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发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1200...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。      氢氟硅酸H2SiF6用于沉积二氧化硅,在二氧化硅中发现其蒸汽含有过量的四氟化钠,四氟化钠与水结合会产生二氧化硅。在更具体的应用中,这种酸用于薄膜光波导或硅金属氧化物半导体太阳能电池中使用的氟化氧化硅的液相沉积LPD。在饱和H2SiF6中的阳极氧化也是这种太阳能电池中LPD的一种替代方法。另一种可能的应用是通过电沉积方法沉积非晶硅薄膜,得到高电阻率的硅膜。氟硅酸也有工业应用,如cap蚀刻剂和磷酸净化。实验过程与结果      在图1111和100取向硅晶片的蚀刻速率与22℃时H2SiF6与硝酸的比率分别在a部分和b部分绘制。虽然仅仅硝酸不会侵蚀硅,但是加入适量的H2SiF6会导致相当大的去除率。如图所示,从溶液中省略硝酸也停止了蚀刻过程,因为它在蚀刻过程中起到了氧化剂的作用。观察到在浓度为5∶2的H2SiF6和硝酸的Si111晶片中,获得了2...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业,特别是电子工业的重要商业材料,它们的广泛应用是由于其优异的导电性和导热性、易于制造和良好的强度。本研究考察了铜及其合金的可能的蚀刻剂。该研究还旨在提供关于在铜和铜合金的湿法蚀刻工艺中使用各种蚀刻剂引起的安全、健康和环境问题的信息。 用于铜湿法蚀刻的蚀刻剂      湿法蚀刻工艺中最广泛使用的铜蚀刻剂是氯化铁(氯化铁)。这种蚀刻剂的优点是蚀刻速率高,易于再生。然而,它的多功能性(例如在攻击锡铅抗蚀剂中)、低溶解铜容量和化学再生后的复杂溶液(其中氯化亚铁和氯化亚铜在溶液中)是缺点。当三氯化铁侵蚀铜表面时,三价铁离子将铜氧化成氯化亚铜,形成绿色氯化亚铁,如下所示:二氯化铁+铜-二氯化铁+氯化铜       铜的湿法蚀刻条件是蚀刻温度为50-55℃时蚀刻剂浓度为40-42倍。盐酸(HCl)一般加入到三氯化铁中,以改善铜的湿法腐蚀性能。      在铜的湿法蚀刻过程中,控制两个参数,即酸碱度和比重。酸碱度保持在8-8.5之间.比重为1.18-...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      透明导电氧化物(TCOs)作为薄膜硅(Si)太阳能电池的前电极起着重要作用,因为它们可以提供光学散射,从而改善器件内部的光子吸收。本文报道了掺杂铝氧化锌(氧化锌:Al或AZO)薄膜的表面纹理在薄膜硅太阳能电池中的光收集。AZO薄膜通过脉冲直流磁控溅射沉积在石灰玻璃片上。利用稀释的盐酸(盐酸)和氢氟酸(HF)进行两步蚀刻工艺,研究了几种AZO纹理化方法。所开发的纹理程序结合了盐酸盐诱导的坑的优点和高频蚀刻产生的更小、锯齿状但横向更均匀的特征。在两步过程中,第二个蚀刻步骤进一步增强了光雾霾,同时提高了由盐酸蚀刻产生的纹理特征的均匀性。所得到的AZO薄膜显示出40%以上的大雾值,良好的散射,表面角分布在30∘左右,这为薄膜硅太阳能电池提供有效的光捕获。 介绍      对于磁控溅射AZO薄膜,表面纹理通常是通过弱或稀释酸的湿化学蚀刻过程。传统的AZO纹理是基于使用稀释的盐酸溶液的单一蚀刻工艺。在盐酸蚀刻后也经常观察到小孔的出现,这可能会导致太阳能电池的分流问题。据报道,AZO的高频蚀刻比盐酸蚀刻更均匀。未分离的高频分子与水水合铵簇(如H3O+)相比相对较小,这有助于更均匀的蚀刻纹理。因此,本研究测试了一种基于盐酸和HF蚀刻的两步纹理程序。这两步过程背后的想法是提高表面...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中,我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释的磷酸和氢氧化钾溶液中,氮化镓上可以观察到氧化镓的形成。这归因于两步反应过程并且在此过程中,紫外线照射可以增强氮化镓的氧化溶解。      实验中,我们使用深紫外紫外光照射来研究不同酸碱度电解质中的湿法蚀刻过程。因此,我们能够首次在PEC蚀刻工艺中解决氧化物生长和氮化镓溶解的问题。我们将快速蚀刻速度归因于深紫外光增强的氮化镓氧化溶解和电解质中氧化还原水平的有效载流子注入。      对于深紫外光下氮化镓的等离子体化学蚀刻,实验使用了253.7纳米汞柱线源。为了避免加热问题,照明强度保持在10毫瓦/平方厘米。利用短光路来避免电解质中的紫外线诱导吸收,电解液通过将85%的磷酸(H3PO4)或氢氧化钾颗粒溶解在去离子水或乙醇中来制备。使用经过校准的Jenco 6071TH酸度计测量电解质的pH值,范围为2 1至15。      图1显示了在pH53的H3PO4电解液中1小时PEC处理的氮化镓的扫描电镜照片。沿氮化镓生长方向可以清...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍本文通过详细的动力学研究,阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后,我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系。此外,用离子色谱法测定稀释蚀刻剂溶液中亚硝酸盐离子浓度作为浓缩蚀刻剂中活性NIII的参数,确定了两种不同的蚀刻机制。在亚硝酸盐浓度高的区域,蚀刻速率明显与亚硝酸盐浓度无关。在较低的亚硝酸盐浓度下,蚀刻速率随亚硝酸盐c呈线性降低。 实验所有实验都是在受控的准等温条件下,为了测定蚀刻率,硅试样直径3英寸,双面抛光,厚度325m,电阻率10cm,算术平均粗糙度1.1nm,均方根粗糙度1.4nm;将样品夹在一对镊子的两端之间,浸入蚀刻溶液中浸泡5-180s。将样品浸入装满大量去离子水的烧杯中,然后进行冲洗。蚀刻溶液对硅的吸收用初始浓度为70%钒/钒氢氟酸和30%钒/钒硝酸的蚀刻溶液初始体积中溶解硅的绝对质量表示。 图1 由50%钒/钒氟化氢和50%钒/钒硝酸组成的有色蚀刻溶液的紫外-可见光谱 结果图2给出了硅溶解过程中产生的亚硝酸盐浓度随时间变化的例子。随着硅含量的进一步增加,亚硝酸盐浓度达到最大值,随后随着硅含量的增加而下降。亚硝酸盐浓度的增加与颜色从黄色经绿色变为深蓝色有关。因为在最大值之前的高蚀刻速率中,由于硅的快速溶解,在相...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文用同步光电发射光谱法研究了无氧化物砷化镓表面与酸性(盐酸+2-丙醇)和碱性(氨水)溶液的相互作用。结果表明,两种溶液主要处理表面镓原子,分别形成弱可溶性氯化镓和可溶性氢化镓。因此,表面的Ga-As键断裂,元素砷留在砷化镓表面。此外,用盐酸+2-丙醇溶液蚀刻时可以观察到吸附的2-丙醇分子,但用氨水溶液蚀刻时没有检测到吸附的水分子。 介绍      湿式化学蚀刻工艺在器件制造中已被广泛应用。半导体/电解质界面上发生的过程是非常复杂的。基本步骤是吸附离子,打破半导体表面键,以及形成表面化合物,这些化合物可能溶于溶液或钝化表面。GaAs(100)是研究最深入的半导体表面之一,因为它在电子学和光电子学应用中的重要性。本研究显示了用酸性(2-丙醇中的盐酸)和碱性(NH3水溶液)溶液湿法蚀刻GaAs(100)表面的详细研究结果。这些蚀刻程序已经证明了它们在去除天然氧化物层方面的高效率,尤其是用HCl在2-丙醇中的溶液蚀刻并随后在不同温度下退火后能够获得具有不同重构的有序GaAs(100)表面。 实验      本研究中使用的GaAs样品从n型晶片中切割出来。清洁的砷化镓表面是通过蚀刻和25%的天然氧化层制备的,随后在UHV500&#...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要FeCl3·6h2o用于单晶氧化锌薄膜的湿法蚀刻。该方法对抑制用酸蚀刻氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。通过触控笔轮廓仪和扫描电子显微镜证实,在广泛的蚀刻速率下获得了“U”形轮廓和光滑的表面形态。由x射线光电子光谱检测到的铁沉积被推测是形成合适的溶液水力学参数的原因。超声处理容易去除沉积层,使过程易于控制。这些结果表明,该方法在处理氧化锌基光电器件方面具有广阔的应用前景。 介绍各种蚀刻剂,如盐酸、硝酸、磷酸或磷酸/醋酸/ H2O已被用于湿法化学蚀刻氧化锌]。在他们的研究中,一种特殊的酸被用作蚀刻剂。其机理是氧化锌在酸性溶液中的反应产生溶解在水中的锌盐,从而形成蚀刻图案。然而,在酸蚀刻工艺中观察到的“W”形蚀刻轮廓使器件具有开路,这阻碍了酸蚀刻剂在氧化锌器件制造中的实际应用。到目前为止,还没有进行全面的研究来解决这个问题。在本研究中,一种新的蚀刻剂,氯化铁6H2O,被用于氧化锌蚀刻过程。在较宽的刻蚀速率范围内,容易获得“U”形刻蚀轮廓和光滑的刻蚀表面形貌。这种蚀刻效果源于蚀刻过程中产生的铁沉积,铁沉积在形成合适的溶液流体力学参数中起着关键作用。经过几个周期的超声波处理,沉积物可以完全去除。这种方法有望用于制备氧化锌基器件。实验FeCl3·6h2o是一种典型的酸性水盐,在氧化镁晶体蚀刻中报道,用于...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂,选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明,低粘度正光刻胶AZ703的自旋速度为3000r/min,厚度为1.10um,对光刻胶的去除有显著影响。为了最小化顶层与衬底物接触的面积,进一步减少浮渣,我们选择了8µm作为底层抗蚀剂的最佳缩回距离d。 导读一般来说,负光致抗蚀剂具有良好的抗蚀特性作为掩模。然而,浮渣现象在负光致胶中很常见,区域水的强氧化和腐蚀会部分蚀刻光致胶,甚至导致变性,增加了浮渣去除的难度。衬底中的缺陷在随后的自旋涂层PZT中引起大量黑点,导致压电性能降低,衬底附着力差,特征尺寸控制不足。因此,去除铂表面的光致抗蚀剂是影响PZT制造工艺的关键。完全去除光致抗蚀剂的关键是克服与衬底的结合力。传统的干燥方法包括干式蚀刻和湿式化学腐蚀。在干、湿蚀刻过程中,完全去除光致抗蚀剂对于获得基底干净的表面质量至关重要。一般来说,双层抗试剂方法可以广泛应用于在需要非常清洁表面的各种底座上的负光刻胶去除过程。 实验在Si/sio2/Ti/Pt衬底中,采用双层抗蚀剂法去除负光刻胶。制作工艺流程如图所示。 选择2英寸的裸硅片作为基片。所有氧化物晶片在沉积在磁控溅射设备的腔室中之前都在150...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要图案图像中纳米级粗糙度的最小化已成为微处理器生产中光刻过程的优先事项。为了探究表面粗糙度的分子基础,通过将临界电离模型应用于聚合物基体的三维分子晶格表示,模拟了光致抗蚀剂的发展。该模型被用于描述现在常用于微光刻的化学放大光刻剂。对溶解速率和表面粗糙度对聚合程度、多分散性和分数去保护程度的依赖性的模拟结果与实验结果一致。表面粗糙度的变化与实验观察到的诱导周期的长度有关。并提出了空隙分数和显影剂浓度对粗糙度影响的模型预测。显影剂浓度对顶表面和侧壁粗糙度影响的差异可以用模拟预测的临界显影时间来解释。 介绍随着新一代微处理器的出现,对微光刻的需求变得越来越困难。与光刻胶图像的表面和边缘相关的粗糙度的最小化现在是光刻技术持续进步的挑战之一。顶表面和线边缘粗糙度的问题在过去的一年中引起了相当多的关注,以及最近的几个原子力显微镜AFM。研究已经对光刻胶粗糙度的过程依赖性产生了显著的见解。他和Cerrina1研究了正色调化学放大光刻剂在曝光后烘焙时间范围内的表面粗糙度和曝光剂量之间的关系。他们的结果表明,系统具有相同的整体平均去保护程度,但不同的过程历史,表现出相似的表面形态,但不同程度的粗糙度。本文中描述的模拟允许聚合物共混,以便我们可以研究多分散性的影响。初始空隙分数,可以代表固有的聚合物自由体积或残留铸造溶剂。分子水平模型正确地预测了溶解率和...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。 介绍      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。在本文中,我们添加了一些新的实验结果来支持这里给出的观点。特别是,我们更详细地研究了氢氧化钾蚀刻硅蚀刻酸对接近方向的晶体方向的依赖性,并研究了HF:HN03:CH3COOH向各向异性硅蚀刻的转变。&#...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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