欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
133-5806-4333
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明2.2.台面结构图如下3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。在本文报道的研究中,基于颗粒吸附在晶片表面的机理,研究了去除吸附在水表面的颗粒的机理。在颗粒去除实验中,用湿法清洗工艺中使用的酸性和碱性溶液清洗了人工污染的单晶提拉法和FZ法晶片。已经证明,就颗粒去除效率而言,碱性溶液优于酸性溶液。据认为,由于碱性溶液中大多数颗粒的ζ电位为负,颗粒被晶片表面电排斥。除了从胶体化学的角度进行研究之外,我们认为检查由碱性溶液引起的晶片表面腐蚀也是很重要的。为此,研究了腐蚀速率和微粒去除效率之间的关系。使用直拉和FZ晶片。此外,用聚苯乙烯乳胶球代表有机物,研究了在NH,OH-H2O,-H2O溶液中的氧化过程,以找出氧化程度与颗粒物去除率之间的关系。结果,它已经被显示应该将NH4 H-HOOK-H2O溶液中的NH,OH含量降低到常规水平的1 /20,以优化颗粒去除效率。本文的剩余部分将描述实验性pro-的细节cess和结果。英寸CZ ( 1,0,0)晶片用于粒子吸附实验。自然氧化物首先在0。5 Y HF溶液。然后将晶片浸入各种接种有颗粒的溶液中10分钟,然后冲洗并干燥。在晶片表面形成自然氧化物后,在0.5的氢氟酸溶液中再次去除,然后清洗并干燥。五英寸锆石(1。0.0)和四英寸FZ ( 1,0,0)晶片用于清洗实验以研究颗粒去除。使用以下污染源对晶片进行人...
发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:490
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻,但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻,并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂,包括含水无机酸和碱溶液,以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识别极性和多型体(对于SiC ),以及在光滑表面上制造器件。对于GaN和SiC,电化学蚀刻在室温下在某些情况下是成功的。此外,光辅助湿法蚀刻产生类似的速率,与晶体极性无关。介绍宽带隙半导体GaN、SiC和ZnO对于许多新兴应用是有吸引力的。例如,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(MMICs)的发展保证了高频操作。此外,GaN用于紫外波长光电器件。它具有高击穿电场,大于硅或GaAs的50倍,这允许它用于高功率电子应用。GaN的宽带隙允许其用于蓝色/紫外线发光二极管(led)和激光二极管(LD ),并且由于其低本征载流子浓度,允许其在非常高的温度下工作。高电子迁移率和饱和速度允许其用于高速电子学。此外,诸如AlGaN/GaN的异质结构允许制造诸如HEMTs的高速器件。Zn...
发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:609
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。湿法蚀刻是对膜进行各向同性蚀刻,因此不利于形成精细的布线,能够使用的布线有限,在最上层的Al系布线中使用的情况,这是因为与干法蚀刻相比,可以用廉价的装置形成。另外,在形成接触孔和通孔孔时,为了改善其后成膜时的覆盖范围,有的情况是首先用BHF药液进行湿法蚀刻;另一方面,在现在的半导体器件制造工艺中,作为最多的使用目的,还是去除布线形成后不需要的膜。下面介绍半导体制造过程中的重要组成部分:清洗和使用药液,下列的表中。首先是粒子去除(清洗),通常使用的药液是氨和过氧化氢水的混合液,混合比例、液温、清洗时间等是各公司的专有技术,一般来说氨:过氧化氢:纯水=1:1-10:20-100,温度40-70℃,使用时间为30秒-4分钟。下图中显示了粒子、金属杂质、有机杂质被清洗的机理的例子;在APM液中过氧化氢水的作用下,硅晶圆表面形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜,使用臭氧水(臭氧浓度10 ppm左右,温度25℃以下)时,由于臭氧的作用,同样会形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜,并且,APM液中的氨具有蚀刻去除形成的氧化膜的作用,在去除氧化膜的同时,粒子,金属杂...
发布时间: 2022 - 03 - 25
浏览次数:856
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料GaAs晶圆拥有强大的性能特性,使其成为快速发展的技术世界的理想选择,这些半导体正在推动移动通信的未来,所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度,但由于电子移动速度加快,所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。  5G是什么?5G代表了所有蜂窝网络的第五代标准技术,是一个非常强大的宽带蜂窝网络,远远超过4G网络的速度。  了解GaAs晶圆GaAs,或砷化镓,是一种由元素镓和砷组成的半导体,砷化镓的用途很少,因为缺乏要求这种特殊半导体特性的先进技术,但鉴于现代技术的需求,所以GaAs经历了复苏。  为什么是GaAs而不是硅?尽管硅被认为是半导体的标准材料,但GaAs晶圆提供的电子特性更适合5G移动设备。那么,在5G网络方面,GaAs和硅相比究竟如何?GaAs和硅在5G网络方面,GaAs的电子移动速度比硅快得多;与GaAs不同,硅不耐辐射;而且GaAs可以在微波频率下工作。GaAs与5G的关系对于运行在5G上的移动设备来说,它需要一个可以完全支持信号速度的晶片。  GaAs晶片被广泛认为是集成电路的未来,当我们考虑到这些半导体的市场份额及其增长速度时,这一事实变得非常明显,如果我们只看GaAs威化,市场预计将增加超过目前38亿美元净值的五倍。5G与4G4G是第四代宽带蜂窝网络技术,5G是第五...
发布时间: 2022 - 03 - 25
浏览次数:479
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料湿法晶片清洗虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感,但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造,湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要,这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关,因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。晶片上的单个颗粒就足以造成致命的缺陷或偏移,最终导致器件故障,当今最先进的节点设备用于智能汽车、医疗保健和工业应用等关键应用。因此,器件可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着更严格的设备分类和宁滨,从而影响产量。不幸的是,许多传统的晶片清洗方法不仅不足以用于先进的节点技术,它们还会对finFETs和硅通孔等精密结构造成损坏。所以选择正确的湿法晶片清洗技术不应该是事后才想到的,而是应该作为稳健制造工艺流程的一部分仔细考虑。考虑到这一点,让我们看看湿法晶片清洗技术是如何从一门艺术发展成为一门科学的,以及湿法晶片清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。有几个清洗步骤?45纳米节点技术需要大约150-200个单独的清洗工艺步骤。10纳米节点处理使用了3倍于此的数量,大约800个清洗过程步骤,包括:光致抗蚀剂条、蚀刻后剥离、植入带、常规晶圆清洗、用于多重图案化和EUV的背面清洗、缩小技术节点需要双重、三重甚至四重图案化光刻工艺。这给整个工艺流程增加了数百个额外的步骤,包括额外的清洗步骤,虽然...
发布时间: 2022 - 03 - 24
浏览次数:498
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1,S(2或SPM)在其配方中包括过氧化氢。所述浴从硅表面去除颗粒、有机和金属污染物,避免了由污染引起的电不可操作性和少数载流子寿命的降低。为了避免因镀液本身造成的污染,所有成分都需要极高的纯度,因此必须严格控制这些化学物质中的杂质浓度。半导体设备和材料国际(SEMI)组织是一个全球性的行业协会,为微电子、显示和光伏产业的制造供应链提供服务。该组织促进该领域全球最受尊重的技术标准的发展。在所有受管制的主题中,有些涉及工艺化学品,并指出要被接受为电子化学品。对于过氧化氢的特殊情况,SEMI (30文件是适用的[3],其中六个不同的电子等级被定义为允许的最大污染物浓度的函数,如表1所示。尽管通常商业化等级的过氧化氢水溶液已经通过传统的纯化技术(L-L萃取、吸附、膜技术、蒸馏...)为了降低杂质水平[4],用于电子设备的过氧化氢要求污染物含量非常低。因此,需要超纯工艺从标准级产品中达到电子级要求。虽然过氧化氢超纯化的技术可行性已经很好地解决了,因为不同电子等级的商业化已经证明了这一点,但是还找不到提示工艺基础的科学论文。因此,专利成为唯一可用的书目来源。作为过去二十年文献综述...
发布时间: 2022 - 03 - 24
浏览次数:566
扫码添加微信,获取相关半导体资料引言本文描述了用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案,随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH/IPA溶液进行湿法蚀刻以产生硅鳍。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜来确定形貌,包括鳍之间区域的表面粗糙度和硅的蚀刻速率。介绍硅蚀刻在图案从光掩模转移到衬底之后,下一步是蚀刻衬底,以获得与抗蚀剂上完全相同的图案。硅蚀刻有两种分类标准。一种是基于蚀刻形状;另一种是基于蚀刻技术。蚀刻后的硅的形状可以是圆形的,也可以是尖角形的,分别称为各向同性蚀刻和各向同性蚀刻。对于IC制造,最常用的蚀刻技术包括湿法蚀刻、等离子体蚀刻和反应离子蚀刻,其中大多数可用于硅蚀刻。各向异性蚀刻和各向同性蚀刻各向同性蚀刻是一种非定向移除部分基板的蚀刻方法(图2.1 (a)),从而产生圆角。相反,各向异性蚀刻意味着每个晶体取向具有不同的蚀刻速率,因此拐角是尖锐的(图2.1 (b)、(c))。(100)取向硅的各向异性蚀刻形状是底角为54.74°的等腰形状(图2.1 (b))。对于各向异性蚀刻...
发布时间: 2022 - 03 - 23
浏览次数:557
添加微信,获取关于湿法刻蚀的完整资料
发布时间: 2022 - 03 - 23
浏览次数:706
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是,硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染,空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力,这些污染物牢固地结合在硅晶片表面,给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。为了正常工作,硅晶片必须完全没有任何污染物。然而,去除这些污染物并不是最简单的任务,因为硅晶片非常易碎。因此,半导体制造企业必须坚持精心制定的清洁计划,确保晶圆表面恢复到清洁状态,同时保持最小的损坏风险。为了最有效地清洗硅片,硅酮制造商推荐以下清洗步骤:第一步:溶剂清洗半导体制造企业使用溶剂成功去除硅片表面的油和有机残留物。虽然溶剂确实能去除这些污染物,但溶剂本身也会在晶片表面留下残留物。由于这个原因,实施了双溶剂方法以确保晶片回到无污染状态。溶剂清洗方法概述如下:·准备两个浴槽,一个玻璃容器装有丙酮,另一个装有甲醇。·将丙酮容器放在加热板上,将丙酮加热至不超过55°c的温度。·一旦变暖,将硅片浸泡在丙酮浴中10分钟。·丙酮浴完成后,取出硅片并将其放入甲醇容器中5分钟。·时间一到,将晶片从甲醇中取出,在去离子水中冲洗。·用氮气吹干硅片。第二步:清洁RCA-1通过混合5份去离子水和1份氢氧化铵(27%)开始准备RCA槽。将RCA容器放在加热板上,将溶液加热至大...
发布时间: 2022 - 03 - 22
浏览次数:573
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言与硅器件、电路和系统相关的研究和制造通常依赖于硅晶片的湿化学蚀刻。深度蚀刻和微加工、成型和清洗需要使用液体溶液溶解硅。此外,湿化学通常用于单晶硅材料中的缺陷描绘。本文综述了工程师们使用的典型湿化学配方。尽可能多的来源已被用来提出一个蚀刻剂和工艺的简明清单。晶圆清洗通常使用一系列化学物质来清洗硅晶片。该序列首先由RCA实验室开发,因此通常被称为RCA过程。这种化学顺序不会侵蚀硅材料,而是选择性地去除残留在晶片表面的有机和无机污染物。以下是典型的RCA流程;在整个工业中,对顺序和化学比例的排序有许多变化。一般清洗:一般清洗是通过使用硫酸和过氧化氢的混合物来完成的。混合这些化学物质是危险的,会产生极高的热量。这种工业标准的清洗去除了晶片上的有机和无机污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·颗粒去除:在5∶1∶1的去离子水∶氢氧化铵∶过氧化氢混合物中的兆频超声波清洗(约70 ℃)将从晶片上去除二氧化硅和硅颗粒,以及去除某些有机和金属表面污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·氧化物去除:在1:20的HF:DI水中浸泡15-60秒将去除晶片表面的自然氧化物层和氧化物中的任何污染物。HF极其危险,必须小心处理。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·金属...
发布时间: 2022 - 03 - 22
浏览次数:601
共784条页次7/79首页上一页...  234567891011...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500
X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 133-5806-4333
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开