铝氯挥发性化合物,如三氯化铝、二氯化铝和...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      绝缘体上硅(SOI)结构是低功耗和高速应用中金属氧化物半导体器件最有吸引力的候选结构之一,因为使用这种结构很容易降低耦合电容。典型厚度为几个100纳米的完全绝缘的掩埋二氧化硅层消除了几个泄漏路径。然而,许多不同的SOI结构目前正在研究中,具有标准的体结构。然而,SOI衬底是昂贵的,并且掩埋的二氧化硅的差的导热性可能产生热量问题。特定的衬底处理,如氧离子注入分离和外延层转移,必须在器件制造之前准备好。本文研究了老化时间和腐蚀时间对硅锗混合腐蚀液腐蚀速率的影响,即1 vp HF (6%)、2 vp H2O2 (30%)和3 vp CH3COOH (99.8%)。 实验      利用减压化学气相沉积系统生长了用于选择性湿法刻蚀的样品。硅衬底是在硅锗层生长之前,通过正常的清洁程序(氢烘焙步骤,以清除表面的天然氧化物,在1100℃下进行)进行清洁。然后将硅烷和GeH4(1.5%稀释)切换到反应器中,开始SiGe层的生长。硅烷和GeH4的流量分别为10~100sccm和40~300sccm。h2的流量固定在10slm。生长温度为600℃,硅锗层的生长速率为3.8纳米/分钟。最后,通过沉积40纳米硅盖层完成层结构。锗硅层中的锗浓度为20%。用透射电镜和EDX法测定了层的厚度...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      碳化硅(SiC)是高功率和高温( 150℃)电子应用的理想材料,因为其作为高临界电场的优异性能,可在高外加工作电压(2500千伏/厘米)下工作,并具有良好的导热性(4.9瓦/厘米3)。然而,在碳化硅上异质外延生长功能氧化物薄膜是一个具有挑战性的关键目标,以实现在下一代电子器件中使用碳化硅的全面成功。形成突然而有效的界面是功能氧化物在半导体上集成的基本要求之一。必须开发一个可靠且成功的清洁程序,以产生一致且特性良好的起始表面。据报道,一些碳化硅表面清洁研究,包括高温氢蚀刻和氢等离子体处理,可以去除抛光过程中产生的污染物和划痕。      在本文中,我们演示了氢原子束源(HABS)产生的氢原子对清洗衬底的影响,以了解氢原子与表面的基本相互作用。 方法      用氢原子代替H2分子清洁衬底已被证明是在相对较低的温度下去除一系列半导体材料中的表面碳氢化合物和氧化物的有效途径,包括GaAs、InAs和InP。在目前的方法中,用于清洁的氢原子是由氢原子束源(HABS)热表面的氢气离解产生的。HABS是一个热裂解炉,由一根钨丝装在高纯度钨管中组成。6H-SiC衬底用有机溶剂脱脂,然后引入UHV(超高真空)室。然后,在700℃的衬底温度下,将它们...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      碱性溶液中的湿化学各向异性蚀刻是工业太阳能电池纹理化最常见的工艺。使用湿化学各向异性蚀刻技术在单晶硅晶片(100)的表面上形成微锥体结构。主要目的是根据硅表面反射率评估蚀刻剂的性能。选择不同的异丙醇体积浓度(2、4、6、8和10%)和不同的蚀刻时间(10、20、30、40和50分钟)来研究硅片的总反射率。其他参数如氢氧化钠浓度(12%重量)。      溶液温度(81.5℃)和搅拌器速度范围(400 rpm)在所有过程中都保持恒定。用光学显微镜和原子力显微镜分析了晶片的表面形貌。AFM图像证实了均匀的金字塔结构。 实验      在这项工作中使用了厚度为500μm、电阻率约为0.1 Ω⋅cm的p型单晶Si100晶片。首先将硅片切割成约1 cm2的样品。清洗过程分两步进行:第一步是从硅样品中去除污染物。在这一步中,样品在去离子水(DI-W)中清洗5min,然后在室温超声处理下用无水乙醇清洗5min。第二步是去除任何天然氧化物。该步骤在∼10%HF中进行1min。在流动的DI-W中彻底清洗后,样品在溶液中蚀刻。实验在浸在油浴中的玻璃通量中进行,以实现溶液的间接加热,如图3。 图3 本工作中使用的纹理过程设置的示意图 ...
发布时间: 2021 - 11 - 13
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