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发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称华林科纳(江苏)CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,0513-87733829
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-华林科纳(江苏)CSE华林科纳(江苏)半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称华林科纳(江苏)CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注华林科纳(江苏)半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称华林科纳(江苏)CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料初始屏蔽检查对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓,无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能,对横截面进行SEM检查,以确定适用于您的蚀刻步骤的不同特征尺寸的侧壁角度。对于大特征和非关键蚀刻,可能只需要测量掩模厚度。检查抗蚀剂掩模是否需要去渣。一般来说,通过去除显影步骤留下的有机残留物,去渣将使蚀刻步骤在每次运行之间更加一致。在某些情况下,不管曝光和显影时间如何,这种残留物都会残留,并且去渣步骤是蚀刻工作所必需的步骤。二氧化硅上的AZ抗蚀剂的例子如下:要测量掩模厚度,您可以使用横截面扫描电镜和补充软件。此外,对于透明薄膜,如光致抗蚀剂和电介质,您可以使用反射计或椭偏仪工具。掩模的初始厚度很重要,因为蚀刻过程的结果称为选择性,定义为材料对掩模的蚀刻速率。如果你选择的工艺的选择性很差,你将不能蚀刻到你的材料很深,或者你可能需要一个更厚的掩模。另一方面,对于某些工艺,例如深硅蚀刻,对于适当选择的掩模,选择性可能非常高,超过100比1。 工具选择蚀刻工具是高度专业化的,每种工具都有自己的一套工艺气体、材料和样品尺寸限制。为您的工艺选择合适的样品并确保您的设备符合材料限制非常重要。在蚀刻过程中使用错误的材料会破坏你自己的工艺,也会污染以后的工具。将腔室恢复到初始状态可以使整个蚀刻室停工一整天来清洁污染物。使用下表作为...
发布时间: 2022 - 04 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言高效交叉背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积,从而为家庭消费提供足够的能量。我们认为,借助光阱方案,适当钝化的IBC电池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在这项工作中,使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶片深度蚀刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻胶,使用四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法各向异性蚀刻和基于等离子体的反应离子蚀刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蚀刻的制造层。4英寸c-Si晶片的TMAH蚀刻在80℃的温度下进行8小时。使用SF6作为反应气体,对四分之一4英寸c-Si晶片进行RIE 3小时。开发了用于SU-8光致抗蚀剂沉积的基线光刻工艺流程。TMAH蚀刻技术的蚀刻速率在0.3-0.45微米/分钟的范围内,反应离子蚀刻的蚀刻速率在1.2-1.8微米/分钟的范围内。反应离子蚀刻显示出获得更小厚度尺寸的能力,具有比TMAH蚀刻技术更大的优势。 介绍能源被认为是未来五十年人类面临的头号问题。据估计,太阳能在一小时内显示出供给的潜力,其能量足以满足世界一年的能源需求总量[2]。光伏产业面临的一个主要挑战是以与化石燃料相比具有竞争力的成本产生足够量的能量。这个因素取决于对高效光伏设备和降低制造成本的需求[3]。据报道,较高效率的太阳能电池比使用晶体硅材料的市售太阳能电池的效率高...
发布时间: 2022 - 04 - 14
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始蚀刻,加入CHCI以控制各向异性。大量的氦有助于光致抗蚀剂的保存。已经进行了支持添加剂作用的参数研究。高速率各向异性等离子体蚀刻工艺对于提高加工VLSI晶片器件的机器的效率非常重要。这篇论文描述了这样一种用于以高速率( 5000埃/分钟)蚀刻铝的工艺,并且没有底切,甚至没有过蚀刻。先前已经报道了使用许多含氯化合物的等离子体在平行板反应器中对铝进行各向异性蚀刻的工艺,包括CCL、bcl和CU/BCS混合物(1-7)。然而,据报道,这些蚀刻工艺都没有同时具有高蚀刻速率( 2500/min)和在过蚀刻过程中没有底切。铝的蚀刻似乎包括两个过程:天然氧化铝层的去除和铝的蚀刻。据报道,使用BCS有助于去除氧化层,但是单独使用BCS蚀刻铝相对较慢。然而,铜和BCS的混合物:发现以高速率(1.2 p/min)蚀刻铝,但各向同性。各向异性蚀刻可以用这种混合物在高蚀刻速率(4000埃/分钟)下实现,然而,在这种情况下,在过蚀刻期间通常会导致底切。通过添加CHC/3等物质,各向异性蚀刻是可能的。这种添加被认为以类似于用CCLi蚀刻的方式保护侧壁,其中观察到铝的各向异性蚀刻与在蚀刻的铝边缘...
发布时间: 2022 - 04 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言开发了一种新的湿法清洗配方方法,其锡蚀刻速率在室温下超过30/min,在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容,适用于铜双镶嵌互连28 nm和更小的技术节点应用。该化学品提供了在单晶片工具应用的清洗过程中原位控制锡拉回或者甚至完全去除锡掩模的途径。这些化学品不含NH4OH或TMAH,因此非常方便用户使用。 介绍随着技术节点发展到45纳米和更小,半导体器件尺寸的减小使得实现过孔和沟槽的关键轮廓控制更具挑战性。IC公司正在研究使用金属硬掩模来提高对低k材料的蚀刻选择性,从而获得更好的轮廓控制。为了获得高产量和低电阻的互连,在下一个工艺步骤之前,必须去除侧壁上的聚合物和在蚀刻过程中产生的通孔底部的颗粒/聚合物残留物。如果清洗溶液还能够蚀刻TiN硬掩模以形成拉回/圆角形态,这将是有益的。这将防止低k值的弯曲或硬掩模的底切,使得能够可靠地沉积阻挡金属、铜籽晶层和铜填充。将这一概念更进一步,通过消除对阻挡层CMP的需要,完全去除金属硬掩模可以为下游工艺,特别是CMP提供许多好处。为了实现这两个目标,清洗溶液必须与低k和Cu相容,同时能够去除所有蚀刻副产物和残留物。已经探索了许多去除这些蚀刻残留物的方法。使用氢氧化铵-过氧化氢-水混合物和四甲基氢氧化铵(TMAH) -过氧化氢-水混合物进行锡蚀刻的研究已经进行。还报道了...
发布时间: 2022 - 04 - 13
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中,不同浓度的硝酸对硅片总厚度和重量损失、腐蚀速率、形貌和结构的影响。结果表明,总厚度和失重率随着硝酸浓度和腐蚀时间的增加而增加。硝酸浓度越高,蚀刻速度越快,蚀刻时间越长,蚀刻速度越慢。随着腐蚀时间和硝酸浓度的增加,光学显微镜观察到更光滑、更清晰的均匀硅表面图像。XRD分析表明,腐蚀后硅片的强度比纯硅片的强度高,这可能表明腐蚀后硅片表面更光滑。本研究的发现对于生产集成电路制造中关键的可靠的、理想的硅晶片具有重要的参考价值。 介绍薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。这些产品包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别(RFID)系统的集成电路。微观世界的新概念机电系统(MEMS)器件要求将晶片减薄到厚度小于150 μm。由于其高减薄率,机械研磨是最常用的晶片减薄技术。市场上可买到的研磨系统通常采用两步法,首先以高速(5米/秒)进行粗磨,然后以较低的速度(1米/秒)进行细磨,以去除大部分粗磨步骤产生的损坏层。然而,在晶片表面附近仍然存在缺陷带。该缺陷区的厚度取决于磨削条件。残余缺陷会在变薄的晶片中产生应力,...
发布时间: 2022 - 04 - 12
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已广泛用于BEOL图案化,以避免等离子体灰化过程中的超低k (ULK)损伤。随着技术节点的进步,新的集成方案必须被用于利用193 nm浸没光刻来图案化80 nm间距以下的特征。特别是,为了确保自对准通孔(SAV)集成,需要更厚的TiN-HM,以解决由光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)未对准引起的通孔-金属产量不足和TDDB问题。由于结构的高纵横比,如果不去除厚的TiN,则Cu填充工艺明显更加困难。此外,使用TiN硬掩模时,在线蚀刻和金属沉积之间可能会形成时间相关的晶体生长(TiCOF)残留物,这也会阻碍铜填充。在线蚀刻之后的蚀刻后处理是该问题的一个解决方案,但是N2等离子体不足以有效地完全抑制残留物,并且中提出的CH4处理可能难以对14 nm节点实施,因此有效的湿法剥离和清洁提供了更好的解决方案。开发了利用无铜暴露的SiCN保留方案去除厚TiN-HM的方法,并显示出良好的电气和可靠性性能,但仍有降低工业挑战成本的空间。在本文中,我们通过使用一体化湿法方案图1作为解决这些问题的替代方法,展示了厚锡-HM去除工艺,重点关注实现大规模生产的以下标准(如表1所示)。 结果和讨论首先,为了达到目标值( 200/min),研究了每种产品的锡蚀刻速率的温度依赖性。图2显示了锡蚀刻速率和从每个斜率计算的活化能(E...
发布时间: 2022 - 04 - 12
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发布时间: 2022 - 04 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文介绍了用于微型量子频标的MEMS碱蒸气室技术开发的实验结果。包含光学室、浅过滤通道和用于固态碱源的技术容器的两室硅电池的经典设计在湿法各向异性硅蚀刻的单步工艺中实现。为了防止在蚀刻穿透硅腔的过程中破坏过滤通道,计算氮化硅掩模的凸角处的补偿结构的形状,并且通过实验找到硅蚀刻剂的成分。实验结果用于制造含氖大气中87Rb或133Cs同位素蒸汽的芯片级原子钟单元。 介绍在过去的几十年中,深碱性硅蚀刻已经广泛用于微机电系统(MEMS)工业。有机和无机碱性溶液中硅微加工的各向异性本质是由于单晶硅不同刻面的溶解速率的显著差异。与硅的深度垂直等离子体蚀刻相比,碱性蚀刻不需要昂贵的设备,并且允许同时处理大量晶片。因此,优选的是批量生产各种MEMS,这些MEMS包含具有不高纵横比的简单矩形拓扑的体结构。这些是压力传感器、热传感器、加速度计、微流体芯片等。同类型的MEMS包括用于芯片级原子钟(CSAC)的气室。包含碱金属蒸汽的MEMS原子单元是微型光泵量子器件[5]的关键元件,如卫星导航中使用的磁力计或频率标准。基于相干布居俘获(CPT) 效应运行的CSAC体积小、能耗低,这是其在这一领域不可否认的优势。原子蒸汽室通常由夹在两个透明硼硅酸盐玻璃晶片之间的硅晶片制成。MEMS电池技术的主要过程是硅的穿透晶片蚀刻、填充碱金属源以及在适当的缓冲气氛中真空密...
发布时间: 2022 - 04 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中,含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化后残留的Cu中产生空隙,导致受影响的阵列电路中的高电阻和功能故障。去离子水中的溶解氧浓度必须最小化,以防止铜的蚀刻。 介绍与铝互连相比,铜互连具有更高的电阻率和可靠性,因此在微电子行业获得了广泛认可。然而,存在许多与铜金属化相关的产量问题,尤其是在湿法化学清洗期间的稳定性方面。在与化学机械抛光(CMP) 或通孔蚀刻相关的湿法清洗后(即在蚀刻停止移除之前)[5],经常会观察到铜的腐蚀或蚀刻。已经报道了三种不同类型的铜互连腐蚀;光腐蚀、电偶腐蚀和化学腐蚀。要发生腐蚀,至少需要两个反应;阳极反应和阴极反应。在阳极,金属表面被氧化,形成金属离子和电子。在阴极,电子被几种可能的电子消耗。此外,阳极和阴极之间必须有电连接,并且必须有电解质与阳极和阴极都接触。铜互连的腐蚀通常取决于图案。当Cu电连接到衬底中的p型Si区时,在光的存在下观察到光腐蚀。连接到p型硅(阳极)的铜比连接到n型区域(阴极)的铜处于更正的电位,使其更容易受到腐蚀。光允许电流流过硅并完成具有电解质的电化学电池,提供腐蚀发生所需的电荷载体,在等式和中)。铜的蚀刻通常与去H2O冲洗有关。起初,这似乎是一个令人惊讶的结果,因为迪H2O通常被认为是一种无...
发布时间: 2022 - 04 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在化学机械平坦化(CMP)抛光工艺之后去除晶片上的残留物是非常重要的,因为这些残留物会对晶片造成各种缺陷。自20世纪80年代以来,在抛光处理之后,氢氧化铵溶液或其混合物已经被用于去除颗粒和污染物。通过混合水、过氧化氢和氢氧化铵制备的被称为标准清洁(SC)溶液的RCA化学品被称为SC1,而水、过氧化氢和盐酸的混合物被称为SC2。使用兆频超声波和SC溶液对CMP工艺进行的研究得出结论,SC化学品的浓度越低,[的清洗效率越高至今仍被广泛用作清洁剂用于去除硅基表面有机和金属污染物的试剂,因为它们具有挥发性且与硅化合物的反应性低。除了SC溶液之外,通过使用稀释的氢氧化铵产生电排斥的方法去除颗粒在半导体工业中普遍采用本文介绍了对非氨基替代解决方案进行的研究。鉴于新的受控参数,本研究将氨态氮纳入符合表1工业废水限值的参数中。对于位于集水区下游的标准B设施,工业废水的允许限值设定为百万分之20(ppm)。 图 1 图2 化学机械抛光氧化物机理CMP氧化物机理如图2所示。抛光垫挤压这些磨粒以抛光晶片表面,抛光过程将均匀地发生在晶片的整个表面上。由于抛光液富含钾离子和颗粒,抛光后有效去除这些残留物至关重要。抛光站和OnTrack清洁器集成在一起,确保从抛光的晶片上有效去除污染物。SFI工具采用了三个步骤的CMP工艺流程,从抛光开始,接着...
发布时间: 2022 - 04 - 09
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