欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要由于硅晶片的高反射率,硅表面纹理化是制作硅太阳能电池不可缺少的步骤。因此,表面纹理和抗反射涂层如SiNx对于降低太阳能电池的表面反射率是必要的。目前,用于使硅晶片纹理化的工业化技术通常基于通过各向异性蚀刻的单晶硅的碱性溶液或者通过各向同性蚀刻形成多晶硅的酸溶液。我们通过一步铜辅助化学蚀刻(CACE),硅太阳能电池中的光反射最小化,成功实现了所谓的倒金字塔阵列,其性能优于传统的直立金字塔结构。由于Cu2+/Cu的还原潜力较低不同硅平面的电子性质,硅衬底的刻蚀表现出取向依赖性。与碱性溶液获得的直立金字塔不同,倒金字塔的形成是各向异性蚀刻和局部蚀刻过程共存的结果。无论硅衬底的取向如何,所获得的结构都被蚀刻速率最低的硅{111}面所限制。定量分析了硅刻蚀速率和(100)/(111)刻蚀比。系统地研究了碱性和铜基酸性蚀刻剂对硅的各向异性蚀刻的不同行为。 实验掺硼(1–3ωcm)、500微米厚、(100)、(110)和(111)取向的双抛光硅晶片在丙酮中彻底清洗以去除任何有机污染物,然后在蚀刻前用去离子水清洗。直立的金字塔结构是通过在含2 wt%钾的碱性溶液中蚀刻获得的氢氧化钾和10体积%异丙醇。与此同时,我们在50℃下使用含5毫摩尔铜(NO3)2、4.6毫摩尔氟化氢和0.55毫摩尔过氧化氢的铜基酸溶液获得倒金字塔结构。在超声浴中使用浓硝酸去除...
发布时间: 2021 - 11 - 12
浏览次数:132
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言晶圆直接键合(WDB)是一种不用胶水就能键合干净的镜面抛光晶圆的技术。当键合晶片在高温下退火时,相对较弱的室温键合(通过范德华力或氢键合键合)被较高强度的键合(如共价键合)所取代。我们使用4英寸耐热玻璃和硅片研究了玻璃/硅直接键合中的清洗和退火效应。检查SPM清洗(硫酸-过氧化物混合物,H2SO4 :H2O2=4:1,120°C)、RCA清洗(NH4OH:H2O2 :H2O=1:1:5,80°C)以及这两种方法的组合,以研究晶片清洗效果。当晶片在SPM清洗后用RCA清洗时,在室温下获得最大的键合质量。通过原子力显微镜测量的表面粗糙度与室温下的结合质量一致。当退火温度增加到400℃时,结合强度增加,但是在450℃时发生剥离。玻璃和所用硅晶片的热膨胀系数的差异导致了这种剥离。当在室温下键合的晶片在300或400℃退火时,键合强度增加28小时,然后随着进一步退火而降低。进一步退火导致的结合强度下降是由于钠离子通过玻璃/硅界面漂移。 实验我们用四英寸直径的硼硅酸盐7740派热克斯玻璃晶片和硅晶片来研究,厚度分别为500米和525米。硅晶片为p型,电阻为4ω,玻璃晶片含有12.7% B2O3和其他元素,包括Na2O (4.00%)、Al2O3 (2.30%)、K2O (0.04%)和Fe2O3(0.03%)。SPM(硫酸-...
发布时间: 2021 - 11 - 12
浏览次数:26
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言等离子体蚀刻是集成电路制造过程中最重要的步骤之一,氟是许多这类等离子体中的主要蚀刻剂。因此,许多表面科学研究致力于氟物种与硅的相互作用,以阐明蚀刻过程的基础物理和化学。到目前为止,大多数硅/二氟化氙反应的温度依赖性研究都集中在产物分布上。在分子束装置中定量研究了硅(100)/二氟化氙刻蚀反应的温度依赖性。在150 K的样品温度下,反应概率最初达到统一,之后二氟化氙凝结在表面上并阻止蚀刻过程。使用热解吸光谱测量的SiFx反应层的稳态氟含量在300 K时达到最大5.5个单层。随着温度的升高,它降低到700 K以上的亚单层覆盖率。通过将二氟化氙前体包括在先前开发的吸附模型中,反应层形成的温度依赖性得到了很好的描述。 实验实验是在一个多光束装置中完成的。研究的样品都是n型(磷,2–3ω·cm)硅(100)表面。用HF清洗样品以除去天然氧化物后,将其安装在UHV室中,背景压力低于10-8托。镍样品架的温度可以控制在100-1000K。在每次实验之前,样品被加热到900K,以去除所有剩余的氟。为了验证样品没有被样品架上的镍污染,一些样品在实验结束后被转移到不同的装置中,并进行俄歇和XPS分析。没有发现镍或任何其他金属的痕迹,这表明污染物的影响可以忽略不计。二氟化氙通过与表面法线成52°角的流出气体源提供。根据二氟化氙蒸汽压和...
发布时间: 2021 - 11 - 12
浏览次数:25
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料,其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂,并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔,这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制。执行蚀刻机制的成功之处在于,多层结构的顶层应该被完全去除,而在底层或掩模层中没有任何种类的损伤。这完全取决于两种材料的蚀刻速率之比,称为选择性。在一些蚀刻情况下,蚀刻会削弱掩模层,并产生形成空腔的倾斜侧壁。底切的距离称为偏差。 蚀刻类型      各向同性蚀刻:湿蚀刻剂通常是各向同性的,并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差。它们还需要处理大量有毒废物。这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效,在该处理中,晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄,并且对热或机械类型的应力非常敏感。蚀刻几微米的非常薄的层将去除在背面研磨过程中产生的微裂纹,导致晶片具有显著增加的强度和柔性。      对于各向同性湿法蚀刻,氢氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混...
发布时间: 2021 - 11 - 12
浏览次数:314
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言超声波已广泛应用于各种行业,如制造业、工业清洗和半导体晶片清洗工艺。在这项工作中,我们将超声波用于太阳能电池晶片清洗系统。我们设计并制作了一个频率为750千赫的太阳能电池晶片中频清洗系统。利用有限元分析设计了系统。获得的峰值导纳值为750.0千赫。根据分析结果,制作了系统,测量了系统的导纳特性。测量数据显示753.1千赫,这个值与有限元结果一致,误差为0.4%。进行了声压测试,结果发现压力范围为283%至328%,标准偏差范围为36.8%至39.2%。然后,进行晶片损伤测试,并且没有观察到损伤。最后,进行颗粒清洗试验;当我们施加1100 W时,99.8%的颗粒被去除。这些结果表明,所开发的中声槽具有有效清洁而不会造成晶片破裂的能力。 实验声压测量:制造超声波浴后,测量充满水的板上的声压分布。实验装置由附在夹具上的水听器传感器和三轴移动柱以及计算机分析系统组成,如图7所示。测量数据时,传感器以0.05毫米的步长沿之字形路径移动,以便能够详细扫描所需区域。测量数据被传输到计算机,压力分布被实时显示。保存数据文件后,通过计算最大值和标准偏差值进行分析。首先,我们将水箱装满水,并通过调节发电机来启动电源。功率从200瓦增加到700瓦,其值可能不会损坏太阳能晶片。供电时,由于系统的目标,传感器将浸入水面下3毫米,这确保了它将在水中工作进行清洁...
发布时间: 2021 - 11 - 12
浏览次数:16
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料制造过程中的清洁的目的:抗蚀剂去除,表面处理,去除颗粒,去除有机物和去除金属。清洁可分为预沉积/氧化清洗和蚀刻后清洗。我们选择清洁工艺/化学的因素有:要清除的残留物类型,清洁过程中暴露的表面类型,能够在不损坏器件材料的情况下去除残留物和污染物。清洁机制分为螯合/复合物形成,增溶和溶解。表面活性剂:表面活性剂是任何清洁剂中最重要的部分。表面活性剂这个词是“表面活性剂”的缩写。一般来说,表面活性剂是一种化学物质,当溶解在水或另一种溶剂中时,会在液体和固体(我们正在去除的污垢)之间的界面(边界)上定向,并改变界面的性质。表面活性剂是如何工作的?都有一个共同的分子相似性。分子的一端有一个长的非极性链被油、油脂和污垢(疏水物)吸引。分子的另一部分被水(亲水物)吸引。如图所示,表面活性剂排列在界面上。分子的疏水端离开水,亲水端靠近水。当污垢或油脂存在时(本质上是疏水的),表面活性剂会包围它,直到它从边界上被清除。注意到污垢分子实际上悬浮在溶液中。 螯合剂:去污是一个复杂的过程,比仅仅在水中加入肥皂或表面活性剂要复杂得多。我们在处理清洁剂时主要关心的问题之一是水的硬度。由于钙、镁、铁和锰金属离子的存在,水变得“坚硬”。这些金属离子会干扰洗涤剂的清洁能力。金属离子像灰尘一样起作用“用完”表面活性剂,使它们无法作用于我们想要清洁的表面。螯合剂与这些物质结...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:22
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在半导体清洗过程中,作为取代 现有湿化学清洗液的新型湿式溶液,将臭氧溶解到纯中,被称为仅次于氟的强氧化剂,是PR去除工艺和杂质清洗。这种臭氧水方式的湿洗完全不使用对环境有害的物质,大大减少了纯水的使用量,同时在PR去除效果方面被评价为与现有SPM溶液(硫酸/过氧化氢混合液)工艺相当的技术。但是臭氧水工艺是臭氧气体对水的溶解度低、水中扩散阻力大的根本制约因素,以目前国内外技术水平的低PR去除性能来说,有很大的技术制约,不能满足设备制造业的生产产量。因此,与传统的湿法工艺相比,虽然有很多优点,但实际的PR去除工艺中臭氧水工艺实用化替代并不明显。 实验 PR去除试验为了探讨本边界膜控制方式臭氧处理工艺研究所进行的辽小技术及工艺设备作为半导体制造工艺的PR去除工艺是否具有可行性和有效性,进行了PR去除性能试验。性能测试是根据预定义的工艺条件,使用硅片在凸轮内进行反应工艺后未反应的方法测量硅片表面残留的PR厚度,计算每单位时间的PR去除率,从而达到PR去除率最高的工艺条件。想要发货。半导体制造过程中使用的PR种类很多,而且各制造过程使用的方法也很多。如图7所示,为了PR去除试验,制作并使用了臭氧发生量为60g/hr级的超高浓度臭氧发生系统,臭氧供应流量为6-12[LITER/PLIN],并调整放电功率以保持14-16wt%的臭氧浓度...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:13
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言多孔硅(pSi)内表面的钝化是大多数接收应用的先决条件。在多孔硅(PsI)内表面,反应性氢化物端接键被功能更稳定的物质取代。在可容易地应用于pSi膜和粉末的钝化技术中,热氧化是最常见的;在静态样品/熔炉条件下,这已被证明是高度放热的,并可导致大程度的烧结和孔隙塌陷。我们通过阳极氧化和从母晶片电化学分离形成的多孔硅膜在室温下通过浸入包含甲醇和氢氧化钠( 实验在电化学阳极化(直径150毫米,硼,0.01:1)上制备多孔硅层;选择电流密度和时间产生介质(63%)或高孔率(80%),层厚度150µm。阳极化后,通过施加高电流密度脉冲(130mA/cm2,持续10m),每一层立即与基底分离。随后,分离的膜在MeOH中冲洗,并在50◦C下真空干燥几个小时,然后手工破碎成小块(从1M(pH14)原液中连续稀释制备0.1M(pH13)和0.01M(pH12)氢氧化钠溶液。将MeOH移液到阳极氧化的疏水pSi上,以促进润湿,并允许随后添加的氢氧化钠水溶液(足以完全覆盖膜)进入孔隙结构;搅拌溶液(300rpm)以确保均匀性;使用热电偶测量每种溶液的最高温度。在预先确定的时间后,每个样品从溶液中分离,依次冲洗(去离子水,然后是甲醇),干燥(50◦C真空烤箱数小时)。使用氮气吸附/解吸,使用微型三轮车3000测定每个粉末的表面积、孔隙体积和平均孔...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:24
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在半导体制造中,半导体的湿法清洗使用氢氟酸(HF)、标准清洗1(SCI)和标准清洗2(SC2)的顺序化学配方进行栅极前清洗。该清洗程序旨在通过HF去除大块二氧化硅(SiO),然后用SCI(去离子水(DI)、氢氧化氨(NH,OH)和过氧化氢(HCO)的混合物)清洗颗粒,然后用SC2(去离子水、盐酸(HCI)和HCO的混合物)清洗金属。该顺序清洁过程之后通常是最后的异丙醇(异丙醇)干燥步骤。在每个步骤之间通常会进行中间去离子水冲洗。重要的是在高频之后和化学气相沉积重新生长一氧化硅层之前,清洁半导体衬底的硅(硅)表面。任何由硅-二氧化硅界面中的颗粒、金属或表面粗糙度引起的缺陷都可能导致氧化物电荷-击穿(Qtd)故障的电测试,导致器件成品率降低。用于清洗半导体晶片的系统和方法,其中消除了SCI和SC2的使用,代之以DIO和稀释化学物质的使用。在一个方面,本方法包括:(a)在处理室中支撑至少一个半导体晶片,该半导体晶片具有硅基底,在至少一个预栅极结构中具有二氧化硅层;(b)将去离子水中的氢氟酸水溶液施加到半导体晶片上,以去除二氧化硅层并形成栅极;(c)向半导体晶片施加臭氧化去离子水(DIO ),以从栅极去除颗粒并钝化硅基底;(d)将氢氟酸和盐酸在去离子水中的稀溶液施加到半导体晶片上,以去除由于施加DIO而可能在栅极中形成的任何二氧化硅层,并去除任何金属污染...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:33
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      微透镜及其阵列在光子学中有许多应用的可能性,规模不断缩小。它们因能够在微型尺度上操纵光线并使整体包装简单紧凑而变得流行。因此,预计光子学中的微透镜应用将以各种形式广泛传播。      我们使用基于Br2溶液的扩散限制化学蚀刻技术制造了折射半导体微透镜。简单的一步湿法刻蚀工艺产生了高质量的GaAs和磷化铟微透镜,这两种半导体材料在光电子学中最受欢迎。标称透镜直径为30 m的球形GaAs微透镜分别具有91和36 m的曲率半径和焦距。经原子力显微镜检查,表面粗糙度测量值低于10。由于加工简单和高质量的结果,这种微透镜制造方法应该易于应用。      图1示意性地示出了掩模孔内的蚀刻工艺。Br2分子在掩蔽区域不与衬底反应,这些分子必须扩散到开放区域(在我们的例子中是圆孔)进行蚀刻。然而,由于Br2分子的低迁移率,分子在掩模边界附近被消耗的概率高于远离掩模边界的概率。蚀刻窗口上蚀刻速率的这种逐渐的空间变化(其分布在图1的上面板中示意性地示出)在半导体表面上形成球面透镜轮廓。在取决于半导体材料和所需透镜曲线的蚀刻期间,样品需要静止放置在蚀刻槽内以获得良好的再现性,因为对蚀刻物质的自然差异运动的任何干扰都会改变蚀刻过程的细节。 图1 使用基于Br2的...
发布时间: 2021 - 11 - 11
浏览次数:33
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开