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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言太阳能电池利用太阳辐射发电,其中半导体材料被用作太阳能转换的吸收材料。尽管有许多吸收材料的替代品,硅太阳能电池仍然主导着市场。硅的带隙为1.1电子伏,单结硅太阳能电池的极限量子效率为29.1%。人们一直在努力提高太阳能电池的效率,不仅通过开发新的器件结构,而且通过减少光的反射。在商用太阳能电池中,这是分两步完成的——表面纹理化,然后沉积抗反射涂层。有很多种方法使表面具有纹理,例如机械雕刻,激光治疗,等离子蚀刻,和湿化学蚀刻,其中最后一种技术由于其易于加工、成本低和产量高而被广泛使用。表面纹理化是通过增强硅太阳能电池的光捕获能力来提高其效率的一种途径。在本文中,太阳能级、单晶、未抛光的硅片在织构化之前通过不同的途径进行化学处理。用扫描电子显微镜、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计系统地研究了这种预织构化处理对形态演变和相应光学性质变化的影响。已经发现,金字塔结构的均匀性和尺寸分布以及纹理化表面的反射率取决于预纹理化化学处理。此外,还发现在纹理化之前用HF蚀刻氧化物层不会影响纹理化硅衬底的光学特性。 实验在我们的工作中,我们使用了大面积(130mm×130mm)掺硼、p型、(100)取向、单晶、太阳级、未抛光的硅晶片,电阻率为1Ωcm-3Ωcm,厚度为190μm-210μm作为基底材料。本文所进行的化学处理可分为两个步骤:(1...
发布时间: 2021 - 11 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料太阳能电池的效率可以分为四个关键要素:最大限度地收集光线,最大化pn结载流子的数量,降低正向偏置暗电和有效的电流从单元格传输到模块。硅片上的金属污染对载流子的寿命和电池的性能有很大的影响。污染物可以暴露于硅体中,或在暴露在受污染的过程浴中被引入晶圆中。作为一种提高载体寿命和提高电池效率的手段,消除扩散前湿化学系统的污染至关重要。这些浴缸中的污染可能导致:不均匀或未蚀刻的晶片,降低蚀刻效率,降低清洁效率,污染物质会从一个浴室转移到下一个浴室,增加了水和化学品的消耗量。本文将几种流体处理材料作为扩散前化学物质的污染源和它们对化学浴的理论污染贡献。利用技术和理论来测量残留厚度,以及晶圆上的液体污染水平,可以量化液浴中杂质导致的污染水平增加。利用从各种湿材料中提取的实际数据,以及与这些材料接触的流体量,计算了理论管道系统的污染量。然后研究了减少再循环浴中化学物质和成分引入的污染物水平的方法。污染来源:湿式处理系统的施工材料:管道、软管、管道、阀门、配件、流量计、容器和过滤器。晶圆硅片加工中使用的化学物质和硅,错误的过滤器可能会由于化学物质、温度或流动不相容而造成污染。制造清洁度会产生更清洁的组件。广泛的清洁湿过程是必要的,以实现超清洁的产品。从管道材料中提取的污染物:图1比较了预扩散工艺管道中用作湿表面的各种材料的可提取的污染水平。这些数据是基于微克/平...
发布时间: 2021 - 11 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言硅异质结(SHJ)太阳能电池结合了高转换效率、低热预算、短工艺流程、良好的低光性能和较低温度系数带来的更好的年产量的优点。为了制造硅异质结(SHJ)太阳能电池,氢化非晶硅层沉积在织构化的碳硅晶片的两侧。需要纹理衬底来增强光捕获。这些电池的高转换效率依赖于非晶硅层提供的优异表面钝化。因此,没有有机和金属杂质的完美光滑表面是SHJ电池制造中最重要的方面之一。为了制造硅异质结(SHJ)太阳能电池,氢化非晶硅(a-Si:H)层沉积在织构化的c-Si晶片的每一侧。这些电池的高转换效率在很大程度上依赖于这些层提供的优异表面钝化。因此,一个完全干净的表面,没有有机和金属杂质,是制造SHJ电池的一个非常重要的方面。此外,对于未来的异质结结构,例如在钝化触点中使用金属氧化物,良好的表面质量控制将是重要的。本文研究了氢氧化钾随机金字塔纹理化后的湿化学清洗步骤。 实验我们使用180微米厚,6英寸n型直拉c-Si 晶片,电阻率为6Ω。厘米在氢氧化钾蚀刻溶液中形成纹理。使用酸性蚀刻工艺,或者通过单面蚀刻,使金字塔的顶端变圆。通过单面蚀刻(SSE)工具或在浴槽工艺中,之后进行脱色清洗。在整个实验中,一次准备一批100个有纹理的晶片。清洗步骤之后,通过使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在晶片的两侧沉积7纳米厚的本征非晶硅:氢层。在沉积之后,立即使用寿命测...
发布时间: 2021 - 11 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着器件尺寸缩小到深亚微米级,半导体制造中有效的湿法清洗工艺对于去除硅晶片表面上的残留污染物至关重要。GOI强烈依赖于氧化前的晶片清洁度,不同的污染物对器件可靠性有不同的影响,硅表面上的颗粒导致低击穿场和低产量,而有机污染物降低了氧化速率和氧化物质量。此外,金属污染将导致低击穿场和高结漏电流、增加的氧化物陷阱,这导致少数载流子寿命降低、阈值电压偏移以及由此导致的热载流子退化。本文研究了含有NH4OH和H2O2,和/或四甲基氢氧化铵(TMAH)和乙二胺四乙酸(EDTA)的一步清洗溶液对硅表面粗糙度和刻蚀速率的影响。讨论了TMAH溶液与硅表面的相互作用机理。此外,还分析了颗粒、有机物和金属杂质,以评估清洁效率。还评价了用这种新型清洗液清洗后栅氧化层的电特性。 实验      洗溶液和电容器制造工艺。—所有高纯度使用的再制剂均为默克的电子级或更高级别。表一列出了不同碱清洗溶液的各种配方,通过测试找到了硅表面的清洁效率的最佳配方。清洗液中使用了三甲基氯化铵和乙二胺四乙酸。      图1描述了电容器的制造过程和清洁程序。金属氧化物半导体电容器是在一个4英寸的衬底上制作的。电阻率为14-21Ω·cm的diam(100)取向p型晶片。...
发布时间: 2021 - 11 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料近年来,作为取代SPM(硫酸/过氧化氢)清洗的有机物去除法,通过添加臭氧的超纯水进行的清洗受到关注,其有效性逐渐被发现。在该清洗法中,可以实现清洗工序的低温化、操作性的提高、废液处理的不必要化、封闭系统的实现。另一方面,动态自旋清洗法解决了现在普遍使用的静态分批清洗法中存在的交叉污染、药液使用量的减少化、清洗时间的缩短化问题,而且还可以抑制自然氧化膜的生成,因此受到了人们的关注。将自旋清洗法与添加臭氧的超纯水相结合的新清洗法,与以往的方法相比,具有更好的清洗能力,在抑制自然氧化膜生成的同时,可以在短时间内完全除去晶片表面的有机物。有机物的影响和除去方法有机物污染是必须从晶片表面除去的污染物之一。作为污染源,被认为是涉及洁净室内的空气、晶片载体、晶片盒、药品、清洗工具等多种多样的污染源。物理吸附在晶片表面的有机物分子以粒子或薄膜状复盖表面,为了遮挡与清洗药液的接触,清洗效率(金属、粒子除去)降低,表面的不均匀蚀刻,以及外延硅层的生长、栅极氧化膜的击穿,因此,一般认为晶片表面上的有机物除去在清洗工序中必须首先在完全壁上进行。有机物去除机理根据利用FT-ⅠR的观察,已经推测有机物具有岛状或至少不均匀的厚度,是物理吸附的。有机物的除去使用的是利用氧化分解的清洗法,但是由于清洗后的晶片表面会形成氧化硅膜,所以一般组合进行用于除去氧化膜的清洗(稀氢氟酸清洗等...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      热氧化的目的:Si晶片在大气中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜复盖。 Si和在其上产生的SiO2膜的密合性很强。 在高温下进行氧化,会产生厚而致密且稳定的膜。 Si的熔点为1412℃,但SiO2的熔点为1732℃,复膜具有非常高的耐热性。 并不是所有的金属和半导体都具有被密合性高的致密的氧化膜容易被复的特性,而是作为将Si组装到半导体元件上的实用上非常有益的效果被利用。最初发明的Ge晶体管代替了Si晶体管,也是因为它通过热氧化形成了与Si相容性好的电、机械、热、化学特性优良的绝缘体SiO2,可以应用于MOS晶体管结构和钝化。      热氧化温度在800~1100℃下进行,但该温度区域属于晶片制作工序的其他热处理温度的最高温度范围。 因此,在进行热氧化的同时,同时进行几个热处理效果。 另外,在本来应该在比其更低的温度下进行的处理之后进行热氧化的话,之前的处理就会无效。 因此,热氧化是晶片工艺初期、晶体管形成以前( FEOL )使用的工艺技术。 金属布线中使用的Al的熔点为660℃,布线处理后不能使用热氧化,所以SiO2绝缘膜用堆积法形成。图5-1比较表示各种热处理工艺及其温度。 图5-1 晶片制作工序中的各种热处理工艺及其温度    ...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料一直以来,对于粒子的洗涤效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)为指标进行讨论。 通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片上的颗粒数量、柱(清洁后)值和初始(清洁前)值来描述PRE。本指标对于讨论洗涤方法之间的差异是有效的,但是为了调查相同洗涤条件下的微粒子去除效果的粒径依赖性,需要在样品上下功夫。我们采用了一种方法,即使用微粒涂覆装置改变粒径,在同一晶片上只涂覆已知量的颗粒。  图1显示了2300 NPT-1器件示意图和在300mm晶圆上涂覆40、60、80、100、200nm的PSL(聚苯乙烯胶乳)颗粒,用SP2测量的结果。 图2显示了使用SURF monitor的同一晶圆的PRE计算方法的概念图。考虑到SP2测量环境和洗涤效率,设定了颗粒直径和颗粒数量(密度)的条件。 此外,虽然这次采用了PSL球,但是该涂覆装置具有可以引入其他颗粒(例如二氧化硅和氮化硅)的优点。 双流体清洗:图3显示了一个典型的单片双流体清洗的PRE.1氮流量为14L/min.图3所示结果的最大要点是,即使是PSL颗粒,由于容易去除,被认为不适合清洗评价中的强制污染颗粒,随着颗粒直径的减小,PRE也会降低。特别是在60nm以下,PRE会显著降低。图4显示了PRE对40nm和200nm两个PSL粒子的氮流量依赖性。200n...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      电解是一种能够通过向液体通电,在阴极发生还原反应 ,在阳极发生氧化反应,从而制造新物质的有趣的方法 o特别是在阳极的氧化反应中,由于不稳定,可以通过 电能生成通常存在比率小的过氧化物。例如,如果是硫 酸溶液的话,可以从硫酸生成H9SOs或H9S90g这样的 过硫酸(过氧化物}。其他还有过乙酸、过硼酸、过碳酸 、过磷酸、高氯酸等。 实验      电解硫酸顾名思义就是电解硫酸溶液。电解硫酸后,如式(1)和(2)所示,生成硫酸根离子硫酸氢离子释放出电子,变成过硫酸(HS, Og)。通过使用钳电极的电解法详细说明了反应机理。硫酸浓度从1摩尔/升( 9wt % )变化到13摩尔/升( 76wt % ),过硫酸的生成效率是从4摩尔/升( 32wt % )到12摩尔/升( 72wt % )左右。 在本文中也得到了同样的结果,其理由也是考虑到图1的解离平衡可以接受的。过氧化氢与硫酸反应因为会变成乙酸和水,所以每次添加都会稀释药液中的硫酸,光致抗蚀剂去除能力也逐渐降低。与此相对,电解硫酸只要电解具有所需硫酸浓度的硫酸即可, 并且如式(1)和(2)所示,可以通过电量控制过硫酸浓度。图2总结了SPM及电解硫酸的处理时间和各种浓度的变化示意图。电解硫酸可以使硫酸浓度及氧化剂浓度保持一...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料使用超临界流体去除污染物的过程,即高于其临界温度和压力的类气体物质。超临界流体具有类液体溶剂化特性和类气体扩散和粘度,使其能够快速穿透缝隙和边界层膜,并完全去除其中包含的有机和无机污染物。此外,通过在超临界和亚临界值之间循环压力,颗粒可以在脉动的膨胀阶段被非常有效地排出。超临界流体的定义可以通过查看相图来充分理解。 图2中的一氧化碳。关键特性是在任何压力下都不能出现超过临界温度(T)的冷凝。T右侧和P上方的区域定义了超临界状态。超临界流体的密度可以非常高。二氧化碳作为清洗液:超临界CO被选为主要清洗液,因为其低粘度(0.05厘米泊)、高扩散率、非常低的表面张力,以及其他环境、安全和成本考虑。对于CO,临界温度T为31℃,临界压力也在实际范围内(Pc=73bar=1050psi)。图3显示了略高于临界温度的等温线的密度与压力。密度随着临界点附近的压力而显著变化。例如,在31℃时,在环境压力下,密度仅为0.002g/cm3,而在PC下,密度为0.468g/cm3(增加了234倍)。高于Pc的CO2具有与有机液体相当的密度和溶剂化能力。对于恒定的温度,CO2的溶剂浓度随压力而变化。物理化学性质可以在Pc以上和以下使用,即超临界和亚临界性质在设计良好的清洗过程中都很重要。在这一过程中,流体在两个压力之间循环,如图3所示。  图3晶圆清...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      最近,氮化镓基蓝色、绿色和紫外线发光二极管取得了巨大进展。这些氮化物基发光二极管也有可能用于固态照明。然而,为了实现固态照明,需要进一步提高这些发光二极管的输出效率。众所周知,氮化镓基发光二极管的光提取效率主要受到氮化镓薄膜和周围空气折射率差异大的限制。光子从氮化镓薄膜中逃逸的临界角由斯内尔定律决定。角度对于发光二极管的光提取效率至关重要。      本文通过化学湿法刻蚀工艺制备了背面粗糙的氮化镓基发光二极管,提高了光提取效率。稳定的晶体蚀刻面形成为氮化镓面。当近紫外和蓝色发光二极管以20 mA的正向电流工作时,发光二极管的输出功率从13.2和24.0毫瓦。不同的增强比归因于湿法刻蚀后N面氮化镓衬底上的六角锥导致的透射率随波长的变化。 实验      本方法中使用的n-UV和蓝色InGaN/GaN发光二极管都是在SR-4000大气压金属-有机化学气相沉积系统中生长在c面(0001) 2英寸GaN衬底上的。我们制造了氮化镓衬底。发光二极管结构由4米厚的掺硅氮化镓氮包层、多量子阱(MQW)有源层、20纳米厚的p型掺镁铝镓氮层和200纳米厚的掺镁氮化镓层组成。MQW有源区由5个周期的2.4纳米厚的未掺杂铟镓氮阱层和9纳米厚的未掺杂氮化镓阻...
发布时间: 2021 - 11 - 15
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